JP5735364B2 - 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ - Google Patents
半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5735364B2 JP5735364B2 JP2011149399A JP2011149399A JP5735364B2 JP 5735364 B2 JP5735364 B2 JP 5735364B2 JP 2011149399 A JP2011149399 A JP 2011149399A JP 2011149399 A JP2011149399 A JP 2011149399A JP 5735364 B2 JP5735364 B2 JP 5735364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- optical coupler
- optical
- length
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
(実施形態1)
図4に、本発明の実施形態1に係る半導体波長可変レーザを示す。図示のように、半導体波長可変レーザ400は、利得領域410と、利得領域410からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域420と、利得領域410とフィルタ領域420との間の位相調整領域430とを備える。
図11に、実施形態2に係る半導体波長可変レーザが備える半導体波長可変フィルタを示す。従来技術である非特許文献1の構成では、異なるFSRを有するリング共振器を2つ直列接続し、バーニア効果により波長可変帯域を拡大している。実施形態1に係る半導体波長可変レーザ400においても、図11のようにMZIを直列接続することが可能である。
図13に、本発明の実施形態3に係る半導体波長可変レーザを示す。実施形態3に係る半導体波長可変レーザ1300は、利得領域410、フィルタ領域1320、及び位相調整領域430を備え、フィルタ領域1320は、2つの2×2光カプラの間に接続された2本のアーム導波路内にそれぞれ異なるFSRを有するファブリペローエタロンを配置したMZI1321を備える。2本のアーム導波路は、ファブリペローエタロンを構成するミラー間を接続する光導波路の長さが異なるので、MZI1321は非対称MZIである。しかし、2×2光カプラとミラーとを接続する光導波路の長さは2本のアーム導波路で等しい。
410 利得領域
420 フィルタ領域(「半導体波長可変フィルタ」に相当)
421 第1のMZI
422 第2のMZI
423 2×2光カプラ
424、425 高反射ミラー
430 位相調整領域
1300 半導体波長可変レーザ
1320 フィルタ領域(「半導体波長可変フィルタ」に相当)
1321 MZI
1322 高反射ミラー
Claims (5)
- 第1の2×2光カプラの出力ポートと第2の2×2光カプラの入力ポートとの間に2本のアーム導波路が接続され、
各アーム導波路は、
前記第1の2×2光カプラの出力ポートに接続された第1のミラーと、
前記第1のミラーと所定の長さの光導波路により接続され、前記第2の2×2光カプラの入力ポートに接続された第2のミラーと
を有するファブリペローエタロンを備え、
前記第2の2×2光カプラの出力ポートに高反射ミラーが設けられ、
前記2本のアーム導波路は、
前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さが互いに異なり、
前記第1の2×2光カプラと前記第1のミラーとを接続する光導波路の長さが互いに等しく、
前記第2のミラーと前記第2の2×2光カプラとを接続する光導波路の長さが互いに等しいことを特徴とする半導体波長可変フィルタ。 - 第1及び第2の半導体波長可変フィルタが第1の2×2光カプラに並列に接続され、
前記第1及び第2の半導体波長可変フィルタは、それぞれ、
第2の2×2光カプラの出力ポートと第3の2×2光カプラの入力ポートとの間に2本のアーム導波路が接続され、
各アーム導波路は、
前記第2の2×2光カプラの出力ポートに接続された第1のミラーと、
前記第1のミラーと所定の長さの光導波路により接続され、前記第3の2×2光カプラの入力ポートに接続された第2のミラーと
を有するファブリペローエタロンを備え、
前記第3の2×2光カプラの出力ポートに高反射ミラーが設けられ、
前記2本のアーム導波路がそれぞれ備えるファブリペローエタロンの構造が同一である半導体波長可変フィルタであって、
前記第1の半導体波長可変フィルタにおいて、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは第1の長さであり、
前記第2の半導体波長可変フィルタにおいて、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは前記第1の長さと異なる第2の長さであり、
前記第1及び第2の半導体波長可変フィルタは、
前記第1の2×2光カプラと前記第2の2×2光カプラとを接続する光導波路の長さが互いに等しいことを特徴とする半導体波長可変フィルタ。 - 第1の2×2光カプラの出力ポートと第2の2×2光カプラの入力ポートとの間に第1及び第2のアーム導波路が接続され、
各アーム導波路は、
前記第1の2×2光カプラの出力ポートに接続された第1のミラーと、
前記第1のミラーと所定の長さの光導波路により接続され、前記第2の2×2光カプラの入力ポートに接続された第2のミラーと
を有するファブリペローエタロンを備え、
前記第2の2×2光カプラの出力ポートに高反射ミラーが設けられ、
前記第1のアーム導波路において、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは第1の長さであり、
前記第2のアーム導波路において、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは前記第1の長さより短い第2の長さであり、
前記第1の2×2光カプラと前記第1のミラーとを接続する光導波路と、前記第2のミラーと前記第2の2×2光カプラを接続する光導波路のうち、
一方は、前記第1のアーム導波路より前記第2のアーム導波路の方が、前記第1の長さと前記第2の長さとの差を正の整数で割った値の長さだけ長く、
他方は、前記第1のアーム導波路と前記第2のアーム導波路とで長さが等しいことを特徴とする半導体波長可変フィルタ。 - 第1及び第2の半導体波長可変フィルタが第1の2×2光カプラに並列に接続され、
前記第1及び第2の半導体波長可変フィルタは、それぞれ、
第2の2×2光カプラの出力ポートと第3の2×2光カプラの入力ポートとの間に2本のアーム導波路が接続され、
各アーム導波路は、
前記第2の2×2光カプラの出力ポートに接続された第1のミラーと、
前記第1のミラーと所定の長さの光導波路により接続され、前記第3の2×2光カプラの入力ポートに接続された第2のミラーと
を有するファブリペローエタロンを備え、
前記第3の2×2光カプラの出力ポートに高反射ミラーが設けられ、
前記2本のアーム導波路がそれぞれ備えるファブリペローエタロンの構造が同一である半導体波長可変フィルタであって、
前記第1の半導体波長可変フィルタにおいて、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは第1の長さであり、
前記第2の半導体波長可変フィルタにおいて、前記第1のミラーと前記第2のミラーとを接続する前記光導波路の前記所定の長さは前記第1の長さより短い第2の長さであり、
前記第1の2×2光カプラと前記第1の半導体波長可変フィルタの前記第2の2×2光カプラとを接続する光導波路より、前記第1の2×2光カプラと前記第2の半導体波長可変フィルタの前記第2の2×2光カプラとを接続する光導波路の方が、前記第1の長さと前記第2の長さとの差を2で割った値の長さだけ長いことを特徴とする半導体波長可変フィルタ。 - 利得領域と、
前記利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、
前記利得領域と前記フィルタ領域との間の位相調整領域と
を備える半導体波長可変レーザであって、
前記フィルタ領域は、請求項1から4のいずれかに記載の半導体波長可変フィルタで構成されていることを特徴とする半導体波長可変レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011149399A JP5735364B2 (ja) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011149399A JP5735364B2 (ja) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013015728A JP2013015728A (ja) | 2013-01-24 |
JP5735364B2 true JP5735364B2 (ja) | 2015-06-17 |
Family
ID=47688451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011149399A Active JP5735364B2 (ja) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5735364B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129338A (ja) | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 富士通株式会社 | 波長可変レーザ装置 |
JP7437682B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-02-26 | 株式会社デンソー | レーザ光源 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000261086A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光源 |
JP5029364B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-09-19 | 日本電気株式会社 | 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ |
JP2009010197A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2009204694A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Nec Corp | 波長フィルター及び、該波長フィルターを備えた光送信器 |
JP2010117570A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Nec Corp | 波長可変光フィルタ及びその制御方法 |
-
2011
- 2011-07-05 JP JP2011149399A patent/JP5735364B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013015728A (ja) | 2013-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5458194B2 (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
JP4942429B2 (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
US10193305B2 (en) | Wavelength tunable laser device and laser module | |
US9130350B2 (en) | Laser device that includes ring resonator | |
US8670476B2 (en) | Distributed reflector in a microring resonator | |
JP5764875B2 (ja) | 半導体光装置 | |
JP5206187B2 (ja) | 光半導体装置 | |
WO2013021421A1 (ja) | 半導体光素子 | |
JP5142803B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR102592497B1 (ko) | 모드 홉 프리 파장 튜닝을 위해 구성된 집적 광학 기반 외부 공동 레이저 | |
US20090154505A1 (en) | Wavelength tunable laser diode using double coupled ring resonator | |
US20140254617A1 (en) | Tunable laser diode device with amzi-fp filter | |
JP3198338B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2011142191A (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
JP4648647B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
US10923880B2 (en) | Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating | |
US9927676B2 (en) | Optical device with integrated reflector(s) comprising a loop reflector integrating a mach-zehnder interferometer | |
JP5001239B2 (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
JP5735364B2 (ja) | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ | |
JP2011086714A (ja) | 波長可変レーザ | |
JP5475839B2 (ja) | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ | |
JP5058087B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
JP4074534B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP7189431B2 (ja) | 波長可変レーザ | |
JP5034572B2 (ja) | 光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5735364 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |