JP5729954B2 - フッ化物単結晶、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
vmax=α・R1/2/d1/3
(ただし、αは0.0062であり、Rは原料融液に対する単結晶の回転数(rpm)を表わし、dは単結晶の平均直径(mm)を表わす。)
式中、Wi及びZiは、それぞれシンチレーターを構成する元素のうちのi番目の元素の質量分率及び原子番号である。
vmax=α・R1/2/d1/3
(ただし、αは0.0062であり、Rは原料融液に対する単結晶の回転数(rpm)を表わし、dは単結晶の平均直径(mm)を表わす。)
前記式中、αは経験的に求められた定数であって、mm4/3・min−1/2の次元を有する。
〔引上げ法によるRE:LuF3単結晶の製造〕
まず、フッ化ルテチウム 2850g、フッ化リチウム 143g及びフッ化ネオジウム 12.3gを混合してなる混合原料を、坩堝1に充填した。すなわち、本実施例および比較例では、アルカリ金属フッ化物としてLiFを45mol%添加し、発光中心元素としてNdを含有せしめた。なお、上記各原料の純度は99.99%以上の原料を用いた
次いで、上記原料を充填した坩堝1、ヒーター2、断熱材3、及びステージ4を図1に示すようにセットした。なお、坩堝1、ヒーター2、断熱材3、及びステージ4は、高純度カーボン製のものを使用した。
〔RE:LuF3単結晶の同定〕
実施例1〜5によって得られたRE:LuF3単結晶の一部を粉砕して粉末にし、粉末X線回折測定に供した。粉末X線回折法によって得られた回折パターンを解析した結果から、本実施例のRE:LuF3単結晶はいずれもフッ化ルテチウム型の結晶のみからなることが分かった。
〔シンチレーターの作製と発光特性の評価〕
前記実施例1で製造された単結晶を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断した後、研削し、10x10x5mm3の直方体に加工した。かかる直方体の10x10mm2の面を紫外線出射面とし、当該紫外線出射面に光学研磨を施して、シンチレーターを得た。
本比較例7及び比較例8では、混合原料にアルカリ金属フッ化物を添加しない場合について示す。比較例7及び比較例8のそれぞれについて、混合原料にフッ化リチウムを添加しない以外は、実施例4及び比較例4と同様にして引上げ法による製造を行った。
〔マイクロ引下げ法によるRE:LuF3単結晶の製造〕
図2に示すマイクロ引下げ法による結晶製造装置を用いて、実施例6〜8及び比較例9の単結晶を製造した。実施例6〜8については、表2に示す通りの原料を用いてRE:LuF3単結晶を製造した。比較例9については、フッ化ランタン 1.8g及びフッ化ネオジウム 0.20gを原料に用いて、特許文献1及び非特許文献3に記載のネオジウムを含有するフッ化ランタン単結晶を作製した。
〔RE:LuF3単結晶の同定〕
実施例6〜8によって得られたRE:LuF3単結晶の一部を粉砕して粉末にし、粉末X線回折測定に供した。粉末X線回折法によって得られた回折パターンを解析した結果から、本実施例のRE:LuF3単結晶はいずれもフッ化ルテチウム型の結晶のみからなることが分かった。
前記製造によって得られた単結晶を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって15mmの長さに切断した後、研削し、長さ15mm、幅2mm、厚さ1mmの直方体に加工した。かかる直方体の長さ15mm、幅2mmの面を紫外線出射面とし、当該紫外線出射面に光学研磨を施して、シンチレーターを得た。
2 ヒーター
3 断熱材
4 ステージ
5 チャンバー
6 高周波コイル
7 引上げロッド
8 坩堝
9 アフターヒーター
10 ヒーター
11 断熱材
12 ステージ
13 チャンバー
14 高周波コイル
15 引き下げロッド
Claims (5)
- Nd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶。
- Ndを含有することを特徴とする請求項1に記載のフッ化物単結晶。
- 請求項1に記載のフッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーター。
- シンチレーターが、高エネルギー光子用のシンチレーターであることを特徴とする請求項3に記載のシンチレーター。
- 少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物と、Nd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素のフッ化物とを混合してなる原料混合物を溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてNd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなるフッ化物単結晶を成長せしめる単結晶の製造方法であって、フッ化物単結晶の成長速度を下式で表わされるvmax以下とすることを特徴とするフッ化物単結晶の製造方法。
vmax=α・R1/2/d1/3
(ただし、αは0.0062であり、Rは原料融液に対する単結晶の回転数(rpm)を表わし、dは単結晶の平均直径(mm)を表わす。)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010207696A JP5729954B2 (ja) | 2010-09-16 | 2010-09-16 | フッ化物単結晶、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法 |
PCT/JP2011/071113 WO2012036239A1 (ja) | 2010-09-16 | 2011-09-15 | フッ化物単結晶、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012062218A JP2012062218A (ja) | 2012-03-29 |
JP5729954B2 true JP5729954B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=45831695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010207696A Active JP5729954B2 (ja) | 2010-09-16 | 2010-09-16 | フッ化物単結晶、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
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JP (1) | JP5729954B2 (ja) |
WO (1) | WO2012036239A1 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004137489A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Hokushin Ind Inc | 放射線検出用フッ化物単結晶材料及び放射線検出器 |
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WO2012036239A1 (ja) | 2012-03-22 |
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