JP5728859B2 - 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。

また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。

このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。

ところで、ピックアップ工程においては、個片化された半導体素子をピックアップする際に、半導体素子に割れや欠け等の損傷を生じさせることなく、剥離を生じさせるべき界面（特許文献１の接着シートでは、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性（いわゆるピックアップ性）が優れていることが求められる。
しかし、従来では、ピックアップ性が十分ではないと言う問題があった。

また、従来では、仮に、ピックアップ性を向上させるために、剥離を生じさせるべき界面の密着力を弱めると、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転力等によって、個片化された半導体素子が不本意に剥離してしまう現象（いわゆるチップ飛び）が生じてしまうと言う問題があった。
このように、従来では、ピックアップ性の向上とチップ飛びの防止とを両立させることが難しいと言う問題があった。

特開２００４−４３７６１号公報

本発明の目的は、ダイシング時におけるチップ飛びを防止するとともに、ピックアップ性を向上させることができる半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１３）の本発明により達成される。
（１） 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを貼着し、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有し、
前記第１粘着層の平均厚さをＴ１、前記第２粘着層の厚さをＴ２としたときに、
前記Ｔ２が、３〜５μｍであり、かつ、
Ｔ２／Ｔ１が、０．０５〜０．５であることを特徴とする半導体用フィルム。

（２） 前記第１粘着層の平均厚さは、１〜５０μｍである上記（１）に記載の半導体用フィルム。

（３） 前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁よりも内側に位置している上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルム。

（４） 前記第２粘着層の硬度は、前記第１粘着層の硬度より小さい上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（５） 前記第２粘着層のショアＡ硬度は、５〜９０である上記（４）に記載の半導体用フィルム。

（６） 前記第１粘着層のショアＤ硬度は、２０〜６０である上記（４）または（５）に記載の半導体用フィルム。

（７） 前記個片化した後の前記半導体ウエハーにおいて、前記個片の縁部を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力をａ（Ｎ／１０ｍｍ）とし、前記個片の前記縁部以外の部分を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力をｂ（Ｎ／１０ｍｍ）としたとき、ａ／ｂが１以上４以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（８） 前記密着力ａは、０．１〜０．４（Ｎ／１０ｍｍ）である上記（７）に記載の半導体用フィルム。

（９） 前記密着力ｂは、０．０５〜０．３（Ｎ／１０ｍｍ）である上記（７）または（８）に記載の半導体用フィルム。

（１０） 前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化する際に、前記切断により生じる切り込みの最深部が、前記支持フィルムに達するようにして使用されるものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（１１） 上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（１２） 前記切り込みは、その最深部が、前記支持フィルム内に位置するように設けられる上記（１１）に記載の半導体装置の製造方法。

本発明によれば、接着層に対する第１粘着層の密着力よりも、第１粘着層および支持フィルムに対する第２粘着層の密着力が大きくなるため、ピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち第１粘着層と接着層との界面）で剥離を生じさせることができる。

特に、第２粘着層が薄層化されているとともに、第１粘着層が厚層化されているので、ダイシング後において、第２粘着層の切断面付近の部分が接着層側へ伸びてしまうのを抑制するとともに、その伸びた部分が接着層の切断面へ至るのを防止することができる。そのため、第２粘着層の粘着力を強めても、第２粘着層がピックアップ時に悪影響を与える（接着層が第１粘着層との界面で剥離しにくくなる）のを防止することができる。

このようなことから、ダイシング時におけるチップ飛びを防止しつつ、ピックアップ性を向上させることができる。

本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。 （ａ）は、本発明の半導体用フィルムを用いたダイシング工程後の切り込み部を示す断面図、（ｂ）は、第２粘着層の厚さを厚くした半導体用フィルムを用いたダイシング工程後の切り込み部を示す断面図である。 第１粘着層と接着層との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。

以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。

図１ないし図３は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図４は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図、図５（ａ）は、本発明の半導体用フィルムを用いたダイシング工程後の切り込み部を示す断面図、図５（ｂ）は、第２粘着層の厚さを厚くした半導体用フィルムを用いたダイシング工程後の切り込み部を示す断面図、図６は、第１粘着層と接着層との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１ないし図４中の上側を「上」、下側を「下」という。

［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。

この半導体用フィルム１０は、後に詳述するが、接着層３の上面に半導体ウエハー７を貼着させ、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断（ダイシング）してそれぞれ個片化し、得られた個片（後述する半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３）を支持フィルム４からピックアップする際に用いるものである。このような半導体用フィルム１０は、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持する機能を有する。また、半導体用フィルム１０は、個片化された半導体ウエハー７（後述する半導体素子７１）および接着層３（後述する接着層３１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離するものである。このような半導体用フィルム１０は、ピックアップした半導体素子７１に、絶縁基板５上に接着するための接着剤（後述する接着層３１）を提供する機能を有する。

特に、この半導体用フィルム１０は、後に詳述するように、第１粘着層１の平均厚さをＴ１、第２粘着層２の厚さをＴ２としたときに、Ｔ２が、０．５〜５μｍであり、かつ、Ｔ２／Ｔ１が、０．００１〜０．６５であることを特徴としている。

これにより、第２粘着層２が薄層化されるとともに、第１粘着層１が厚層化されるので、ダイシングによって第２粘着層２が接着層３側へ這い上がって接着層３の切断面に至るのを防止することができる。そのため、第１粘着層１および第２粘着層２の粘着力を所望時にそれぞれ好適に発揮させることができる。その結果、ダイシング時におけるチップ飛びの防止を図りつつ、ピックアップ性を向上させることができる。

また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。

このうち、外周部２１には、後述する半導体装置１００の製造時におけるダイシング時に、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。

以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。

また、第１樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。

このような第１粘着層１の平均厚さＴ１は、後に詳述するようなＴ２／Ｔ１の関係を満たすものであれば、特に限定されないが、１〜５０μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜３０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さＴ１が前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、一方、厚さＴ１が前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さＴ１が前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。

（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、接着層３に対する第１粘着層１の密着力よりも、第１粘着層１および支持フィルム４に対する第２粘着層２の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置１００の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち第１粘着層１と接着層３との界面）で剥離を生じさせることができる。また、第２粘着層２の粘着性を高めることにより、後述する半導体装置１００の製造の第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度を高めることができる。

特に、第１粘着層１の平均厚さをＴ１、第２粘着層２の厚さをＴ２としたときに、Ｔ２が、０．５〜５μｍであり、かつ、Ｔ２／Ｔ１が、０．００１〜０．６５である。

このように、第２粘着層２が薄層化されるとともに、第１粘着層１が厚層化されるので、図５（ａ）に示すように、ダイシング後において、第２粘着層２の切り込み８１による切断面付近の部分が接着層３側へ伸びてしまうのを抑制するとともに、その伸びた部分が接着層３の切断面へ至るのを防止することができる。そのため、第２粘着層２の粘着力を強めても、第２粘着層２がピックアップ時に悪影響を与える（接着層３が第１粘着層１との界面で剥離しにくくなる）のを防止することができる。

これに対し、図５（ｂ）に示すように、厚さが５μｍよりも厚い第２粘着層１０２を用いた半導体用フィルム１１０を用いた積層体１０８の場合、ダイシング後において、第２粘着層１０２の切り込み１８１による切断面付近の部分が接着層３側へ伸びて、その伸びた部分が接着層３の切断面へ至ってしまう。そのため、第２粘着層１０２の粘着力を強めると、ピックアップ時に、接着層３に対して第１粘着層１の粘着力のみならず第２粘着層１０２の粘着力も作用してしまう。その結果、ピックアップ時において、接着層３と第１粘着層１との界面での剥離が生じにくくなり、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）に割れや欠け等が生じると言う問題がある。かかる問題は、半導体ウエハー７の厚さが薄くなるほど顕著となる。仮にピックアップ性を向上させるために第２粘着層１０２の粘着力を弱めると、ダイシング時において、第１粘着層１に対する第２粘着層１０２の密着力、および、支持フィルム４に対する第２粘着層１０２の密着力が弱くなりすぎてしまう。その結果、第１粘着層１と第２粘着層１０２との界面、および、支持フィルム４と第２粘着層１０２との界面での剥離が生じやすくなり、これらの界面での剥離が不本意に生じ、いわゆるチップ飛びを生じることとなる。

なお、半導体用フィルム１１０は、第２粘着層１０２の厚さが異なる以外は、半導体用フィルム１０と同様の構成を有している。また、図５（ｂ）において、図５（ａ）と同様の構成に関しては、同一符号を付している。

この第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。

このような第２粘着層２の平均厚さＴ２は、前述したように、０．５〜５μｍであればよいが、特に、１〜５μｍであるのが好ましく、２〜５μｍであるのがより好ましい。厚さＴ２が前記下限値未満であると、十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、一方、厚さＴ２が前記上限値を超えると、ダイシング時に第２粘着層２の切り込み８１による切断面付近の部分が接着層３側に伸びて、接着層３の切り込み８１による切断面に至ってしまう。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、前述したような効果に加えて、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。

また、前述したＴ２／Ｔ１は、前述したように、０．００１〜０．６５の範囲内であればよいが、特に、０．０１〜０．５であるのが好ましく、０．０５〜０．３であるのがより好ましい。かかるＴ２／Ｔ１が前記下限値未満であると、第２粘着層２の厚さＴ２に対して第１粘着層１の厚さＴ１が大きくなりすぎて、第１粘着層１の構成材料等によっては、第１粘着層１が部分的に剥がれやすくなり、例えば、ピックアップ時に、半導体素子７１に異物として付着するおそれがある。一方、かかるＴ２／Ｔ１が前記上限値を超えると、第２粘着層２の厚さＴ２に対して第１粘着層１の厚さＴ１が小さくなり、第２粘着層２の構成材料等によっては、ダイシング時に、第２粘着層２の切り込み８１による切断面付近の部分が接着層３側に僅かに伸びても、その伸びた部分が接着層３の切り込み８１による切断面に至るおそれがある。

（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。

このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。

なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。

また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。

また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。

一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。

また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に３〜３００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。

硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜２００質量部であるのが好ましく、特に３〜１５０質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。

また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒（硬化促進剤）を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。

硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。

イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。

前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。

接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。

接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。

また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。

このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。

また、フィラーの平均粒径は、０．１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。

フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜１００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜９０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。

（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。

このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。

支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。

（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力（粘着力）を有しているが、以下では、それらについて詳述する。

前述したように、第１粘着層１および支持フィルム４に対する第２粘着層２の密着力は、接着層３に対する第１粘着層１の密着力よりも大きい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

すなわち、第１粘着層１および第２粘着層２の２層で構成された粘着層を用いているため、それぞれの密着力（粘着力）を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

また、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜６００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、支持フィルム４上に、第１粘着層１の表面に第２粘着層２を積層して貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層体において第１粘着層１の部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

また、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、半導体ウエハー７の表面に２５ｍｍ幅の短冊状の接着層３を貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この接着層３を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。

なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。

また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で５〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に１０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、アクリレートモノマー１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。

一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に第２粘着層２が接するように、２５ｍｍ幅の短冊状の第２粘着層２を積層した支持フィルム４を２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この第２粘着層２を積層した支持フィルム４を、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでウエハーリング９から引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ_１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ_２としたとき、Ａ_２／Ａ_１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。

（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。

まず、図４（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。

また、積層体６１と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。

さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。

次いで、図４（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図４（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。

次いで、図４（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図４（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。

［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法について説明する。

図１ないし図３に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層（貼着）し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。

［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。

このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。前述したような半導体用フィルム１０を用いた半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対しても欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。

［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７とほぼ同じに設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。なお、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されていてもよい。

上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。

［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。

ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。

半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。

続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。

切り込み８１の先端（最深部）は、支持フィルム４に達している。これにより、半導体ウエハー７および接着層３の双方を確実に個片化して、半導体素子７１および接着層３１を得ることができる。特に、前述したように第１粘着層１および第２粘着層２の厚さがそれぞれ最適化されているため、切り込み８１の最深部が支持フィルム４に達していても、第２粘着層２が接着層３側へ伸びてしまうのを防止することができる。したがって、切り込み８１の深さを高精度に制御する必要がなく、ダイシングが容易かつ確実に行える。なお、切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであればよく、例えば、切り込み８１の深さを高精度に制御可能である場合には、切り込み８１の最深部は、第２粘着層２の途中あるいは第２粘着層２と支持フィルム４との界面に位置していてもよい。

［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。

［３−２］次に、図２に示すダイボンダ２５０により、個片化された半導体素子７１のうちの１つを吸着して上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。

［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。

この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。

具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板などが挙げられる。

なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、ダイボンダ２５０により絶縁基板５上に載置する。

ここで、ダイボンダ２５０について説明する。
図２に示すダイボンダ２５０は、ダイシング工程を経て得られた個片８３をピックアップした後、後述する絶縁基板５上に移送するものである。

このダイボンダ２５０は、個片８３を吸着するコレット（チップ吸着部）２６０と、絶縁基板５を下方から加熱するヒーター２７０と、コレット２６０を支持する装置本体２８０とを有する。コレット２６０は、個片８３を吸着した状態で、積層体８の載置部から絶縁基板５の載置部まで移動し得るようになっている。

本工程では、図２（ｅ）に示すように、コレット２６０により個片８３をピックアップし、この個片８３を絶縁基板５上に載置する。そして、ヒーター２７０で加熱しつつ個片８３を絶縁基板５に圧着することにより、個片８３を絶縁基板５に接着する（図２（ｆ）参照）。

なお、このようなピックアップの際に、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３１との界面が選択的に剥離することとなる。

また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる図示しない針状体（ニードル）等が用いられる。すなわち、ダイボンダ２５０は、この針状体を有していてもよい。

［４−２］次に、図３（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。

加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。

また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１２０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。

その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。

そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。

さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図３（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。

以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。

特に、前述したように第１粘着層１および第２粘着層２の厚さがそれぞれ最適化されているため、切り込み８１の最深部が支持フィルム４に達していても、第２粘着層２が接着層３側へ伸びて（這い上がって）しまうのを防止することができる。また、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すのも防止することができる。したがって、切り込み８１の深さを高精度に制御する必要がなく、ダイシングが容易かつ確実に行える。

このような第２粘着層２の伸びや成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。

したがって、第２粘着層２の硬度は、第１粘着層１の硬度より小さい。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第１粘着層１は、ピックアップ性に優れたものとなる。

また、第１粘着層１のショアＤ硬度は、２０〜６０程度であるのが好ましく、３０〜５０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、比較的厚い厚さの第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。

また、第２粘着層２のショアＡ硬度は、５〜９０程度であるのが好ましく、１０〜８０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。

また、第１粘着層１と接着層３との密着力は、個々の個片８３の中央部と縁部（エッジ部）とで異なる場合が多い。これは、縁部では、個片８３の端面に第１粘着層１中の成分が這い上がる等して、中央部に比べて密着力が大きくなり易いことに起因するものである。このため、個片８３をピックアップする際には、中央部と縁部とで密着力が大きく異なり、それによって半導体素子７１の割れや欠け等を招くおそれがある。

ここで、個片８３を引き剥がす際に、個片８３の縁部にかかる荷重（縁部の密着力）をａとし、個片８３の中央部にかかる荷重（中央部の密着力）をｂとしたとき、ａ／ｂは、１以上４以下であるのが好ましく、１以上３以下程度であるのがより好ましく、１以上２以下程度であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子７１の部分ごとの荷重のバラつきが比較的狭い範囲に抑制されることになるため、ピックアップの際に半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができる。そして、このような半導体用フィルム１０を用いることにより、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、最終的に信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。

なお、密着力ａおよび密着力ｂは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。
まず、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層して積層体８を得た後、半導体ウエハー７を１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化した後の状態で、第３の工程を行う前の積層体８の上面に、１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルム８７を２３℃（室温）で貼り付ける（図６（ａ）参照）。

次いで、２３℃（室温）において、図６（ｂ）に示すように、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす。この際、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を引き剥がしつつ、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重（単位Ｎ）の大きさを測定する。そして、図６（ｃ）に示すように、個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ａ」に相当し、個片８３の中央部（縁部以外の部分）Ｃが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ｂ」に相当する。

すなわち、半導体用フィルム１０によれば、個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れようとするとき、および、個片８３の中央部Ｃが第１粘着層１から離れようとするとき、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮にピックアップの際に半導体素子７１に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。これは、前述したように、第１粘着層１および第２粘着層２の層厚の最適化が図られていることによるものである。すなわち、ダイシングによって第２粘着層２の切り込み８１付近の部分が接着層３側へ這い上がって接着層３の切り込み８１による切断面に至るのが防止されるので、密着力ａと密着力ｂとの差を小さくすることができる。

また、個片８３の中央部（縁部以外の部分）の密着力ｂは、前述した第１粘着層１と接着層３との密着力の範囲にあることが好ましいが、その上で、０．０５〜０．３Ｎ／１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１０〜０．２５Ｎ／１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力ｂが前記範囲内にあることにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。また、密着力ａは、０．１〜０．４Ｎ／１０ｍｍであるのが好ましい。

特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）の場合には、密着力ｂを前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。

なお、個片８３の縁部Ｅとは、半導体素子７１の外縁から、半導体素子７１の幅の１０％以下の領域を指すものとする。一方、個片８３の中央部Ｃとは、前記縁部以外の領域を指すものとする。すなわち、半導体素子７１の形状が、例えば平面視において１０ｍｍ角の正方形である場合、外縁から１ｍｍ幅の領域が縁部であり、残りの領域が中央部となる。

以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。

また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。

また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５質量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ^２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層のショアＤ硬度は、４０であった。

＜２＞第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが５μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層のショアＡ硬度は、８０であった。

＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）社製）９．８質量部、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）社製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）社製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。

次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）社製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ１０μｍの接着層を成膜した。

＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。

次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。

さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。
ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．５であった。

＜５＞半導体装置の製造
次に、厚さ３５μｍ、８インチのシリコンウエハーを用意した。

そして、半導体用フィルムからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。

次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。

＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・Ｚ１軸ブレードハイト ：０．１４０ｍｍ
・Ｚ２軸ブレードハイト ：０．００８５ｍｍ

なお、上記Ｚ１軸およびＺ２軸ブレードハイトとは、２段階でダイシングする際におけるワークテーブル上面（＝支持フィルム下面）を基準点（ゼロ点）としたブレードのＺ軸方向の位置であり、Ｚ１軸ブレードハイトはファーストカット時のＺ軸方向の位置、Ｚ２軸ブレードハイトはセカンドカット時のＺ軸方向の位置である。このダイシングにより形成された切り込みは、その先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達していた。

次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。

次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。

次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０（住友ベークライト（株）製、商品名）で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を１０個作製した。

（実施例２）
第２粘着層の厚さＴ２を３μｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．３であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（実施例３）
第１粘着層の厚さを１００μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．２３０ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．０５であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（実施例４）
第１粘着層の厚さを５０μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．１８０ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．１であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（実施例５）
第１粘着層の厚さを２０μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．１５０ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．２５であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（比較例１）
第２粘着層の厚さを１０μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．１４５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、１であった。また、また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（比較例２）
第１粘着層の厚さを５μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．１３５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、１であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

（比較例３）
第１粘着層の厚さを１００μｍ、第２粘着層の厚さを２０μｍ、Ｚ１軸ブレードハイトを０．２４５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

ここで、Ｔ２／Ｔ１は、０．２であった。また、ダイシングは、切り込みの先端がポリエチレンシート（支持フィルム）内に達するように調整した。

２．評価
２．１ ダイシング性
まず、各実施例および各比較例におけるダイシング性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例において、半導体ウエハーを個片化して１００個の半導体素子を製造し、これをピックアップする際に、それぞれの半導体素子における不具合の有無を、以下の評価基準に従って評価した。なお、上記不具合としては、半導体素子の欠けや割れ、剥離（チップ飛び）等が挙げられる。

＜ダイシング性の評価基準＞
◎：不具合を含む半導体素子の個数が３個未満
○：不具合を含む半導体素子の個数が３個以上６個未満
△：不具合を含む半導体素子の個数が６個以上１０個未満
×：不具合を含む半導体素子の個数が１０個以上

２．２ ピックアップ性
次いで、個片化した半導体素子のピックアップ性を評価するため、各実施例および各比較例における半導体素子の９０°ピール強度を測定した。このピール強度は、半導体素子の上面に１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この支持フィルムの側より剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの端部における荷重とした。

そして、測定した荷重を、ピール強度の基準範囲０．１〜０．４Ｎ／１０ｍｍを用いた以下の評価基準に従って評価した。

＜ピックアップ性の評価基準＞
◎：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１個未満
○：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１個以上５個未満
△：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が５個以上１０個未満
×：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１０個以上
これらの評価結果を表１に示す。

この測定の結果、各実施例では、いずれも、ダイシング性およびピックアップ性の双方について、良好な結果が得られた。特に、実施例１、２、４においては、ダイシング性およびピックアップ性の双方について、極めて良好な結果が得られた。

一方、各比較例においては、ピックアップ性が極端に悪い結果となった。これは、第２粘着層の絶対的な厚さまたは第１粘着層の厚さに対する相対的な厚さが厚いため、ダイシングにより第２粘着層の切り込み付近の部分が接着層付近に這い上がり、第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層の成分により第１粘着層と接着層との界面での剥離を生じさせにくくさせることによるものと考えられる。

１ 第１粘着層
１１ 外周縁
２、１０２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８、１０８ 積層体
８１、１８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
８７ 粘着フィルム
９ ウエハーリング
１０、１１０ 半導体用フィルム
１００ 半導体装置
２５０ ダイボンダ
２６０ コレット
２７０ ヒーター
２８０ 装置本体

Claims (12)

1. 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを貼着し、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
   前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有し、
   前記第１粘着層の平均厚さをＴ１、前記第２粘着層の厚さをＴ２としたときに、
   前記Ｔ２が、３〜５μｍであり、かつ、
   Ｔ２／Ｔ１が、０．０５〜０．５であることを特徴とする半導体用フィルム。
2. 前記第１粘着層の平均厚さは、１〜５０μｍである請求項１に記載の半導体用フィルム。
3. 前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁よりも内側に位置している請求項１または２に記載の半導体用フィルム。
4. 前記第２粘着層の硬度は、前記第１粘着層の硬度より小さい請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体用フィルム。
5. 前記第２粘着層のショアＡ硬度は、５〜９０である請求項４に記載の半導体用フィルム。
6. 前記第１粘着層のショアＤ硬度は、２０〜６０である請求項４または５に記載の半導体用フィルム。
7. 前記個片化した後の前記半導体ウエハーにおいて、前記個片の縁部を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力をａ（Ｎ／１０ｍｍ）とし、前記個片の前記縁部以外の部分を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力をｂ（Ｎ／１０ｍｍ）としたとき、ａ／ｂが１以上４以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルム。
8. 前記密着力ａは、０．１〜０．４（Ｎ／１０ｍｍ）である請求項７に記載の半導体用フィルム。
9. 前記密着力ｂは、０．０５〜０．３（Ｎ／１０ｍｍ）である請求項７または８に記載の半導体用フィルム。
10. 前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化する際に、前記切断により生じる切り込みの最深部が、前記支持フィルムに達するようにして使用されるものである請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体用フィルム。
11. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
    前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
    得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 前記切り込みは、その最深部が、前記支持フィルム内に位置するように設けられる請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。

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