JP5721339B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明に係る半導体装置及びその製造方法について説明する前に、それらと対比される対象の半導体装置(以下、「対比対象半導体装置」と呼ぶ)及びその製造方法について説明する。
図10は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置について、実施の形態1に係る半導体装置と共通する部分については同じ符号を付している。
図13は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置について、実施の形態1に係る半導体装置と共通する部分については同じ符号を付している。
Claims (5)
- 表面側にMOSFET構造が形成されたN型半導体基板と、
前記N型半導体基板の裏面に形成されたP型コレクタ層と、
前記P型コレクタ層上にストライプ状に互いに離間して形成された、Al、または、AlとSiとのAl合金からなる第1金属電極を含む積層構造の裏面電極と
を備え、
前記第1金属電極の側部は前記P型コレクタ層と接触されていない、半導体装置。 - 表面側にMOSFET構造が形成されたN型半導体基板と、
前記N型半導体基板の裏面に形成されたP型コレクタ層と、
前記P型コレクタ層上に互いに離間してストライプ状に形成された、膜厚が1nm以上2nm以下の酸化膜と、
前記酸化膜上に形成され、当該酸化膜同士の隙間を介して前記P型コレクタ層とストライプ状に接触する、Al、または、AlとSiとのAl合金からなる第1金属電極を含む積層構造の裏面電極と
を備える、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第1金属電極は前記Al合金からなり、
前記裏面電極は、前記第1金属電極上に形成され、当該第1金属電極同士の隙間を介して前記P型コレクタ層とストライプ状に接触する、Alまたは前記Al合金からなる第2金属電極
をさらに備え
前記第1金属電極のアルミニウム濃度は前記第2金属電極よりも低い、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置であって、
前記第1金属電極の膜厚は、200nm以上300nm以下である、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1金属電極のストライプの幅及び間隔は、10μm以上30μm以下である、半導体装置。
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