JP5702227B2 - 選択トランジスタ、選択トランジスタの作成方法、メモリ装置及びメモリ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、上記の事情に対処してなされたもので、少ない工程数で製造でき、フラットバンド電圧のシフトを抑制できる選択トランジスタ、選択トランジスタの作成方法、メモリ装置及びメモリ装置の製造方法を提供することを目的とする。
図1は、本発明の一実施形態に係るメモリ装置1の概略構成及び等価回路を示した図である。図2は、図1の線分A−Aでの断面図である。以下、図1,図2を参照して、本実施形態に係るメモリ装置1の構成について説明する。なお、本実施形態では、メモリ装置1として、MONOS型のNANDフラッシュメモリについて説明する。
初めに、半導体基板100上に、SiO2層からなる素子分離領域を形成する(図3A(a)参照)。この素子分離領域の形成は、公知の方法、例えば、Si3N4層をマスクとして選択的に半導体基板を酸化し、素子間にSiO2層を形成するLOCOS法(local oxidation of silicon)や、半導体基板の分離領域にドライエッチングにより浅い溝を形成し、CVD(chemical vapor deposition)によりSiO2層を堆積した後、溝以外の部分に堆積したSiO2層をCMP(chemical mechanical polishing)により除去するSTI法(shallow trench isolation)などを用いることができる。なお、図3A(a)では、素子分離領域の図示を省略している。
素子分離領域を形成した半導体基板100上にトンネル絶縁層101としてSiO2層を形成する(図3A(b)参照)。SiO2層は、半導体基板100を熱酸化させて形成してもよいし、CVDでSiO2を堆積させて形成してもよい。
工程bで形成したSiO2層上に電荷蓄積層102としてのSi3N4層を形成する(図3A(c)参照)。Si3N4層は、CVDでSi3N4を堆積させて形成する。
工程cで形成したSi3N4層上にブロッキング絶縁層103AとしてのAl2O3層を形成する(図3B(d)参照)。Al2O3層は、PVD(physical vapor deposition)、CVDの他、ALD(atomic layer deposition)やMBE(molecular beam epitaxy)等によりAl2O3を堆積させて形成する。
選択トランジスタSTD,STSを形成する領域Bに形成されたAl2O3層に選択的にアルゴン(Ar)をソースガスとするGCIBを照射する(図3B(e)参照)。具体的には、工程dで形成したAl2O3層上にフォトレジスト202を塗布した後、プリベイクを行い、露光する。ポジ型のフォトレジストを使用する場合、感光した部分が溶解するため、選択トランジスタSTD,STSを形成する領域Bのみを露光する。また、ネガ型のフォトレジストを使用する場合、感光した部分が残るため、メモリトランジスタMT1〜MTmを形成する領域Aを露光する。露光後、フォトレジスト202を現像して選択トランジスタSTD,STSを形成する領域Bのフォトレジストを剥離する。なお、フォトレジスト202は、スピンコーター又は吹き付けで塗布し、露光は、ステッパー又はスキャナーで行う。
フォトレジスト202を剥離する(図3B(f)参照)。フォトレジスト202は、通常アッシャーを用いたドライプロセスで剥離するが、ウェットプロセスにより剥離してもよい。
Al2O3層上に、ゲート電極104としてのTiN層/W層/TiN層を同順に積層する(図3C(g)参照)。TiN層及びW層は、PVD、CVDの他、ALDやMBE等により形成する。
ゲート電極104となるTiN層/W層/TiN層を積層後、公知のリソグラフィー技術及びエッチング技術により、工程a〜工程gで積層された層を所望の構造にパターニングする(図3C(h)参照)。
パターニング後、半導体基板100がp型であればヒ素(As)等のn型ドーパントを、半導体基板100がn型であればホウ素(B)等のn型ドーパントをそれぞれイオン注入した後、熱処理を施し、メモリトランジスタMT1〜MTm及び選択トランジスタSTD,STSの両側に各々ソース/ドレイン領域を形成する(図3C(i)参照)。その後、周知の方法で配線等を形成して本実施形態のメモリ装置1が形成される。
(実施例1)
実施形態の工程a〜工程cと同様にして、P型半導体基板上にSiO2層、Si3N4層及びAl2O3層をそれぞれ4nm、7nm及び15nm形成した。
比較例1では、選択トランジスタSTD,STSを形成する領域のAl2O3層へ酸素(O)をソースガスとするGCIBを照射して、酸素(O)をドープした点が実施例1と異なる。その他の構成は、実施例1と同じである。
比較例2では、選択トランジスタSTD,STSを形成する領域のAl2O3層へアルゴン(Ar)を、GCIBを使用せずにイオン注入した点が実施例1と異なる。その他の構成は、実施例1と同じである。
比較例3では、選択トランジスタSTD,STSを形成する領域のAl2O3層へのドープを行わずに、ゲート電極を形成した点が実施例1と異なる。その他の構成は、実施例1と同じである。
されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上述の実施形態では、ブロッキング絶縁層へArをドープする際にフォトレジストをマスクとして使用したが、他の材料で形成した膜(Si3N4膜やSiO2膜等)をマスクとしてもよい。
Claims (2)
- 直列接続された複数のメモリトランジスタ及び前記直列接続された複数のメモリトランジスタの両端に設けられた選択トランジスタを備えたメモリ装置の製造方法であって、
半導体基板上にトンネル絶縁層を形成する工程と、
前記トンネル絶縁層上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層上にブロッキング絶縁層を形成する工程と、
前記選択トランジスタが形成される領域の前記ブロッキング絶縁層へアルゴンをソースガスとするガスクラスタイオンビームを選択的に照射する工程と、
前記ブロッキング絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
積層された前記トンネル絶縁層から前記ゲート電極をパターニングする工程と、
前記パターニングされた前記ゲート電極の両側の前記半導体基板中にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
を具備することを特徴とするメモリ装置の製造方法。 - 前記ブロッキング絶縁層は、酸化アルミニウムからなることを特徴とする請求項1記載のメモリ装置の製造方法。
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