JP5700268B2 - ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示材料として有用な誘電率異方性（Δε）が正の値を示すネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。さらに液晶組成物は個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）または及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。

垂直配向（ＶＡ）型ディスプレイではΔεが負の液晶組成物が用いられており、ＴＮ型、ＳＴＮ型又はＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の水平配向型ディスプレイではΔεが正の液晶組成物が用いられている。また、Δεが正の液晶組成物を電圧無印加時に垂直に配向させ、横電界を印加する事で表示する駆動方式も報告されており、Δεが正の液晶組成物の必要性はさらに高まっている。一方、全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεが正で絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、回転粘性（γ１）の小さい液晶組成物が要求される。

高速応答性を志向した液晶組成物の構成として、例えば、Δεが正の液晶化合物である式（Ａ−１）や（Ａ−２）で表される化合物、およびΔεが中性の液晶化合物である（Ｂ）を組み合わせて使用した液晶組成物の開示がされている。これらの液晶組成物の特徴は、Δεが正の液晶化合物が−ＣＦ_２Ｏ−構造を有することやΔεが中性の液晶化合物がアルケニル基を有することは、この液晶組成物の分野では広く知られている。（特許文献１から４）

一方で、液晶表示素子の用途が拡大するに至り、その使用方法、製造方法にも大きな変化が見られる。これらの変化に対応するためには、従来知られているような基本的な物性値以外の特性を最適化することが求められるようになった。すなわち、液晶組成物を使用する液晶表示素子はＶＡ型やＩＰＳ型等が広く使用されるに至り、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が実用化されるに至り使用されるようになった。基板サイズの大型化に伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から滴下注入（ODF：One Drop Fill）法が注入方法の主流となったが、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。

さらに、ODF法による液晶表示素子製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要がある。注入量のずれが最適値から大きくなると、あらかじめ設計された液晶表示素子の屈折率や駆動電界のバランスが崩れ、斑発生やコントラスト不良などの表示不良が生じる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しい。従って、液晶表示素子の歩留まり高く保持するために、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能な性能も必要である。

このように、ＴＦＴ素子等で駆動するアクティブマトリックス駆動液晶表示素子に使用される液晶組成物おいては、高速応答性能等の液晶表示素子として求められている特性や性能を維持しつつ、従来から重視されてきた高い比抵抗値あるいは高い電圧保持率を有することや光や熱等の外部刺激に対して安定であるという特性に加えて、液晶表示素子の製造方法を考慮した開発が求められてきている。

特開２００８−０３７９１８号 特開２００８−０３８０１８号 特開２０１０−２７５３９０号 特開２０１１−０５２１２０号

本発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性（Δε）が正の液晶組成物であって、広い温度範囲の液晶相を有し、粘性が小さく、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率が高く、熱や光に対して安定な液晶組成物を提供し、更にこれを用いることで表示品位に優れ、焼き付きや滴下痕等の表示不良の発生し難いＴＮ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型等の液晶表示素子を歩留まりよく提供することにある。

本発明者は、種々の液晶化合物および種々の化学物質を検討し、特定の液晶化合物を組み合わせることにより前記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明の液晶組成物は、第一成分として、式（Ｉｘ）

で表される化合物を含有し、その含有量は３から６０質量％であり、第二成分として、誘電率異方性（Δε）が正である成分（Ａ）を含有する液晶組成物を提供し、また、これを用いた液晶表示素子を提供する。

本発明の誘電率異方性（Δε）が正である液晶組成物は、非常に低い粘度（η）及び回転粘性（γ１）を得ることができ、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率（ＶＨＲ）が熱や光によって受ける変化が極めて小さいため、実用性が高く、これを用いたＴＮ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型等の液晶表示素子は高速応答を達成できる。また、液晶表示素子製造工程において安定的に性能を発揮できるため、工程起因の表示不良が抑制されて歩留まり高く製造できるので、非常に有用である。

本発明者は、種々のビシクロヘキシル誘導体及びフルオロベンゼン誘導体やフルオロナフタレン誘導体を検討し、特定の化合物を組み合わせることにより前記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明の液晶組成物は、第一成分として、式（Ｉｘ）で表される化合物を含有する。式（Ｉｘ）で表される化合物は３から６０質量％含有するが、５から５０質量％含有することが好ましく、５から４０質量％含有することが更に好ましく、１０から３０質量％含有することが特に好ましい。更に詳述すると、粘度（η）又は回転粘性（γ１）を小さくする場合には、その含有量は２０から６０質量％が好ましいが、低温における析出の抑制を重視する場合にはその含有量は１０から３０質量％が好ましい。また、低温での溶解性を確保したい場合にはその含有量は１０から４０質量％が好ましい。

本発明の液晶組成物は、第二成分として、誘電率異方性（Δε）が正である化合物を含有する。ここで、誘電率異方性（Δε）が正とは誘電率異方性（Δε）の絶対値が２よりも大きいことを意味する。Δεが正である成分（Ａ）の含有量は１０から９０質量％であることが好ましく、１５から７０質量％が更に好ましく、１５から５０質量％が特に好ましい。

成分（Ａ）に使用される化合物は、誘電率異方性（Δε）が２以上の化合物で構成されるが、２．５以上の化合物で構成されることが好ましく、３以上の化合物で構成されることが更に好ましく、３．５以上の化合物で構成されることが特に好ましい。なお、化合物の誘電率異方性（Δε）は、２５℃において誘電率異方性（Δε）が約０である液晶組成物に添加して調製した組成物の誘電率異方性（Δε）の測定値から外挿した値である。

第二成分である成分（Ａ）は、ナフタレン骨格を有することを特徴とする一般式（Ｎａ）又は一般式（Ｎｂ）で表される化合物を含有することが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎａ１及びＲ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良いが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

環Ａ^Ｎａ１及びＡ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていても良い。）又は１，４−フェニレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝によって置換されていても良い。）を表し、基中の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良いが、１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｚ^Ｎａ１、Ｚ^Ｎｂ１及びＺ^Ｎｂ２は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＦ_２Ｏ−が更に好ましい。

ｎ^Ｎａ１は、１、２、３又は４を表すが、ｎ^Ｎａ１が２、３又は４であって環Ａ^Ｎａ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、同様に、Ｚ^Ｎａ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良い。Ｔｎｉの改善を重視する場合にはｎ^Ｎａ１は２、３又は４が好ましく、応答速度の改善を重視する場合にはｎ^Ｎａ１は１又は２が好ましい。

ｎ^Ｎｂ１は、０、１、２又は３を表すが、ｎ^Ｎｂ１が２、３又は４であって環Ａ^Ｎｂ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、同様に、Ｚ^Ｎｂ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良い。Ｔｎｉの改善を重視する場合にはｎ^Ｎｂ１は１、２又は３が好ましく、応答速度の改善を重視する場合にはｎ^Ｎｂ１は０又は１が好ましい。

Ｘ^Ｎａ１、Ｘ^Ｎａ２、Ｘ^Ｎａ３、Ｘ^Ｎｂ１、Ｘ^Ｎｂ２、Ｘ^Ｎｂ３、Ｘ^Ｎｂ４及びＸ^Ｎｂ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。

Ｘ^Ｎａ１が水素原子を表すことが好ましく、Ｘ^Ｎａ２及びＸ^Ｎａ３のうち少なくとも１個はフッ素原子を表すことが好ましく、ともにフッ素原子を表すことがより好ましい。

Ｘ^Ｎｂ１が水素原子を表すことが好ましく、Ｘ^Ｎｂ２及びＸ^Ｎｂ３のうち少なくとも１個はフッ素原子を表すことが好ましく、ともにフッ素原子を表すことがより好ましい。

Ｘ^Ｎｂ４及びＸ^Ｎｂ５のうち少なくとも１個はフッ素原子を表すことが好ましく、ともにフッ素原子を表すことがより好ましい。

Ｙ^Ｎａ１及びＹ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが更に好ましい。

第二成分である成分（Ａ）は、一般式（Ｐａ）で表される化合物を含有することも好ましい。

式中、Ｒ^Ｎｃ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良いが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
環Ｐ^１、Ｐ^２及びＰ^３はそれぞれ独立的に、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていても良い。）又は１，４−フェニレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）を表し、基中の水素原子はそれぞれ独立的にシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良いが、１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｚ^Ｎｃ１、Ｚ^Ｎｃ２又はＺ^Ｎｃ３は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＦ_２Ｏ−が更に好ましく、存在するＺ^Ｎｃ１、Ｚ^Ｎｃ２又はＺ^Ｎｃ３の内のいずれかひとつは単結合であることが更に好ましい。

ｎ^ｃ１、ｎ^ｃ２又はｎ^ｃ３は、それぞれ独立的に、０、１又は２を表す。ｎ^ｃ１＋ｎ^ｃ２＋ｎ^ｃ３は１から５を表すが、４以下が更に好ましく、３以下が特に好ましい。

Ｘ^Ｎｃ１及びＸ^Ｎｃ２は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。

Ｙ^Ｎｃ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが更に好ましい。

一般式（Ｎａ）で表される化合物は、一般式（Ｎａ０１）から（Ｎａ１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎａ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良いが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｚ^Ｎａ１又はＺ^Ｎａ２は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＦ_２Ｏ−が更に好ましい。

Ｘ^Ｎａ１からＸ^Ｎａ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。

Ｙ^Ｎａ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが更に好ましい。

一般式（Ｎｂ）で表される化合物は、一般式（Ｎｂ１）から（Ｎｂ１６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎｂ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良いが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｘ^Ｎｂ１からＸ^Ｎｂ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。

Ｙ^Ｎｂ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが更に好ましい。

一般式（Ｐａ）で表される化合物は、一般式（Ｐ０１）から（Ｐ８０）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎｃ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良いが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｙ^Ｎｃ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが更に好ましい。

本発明の液晶組成物は、第三成分として、誘電率異方性（Δε）がほぼ０である化合物を含有することができる。具体的には、一般式（ＩＩＩ−Ａ）から一般式（ＩＩＩ−Ｊ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

式中、Ｒ^５は、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^６は、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基を表す。

但し、一般式（ＩＩＩ−Ａ）で表される化合物において、式（Ｉｘ）で表される化合物と同一の化合物は含まない。

第三成分である誘電率異方性（Δε）がほぼ０である化合物は、一般式（ＩＩＩ−Ａ）、一般式（ＩＩＩ−Ｄ）、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）から選ばれる化合物であることが更に好ましい。

また、一般式（ＩＩＩ−Ｄ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）で表される化合物においては、Ｒ^５は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^６は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシ基であることが好ましい。一般式（ＩＩＩ−Ｆ）で表される化合物においては、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立的に炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基であることが好ましい。

第三成分である誘電率異方性（Δε）がほぼ０である化合物の含有量は、その含有量は１０から８０質量％であることが好ましく、１０から６０質量％であることが更に好ましく、２０から５０質量％が特に好ましい。

更なる成分として、一般式（ＶＩＩＩ−ｃ）又は一般式（ＶＩＩＩ−ｄ）で表される化合物を１種又は２種以上含有しても良い。

式中、Ｒ^５１及びＲ^５２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^５１及びＸ^５２は、それぞれ独立的に、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を表す。

本発明の液晶組成物には、ＰＳモード、横電界型ＰＳＡモード又は横電界型ＰＳＶＡモード等の液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光等のエネルギー線により重合が進行するビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体等の六員環が複数連結した液晶骨格を有する光重合性モノマーが挙げられるが、具体的には、一般式（ＸＸ）で表される二官能モノマーが好ましい。

式中、Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、それぞれ独立的に、水素原子又はメチル基を表す。

Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立的に、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表す。

Ｚ^２０１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立的に、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表す。

Ｍ^２０１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は任意の水素原子がフッ素原子によって置換されていても良い。）を表す。

Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。横電界型ＰＳＡ表示素子に使用する場合は、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立的に、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳ型表示素子及び横電界型ＰＳＡモードの液晶表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましく、この場合１〜４のアルキレン基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^２０１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合が更に好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｍ^２０１は、任意の水素原子がフッ素原子によって置換されていても良い１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（ＸＸ）において、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２の間の環構造は、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−５）であることが好ましく、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−３）であることが更に好ましく、式（ＸＸａ−１）であることが特に好ましい。但し、式の両端はＳｐ^２０１又はＳｐ^２０２に結合するものとする。

これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳ型表示素子及び横電界型ＰＳＡモードの液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない効果がある。

以上のことから、重合性モノマーとして、式（ＸＸ−１）、式（ＸＸ−２）、一般式（ＸＸ−３）又は一般式（ＸＸ−４）で表される化合物が特に好ましく、中でも式（ＸＸ−２）が最も好ましい。

式中、Ｓｐ^２０は炭素原子数１から４のアルキレン基を表す。

本発明の液晶組成物に重合性化合物を添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

本発明における液晶組成物は、さらに、一般式（Ｑ）で表される化合物を含有することができる。

式中、Ｒ^Ｑは、炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、基中の１つ又は非隣接の２つ以上のＣＨ_２基は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−によって置換されていても良く。

Ｍ^Ｑは、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表す。

一般式（Ｑ）で表される化合物は、具体的には、下記の一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましい。

Ｒ^Ｑ２は、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましい。

Ｒ^Ｑ３は、炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましい。

Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。

一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ−ｃ）及び一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が更に好ましい。

本願発明の液晶組成物において、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種又は２種を含有することが好ましく、１種から５種含有することが更に好ましく、その含有量は０．００１から１質量％であることが好ましく、０．００１から０．１質量％が更に好ましく、０．００１から０．０５質量％が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における誘電率異方性（Δε）が２．０から２０．０であるが、４．０から１８．０が好ましく、４．０から１６．０が更に好ましく、４．０から１４．０が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１８であるが、０．０９から０．１５が更に好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１８であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓであるが、１０から２５ｍＰａ・ｓであることが更に好ましく、１０から２０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２０℃における回転粘性（γ_１）が５０から１３０ｍＰａ・ｓであるが、５０から１１０ｍＰａ・ｓであることが更に好ましく、５０から９０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１１０℃がより好ましく、７０℃から１００℃が特に好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
-F -F フッ素原子
F- -F フッ素原子
-n -C_nH_2n+1 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
n- C_nH_2n+1- 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
-On -OC_nH_2n+1 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
nO- C_nH_2n+1O- 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
-V -CH=CH₂
V- CH₂=CH-
-V1 -CH=CH-CH₃
1V- CH₃-CH=CH-
-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃
V2- CH₃=CH-CH₂-CH₂-
-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃
1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂
（環構造）

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Ｔ_ｃｎ ：固体相−ネマチック相転移温度（℃）
Δｎ ：２０℃における屈折率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２０℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Δε ：２５℃における誘電率異方性
（比較例１、実施例１、実施例２及び実施例３）
ＬＣ−Ａ（比較例１）、ＬＣ−１（実施例１）、ＬＣ−２（実施例２）及びＬＣ−３（実施例３）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表１のとおりであった。

本発明の液晶組成物ＬＣ−１、ＬＣ−２及びＬＣ−３は、比較例であるＬＣ−Ａよりも、粘度（η）が小さく、回転粘性（γ_１）が小さい値であった。また、Ｔｃｎが顕著に低くなっており、低温での溶解性が顕著に改善されたことを確認した。

これらを使用した液晶表示素子の応答速度を測定したところ、ＬＣ−１、ＬＣ−２及びＬＣ−３は、十分に高速応答であり、ＬＣ−Ａよりも１０％以上高速であった。更に、ＶＨＲを測定し、十分に高いＶＨＲであることを確認した。なお、セル厚は４ｕｍ、配向膜はＡＬ１０５１であり、応答速度の測定条件は、Ｖｏｎは５．５Ｖ、Ｖｏｆｆは１．０Ｖ、測定温度は２０℃で、ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社のＤＭＳ３０１を用いた。ＶＨＲの測定条件は、５Ｖ、６０Ｈｚ、測定温度は６０℃で、東陽テクニカ社のＬＣＭ−２を用いた。

また、比抵抗を測定したところ、１．０Ｅ＋１４（Ω・ｃｍ）以上であり、十分に高い比抵抗であることを確認した。なお、比抵抗の測定には川口電機社の比抵抗測定装置ＭＭＡＩＩ−１７を用いた。
（比較例２、実施例４及び実施例５）
ＬＣ−Ｂ（比較例２）、ＬＣ−４（実施例４）及びＬＣ−５（実施例５）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表２のとおりであった。

本発明の液晶組成物ＬＣ−４及びＬＣ−５は、比較例であるＬＣ−Ｂよりも、粘度（η）が小さく、回転粘性（γ_１）が小さい値であった。また、Ｔｃｎが低くなっており、低温での溶解性が改善されたことを確認した。
これらを使用した液晶表示素子の応答速度を測定したところ、ＬＣ−４及びＬＣ−５は、十分に高速応答であり、ＬＣ−Ｂよりも１０％以上高速であった。更に、ＶＨＲを測定し、十分に高いＶＨＲであることを確認した。なお、セル厚は４ｕｍ、配向膜はＡＬ１０５１であり、応答速度の測定条件は、Ｖｏｎは５．５Ｖ、Ｖｏｆｆは１．０Ｖ、測定温度は２０℃で、ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社のＤＭＳ３０１を用いた。ＶＨＲの測定条件は、５Ｖ、６０Ｈｚ、測定温度は６０℃で、東陽テクニカ社のＬＣＭ−２を用いた。
また、比抵抗を測定したところ、１．０Ｅ＋１４（Ω・ｃｍ）以上であり、十分に高い比抵抗であることを確認した。なお、比抵抗の測定には川口電機社の比抵抗測定装置ＭＭＡＩＩ−１７を用いた。
（比較例３、実施例６及び実施例７）
ＬＣ−Ｃ（比較例３）、ＬＣ−６（実施例６）及びＬＣ−７（実施例７）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表３のとおりであった。

本発明の液晶組成物ＬＣ−６及びＬＣ−７は、比較例であるＬＣ−Ｃよりも、粘度（η）が小さく、回転粘性（γ_１）が小さい値であった。また、Ｔｃｎが顕著に低くなっており、低温での溶解性が顕著に改善されたことを確認した。
これらを使用した液晶表示素子の応答速度を測定したところ、ＬＣ−６及びＬＣ−７は、十分に高速応答であり、ＬＣ−Ｃよりも１０％以上高速であった。更に、ＶＨＲを測定し、十分に高いＶＨＲであることを確認した。なお、セル厚は４ｕｍ、配向膜はＡＬ１０５１であり、応答速度の測定条件は、Ｖｏｎは５．５Ｖ、Ｖｏｆｆは１．０Ｖ、測定温度は２０℃で、ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社のＤＭＳ３０１を用いた。ＶＨＲの測定条件は、５Ｖ、６０Ｈｚ、測定温度は６０℃で、東陽テクニカ社のＬＣＭ−２を用いた。
また、比抵抗を測定したところ、１．０Ｅ＋１４（Ω・ｃｍ）以上であり、十分に高い比抵抗であることを確認した。なお、比抵抗の測定には川口電機社の比抵抗測定装置ＭＭＡＩＩ−１７を用いた。
（比較例４、実施例８、実施例９及び実施例１０）
ＬＣ−Ｄ（比較例４）、ＬＣ−８（実施例８）、ＬＣ−９（実施例９）及びＬＣ−１０（実施例１０）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表４のとおりであった。

本発明の液晶組成物ＬＣ−８、ＬＣ−９及びＬＣ−１０は、比較例であるＬＣ−Ｄよりも、粘度（η）が小さく、Ｔｃｎが顕著に低くなっていた。
これらを使用した液晶表示素子の応答速度を測定したところ、ＬＣ−８、ＬＣ−９及びＬＣ−１０は、十分に高速応答であり、ＬＣ−Ｄよりも１０％以上高速であった。更に、ＶＨＲを測定し、十分に高いＶＨＲであることを確認した。なお、セル厚は４ｕｍ、配向膜はＡＬ１０５１であり、応答速度の測定条件は、Ｖｏｎは５．５Ｖ、Ｖｏｆｆは１．０Ｖ、測定温度は２０℃で、ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社のＤＭＳ３０１を用いた。ＶＨＲの測定条件は、５Ｖ、６０Ｈｚ、測定温度は６０℃で、東陽テクニカ社のＬＣＭ−２を用いた。
また、比抵抗を測定したところ、１．０Ｅ＋１４（Ω・ｃｍ）以上であり、十分に高い比抵抗であることを確認した。なお、比抵抗の測定には川口電機社の比抵抗測定装置ＭＭＡＩＩ−１７を用いた。

以上のことから、本発明の液晶組成物は、屈折率異方性（Δｎ）及びネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）を低下させることなく、粘度（η）が十分に小さく、回転粘性（γ１）が十分に小さく、絶対値が大きな負の誘電率異方性（Δε）を有するため、これを用いたＰ型ＴＦＴ、ＩＰＳ等の液晶表示素子は表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速いものであることが確認された。

Claims (14)

1. 第一成分として、式（Ｉｘ）
   

   

   で表される化合物を含有し、その含有量は３から６０質量％であり、第二成分である誘電率異方性（Δε）が正である成分（Ａ）として、一般式（Ｐａ）
   

   

   （式中、Ｒ ^Ｎｃ１ は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ _２ −はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良く、環Ｐ ^１ 、Ｐ ^２ 及びＰ ^３ はそれぞれ独立的に、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていても良い。）又は１，４−フェニレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）を表し、環Ｐ ^１ 、Ｐ ^２ 及びＰ ^３ 中の水素原子はそれぞれ独立的にシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、Ｚ ^Ｎｃ１ 、Ｚ ^Ｎｃ２ 及びＺ ^Ｎｃ３ は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ _２ ＣＨ _２ −、−（ＣＨ _２ ） _４ −、−ＯＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ Ｏ−、−ＯＣＦ _２ −、−ＣＦ _２ Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎ ^ｃ１ 、ｎ ^ｃ２ 及びｎ ^ｃ３ は、それぞれ独立的に、０、１又は２を表すが、ｎ ^ｃ１ ＋ｎ ^ｃ２ ＋ｎ ^ｃ３ は、１、２、３、４又は５を表すが、ｎ ^ｃ１ 、ｎ ^ｃ２ 又は／及びｎ ^ｃ３ が２であって環Ｐ ^１ 、Ｐ ^２ 、Ｐ ^３ 、Ｚ ^Ｎｃ１ 、Ｚ ^Ｎｃ２ 又は／及びＺ ^Ｎｃ３ が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、Ｘ ^Ｎｃ１ 及びＸ ^Ｎｃ２ は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ ^Ｎｃ１ は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、一般式（Ｐａ）で表される化合物として、一般式（Ｐａ）中のＺ ^Ｎｃ１ 、Ｚ ^Ｎｃ２ 及びＺ ^Ｎｃ３ が単結合を表し、ｎ ^ｃ１ 、ｎ ^ｃ２ 及びｎ ^ｃ３ が１を表す化合物を１種又は２種以上を含有する液晶組成物。
2. 成分（Ａ）の含有量が１０から９０質量％である請求項１に記載の液晶組成物。
3. ２５℃における誘電率異方性（Δε）が２．０から２０．０の範囲であり、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１８の範囲であり、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓの範囲であり、２０℃における回転粘性（γ１）が５０から１３０ｍＰａ・ｓの範囲であり、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃の範囲である請求項１又は２に記載の液晶組成物。
4. 成分（Ａ）として、一般式（Ｎａ）又は一般式（Ｎｂ）
   

   

   （式中、Ｒ^Ｎａ１及びＲ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良く、環Ａ^Ｎａ１及びＡ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、１，４−シクロヘキシレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていても良い。）又は、１，４−フェニレン基（基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝によって置換されていても良い。）を表し、環Ａ^Ｎａ１及びＡ^Ｎｂ１中の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、Ｚ^Ｎａ１、Ｚ^Ｎｂ１及びＺ^Ｎｂ２は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎ^Ｎａ１は、１、２、３又は４を表すが、ｎ^Ｎａ１が２、３又は４であって環Ａ^Ｎａ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、同様に、Ｚ^Ｎａ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、ｎ^Ｎｂ１は、０、１、２又は３を表すが、ｎ^Ｎｂ１が２、３又は４であって環Ａ^Ｎｂ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、同様に、Ｚ^Ｎｂ１が複数存在する場合は、それらは同一でも良く、異なっていても良く、Ｘ^Ｎａ１、Ｘ^Ｎａ２、Ｘ^Ｎａ３、Ｘ^Ｎｂ１、Ｘ^Ｎｂ２、Ｘ^Ｎｂ３、Ｘ^Ｎｂ４及びＸ^Ｎｂ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｎａ１及びＹ^Ｎｂ１は、それぞれ独立的に、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
5. 一般式（Ｎａ）として一般式（Ｎａ０１）から一般式（Ｎａ１２）
   

   

   

   （式中、Ｒ^Ｎａ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良い。Ｚ^Ｎａ１又はＺ^Ｎａ２は、それぞれ独立的に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｘ^Ｎａ１からＸ^Ｎａ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。Ｙ^Ｎａ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項４に記載の液晶組成物。
6. 一般式（Ｎｂ）として一般式（Ｎｂ０１）から一般式（Ｎｂ１６）
   

   

   （式中、Ｒ^Ｎｂ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良い。Ｘ^Ｎｂ１からＸ^Ｎｂ５は、それぞれ独立的に、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表す。Ｙ^Ｎｂ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項４に記載の液晶組成物。
7. 一般式（Ｐａ）として一般式（Ｐ０１）から一般式（Ｐ８０）
   

   

   

   

   

   

   

   （式中、Ｒ^Ｎｃ１は炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良い。Ｙ^Ｎｃ２は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１に記載の液晶組成物。
8. 更に第三成分として、一般式（ＩＩＩ−Ａ）から一般式（ＩＩＩ−Ｊ）
   

   

   （式中、Ｒ^５は、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^６は、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基を表す。但し、一般式（ＩＩＩ−Ａ）で表される化合物において、式（Ｉｘ）で表される化合物と同一の化合物は含まない。）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
9. 更なる成分として、一般式（ＶＩＩＩ−ｃ）又は一般式（ＶＩＩＩ−ｄ）
   

   

   

   
   （式中、Ｒ^５１及びＲ^５２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^５１及びＸ^５２は、それぞれ独立的に、フッ素原子、塩素原子又は水素原子を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
10. 更に一般式（ＸＸ）
    

    

    （式中、Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、それぞれ独立的に、水素原子又はメチル基を表す。Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立的に、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表す。Ｚ^２０１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立的に、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表す。Ｍ^２０１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は任意の水素原子がフッ素原子によって置換されていても良い。）を表す。）で表される重合性化合物を含有する請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
12. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたアクティブマトリックス駆動用液晶表示素子。
13. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたＴＮ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型、ＰＳＡモードの液晶表示素子。
14. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物のアクティブマトリックス駆動用液晶表示素子への使用。