JP5698732B2 - スレショルド電圧を有する電界効果トランジスタ、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 第一ゲート・スタック100を包含する第一電界効果トランジスタであって、前記第一ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する第一高誘電率(high−k)ゲート誘電体30A、金属ゲート部分42A、一つの金属部分52A、および第一導電性ゲート材料部分72Aを包含する、前記第一電界効果トランジスタと、
第二ゲート・スタック200を包含する第二電界効果トランジスタであって、前記第二ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する第二high−kゲート誘電体30B、一つの誘電体金属酸化物部分50B、および第二導電性ゲート材料部分72Bを包含する、前記第二電界効果トランジスタと、
を含む、半導体構造体であって、
前記第一電界効果トランジスタと前記第二電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有する、
半導体構造体であって、
前記第一high−kゲート誘電体と前記第二high−kゲート誘電体とが同一材料、同一厚さを有し, 前記一つの誘電体金属酸化物部分の各々は、IIA族元素またはIIIA族元素を含む
半導体構造体。 - 前記第一導電性ゲート材料部分と前記第二導電性ゲート材料部分とは、同一材料を有し同一厚さを有し、前記一つの誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有する、請求項1に記載の半導体構造体。
- 別のゲート・スタックを包含する別の電界効果トランジスタをさらに含み、前記別のゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する別のhigh−kゲート誘電体、別の誘電体金属酸化物部分、および別の導電性ゲート材料部分を包含し、前記別の電界効果トランジスタは、前記第一電界効果トランジスタおよび前記第二電界効果トランジスタのスレショルド電圧とは異なるスレショルド電圧を有する、請求項1に記載の半導体構造体。
- 前記一つの金属部分は、第一金属部分および第二金属部分を包含し、前記一つの誘電体金属酸化物部分は、第一誘電体金属酸化物部分および第二誘電体金属酸化物部分を包含し、前記第一誘電体金属酸化物部分は、前記第一金属部分の材料の酸化物を含み、前記第二誘電体金属酸化物部分および前記別の誘電体金属酸化物部分は、前記第二金属部分の材料の酸化物を含む、請求項3に記載の半導体構造体。
- 半導体サブストレート中に所在するドープ半導体ウエルをさらに含み、前記第一high−kゲート誘電体および前記第二high−kゲート誘電体は、前記ドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第一high−kゲート誘電体に隣接する前記ドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第二high−kゲート誘電体に隣接する前記ドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度およびドーピング型を有する、請求項1に記載の半導体構造体。
- 第三ゲート・スタック300を包含する第三電界効果トランジスタであって、前記第三ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する第三high−kゲート誘電体30C、別の金属ゲート部分42C、もう一つ別の金属部分52C、および第三導電性ゲート材料部分72Cを包含する、前記第三電界効果トランジスタと、
第四ゲート・スタック400を包含する第四電界効果トランジスタであって、前記第四ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する第四high−kゲート誘電体30D、もう一つ別の誘電体金属酸化物部分50D、および第四導電性ゲート材料部分72Dを包含する、前記第四電界効果トランジスタと、
をさらに含み、
前記第三電界効果トランジスタと前記第四電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有し、前記第一および第二電界効果トランジスタはp型電界効果トランジスタであり、前記第三および第四電界効果トランジスタはn型電界効果トランジスタである、請求項1に記載の半導体構造体。 - 半導体サブストレート中に所在するnドープ半導体ウエルであって、前記第一high−kゲート誘電体および前記第二high−kゲート誘電体は、前記nドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第一high−kゲート誘電体に隣接する、前記nドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第二high−kゲート誘電体に隣接する、前記nドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度を有する、前記nドープ半導体ウエルと、
前記半導体サブストレート中に所在するpドープ半導体ウエルであって、前記第三high−kゲート誘電体および前記第四high−kゲート誘電体は、前記pドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第三high−kゲート誘電体に隣接する、前記pドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第四high−kゲート誘電体に隣接する、前記pドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度を有する、前記pドープ半導体ウエルと、
をさらに含む、請求項6に記載の半導体構造体。 - 前記第一電界効果トランジスタと第二電界効果トランジスタとの間で、単位長あたりのソース・トゥ本体接合電流が同一で、前記両電界効果トランジスタは埋め込み絶縁体層上に配置された半導体オンインシュレータ(SOI)電界効果トランジスタであり、前記第一電界効果トランジスタと第二電界効果トランジスタとの間で、ドレイン・トゥ本体接合電流が同一で、前記両電界効果トランジスタは埋め込み絶縁体層上に配置された半導体オンインシュレータ(SOI)電界効果トランジスタである、請求項1に記載の半導体構造体。
- 第一ゲート・スタック100を包含する第一電界効果トランジスタであって、前記第一ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、第一高誘電率(high−k)ゲート誘電体30A、一つの第一誘電体金属酸化物部分42A、および第一導電性ゲート材料部分72Aを包含する、前記第一電界効果トランジスタと、
第二ゲート・スタック200を包含する第二電界効果トランジスタであって、前記第二ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、第二high−kゲート誘電体30B、一つの第二誘電体金属酸化物部分50B、および第二導電性ゲート材料部分72Bを包含する、前記第二電界効果トランジスタと、
を含む、半導体構造体であって、
前記第一電界効果トランジスタと前記第二電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有する、
前記半導体構造体であって、
前記第一high−kゲート誘電体と前記第二high−kゲート誘電体とは、同一材料を含み同一厚さを有し、前記一つの第一誘電体金属酸化物部分は、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分とは異なる厚さを有し、
前記一つの第一誘電体金属酸化物部分は、IIA族元素またはIIIA族元素を含み、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分は、IIA族元素またはIIIA族元素を含む
前記半導体構造体。 - 前記一つの第一誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有し、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有する、請求項9に記載の半導体構造体。
- 前記一つの第一誘電体金属酸化物部分は、第一上部誘電体金属酸化物部分および第一下部誘電体金属酸化物部分を含み、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分の全体が、前記第一上部誘電体金属酸化物部分と同一の組成および同一の厚さを有する、請求項9に記載の半導体構造体。
- 前記一つの第一誘電体金属酸化物部分の全体は、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分の全体と同一の組成を有する、請求項9に記載の半導体構造体。
- 別のゲート・スタックを包含する別の電界効果トランジスタをさらに含み、前記別のゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、4.0より大きな誘電率を有する別のhigh−kゲート誘電体、金属ゲート部分、一つの金属部分、および別の導電性ゲート材料部分を包含し、前記別の電界効果トランジスタは、前記第一電界効果トランジスタおよび前記第二電界効果トランジスタのスレショルド電圧とは異なるスレショルド電圧を有する、請求項9に記載の半導体構造体。
- 前記一つの第一誘電体金属酸化物部分および前記一つの第二誘電体金属酸化物部分の各々は、前記一つの金属部分の一つの材料の酸化物を含む、請求項13に記載の半導体構造体。
- 半導体サブストレート中に所在するドープ半導体ウエル22をさらに含み、前記第一high−kゲート誘電体および前記第二high−kゲート誘電体は、前記ドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第一high−kゲート誘電体に隣接する、前記ドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第二high−kゲート誘電体に隣接する、前記ドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度およびドーピング型を有する、請求項9に記載の半導体構造体。
- 第三ゲート・スタックを包含する第三電界効果トランジスタであって、前記第三ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、第三high−kゲート誘電体、一つの第三誘電体金属酸化物部分、および第三導電性ゲート材料部分を包含する、前記第三電界効果トランジスタと、
第四ゲート・スタックを包含する第四電界効果トランジスタであって、前記第四ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、第四high−kゲート誘電体、一つの第四誘電体金属酸化物部分、および第四導電性ゲート材料部分を包含する、前記第四電界効果トランジスタと、
をさらに含み
前記第三電界効果トランジスタと前記第四電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有し、前記第一および第二電界効果トランジスタはp型電界効果トランジスタであり、前記第三および第四電界効果トランジスタはn型電界効果トランジスタである、請求項9に記載の半導体構造体。 - 半導体サブストレート中に所在するnドープ半導体ウエルであって、前記第一high−kゲート誘電体および前記第二high−kゲート誘電体は、前記nドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第一high−kゲート誘電体に隣接する、前記nドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第二high−kゲート誘電体に隣接する、前記nドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度を有する、前記nドープ半導体ウエルと、
前記半導体サブストレート中に所在するpドープ半導体ウエルであって、前記第三high−kゲート誘電体および前記第四high−kゲート誘電体は、前記pドープ半導体ウエルの直接上に配置され、前記第三high−kゲート誘電体に隣接する、前記pドープ半導体ウエルの第一部分と、前記第四high−kゲート誘電体に隣接する、前記pドープ半導体ウエルの第二部分とは、同一のドーパント濃度を有する、前記pドープ半導体ウエルと、
をさらに含む、請求項16に記載の半導体構造体。 - 半導体構造体を形成する方法であって、
半導体サブストレート上に、4.0より大きな誘電率を有する誘電体材料を含む高誘電率(high−k)ゲート誘電体層30Aを形成するステップと、
前記high−kゲート誘電体層の第一部分の直接上に金属ゲート層42Aを形成するステップと、
前記金属ゲート層、および前記high−kゲート誘電体層の第二部分の直接上に一つの金属層52Aを堆積するステップであって、前記一つの金属層の一部の酸化を介して前記high−k誘電体層の前記第二部分の直接上に一つの誘電体金属酸化物層が形成される、前記堆積するステップと、
前記一つの金属層および前記一つの誘電体金属酸化物部分の直接上に、導電性ゲート材料層72Aを形成するステップと、
を含む、方法であって、
第一ゲート・スタックを包含する第一電界効果トランジスタを形成するステップであって、前記第一ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、前記誘電体材料を含む第一高誘電率(high−k)ゲート誘電体、前記金属ゲート層と同じ材料を含む金属ゲート部分、前記一つの金属層と同じ材料を含む一つの金属部分、および第一導電性ゲート材料部分を包含する、前記第一電界効果トランジスタを形成するステップと、
第二ゲート・スタックを含む第二電界効果トランジスタを形成するステップであって、前記第二ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、前記誘電体材料を含む第二high−kゲート誘電体、前記一つの誘電体金属酸化物層と同じ材料を含む一つの誘電体金属酸化物部分、および第二導電性ゲート材料部分を包含する、前記第二電界効果トランジスタを形成するステップと、
をさらに含み、
前記第一電界効果トランジスタと前記第二電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有し、
前記第一high−kゲート誘電体と前記第二high−kゲート誘電体とが同一材料、同一厚さを有し, 前記一つの誘電体金属酸化物部分の各々は、IIA族元素またはIIIA族元素を含む
方法。 - 前記一つの誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有する、請求項18に記載の方法。
- 半導体構造体を形成する方法であって、
半導体サブストレート上に、4.0より大きな誘電率を有する誘電体材料を含む高誘電率(high−k)ゲート誘電体層を形成するステップと、
前記high−kゲート誘電体層の直接上に一つの金属層を堆積するステップであって、前記一つの金属層の酸化を介して前記high−k誘電体層の直接上に一つの誘電体金属酸化物層が形成される、前記堆積するステップと、
前記一つの誘電体金属酸化物層の一つの層の一部を除去するステップであって、相異なる厚さを有する一つの第一誘電体金属酸化物層と一つの第二誘電体金属酸化物層とが形成される、前記除去するステップと、
前記一つの金属層および前記一つの誘電体金属酸化物部分の直接上に導電性ゲート材料層を形成するステップと、
を含む、方法であって、
第一ゲート・スタックを包含する第一電界効果トランジスタを形成するステップであって、前記第一ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、前記誘電体材料を含む第一高誘電率(high−k)ゲート誘電体、前記一つの第一誘電体金属酸化物層と同じ材料を含む一つの第一誘電体金属酸化物部分、および第一導電性ゲート材料部分を包含する、前記第一電界効果トランジスタを形成するステップと、
第二ゲート・スタックを包含する第二電界効果トランジスタを形成するステップであって、前記第二ゲート・スタックは、底部から最上部に向かって順に、前記誘電体材料を含む第二high−kゲート誘電体、前記一つの第二誘電体金属酸化物層と同じ材料を含む一つの第二誘電体金属酸化物部分、および第二導電性ゲート材料部分を包含する、前記第二電界効果トランジスタを形成するステップと、
をさらに含み、
前記第一電界効果トランジスタと前記第二電界効果トランジスタとは相異なるスレショルド電圧を有し、
前記第一high−kゲート誘電体と前記第二high−kゲート誘電体とは、同一材料を含み同一厚さを有し、前記一つの第一誘電体金属酸化物部分は、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分とは異なる厚さを有し、
前記一つの第一誘電体金属酸化物部分は、IIA族元素またはIIIA族元素を含み、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分は、IIA族元素またはIIIA族元素を含む
方法 。 - 前記一つの第一誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有しI、前記一つの第二誘電体金属酸化物部分の各々は、0.1nm〜1.0nmの厚さを有する、請求項20に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
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---|---|---|---|
US12/432,927 | 2009-04-30 | ||
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