JP5697215B2 - 触媒的水素移動による6−α−アミノN−置換モルフィナンの合成 - Google Patents
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-
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Description
本願は2009年6月11日に出願された米国仮特許出願第61/186,091号の利益を主張し、この仮特許出願はその全体が本明細書中に援用される。
本発明は、一般的に、6−α−アミノN−置換モルフィナンの立体選択的合成に関する。特に、本発明は、触媒的水素移動による6−ケトN−置換モルフィナンの還元アミノ化に関する。
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R6は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R14は、水素および{−}OR15からなる群から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基からなる群から選択されることを表す。
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R6は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R14は、水素および{−}OR15からなる群から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基からなる群から選択される。
例えば、本発明は、以下の項目を提供する:
(項目1)
6−α−アミノN−置換モルフィナンを調製するためのプロセスであって、6−ケトN−置換モルフィナンを、アミン源、ギ酸イオンを含む水素供与体、遷移金属触媒、およびプロトン受容体と接触させて上記6−α−アミノN−置換モルフィナンを形成することを含むプロセス。
(項目2)
上記6−ケトN−置換モルフィナンが、ヒドロコドン、ヒドロモルホン、オキシコドン、オキシモルホン、ナロキソン、およびナルトレキソンから選択され、上記アミン源が、一級アミンおよびアンモニウム塩から選択され、上記ギ酸イオンを含む水素供与体が、ギ酸、ギ酸の塩、およびギ酸と有機塩基の混合物から選択され、上記遷移金属触媒が、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウムを含み、上記プロトン受容体が、約9超のpKaを有する、項目1に記載のプロセス。
(項目3)
上記6−ケトN−置換モルフィナン、上記アミン源、上記水素供与体、および上記遷移金属触媒の間の接触が、6−イミンモルフィナンのギ酸塩を含む第一中間体化合物を形成し、上記第一中間体化合物が、その場で、6−α−アミノモルフィナンのギ酸塩を含む第二中間体化合物に変換され、上記第二中間体化合物と上記プロトン受容体の間の接触が、上記6−α−アミノN−置換モルフィナンを形成する、項目1または2に記載のプロセス。
(項目4)
上記6−α−アミノモルフィナン生成物が、6−β−アミノモルフィナンエピマー約2%以下を含む、項目1から3のいずれかに記載のプロセス。
(項目5)
式(IV)を含む化合物を調製するためのプロセスであって、
式(I)の化合物を、アミン源(R 6 NH 2 )、ギ酸イオンを含む水素供与体、遷移金属触媒、およびプロトン受容体の存在下で還元して上記式(IV)を含む化合物を形成することを含み、上記式(I)の化合物が、
を含み、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 1 およびR 2 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 3 、R 7 およびR 8 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 6 は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 14 は、水素および
{−}OR 15 から選択され、
R 15 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、プロセス。
(項目6)
R 1 、R 2 、R 7 、およびR 8 が、水素であり、R 14 が、水素またはヒドロキシルであり、Rが、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルメチル、アルケニル、アリール、およびヘテロシクロから選択され、R 3 が、アルコキシ、ヒドロキシ、および保護されたヒドロキシルから選択され、上記ギ酸イオンを含む水素供与体が、ギ酸、ギ酸の塩、およびギ酸と有機塩基の混合物から選択され、R 6 が、アルキル、置換されたアルキル、アルケニル、置換されたアルケニル、およびアリールから選択され、上記アミン源が、一級アミンであり、式(I)を含む化合物と上記一級アミンと上記水素供与体のモル比が、約1:1:1から約1:5:20までであり、上記遷移金属触媒が、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウムを含み、上記式(I)を含む化合物と上記遷移金属触媒のモル比が、約1:0.0001から約1:0.01までであり、上記式(I)を含む化合物、上記アミン源、上記遷移金属触媒、および上記水素供与体の間の反応が、非プロトン性溶媒、プロトン性溶媒、非極性溶媒、およびそれらの組合せから選択される溶媒の存在下で起き、上記式(I)を含む化合物、上記アミン源、上記遷移金属触媒、および上記水素供与体の間の反応が、約20℃から約100℃までの温度にて起き、上記プロトン受容体が、約9超のpKaを有し、アンモニア、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、および水酸化ナトリウムから選択される、項目5に記載のプロセス。
(項目7)
上記水素供与体が、ギ酸およびトリエチルアミンを含む、項目5または6のいずれかに記載のプロセス。
(項目8)
上記遷移金属触媒が、野依触媒である、項目5から7のいずれかに記載のプロセス。
(項目9)
上記式(I)を含む化合物を、上記アミン源、水素源、および上記遷移金属触媒と接触させた後に、式(II)を含む第一中間体が形成され、上記第一中間体が、その場で、式(III)を含む第二中間体に変換され、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 1 およびR 2 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 3 、R 7 およびR 8 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 6 は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 14 は、水素および
{−}OR 15 から選択され、
R 15 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、項目5から8のいずれかに記載のプロセス。
(項目10)
上記6−α−アミノモルフィナン生成物が、式(V)を含む化合物をさらに含み、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 1 およびR 2 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 3 、R 7 およびR 8 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 14 は、水素および
{−}OR 15 から選択され、
R 15 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、項目5から9のいずれかに記載のプロセス。
(項目11)
上記アミン源が、一級アミンであり、上記式(I)を含む化合物と上記一級アミンのモル比が、約1:2であり、上記水素供与体が、ギ酸およびトリエチルアミンを含み、上記式(I)を含む化合物とギ酸とトリエチルアミンのモル比が、約1:12:3であり、上記遷移金属触媒が、ジクロロ(p−シメン)Ru(II)ダイマーであり、上記式(I)を含む化合物と上記Ru(II)ダイマーのモル比が、約1:0.001から1:0.01までであり、上記一級アミン、Ru(II)ダイマー、およびギ酸/トリエチルアミンとの反応が、アセトニトリルの存在下で約20℃から約60℃までの温度にて起き、上記プロトン受容体が、アンモニアであり、上記プロトン受容体との反応が、約9.5のpHにて、および室温にて、水を含むプロトン性溶媒系中で起きる、項目5に記載のプロセス。
(項目12)
上記アミン源が、酢酸アンモニウムであり、上記式(I)を含む化合物と酢酸アンモニウムのモル比が、約1:12であり、上記水素供与体が、ギ酸およびトリエチルアミンを含み、上記式(I)を含む化合物とギ酸とトリエチルアミンのモル比が、約1:12:5であり、上記遷移金属触媒が、ジクロロ(p−シメン)Ru(II)ダイマーであり、上記式(I)を含む化合物と上記Ru(II)ダイマーのモル比が、約1:0.001から1:0.01までであり、上記酢酸アンモニウム、上記Ru(II)ダイマー、および上記ギ酸/トリエチルアミンの反応が、エタノールの存在下で約20℃から約60℃までの温度にて起き、上記プロトン受容体が、アンモニアであり、上記プロトン受容体との反応が、約9.5のpHにて、および室温にて、水を含むプロトン性溶媒系中で起きる、項目5に記載のプロセス。
(項目13)
上記式(I)または(IV)を含む化合物の光学活性が、(−)または(+)であり、C−5、C−13、C−14、およびC−9における立体配置が、それぞれ、RRRR、RRRS、RRSR、RSRR、SRRR、RRSS、RSSR、SSRR、SRRS、SRSR、RSRS、RSSS、SRSS、SSRS、SSSR、およびSSSSから選択され、ただし、C−15とC−16が、共に分子のα面かβ面のどちらかの上にあり、6−β−アミノエピマーが、2%未満を占める、項目5から12のいずれかに記載のプロセス。
(項目14)
a)式(IV)を含む化合物、および
b)上記式(IV)を含む化合物の6−β−アミノエピマー約5%未満
を含み、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 1 およびR 2 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 3 、R 7 およびR 8 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR 15 から独立して選択され、
R 6 は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R 14 は、水素および
{−}OR 15 から選択され、
R 15 は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、組成物。
(項目15)
R 1 、R 2 、R 7 、およびR 8 が、水素であり、R 14 が、水素またはヒドロキシルであり、Rが、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルメチル、アルケニル、アルキニル、およびアリールから選択され、R 3 が、アルコキシ、ヒドロキシ、および保護されたヒドロキシから選択され、R 6 が、水素、アルキル、置換されたアルキル、アルケニル、置換されたアルケニル、アリール、および置換されたアリールから選択され、上記エピマーの光学活性が、(−)または(+)であり、C−5、C−13、C−14、およびC−9の立体配置が、それぞれ、RRRR、RRRS、RRSR、RSRR、SRRR、RRSS、RSSR、SSRR、SRRS、SRSR、RSRS、RSSS、SRSS、SSRS、SSSR、およびSSSSから選択され、ただし、C−15とC−16が、共に分子のα面かβ面のどちらかの上にあり、6−α−アミノエピマーが、約98%超であり、上記6−β−アミノエピマーが、約2%以下である、項目14に記載の組成物。
(I)6−α−アミノN−置換モルフィナンを調製するためのプロセス
本発明の一態様は、6−α−アミノN−置換モルフィナンの立体選択的合成のためのプロセスを包含する。プロセスは、6−ケトN−置換モルフィナンを、一級アミンまたはアンモニウム塩などのアミン源、ギ酸イオンを含む水素供与体、遷移金属触媒、およびプロトン受容体と接触させて6−α−アミノN−置換モルフィナンを形成することを含む。
(II)式(IV)を含む化合物を調製するためのプロセス
本発明の一実施形態において、式(IV)を含む6−α−アミノモルフィナンは、式(I)を含む6−ケトモルフィナンから調製される。プロセスは、式(I)を含む化合物を、アミン源(R6NH2)、ギ酸イオンを含む水素供与体、および遷移金属触媒の存在下で還元して式(II)を含む中間体化合物を形成することを含む。式(II)を含む化合物は、その場で、式(III)を含む化合物に変換される。プロセスは、式(III)を含む化合物をプロトン受容体と接触させて式(IV)を含む化合物を形成することをさらに含む。例示の目的で、反応スキーム1は、本発明の一態様による式(IV)を含む化合物の合成を描いており、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および{−}OR15からなる群から独立して選択され、
R6は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R14は、水素および{−}OR15からなる群から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基からなる群から選択される。
(a)プロセスのステップA
プロセスは、式(I)を含む6−ケトモルフィナンを、アミン源、水素供与体、および遷移金属触媒と合わせることによる反応混合物の形成で始まり、式(I)を含む化合物は、還元アミノ化を受ける。式(I)を含む様々な化合物は、プロセスにおける使用に適している。例示的実施形態において、Rは、メチル、アリル、またはシクロプロピルメチルであり、R1、R2、R7、およびR8は、水素であり、R3は、ヒドロキシまたはメトキシであり、R14は、水素またはヒドロキシである。式(I)を含む代表的な化合物は、下に描かれているヒドロコドン、ヒドロモルホン、オキシコドン、オキシモルホン、ナロキソン、およびナルトレキソンを包含するが、それらに限定されるものではない。
反応混合物は、式R6NH2を含むアミン源も含み、式中、R6は、水素、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルからなる群から選択される。R6が、水素である実施形態において、アミン源、アンモニア(NH3)は、アンモニウム塩により提供される。アンモニウム塩は、無機アニオンまたは有機アニオンを含むことがある。適当な無機アニオンの非限定的な例は、重炭酸、炭酸、塩化物、水酸化物、硝酸、リン酸、硫化物、および硫酸イオンを包含する。適当な有機アニオンの例は、安息香酸、ブタン酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、フマル酸、グルタミン酸、乳酸、リンゴ酸、プロピオン酸、シュウ酸、コハク酸、および酒石酸(tartarate)イオンを包含するが、それらに限定されるものではない。好ましい実施形態において、アンモニウム塩は、酢酸アンモニウムである。
式(I)を含む化合物およびアミン源に加えて、反応混合物は、移動水素化反応が起きるように、ギ酸イオンを含む水素供与体も含む。ギ酸イオンを含む適当な水素供与体の非限定的な例は、ギ酸、ギ酸の無機塩、ギ酸の有機塩、またはギ酸と有機塩基の混合物を包含する。ギ酸の適当な無機塩は、ギ酸カルシウム、ギ酸セシウム、ギ酸リチウム、ギ酸マグネシウム、ギ酸カリウム、およびギ酸ナトリウムを包含するが、それらに限定されるものではない。ギ酸の適当な有機塩の非限定的な例は、ギ酸アンモニウム、ギ酸エチル、ギ酸メチル、ギ酸アミン(amine formate)、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、オルトギ酸トリエチル、オルトギ酸トリエチル、ギ酸トリエチルアンモニウム、ギ酸トリメチルアンモニウムなどを包含する。ギ酸と合わせるのに適している有機塩基は、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−メチルモルホリン、およびN,N−ジメチルアミノピリジンを包含するが、それらに限定されるものではない。例示的実施形態において、水素供与体は、ギ酸と有機塩基の混合物を含み、有機塩基は、トリエチルアミンである。
反応混合物は、遷移金属触媒も含む。本明細書で使用されているように、遷移金属触媒は、少なくとも1つの配位子と錯体を形成している少なくとも1つの金属を含む。触媒遷移金属錯体の金属は、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、または白金であってよい。好ましい実施形態において、遷移金属は、ルテニウム、イリジウム、またはロジウムであってよい。遷移金属の原子価状態は、変わることがある。例えば、適当な遷移金属の非限定的な例は、ルテニウム(II)、ルテニウム(III)、ルテニウム(IV)、オスミウム(II)、オスミウム(III)、オスミウム(IV)、ロジウム(I)、ロジウム(III)、イリジウム(III)、イリジウム(IV)、パラジウム(II)、パラジウム(IV)、白金(II)、および白金(IV)を包含する。典型的には、錯体における金属の配位子に対する比は、約1:1である。触媒遷移金属錯体の配位子は、単座または二座の窒素供与体、リン供与体配位子、シクロペンタジエニル配位子、アレーン配位子、オレフィン配位子、アルキン配位子、ヘテロシクロアルキル配位子、ヘテロアリール配位子、水素化物配位子、アルキル配位子、またはカルボニル配位子であってよい。
反応混合物は、本明細書に詳述されているように、溶媒も含む。溶媒は、プロセスにおいて使用される出発基質および反応剤に応じて変わることがありかつ変わるであろう。溶媒は、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒、非極性溶媒、またはそれらの組合せであってよい。プロトン性溶媒の適当な例は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−プロパノール、イソブタノール、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノール、水、およびそれらの組合せを包含するが、それらに限定されるものではない。適当な非プロトン性溶媒の非限定的な例は、アセトニトリル、ジエトキシメタン、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、N,N−ジメチルプロピオンアミド、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(DMPU)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)、1,2−ジメトキシエタン(DME)、ジメトキシメタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、1,4−ジオキサン、N−メチル−2−ピロリジノン(NMP)、ギ酸エチル、ホルムアミド、ヘキサメチルリン酸アミド、N−メチルアセトアミド、N−メチルホルムアミド、塩化メチレン、ニトロベンゼン、ニトロメタン、プロピオニトリル、スルホラン、テトラメチル尿素、テトラヒドロフラン(THF)、2−メチルテトラヒドロフラン、トリクロロメタン、およびそれらの組合せを包含する。非極性溶媒の適当な例は、アルカンおよび置換されたアルカン溶媒(シクロアルカンを包含する)、芳香族炭化水素、エステル、エーテル、それらの組合せなどを包含するが、それらに限定されるものではない。用いられることがある具体的な非極性溶媒は、例えば、ベンゼン、酢酸ブチル、t−ブチルメチルエーテル、クロロベンゼン、クロロホルム、クロロメタン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、ジエチレングリコール、フルオロベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、酢酸イソプロピル、メチルテトラヒドロフラン、酢酸ペンチル、酢酸n−プロピル、テトラヒドロフラン、トルエン、およびそれらの組合せを包含する。例示的溶媒は、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン、酢酸エチル、エタノール、およびメタノールを包含する。アミン源が、一級アミンである実施形態において、好ましい溶媒は、アセトニトリルである。アミン源が、アンモニウム塩である実施形態において、好ましい溶媒は、エタノールである。
一般に、反応は、約20℃から約100℃まで、またはより好ましくは、約20℃から約60℃までの範囲である温度にて行われるであろう。様々な実施形態において、反応の温度は、ほぼ室温(約23℃)、約30℃、約40℃、約50℃、または約60℃であってよい。例示的実施形態において、反応の温度は、ほぼ室温であってよい。反応は、典型的には、周囲雰囲気および圧力下で行われる。
プロセスのステップAの間に、式(I)を含む化合物は、反応スキーム1に描かれているように、式(II)を含む第一中間体化合物に変換される。具体的には、6−ケト部分は、式(II)を含む化合物が、6−イミンモルフィナンのビス−ギ酸塩であるように、6−イミン部分に変換される。式(II)を含む化合物の6−イミン部分は、その場で、反応スキーム1に示されているように、式(II)を含む化合物の6−α−アミノエピマーに変換される。さらに、反応混合物の溶媒は、共沸的に乾燥され、それによって、式(III)を含む化合物の形成をさらに推進することがある。
プロセスは、式(III)を含む化合物をプロトン受容体と接触させることをさらに含み、式(IV)を含む化合物が形成される。様々なプロトン受容体は、プロセスのこのステップにおいて使用するのに適している。一般に、プロトン受容体は、約9超のpKaを有するであろう。この特性を有する適当なプロトン受容体は、アンモニア、ホウ酸塩(例えば、NaBO3など)、重炭酸塩(例えば、NaHCO3、KHCO3、LiCO3など)、炭酸塩(例えば、Na2CO3、K2CO3、Li2CO3など)、水酸化物塩(例えば、NaOH、KOHなど)、有機塩基(例えば、ピリジン、メチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−メチルモルホリン、N,N−ジメチルアミノピリジンなど)、および上のうちのいずれかの混合物を包含する。好ましい実施形態において、プロトン受容体は、アンモニア、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、または水酸化ナトリウムであってよい。例示的実施形態において、プロトン受容体は、アンモニアであってよい。
Rは、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルメチル、アルケニル、アリール、およびヘテロシクロからなる群から選択され、
R3は、水素、アルキル、および保護基なる群から選択され、
R6は、水素、ヒドロカルビル、および置換されたヒドロカルビルからなる群から選択され、
R14は、水素およびヒドロキシからなる群から選択される。
本発明のさらなる態様は、式(IV)の化合物および式(IV)を含む化合物の6−βアミノエピマー約5%未満を含むエピマー的に純粋な組成物を包含し、
本明細書に記載されている化合物は、不斉中心を有する。非対称に置換された原子を含有する本発明の化合物は、光学活性かラセミの形態で単離されることがある。具体的な立体化学または異性形態が具体的に指示されていない限り、構造のすべてのキラルな、ジアステレオマーの、ラセミの形態およびすべての幾何学的異性形態が意図されている。
(−)−オキシモルホンのベンジルアミンとの還元アミノ化
下記の反応スキームは、(−)−オキシモルホンの6−α−アミノ誘導体の調製を描いている。
(−)−ナルトレキソンのベンジルアミンとの還元アミノ化
ナルトレキソンの6−αアミノ誘導体を、下記の反応スキームに従って調製した。
(−)−ナルトレキソンの酢酸アンモニウムとの還元アミノ化
下記の反応スキームは、6−α−ナルトレキサミンの調製を描いている。
(−)−ナルトレキソンのアラニン−メチルエステルとの還元アミノ化−反応I
ナルトレキソンの6−αアミノ誘導体を、下記の反応スキームに従って調製した。
(−)−ナルトレキソンのエタノールアミンとの還元アミノ化
下記の反応スキームは、ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体の調製を描いている。
(−)−ナルトレキソンのアニリンとの還元アミノ化
ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体を、下記の反応スキームに従って調製した。
(−)−ナルトレキソンのアラニン−メチルエステルとの還元アミノ化−反応II
下記の反応スキームは、ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体の調製を描いている。
(−)−ナルトレキソンのアラニン−メチルエステルとの還元アミノ化−反応III
ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体を、下記の反応スキームに従って調製した。
(実施例9)
(−)−ナルトレキソンのメチルアミンとの還元アミノ化
下記の反応スキームは、ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体の調製を描いている。
(+)−ナルトレキソンのメチルアミンとの還元アミノ化
(+)−ナルトレキソンの6−α−アミノ誘導体を、下記の反応スキームに従って調製した。
Claims (13)
- 前記6−ケトN−置換モルフィナンが、ヒドロコドン、ヒドロモルホン、オキシコドン、オキシモルホン、ナロキソン、およびナルトレキソンから選択され、前記ギ酸イオンを含む水素供与体が、ギ酸、ギ酸の塩、およびギ酸と有機塩基の混合物から選択され、前記遷移金属触媒が、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウムを含み、前記プロトン受容体が、9超のpKaを有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記6−ケトN−置換モルフィナン、前記アミン源、前記水素供与体、および前記遷移金属触媒の間の接触が、6−イミンモルフィナンのギ酸塩を含む第一中間体化合物を形成し、前記第一中間体化合物が、その場で、6−α−アミノモルフィナンのギ酸塩を含む第二中間体化合物に変換され、前記第二中間体化合物と前記プロトン受容体の間の接触が、前記6−α−アミノN−置換モルフィナンを形成する、請求項1または2に記載のプロセス。
- 前記6−α−アミノモルフィナン生成物が、2%以下の6−β−アミノモルフィナンエピマーを含む、請求項1から3のいずれかに記載のプロセス。
- 式(IV)の化合物を調製するためのプロセスであって、
式(I)の化合物を、アミン源(R6NH2)、ギ酸イオンを含む水素供与体、遷移金属触媒、およびプロトン受容体の存在下で還元して前記式(IV)の化合物を形成することを含み、前記式(I)の化合物が、
により表され、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR15から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR15から独立して選択され、
R6は、アルキニル、置換アルキニル、ヘテロアリール、ヘテロ環、
から選択され、
R14は、水素および
{−}OR15から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、プロセス。 - R1、R2、R7、およびR8が、水素であり、R14が、水素またはヒドロキシルであり、Rが、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルメチル、アルケニル、アリール、およびヘテロシクロから選択され、R3が、アルコキシ、ヒドロキシ、および保護されたヒドロキシルから選択され、前記ギ酸イオンを含む水素供与体が、ギ酸、ギ酸の塩、およびギ酸と有機塩基の混合物から選択され、R6が、
から選択され、式(I)の化合物と前記アミン源と前記水素供与体のモル比が、1:1:1から1:5:20までであり、前記遷移金属触媒が、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウムを含み、前記式(I)の化合物と前記遷移金属触媒のモル比が、1:0.0001から1:0.01までであり、前記式(I)の化合物、前記アミン源、前記遷移金属触媒、および前記水素供与体の間の反応が、非プロトン性溶媒、プロトン性溶媒、非極性溶媒、およびそれらの組合せから選択される溶媒の存在下で起き、前記式(I)の化合物、前記アミン源、前記遷移金属触媒、および前記水素供与体の間の反応が、20℃から100℃までの温度にて起き、前記プロトン受容体が、9超のpKaを有し、アンモニア、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、および水酸化ナトリウムから選択される、請求項5に記載のプロセス。 - 前記水素供与体が、ギ酸およびトリエチルアミンを含む、請求項5または6のいずれかに記載のプロセス。
- 前記遷移金属触媒が、野依触媒である、請求項5から7のいずれかに記載のプロセス。
- 前記式(I)の化合物と、前記アミン源、前記水素供与体、および前記遷移金属触媒とを接触させて、式(II)の第一中間体を形成させるステップ、前記第一中間体を、その場で、式(III)の第二中間体に変換させるステップ、ならびに前記第二中間体と前記プロトン受容体とを接触させて、前記式(IV)の化合物を形成させるステップを含む、請求項5から8のいずれかに記載のプロセスであって、ここで、式(II)、式(III):
において、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR15から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR15から独立して選択され、
R6は、アルキニル、置換アルキニル、ヘテロアリール、ヘテロ環、
から選択され、
R14は、水素および
{−}OR15から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、プロセス。 - 前記式(I)の化合物と前記アミン源のモル比が、1:2であり、前記水素供与体が、ギ酸およびトリエチルアミンを含み、前記式(I)の化合物とギ酸とトリエチルアミンのモル比が、1:12:3であり、前記遷移金属触媒が、ジクロロ(p−シメン)Ru(II)ダイマーであり、前記式(I)の化合物と前記Ru(II)ダイマーのモル比が、1:0.001から1:0.01までであり、前記アミン源、Ru(II)ダイマー、およびギ酸/トリエチルアミンとの反応が、アセトニトリルの存在下で20℃から60℃までの温度にて起き、前記プロトン受容体が、アンモニアであり、前記プロトン受容体との反応が、9.5のpHにて、および室温にて、水を含むプロトン性溶媒系中で起きる、請求項5に記載のプロセス。
- 前記式(I)または(IV)の化合物の光学活性が、(−)または(+)であり、C−5、C−13、C−14、およびC−9における立体配置が、それぞれ、RRRR、RRRS、RRSR、RSRR、SRRR、RRSS、RSSR、SSRR、SRRS、SRSR、RSRS、RSSS、SRSS、SSRS、SSSR、およびSSSSから選択され、ただし、C−15とC−16が、共に分子のα面かβ面のどちらかの上にあり、6−β−アミノエピマーが、2%未満を占める、請求項5から10のいずれかに記載のプロセス。
- a)式(IV)の化合物、および
b)前記式(IV)の化合物の5%未満の6−β−アミノエピマーを含み、
式中、
Rは、ヒドロカルビルおよび置換されたヒドロカルビルから選択され、
R1およびR2は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、ハロゲン、および
{−}OR15から独立して選択され、
R3、R7およびR8は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、および
{−}OR15から独立して選択され、
R6は、アルキニル、置換アルキニル、ヘテロアリール、ヘテロ環、
から選択され、
R14は、水素および
{−}OR15から選択され、
R15は、水素、ヒドロカルビル、置換されたヒドロカルビル、およびヒドロキシ保護基から選択される、組成物。 - R1、R2、R7、およびR8が、水素であり、R14が、水素またはヒドロキシルであり、Rが、アルキル、シクロアルキル、シクロアルキルメチル、アルケニル、アルキニル、およびアリールから選択され、R3が、アルコキシ、ヒドロキシ、および保護されたヒドロキシから選択され、前記エピマーの光学活性が、(−)または(+)であり、C−5、C−13、C−14、およびC−9の立体配置が、それぞれ、RRRR、RRRS、RRSR、RSRR、SRRR、RRSS、RSSR、SSRR、SRRS、SRSR、RSRS、RSSS、SRSS、SSRS、SSSR、およびSSSSから選択され、ただし、C−15とC−16が、共に分子のα面かβ面のどちらかの上にあり、6−α−アミノエピマーが、98%超であり、前記6−β−アミノエピマーが、2%以下である、請求項12に記載の組成物。
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