JP5686050B2 - マイクロヒータ素子 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態1に係わるマイクロヒータ素子の平面図である。図2は、図1のA−A矢視図である。なお図2においては、基板3の横方向(基板3の板面と平行な方向)の寸法倍率に対して、垂直方向(基板3の板面と直交する方向)の寸法倍率を大きくして示している。これは堆積する薄膜の厚みが薄いため、構造を理解するためには寸法倍率を上げて示す必要があるからである。これは図3から図9についても同様である。マイクロヒータ素子1は、支持膜2と、発熱体4と、基板3とを有する。本実施形態においては、マイクロヒータ素子1は、発熱体4に電力を供給するための端子電極5A、5B及び端子電極5A、5Bと発熱体4の両端とを電気的に接続する配線6A、6Bを有している。
図3は、実施形態2に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図3は、図1のA−A矢視の断面に相当する。実施形態2のマイクロヒータ素子1aは、実施形態1のマイクロヒータ素子1と同様であるが、発熱体4の表面に、被覆層7として赤外線放射膜を設けた点が異なる。
実施形態3は、実施形態2と同様であるが、被覆層として、赤外線放射膜の代わりに保護膜を設けた点が異なる。図3に示すマイクロヒータ素子1aにおいて、赤外線放射膜の代わりに被覆層7として保護膜を設ける。
図4は、実施形態4に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図4は、図1のA−A矢視の断面に相当する。実施形態4のマイクロヒータ素子1bは、実施形態1のマイクロヒータ素子1とは異なり、支持膜2は、その表面2Sとは反対方向に向かって凸形状である。支持膜2は、Z方向における支持膜2の底部2Bの位置が、支持部分3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置とほぼ同一になる。支持膜2の底部2Bは、基板3と直交し、かつ凸部2Mと凹部2Vとの配列方向と平行な平面でマイクロヒータ素子1を切った断面において、凸部2Mの先端部と、凹部2Vの底部との距離の1/2の位置を結んだ曲線が、支持膜2から基板3へ向かう方向に最も突出している部分である。
図5は、実施形態5に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図5は、図1のA−A矢視の断面に相当するマイクロヒータ素子1cの断面を示している。マイクロヒータ素子1cは、製造過程において生じる支持膜2の応力(本実施形態では圧縮応力)の方が、発熱体4の応力(本実施形態では引張応力)に対して優っている。すなわち、メンブレン全体の応力が圧縮応力となる。このため、支持膜2は、その表面2Sに向かって凸形状であり、Z方向における支持膜2の頂部2Tの位置は、基板3が支持膜2を支持している部分(支持部分)3Sにおける支持膜2の表面2Sの位置に対して基板と反対側に位置する。Hmは頂部高さであり、2Sに対する2TのZ方向における高さを示す。メンブレンに生じる応力が大きい場合、すなわちHmが大きいと、メンブレンに亀裂が生じるなどの不具合が発生する。一方、Hmがある程度の値までは、メンブレンに不具合が生じることなく、実施形態1と同様に、発熱体4の耐久性低下を抑制し、マイクロヒータの出力が向上するという作用・効果が確認された。
図7は、実施形態6に係わるマイクロヒータ素子の断面図である。図7は、図1のA−A矢視の断面に相当する。実施形態6のマイクロヒータ素子1eは、実施形態1のマイクロヒータ素子1と同様であるが、さらに、センサを形成するための薄膜の層(保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5B)を有する点が異なる。
実施例1は、図2に示す実施形態1のマイクロヒータ素子1である。上述したように、マイクロヒータ素子1は、メンブレン構造を有し、支持膜2に凹凸を設けた。マイクロヒータ素子1の構成は、Siの基板3側から、基板3としてのSi基板/支持膜4としてのSiO2膜/第1発熱体4IとしてのTiヒータ密着層/第2発熱体4SとしてのPtヒータとなっている。図2に示すマイクロヒータ素子1は、次のようにして作製された。まずSi基板上に支持膜としてCVD法によってSiO2を成膜した。SiO2はTEOS(テトラエトキシシラン)ガスを用いて、投入電力500W、圧力40Paで6分及び投入電力300W、圧力120Paの条件で6分45秒、CVD法によって成膜した。この結果、膜厚1.25μmで140MPaの圧縮応力が生じた。
実施例2は、実施形態2のマイクロヒータ素子1aである。マイクロヒータ素子1aの構造は、Si基板側から、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータ/金黒(赤外線放出層)となっている。本実施例では、実施例1の標準条件によってSiO2及びPt/Tiを作製後に、リフトオフ法によって金黒蒸着膜をマイクロヒータ上に赤外線放出膜として成膜した。なお金黒の応力は0であった。したがってメンブレンの全体の応力も0である。
実施例3は、実施形態3に係わるマイクロヒータ素子である。具体的には、実施形態2のマイクロヒータ素子1aの表面に、赤外線放出膜の代わりに保護膜を設けたものである。素子構成はSi基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータ/SiO2保護膜となっている。本実施例では、実施例1の標準条件によってSiO2及びPt/Tiを作製後に、保護膜としてSiO2を成膜した。保護膜の成膜条件は、投入電力250W、圧力120Paで成膜した。この結果、保護膜のSiO2における成膜後の応力が0となった。
<実施例4>
実施例4は、実施形態4に係わるマイクロヒータ素子1bである。マイクロヒータ素子1bの構造は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Tiヒータ密着層/Ptヒータで実施例1と同様である。実施例1と異なり、支持膜2を引張応力で、また発熱体4を圧縮応力で作製した。メンブレンの全体の応力は0である。
実施例5は、実施形態5に係わるマイクロヒータ素子1c及びマイクロヒータ素子1dである。実施例5では、メンブレン上の膜全体の応力を圧縮応力及び引張応力として、素子を作製した。具体的には、実施例1の標準条件から成膜条件を変えることにより、SiO2とPt/Tiの応力を変化させ、メンブレン上の膜全体の応力を変えた。なお本素子の構成は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Ti密着層/Pt電極となっている。
実施例6は、実施形態6に係わるマイクロヒータ素子1eである。マイクロヒータ素子1eの構造は、Si基板側より、Si基板/SiO2支持膜/Ti密着層/Pt電極/SiO2保護膜/固体電解質LATP/炭酸リチウム補助層/Ti密着層/Pt電極となっている。マイクロヒータ素子1eは、次のように作製された。まずSi基板上にメンブレンとしてSiO2膜をCVD法によって成膜した。SiO2膜は実施例1と同様の方法で作製し、成膜後は圧縮応力を示した。
比較例1は、支持膜に凹凸がない状態にして、膜構成は実施例1と同様のマイクロヒータ素子を作製した。具体的には、SiO2とPt/Tiの成膜条件を以下のように変更した。すなわち、SiO2については、TEOSガスを用いて投入電力250W、圧力120Paで成膜した。この結果、SiO2の成膜後の応力が0となった。Pt/Tiヒータは、投入電力Ti:100W、Pt:50W(DC)、圧力2Pa、成膜温度25℃でスパッタ法により成膜した。この結果、Tiが5nm及びPtが200nm堆積し、堆積した後の応力が0となった。したがって、SiO2及びPt/Ti成膜後に、全体の応力も0となった。これにより、SiO2露出部分の突起が発生しなかった。
比較例2は、実施例6と同様に、発熱体の表面にセンサを形成する薄膜の層(保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5B)を形成したものであるが、支持膜に凹凸を設けない点が実施例5と異なる。具体的には、支持膜を比較例1と同様の方法で作製したため、成膜後の応力が0である点が実施例6と異なる。支持膜状のPt/Tiヒータ及び発熱体表面のセンサを形成する薄膜の層(保護膜8、固体電解質層9、補助層10、端子電極5A、5B)もそれぞれ応力が0となるように成膜されるため、メンブレン構造全体の応力も0となった。
実施例1〜5及び比較例1の評価結果を表1に示す。評価は、マイクロヒータの出力及び耐衝撃性について行った。評価方法は、マイクロヒータの出力については、マイクロヒータに一定の電圧を加えた際に、一定距離でPbSeの赤外線検出器を用いてマイクロヒータ出力の測定を行った。一方耐衝撃性については、落下試験を行った。評価基準として、マイクロヒータ出力に関してはPbSeの赤外線検出器の示す値を、また耐衝撃性については落下試験時の歩留りを使用した。
このマイクロヒータ素子1を筒状の金属治具の片端に取り付け、他方の端にPbSeの赤外線検出器を取り付けた。この状態でマイクロヒータ素子1に2Vの電圧を印加して、赤外線検出器の出力を測定したところ、0.3Vの値を得た。
出力は0.6Vとなった。落下試験は不良0個/1000個であった。
実施例3のマイクロヒータ素子について測定を行ったところ、出力は0.4Vとなった。落下試験は不良0個/1000個であった。
本実施例の場合、図4に示すSiO2の凹み深さHvが500nm以上のとき、比較例1の値に比べて出力の増加が見られた(表1参照)。いずれの場合にも、実施例1で行ったのと同様の落下試験において、メンブレンに損傷のある素子は確認されなかった。
全体の応力が引張応力となると、素子作製後に(素子に衝撃を加えなくても)メンブレンに割れや破れが生じた。この割れや破れは引張応力が増すと増加した。一方、全体の圧力が圧縮応力の場合、応力が高まりSi基板に対してメンブレンの中心が約30μm以上に凸となっても(図5のHmに相当)、メンブレンに割れや破れは生じなかった(表1参照)。ただし、この状態ではメンブレンにしわがより、圧縮応力が小さい場合に比べて、出力が若干弱くなることが確認された、全体の圧力としては、ほぼ0から弱圧縮が良い。
実施例6について、各層(膜)を成膜する際に、成膜条件により膜に生じる応力を制御できることはこれまでに述べた通りである。各層成膜時に応力が0となるように成膜した場合(比較例2)と、支持膜のみ圧縮応力で成膜し他の層は応力が0となるように成膜した場合との2つの素子を作製した。この場合、支持膜に凹凸をつけた場合とつけない場合とを比べると、凹凸をつけた場合の方が素子全体を所定温度まで加熱するために必要な電力が小さいことが確認された。
2、102 支持膜
2B 底部
2M 凸部
2T 頂部
2V 凹部
2S 表面
3 基板
3S 支持部分
4、104 発熱体
4I 第1発熱体
4S 第2発熱体
5A、5B、105A、105B 端子電極
6A、6B 配線
7、107 被覆層
8、108 保護層
9、109 固体電解質層
10、110 補助層
Claims (6)
- 両方の表面に複数の凹凸を有する支持膜と、
前記支持膜の一方の表面に設けられる発熱体と、
前記支持膜の周囲を支持し、かつ前記発熱体と対向する部分が取り除かれた基板と、
を含むことを特徴とするマイクロヒータ素子。 - 前記凹部の深さ又は前記凸部の高さは、500nm以上1500nm以下である請求項1に記載のマイクロヒータ素子。
- 前記発熱パターンは、所定の配線パターンが繰り返される請求項1又は2に記載のマイクロヒータ素子。
- 前記発熱体が設けられる前記支持膜は、前記発熱体が存在する部分よりも前記発熱体が存在しない部分の方が突出又は凹んでいる請求項1から3のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。
- 前記発熱体は、表面に被覆層として、赤外線放出膜又は保護膜を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。
- 前記発熱体は、センサを形成する薄膜の層を表面に有する請求項1から5のいずれか1項に記載のマイクロヒータ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011135720A JP5686050B2 (ja) | 2011-06-17 | 2011-06-17 | マイクロヒータ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011135720A JP5686050B2 (ja) | 2011-06-17 | 2011-06-17 | マイクロヒータ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013003020A JP2013003020A (ja) | 2013-01-07 |
JP5686050B2 true JP5686050B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=47671728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011135720A Active JP5686050B2 (ja) | 2011-06-17 | 2011-06-17 | マイクロヒータ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5686050B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5975380B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-08-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線放射素子およびその製造方法 |
JP6441643B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-12-19 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0774370A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Mitsuteru Kimura | ピエゾデバイス |
JP3383395B2 (ja) * | 1993-12-29 | 2003-03-04 | 株式会社リコー | 薄膜ガスセンサおよびその駆動方法 |
KR100332742B1 (ko) * | 1994-10-26 | 2002-11-23 | 엘지전자주식회사 | 가스센서의제조방법 |
JP3705068B2 (ja) * | 1999-02-23 | 2005-10-12 | 松下電工株式会社 | 半導体装置及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー |
JP3883906B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2007-02-21 | グローリー株式会社 | 膜応力可変薄膜及びこれを利用した薄膜ガスセンサ |
US7104113B2 (en) * | 2003-11-21 | 2006-09-12 | General Electric Company | Miniaturized multi-gas and vapor sensor devices and associated methods of fabrication |
JP2006119014A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法 |
WO2007141826A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-13 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源 |
JP5240072B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2013-07-17 | 株式会社リコー | 熱型素子及び熱型素子の製造方法 |
-
2011
- 2011-06-17 JP JP2011135720A patent/JP5686050B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013003020A (ja) | 2013-01-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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