JP5684061B2 - 熱アシスト磁気記録ヘッド、およびプラズモンアンテナの製造方法 - Google Patents
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Description
(A1)通電された際に、磁気記録媒体に書き込みを行うための記録磁界を発生させる磁極と、
(A2)電磁放射の放射源と、
(A3)1対の側面を有する磁気コアと、エアベアリング面と平行な断面において前記1対の側面をコンフォーマルに覆う導電材料からなるプラズモン生成層とを含むプラズモンアンテナと、
(A4)プラズモンアンテナに電磁放射を導くとともに、電磁放射と、プラズモンアンテナの内部で生成されたプラズモンモードとを結合させる導波路と
を備える。
ここでプラズモン生成層は、エアベアリング面と直交する方向において厚さが変化し、エアベアリング面に最も近い位置において最も薄く、かつ、導波路に隣接する領域内において最も厚い。プラズモンアンテナは、プラズモンモードにより生じたエネルギーを磁気記録媒体の局所領域へと輸送することにより、局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を減少させる。プラズモンアンテナの磁気コアは、記録磁界を局所領域へと導き、これにより局所領域における記録磁界の強度および勾配が、輸送されたプラズモンモードの熱エネルギーにおける熱エネルギープロファイルとの組み合わせにより、保磁力および磁気異方性が減少した領域において書き込みを行うための最良の状態を形成する。
(B1)基体を準備する工程と、
(B2)基体にテーパ状のトレンチを形成する工程と、
(B3)少なくともトレンチをコンフォーマルに覆うように、第1の厚さを有すると共に導電材料からなる第1の層を形成する工程と、
(B4)マスク層を、第1の層の第1の部分を覆いつつ前記第1の層の背後の第2の部分を露出させるように選択的に形成する工程と、
(B5)少なくとも第1の層の第2の部分をコンフォーマルに覆う、導電材料からなる第2の層を第2の厚さとなるように形成する工程と、
(B6)マスク層を除去することにより、トレンチを、第1の部分において第1の厚さを有すると共に第2の部分において第1および第2の厚さの合計の厚さを有するプラズモン生成層によってコンフォーマルに満たされたまま残存させる工程と、
(B7)プラズモン生成層が形成されたトレンチに磁性材料による層を成膜することにより、プラズモン生成層が形成されたトレンチを磁気コアによって充填する工程と
を含むものである。
図22(A)〜22(C)は、それぞれ、第1の実施の形態に係るTAMRヘッドを模式的に示す側面図、光導波路33を含むABSと平行な断面図、および、TAMRヘッドのトラック幅方向における中心位置を通る縦断面図である。このTAMRヘッドは、磁極39と、これと一体化された磁気コア34と、この磁気コア34を覆うように形成されたPGL32と、PGL32と離間して対向するように配置された光導波路33とを備えている。ここで、磁気コア34およびPGL32はプラズモンアンテナとして機能するものである。磁極39および磁気コア34は同種の材料からなり、一体成形されていることが望ましい。磁気コア34は、奥行き方向を軸とする三角柱状の磁性体であり、そのうちの2つの側面をPGL32がコンフォーマルな形状をなすように覆っている。
図24(A)〜24(C)は、それぞれ、第3の実施の形態に係るTAMRヘッドを模式的に示す側面図、磁気記録シールド38を含むABSと平行な断面図、および縦断面図である。このTAMRヘッドは、第1の実施の形態と同様に、磁極39と、磁気コア34およびこれを覆う可変厚のPGL32からなるMCAとを備えたものである。MCAにおける磁気コア34は、磁極39と一体化されている。また、第1の実施の形態と同様に、光導波路33が設けられている。光導波路33は、光エネルギーとプラズモンエネルギーとの結合を最も効率的にすべく、PGL32の頂点に隣接し、かつ、このPGL32の最も肉厚な部分と重なり合う領域に沿うように設けられている。書き込み処理の際、MCAの磁気コア34により生じた磁界は、記録メディアへと輸送される。光導波路33における光学モードは、PGL層32と結合し、プラズモンモードが生成される。このプラズモンモードは、MCAに沿ってTAMRヘッドのエアベアリング面に向かって輸送される。このプラズモンモードの近接場は、記録メディアへと作用し、その記録メディアを局所的に加熱する。PGL32は、ABSに近い部分の厚さが、ABSから離れた部分の厚さよりも薄くなっている。また、光学モードとプラズモンモードとの結合が効率よく発生するように、PGL32の肉厚部である部分32Cは、その肉薄部よりも奥行き方向の長さが大きくなっている。部分32Aは、一端がABSに露出しており、そのABSに露出した位置において約60nm以下の厚さを有している。また、部分32Aは、奥行き方向において約500nm以下の長さを有している。PGL32の部分32Cの厚さは、好ましくは部分32Aの厚さよりも10nm以上大きいことが望ましい。部分32Aと部分32Cとの間の遷移領域としての部分32Bを含めたPGL32の全長TLは、部分32Aの長さLAの少なくとも2倍(すなわち、少なくとも1000nm)であることが望ましい。光導波路33と、PGL32との間の最小間隔は、好ましくは50nm未満である。光導波路33の端面は、MCAのABSから後退していることが好ましいが、ABSに露出していてもよい。
図25(A)〜25(C)は、第4の実施の形態としてのTAMRヘッドの構造を表す模式図である。このTAMRヘッドは、磁極39とMCA(磁気コア31およびPGL32)とが別体であり、分離された構成であること以外は、第3の実施の形態と同様である。書き込み処理の際、磁極39からの磁界は、MCAの磁気コア31をも磁化させることにより、磁極39の磁界に加えて磁気コア31からの磁界が磁気メディアに及ぶこととなる。磁極39とMCAとの間隔は、好ましくは100nm未満である。この間隙領域は、好ましくは非導電性かつ非磁性の材料(例えばAl2O3またはSiO2などの酸化物が好ましい)により満たされている。また、PGL32の材料による約10nmから20nmの厚さの薄い層を、磁気記録シールド38の、PGL32の頂点に対向する表面48に成膜することもできる。これは、磁気メディアの加熱スポットの大きさを減少させる上で有効である。
図26(A)〜26(C)は、第5の実施の形態としてのTAMRヘッドの構造を表す模式図である。このTAMRヘッドは、PGL32の頂点の縁部が、上述した各実施の形態のように磁極39に対して平行な直線状の縁部となっていないこと以外は、第1の実施の形態と同様である。本実施の形態のPGL32は、一端がABSに露出し、ABSから遠ざかるほど磁極39へ近づくように傾斜する頂点の縁部40を含む部分32Dと、そのABSと反対側に設けられ、頂点の縁部が磁極39と平行をなす部分32Eとを有する。なお、頂点の縁部40を傾斜させることにより、例えば、PGL32のABSと平行な断面でのエアベアリング面から見た断面形状の寸法がABSへ近づくほど減少することとなる。
図27(A)〜27(C)は、第6の実施の形態としてのTAMRヘッドの構造を表す模式図である。このTAMRヘッドは、第5の実施の形態と同様に、PGL32の頂点の縁部40が磁極31に対して傾斜していること以外は、第2の実施の形態と同様である。なお、頂点の縁部40を傾斜させることにより、例えば、PGL32のABSから見た断面形状の寸法がABSへ近づくほど減少することとなる。
図28(A)〜28(C)は、第7の実施の形態としてのTAMRヘッドの構造を表す模式図である。このTAMRヘッドは、PGL32の頂点の縁部40の一部が、磁極39に対して傾斜していること以外は、第3の実施の形態と同様である。また、必須ではないが、磁気記録シールド38のPGL32に対向する縁部(表面48)は、PGL32の傾斜した縁部40に対してコンフォーマルな傾斜部をなしている。なお、縁部40を傾斜させることにより、例えば、PGL32のABSから見た断面形状の寸法がABSへ近づくほど減少することとなる。
図29(A)〜図29(C)は、第8の実施の形態としてのTAMRヘッドの構造を表す模式図である。このTAMRヘッドは、プラズモンが伝播するPGL32の頂点縁部40が、磁極39に対して傾斜していること以外は、第4の実施の形態と同様である。また、必須ではないが、磁気記録シールド38のPGL32に対向する縁部(表面48)は、PGL32のプラズモン輸送縁部(頂点縁部40)のテーパ部に対してコンフォーマルな傾斜部をなしている。なお、頂点縁部40を傾斜させることにより、例えば、PGL32のABSから見た断面形状の寸法がABSへ近づくほど減少することとなる。
Claims (34)
- 通電された際に、磁気記録媒体に書き込みを行うための記録磁界を発生させる磁極と、
電磁放射の放射源と、
1対の側面を有する磁気コアと、エアベアリング面と平行な断面において前記1対の側面をコンフォーマルに覆う導電材料からなるプラズモン生成層とを含むプラズモンアンテナと、
前記プラズモンアンテナに前記電磁放射を導くとともに、前記電磁放射と、前記プラズモンアンテナの内部で生成されたプラズモンモードとを結合させる導波路と
を備え、
前記プラズモン生成層は、エアベアリング面と直交する方向において厚さが変化し、エアベアリング面に最も近い位置において最も薄く、かつ、前記導波路に隣接する領域内において最も厚く、
前記プラズモンアンテナは、前記プラズモンモードにより生じたエネルギーを前記磁気記録媒体の局所領域へと輸送することにより、前記局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を減少させ、
前記プラズモンアンテナの前記磁気コアは、前記記録磁界を前記局所領域へと導き、これにより前記局所領域における前記記録磁界の強度および勾配が、前記輸送されたプラズモンモードの熱エネルギーにおける熱エネルギープロファイルとの組み合わせにより、前記保磁力および前記磁気異方性が減少した領域において書き込みを行うための最良の状態を形成する
熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記電磁放射が光周波数の範囲内にあり、前記導波路が光導波路である
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは、磁性材料からなり、前記磁極と一体化され、前記磁極から突出するとともに前記磁極に沿って直線状に延びており、
前記プラズモン生成層は前記磁気コアを覆うように形成されている
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは、磁性材料からなり、前記磁極と同一直線上において前記磁極から一定の間隔で離間して配置され、
前記プラズモン生成層は前記磁気コアを覆うように形成されている
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは角柱状を有し、前記磁極と平行な底辺を有し、かつ前記磁極から100nm未満の間隔で配置されている
請求項4に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアと前記磁極との間の空間は、絶縁性非磁性材料により満たされており、
前記絶縁性非磁性材料は、Al2O3またはSiO2である
請求項5に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモン生成層は、いずれも同じ断面形状を有する一連の第1から第3の部分からなり、
前記第1の部分は、前記プラズモンアンテナのエアベアリング面を起点として後方へ延在し、第1の長さおよび第1の厚さを有し、
前記第2の部分は、前記第1の部分と前記第3の部分との間の遷移部を構成し、厚さが可変であり、
前記第3の部分は第3の厚さを有する
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記第1の厚さが60nm以下であり、
前記第1の長さが500nm以下である
請求項7に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記第3の厚さが、前記第1の厚さよりも10nm以上大きい
請求項8に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモン生成層の前記第1の部分と、前記第2の部分と、前記第3の部分との全長が、前記第1の長さの少なくとも2倍である
請求項7に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは、FeCoもしくはNiFeである磁性材料より形成され、または、Fe(鉄)もしくはCo(コバルト)の単体、あるいはFe(鉄)、Co(コバルト)もしくはB(ホウ素)の化合物からなり、
前記導電材料は、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Ta(タンタル)、もしくはGe(ゲルマニウム)またはそれらの合金である
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは、前記磁極から物理的に離間しかつ前記磁極と同一直線上に位置する三角柱であり、
前記プラズモン生成層は、前記三角柱の2つの側面と、それらの側面が交差する前記三角柱の頂点とをコンフォーマルに覆い、
前記頂点とは反対側に位置し、かつ前記磁極から所定間隔を有するように離間しつつこれに隣接する前記三角柱の底辺が、前記導電材料からなる層により覆われずに露出している
請求項7に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記磁気コアは、前記磁極の一体部分であるとともに、前記磁極から突出する三角形状の水平断面を有する三角柱であり、
前記プラズモン生成層は、前記三角柱の2つの側面と、それらの側面が交差する前記三角柱の頂点とをコンフォーマルに覆う
請求項7に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記頂点は、前記磁極に平行な直線状の縁部を形成している
請求項12に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記頂点は、前記磁極に平行な直線状の縁部を形成している、
請求項13に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記頂点は、
前記磁極に平行な直線状の縁部である第1の部分と、
前記第1の部分と連続し、前記磁極に向かってテーパ状となる直線状の縁部であって前記エアベアリング面において終了する第2の部分と
を含んでいる
請求項12に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記頂点は、
前記磁極に平行な直線状の縁部である第1の部分と、
前記第1の部分と連続し、前記磁極に向かってテーパ状となる直線状の縁部であって前記エアベアリング面において終了する第2の部分と
を含んでいる
請求項13に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナは、前記導波路と前記磁極との間に設けられ、
前記プラズモンアンテナの頂点は、前記導波路と直に隣接して設けられ、
前記三角柱の底辺が、前記磁極の側面と平行に並び、かつ前記側面から一定間隔を有するように離間している
請求項12に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナは、前記導波路と前記磁極との間に設けられ、
前記プラズモンアンテナの頂点は、前記導波路に直に隣接して設けられている
請求項13に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナと前記磁極とは、エアベアリング面に露出した端面を有し、
前記導波路の端面は、エアベアリング面から離れた位置にある
請求項16に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナと前記磁極とは、エアベアリング面に露出した端面を有し、
前記導波路の端面は、エアベアリング面から離れた位置にある
請求項17に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナ、プラズモン生成層、および導波路は、前記磁極のリーディングエッジ側に形成されている
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記プラズモンアンテナ、プラズモン生成層、および導波路は、前記磁極のトレーリングエッジ側に形成されている
請求項1に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 磁気記録シールドをさらに備え、
前記磁気記録シールドは、
前記エアベアリング面に含まれる第1の面と、
前記第1の面に平行であり、前記エアベアリング面から離れて位置し、前記導波路の前記端面に隣接しかつこれに平行な第2の面と、
前記第1の面および前記第2の面に対して垂直であり、前記プラズモン生成層の前記頂点に隣接する第3の面と
を有する
請求項20に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記第3の面は、10nm以上20nm以下の厚さを有するプラズモン生成材料の層により覆われている、
請求項24に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 磁気記録シールドをさらに備え、
前記磁気記録シールドは、
前記エアベアリング面に含まれる第1の面と、
前記第1の面に平行であり、前記導波路の前記端面に隣接しかつこれに平行な第2の面と、
前記第1の面および前記第2の面に対して傾斜しており、前記プラズモン生成層の前記頂点に隣接すると共に前記プラズモン形成層とコンフォーマルな形状を有する第3の面と
を有する
請求項21に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 前記第3の面が、10nm以上20nm以下の厚さを有するプラズモン生成材料の層により覆われている、
請求項26に記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。 - 熱アシスト磁気記録ヘッドに適用されるプラズモンアンテナの製造方法であって、
基体を準備する工程と、
前記基体にテーパ状のトレンチを形成する工程と、
少なくとも前記トレンチをコンフォーマルに覆うように、第1の厚さを有すると共に導電材料からなる第1の層を形成する工程と、
マスク層を、前記第1の層の第1の部分を覆いつつ前記第1の層の背後の第2の部分を露出させるように選択的に形成する工程と、
少なくとも前記第1の層の前記第2の部分をコンフォーマルに覆う、導電材料からなる第2の層を第2の厚さとなるように形成する工程と、
前記マスク層を除去することにより、前記トレンチを、前記第1の部分において第1の厚さを有すると共に前記第2の部分において前記第1および第2の厚さの合計の厚さを有するプラズモン生成層によってコンフォーマルに満たされたまま残存させる工程と、
前記プラズモン生成層が形成されたトレンチに磁性材料による層を成膜することにより、 前記プラズモン生成層が形成されたトレンチを磁気コアによって充填する工程と
を含むプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記磁性材料として、FeCoもしくはNiFeのいずれか、または、Fe(鉄)もしくはCo(コバルト)の単体、あるいはFe(鉄)、Co(コバルト)もしくはB(ホウ素)の合金を用い、
前記導電材料として、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Ta(タンタル)、もしくはGe(ゲルマニウム)またはそれらの合金を用いる
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記テーパ状のトレンチが、三角形の水平断面形状を有する、
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記第1の部分が、500nm以下の長さを有し、60nm以下の厚さを有する
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記第2の部分が、前記第1の厚さよりも10nm以上厚い第2の厚さを有する
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記第1の部分と前記第2の部分との前記合計の長さが、前記第1の部分の長さの2倍以上である
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。 - 前記マスク層が、リフトオフ法またはエッチング法により除去される
請求項28に記載のプラズモンアンテナの製造方法。
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