JP5672390B2 - Ｒｆｉｄタグ - Google Patents

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Description

本発明は、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグ、及び、ヒューズに関する。
従来より、電波を受信するための複数のアンテナと、受信した電波を信号処理するためのＩＣ部と、アンテナとＩＣ部との接続部にそれぞれ配置された温度ヒューズと、を備えるＲＦＩＤタグがあった。信号レベルの大きな電波の受信に伴うＩＣ部の発熱に応じて温度ヒューズが溶断し、アンテナとＩＣ部とを切り離す。アンテナが非可逆的に切り離されるので、ＩＣ部への過剰な給電が停止され、ＩＣ部が熱で損傷することを抑制していた。
特開２００７−０８９０５４号公報
ところで、上述のような温度ヒューズを備えるＲＦＩＤタグを用いて物品等の温度上昇の有無を管理すると、温度が上昇してヒューズが溶断した後は、ＲＦＩＤタグの識別子をリーダー機で読み取ることができなかった。
そこで、温度が上昇すると読み取ることができるＲＦＩＤタグ、及び、ヒューズを提供することを目的とする。
本発明の実施の形態のＲＦＩＤタグは、互いに並列に接続される第１アンテナ部と第２アンテナ部を有するアンテナと、前記第１アンテナ部に接続される第１ＩＣチップと、前記第１アンテナ部と前記第１ＩＣチップとの間、又は、前記第１アンテナ部に直列に挿入され、第１温度以上になると導通し、導通後は導通状態を保持する第１ヒューズと、前記第２アンテナ部に接続される第２ＩＣチップと、前記第２アンテナ部と前記第２ＩＣチップとの間、又は、前記第２アンテナ部に直列に挿入され、第２温度以上になると非導通状態になり、非導通状態になった後は非導通状態を保持する第２ヒューズとを含む。
温度が上昇すると読み取ることができるＲＦＩＤタグ、及び、ヒューズを提供することができる。
実施の形態１のＲＦＩＤタグを示す斜視図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグを示す平面図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグのアンテナのパターンを示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０及びヒューズ５０を含む断面を示す図である。 ヒューズ５０の分解図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のヒューズ５０の半田が溶融した状態を示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ４０及びヒューズ６０を含む断面を示す図である。 ヒューズ６０の分解図である。図５Ａは、図１ＢのＢ−Ｂ矢視断面を示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のヒューズ６０の半田が溶融した状態を示す図である。 半田の組成と融点の関係を示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグのアンテナのパターンの変形例を示す図である。 実施の形態１のＲＦＩＤタグのアンテナのパターンの変形例を示す図である。 実施の形態１の変形例ＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０及びヒューズ５０を含む断面を示す図である。 実施の形態２のＲＦＩＤを示す斜視図である。 実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００のアンテナのパターンを示す図である。 実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００を示す斜視図である。 実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００のアンテナのパターンを示す図である。
以下、本発明のＲＦＩＤタグ、及び、ヒューズを適用した実施の形態について説明する。
＜実施の形態１＞
図１Ａは実施の形態１のＲＦＩＤタグを示す斜視図であり、図１Ｂは実施の形態１のＲＦＩＤタグを示す平面図である。図２は実施の形態１のＲＦＩＤタグのアンテナのパターンを示す図である。
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００は、基板１０、アンテナ２０、ＩＣチップ３０、４０、及びヒューズ５０、６０を含む。
実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００は、環境温度によってヒューズ５０又はヒューズ６０のいずれかが導通するため、ＩＣチップ３０又はＩＣチップ４０の識別子（ＩＤ：Identifier）をリーダー機で読み取ることができる。
ここで、リーダー機とは、ＲＦ（Radio Frequency）帯域の読み取り用の信号を発信し、ＲＦＩＤタグから返信された信号を受信することにより、ＲＦＩＤタグの識別子（ＩＤ）を読み取る装置である。以下ではリーダー機を用いて実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の識別子（ＩＤ）を読み取る形態について説明するが、ＲＦＩＤタグに識別子（ＩＤ）を書き込むこともできるリーダーライター機でＲＦＩＤタグ１００の識別子（ＩＤ）を読み取ってもよい。
図１Ａ及び図１Ｂに示す基板１０は、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）又はガラスエポキシ樹脂等で形成されるシート状の部材である。基板１０は、表面１０Ａにアンテナ２０が形成され、ＩＣチップ３０、４０、及びヒューズ５０、６０が実装される。基板１０は、ＰＥＴ製であれば弾性を持たせることができ、ガラスエポキシ樹脂製であれば、硬質な基板にすることができる。
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、アンテナ２０は、基板１０の表面１０Ａに形成され、ＩＣチップ３０、４０、及びヒューズ５０、６０が接続される。
図２にアンテナ２０のパターンを示す。アンテナ２０は、一対の端子２１Ａ、２１Ｂを有するダイポール型のアンテナであり、アンテナ部２２Ａ、２２Ｂ、２３、２４を有する。図２に示すようにパターニングされたアンテナ２０は、ＲＦ帯域の信号を送受信する電気回路を形成する。
アンテナ部２２Ａは、端子２１Ａを含み、平面視で矩形状に巻回されている部分である。アンテナ部２２Ａのように巻回することにより、アンテナ２０の全長を短くすることができる。
アンテナ部２２Ｂは、端子２１Ｂを含み、平面視で矩形状に巻回されている部分である。アンテナ部２２Ｂのように巻回することにより、アンテナ２０の全長を短くすることができる。
端子２１Ａから端子２３Ａ１までの長さ、端子２１Ａから端子２４Ａ１までの長さ、端子２１Ｂから端子２３Ｂ１までの長さ（端子２３Ｂ２と端子２３Ｃ１の間の長さを含む）、端子２１Ｂから端子２４Ｂ１までの長さ（端子２４Ｂ２と端子２４Ｃ１の間の長さを含む）は、すべて同一の長さに設定される。
これらの長さは、ＩＣチップ３０、４０の識別子をリーダー機で読み取るときの使用周波数における波長の１／４の長さに設定されることが望ましい。しかしながら、ＲＦＩＤタグ１００を小型化するためには、これらの端子間の長さは、使用周波数における波長の１／４の長さよりも短くてもよい。
また、端子２１Ｂと端子２３Ｂ１の間、及び、端子２１Ｂと端子２４Ｂ１の間には、それぞれ、端子２３Ｂ２及び端子２３Ｃ１と、端子２４Ｂ２及び端子２４Ｃ１の間にヒューズ５０、６０を含む。すなわち、アンテナ２０にヒューズ５０、６０が直列に挿入されている。
アンテナ２０と、ヒューズ５０、６０とは、誘電率、導電率等が異なるため、端子２１Ｂから端子２３Ｂ１までの長さ（端子２３Ｂ２と端子２３Ｃ１の間の長さを含む）と、端子２１Ｂから端子２４Ｂ１までの長さ（端子２４Ｂ２と端子２４Ｃ１の間の長さを含む）は、ヒューズ５０、６０の誘電率、導電率等に応じて決定すればよい。
アンテナ部２３は、アンテナ部２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃを含み、アンテナ部２２Ａとアンテナ部２２Ｂの間で、アンテナ部２４と並列に配列されるように形成されている。アンテナ部２３は、アンテナ部２４と互いに並列な第１アンテナ部の一例である。
アンテナ部２３Ａは、アンテナ部２２Ａ及びアンテナ部２４Ａと一体的に形成され、ＩＣチップ３０の一方の端子を接続するための端子２３Ａ１を有する。
アンテナ部２３Ｂは、端子２３Ｂ１、２３Ｂ２を有する。端子２３Ｂ１はＩＣチップ３０の他方の端子に接続され、端子２３Ｂ２はヒューズ５０の一方の端子に接続される。
アンテナ部２３Ｃは、アンテナ部２２Ｂ及び２４Ｃと一体的に形成され、ヒューズ５０の他方の端子を接続するための端子２３Ｃ１を有する。
アンテナ部２４は、アンテナ部２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃを含み、アンテナ部２２Ａとアンテナ部２２Ｂの間で、アンテナ部２３と並列に配列されるように形成されている。アンテナ部２４は、アンテナ部２３と互いに並列な第２アンテナ部の一例である。
アンテナ部２４Ａは、アンテナ部２２Ａ及びアンテナ部２３Ａと一体的に形成され、ＩＣチップ４０の一方の端子を接続するための端子２４Ａ１を有する。
アンテナ部２４Ｂは、端子２４Ｂ１、２４Ｂ２を有する。端子２４Ｂ１はＩＣチップ４０の他方の端子に接続され、端子２４Ｂ２はヒューズ６０の一方の端子に接続される。
アンテナ部２４Ｃは、アンテナ部２２Ｂ及び２３Ｃと一体的に形成され、ヒューズ６０の他方の端子を接続するための端子２４Ｃ１を有する。
このようなアンテナ２０は、例えば、銀ペースト、アルミニウム箔、又は銅箔によって形成される。アンテナ２０を銀ペーストで形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａに銀ペーストをスクリーン印刷すればよい。アンテナ２０をアルミニウム箔又は銅箔で形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａの一面に形成したアルミニウム箔又は銅箔をエッチングすればよい。
ＩＣチップ３０、４０は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、基板１０の表面１０Ａに実装され、アンテナ２０に接続される。ＩＣチップ３０、４０は、例えば、基板１０の表面１０Ａに表面実装が可能なＳＭＤ（Surface Mount Device）パッケージのチップである。
ＩＣチップ３０の一対の端子は、それぞれ、図２に示す端子２３Ａ１と端子２３Ｂ１に接続される。ＩＣチップ４０の一対の端子は、それぞれ、図２に示す端子２４Ａ１と端子２４Ｂ１に接続される。
ＩＣチップ３０、４０は、アンテナ２０を介してＲＦＩＤタグ１００のリーダー機からＲＦ（Radio Frequency）帯域の読み取り用の信号を受信すると、受信信号の電力で作動し、アンテナ２０を介して識別子を表す信号を発信する。
ＩＣチップ３０とＩＣチップ４０は、互いに異なる識別子（ＩＤ:Identifier）を有する。また、ヒューズ５０とヒューズ６０は、導通状態になる温度領域が異なるため、ＩＣチップ３０とＩＣチップ４０は、同時に作動することはない。ＩＣチップ３０とＩＣチップ４０は、それぞれ、第１ＩＣチップと第２ＩＣチップの一例である。
このため、リーダー機では、ＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０又はＩＣチップ４０の識別子を読み取ることができる。
ヒューズ５０は、一対の接点の間に配設される半田を有し、半田が第１温度（融点）以上に加熱されて溶融することによって導通する第１ヒューズの一例である。ヒューズ５０の構成及び機能については、図３Ａ及び図３Ｂを用いて後述する。
ヒューズ６０は、一対の接点の間に配設される半田を有し、半田が第２温度以上に加熱されて溶融する前は一対の接点の間を導通させており、半田が第２温度以上に加熱されて溶融すると、一対の接点の間を非導通状態にする第２ヒューズの一例である。ヒューズ６０の構成及び機能については図５Ａ及び図５Ｂを用いて後述する。
図３Ａは、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０及びヒューズ５０を含む断面を示す図であり、図３Ｂは、ヒューズ５０の分解図である。図４は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のヒューズ５０の半田が溶融した状態を示す図である。
図３Ａは、図１ＢのＡ−Ａ矢視断面を示す図である。図３Ｂでは、分かり易さのためにＩＣチップ４０及びヒューズ６０の図示を省略する。
ＩＣチップ３０は、バンプ３１、３２がそれぞれ半田等でアンテナ部２３Ａの端子２３Ａ１とアンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ１に接続されるとともに、アンダーフィル樹脂３３によって固定されることにより、基板１０にフリップチップ実装されている。
なお、ここでは、ＩＣチップ３０が基板１０の表面１０Ａにフリップチップ実装されている形態について説明するが、ＩＣチップ３０の基板１０への実装方法は、フリップチップ実装に限られるものではない。例えば、ＩＣチップ３０は、ワイヤボンディング、又は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）等のフリップチップ実装以外のベアチップ実装によって基板１０に実装されてもよい。
ヒューズ５０は、カバー部５１Ａ、５１Ｂ、両面テープ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、ランド５３Ａ、５３Ｂ、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂ、ランド５５、スペーサ５６、半田シート５７、両面テープ５８、及びフラックス５９を含む。
ヒューズ５０は、基板１０の端子２３Ｂ２と端子２３Ｃ１との間に形成される孔部７０Ａに位置を合わせて形成される。孔部７０Ａは、例えば、基板１０がＰＥＴ製であればパンチング加工によって基板１０を貫通するように形成され、基板１０がガラスエポキシ樹脂製であれば、レーザ加工又はドリル加工によって基板１０を貫通するように形成される。
カバー部５１Ａ、５１Ｂは、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルムで作製される可撓性のあるフィルム状の部材である。カバー部５１Ａ、５１Ｂは、両面テープ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、ランド５３Ａ、５３Ｂ、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂ、ランド５５、スペーサ５６、半田シート５７、両面テープ５８、及びフラックス５９を保護するために配設される。
なお、カバー部５１Ａ、５１Ｂは、非導電体で作製されていればよく、材質もＰＥＴには限られない。カバー部５１Ａ、５１Ｂは、例えば、エポキシ樹脂又はポリカーボネート等の樹脂製であってもよい。
両面テープ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは、例えば、難燃性の両面テープであればよい。半田シート５７が溶融するため、難燃性にしたものである。ただし、例えば、両面テープ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを耐熱性の高いものにすることにより、溶融した半田シート５７が付着しても損傷が生じなければ、両面テープ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは難燃性でなくてもよい。
両面テープ５２Ａは、平面視で矩形状の両面テープであり、平面視での縦及び横の寸法は、カバー部５１Ａの寸法と等しい。両面テープ５２Ａは、カバー部５１Ａを基板１０の表面１０Ａに貼り付けるために用いられる。
両面テープ５２Ｂは、平面視で矩形状の両面テープであり、平面視での縦及び横の寸法は、カバー部５１Ｂの寸法と等しい。両面テープ５２Ｂは、中央に孔部５２Ｂ１を有する。孔部５２Ｂ１の直径は、スペーサ５６の孔部５６Ａ及び半田シート５７の直径と略同一に設定されている。
両面テープ５２Ｂは、カバー部５１Ｂを基板１０の裏面１０Ｂに貼り付けるとともに、カバー部５１Ｂとスペーサ５６を固定するために用いられる。
両面テープ５２Ｃは平面視で円形であり、両面テープ５２Ｃの直径は、ランド５５の直径と同一であり、かつ、孔部５２Ｂ１の直径よりも小さく設定されている。両面テープ５２Ｃは、ランド５５をカバー部５１Ｂに貼り付けるために用いられる。
ランド５３Ａは、アンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ２に導電性接着剤５４Ａを介して接着される。ランド５３Ｂは、アンテナ部２３Ｃの端子２３Ｃ１に導電性接着剤５４Ｂを介して接着される。
ランド５３Ａ、５３Ｂは、例えば、銅製であり、それぞれ、導電性接着剤に接着される側の面（図３Ａ、３Ｂ中の下面）には、半田５３Ａ１、５３Ｂ１がコーティングされている。ランド５３Ａ、５３Ｂは、ヒューズ５０の一対の第１接点の一例である。また、半田５３Ａ１、５３Ｂ１は、半田シート５７が溶融した後に、ランド５３Ａ、５３Ｂの半田シート５７と接続される面に配設される第１予備半田の一例である。なお、半田５３Ａ１、５３Ｂ１はコーティングされていなくてもよい。
ランド５３Ａ、５３Ｂは、それぞれの先端５３Ａ２、５３Ｂ２（図３Ｂ参照）が平面視で孔部７０Ａの上部に位置するように、長さが設定されている。ランド５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ、平面視で先端５３Ａ２、５３Ｂ２に上底が位置する台形の銅板である。
導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂは、例えば、銀ペーストである。導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂは、アンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ２と、アンテナ部２３Ｃの端子２３Ｃ１に塗布される。なお、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂの代わりに、銀以外の金属粉末をエポキシ樹脂接着剤に混入した導電性接着剤を用いてもよく、あるいは、導電性の両面テープを用いてもよい。
カバー部５１Ａ、５１Ｂ及び両面テープ５２Ａ、５２Ｂは、基板１０のアンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ２とアンテナ部２３Ｃの端子２３Ｃ１とに導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂを介してランド５３Ａ、５３Ｂを接着した後に、基板１０の表面１０Ａ側からランド５３Ａ、５３Ｂ、及び孔部７０Ａを覆うように貼り付けられる。
ランド５５は、薄い円盤状の銅板であり、両面テープ５２Ｂの孔部５２Ｂ１の直径よりも小さい直径を有する。ランド５５の直径は、両面テープ５２Ｃの直径と等しくされている。
ランド５５は、両面テープ５２Ｂと孔部５２Ｂ１の中心軸を合わせた状態で、両面テープ５２Ｃによってカバー部５１Ｂに貼り付けられる。
スペーサ５６は、平面視で矩形状の板状の部材であり、カバー部５１Ｂ及び両面テープ５２Ｂと同一の寸法を有する。スペーサ５６は、例えば、半田シート５７が溶融しても損傷しない耐熱フィルムで作製されている。スペーサ５６は、中央に孔部５６Ａが形成されている。孔部５６Ａは、内部に円盤状の半田シート５７が嵌着されるため、半田シート５７と略同一の直径を有する。
また、スペーサ５６の厚さは、図３Ａに示すように、孔部５６Ａの内部にランド５５と半田シート５７を重ねて収納した状態で、半田シート５７の上部に高さ方向の余裕ができるように、ランド５５と半田シート５７の合計の厚さよりも少し厚くされている。
スペーサ５６は、カバー部５１Ｂ及び両面テープ５２Ｂと位置合わせをして外寸に位置ずれが生じないようにされた状態で、両面テープ５２Ｂによってカバー部５１Ｂに貼り付けられている。
半田シート５７は、平面視で円形の円盤状に成型された半田であり、第１半田の一例である。図３Ａ及び３Ｂに示すように、半田シート５７が溶融していない状態では、半田シート５７は、両面シート５２Ｂの孔部５２Ｂ１、スペーサ５６の孔部５６Ａ、及び両面シート５８の孔部５８Ａと略同一の直径を有する。これは、孔部５２Ｂ１、５８Ａの直径の方が半田シート５７の直径よりも小さいと、両面シート５２Ｂ又は５８によって半田シート５７の周囲が貼り付けられてしまい、半田シート５７が溶融する際に、ランド５３Ａ、５３Ｂの間を接合できなくなる可能性があるからである。
半田シート５７は、スペーサ５６の孔部５６Ａに嵌着された状態で、ランド５５の上面に当接している。半田シート５７は、例えば、錫系の無鉛半田をディスク状に加工したものである。
両面テープ５８は、平面視で矩形状の両面テープであり、平面視での縦及び横の寸法は、カバー部５１Ｂ、両面テープ５２Ｂ、スペーサ５６の寸法と等しい。両面テープ５８は、中央に孔部５８Ａを有する。孔部５８の直径は、半田シート５７の直径と略同一に設定されている。両面テープ５８は、スペーサ５６を基板１０の裏面１０Ｂに固定するために用いられる。なお、両面テープ５８は、両面テープ５２Ｂと同じものを用いてもよい。
フラックス５９は、半田シート５７の溶剤であり、半田シート５７が溶融する前の状態において、半田シート５７とランド５３Ａ、５３Ｂの間に配設される第１溶剤の一例である。フラックス５９は、例えば、松ヤニ等の植物性天然樹脂を含むものであり、半田シート５７の上に配設されている。
フラックス５９は、半田シート５７が溶融していない状態では、図３Ａに示すように、半田シート５７の上部にあり、半田シート５７とランド５３Ａ、５３Ｂの間に配設されている。この状態では、半田シート５７とランド５３Ａ、５３Ｂとは接続されておらず、ヒューズ５０は非導通状態である。
フラックス５９は、ヒューズ５０の環境温度の上昇により半田シート５７が溶融し始めると、半田シート５７とともに溶融する。溶融したフラックス５９により、ランド５３Ａ、５３Ｂ、及び５５との間の表面張力が低減され、半田の濡れ性が向上し、半田シート５７が溶融した半田５７Ａによって、ランド５３Ａ、５３Ｂ、及び５５が図４に示すように接続される。
ランド５３Ａ、５３Ｂには半田５３Ａ１、５３Ｂ１がコーティングされているため、半田５３Ａ１、５３Ｂ１がコーティングされている部分が半田５７Ａの凝集点となる。また、半田５７Ａは自重によって垂れ下がる。このため、半田５７Ａは、ランド５３Ａ、５３Ｂ、及び５５の間に位置することになり、ランド５３Ａとランド５３Ｂの間は半田５７Ａによって接続される。
このように、ランド５３Ａ、５３Ｂ、及び５５の間に位置する半田５７Ａは、半田５７Ａの温度が融点より低下すると、ランド５３Ａ、５３Ｂ、及び５５の間で固化する。このため、半田５７Ａの温度が融点（第１温度）より低下しても、ヒューズ５０は、ランド５３Ａとランド５３Ｂの導通状態を保持する。
なお、半田５７Ａは、再び融点（第１温度）以上に加熱されても、凝集点となる半田５３Ａ１、５３Ｂ１の表面に留まり、再度温度が融点（第１温度）より低下しても、ヒューズ５０は、ランド５３Ａとランド５３Ｂの導通状態を保持する。
すなわち、ヒューズ５０は、融点（第１温度）以上になると導通し、導通後は導通状態を保持する。
以上より、半田シート５７の温度が第１温度以上になって半田シート５７が溶融することにより、ヒューズ５０が導通状態になるので、ＩＣチップ３０は、アンテナ２０を介してＲＦＩＤタグ１００のリーダー機で読み取り可能な状態になる。
次に、図５Ａ及び図５Ｂを用いて、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ４０の基板１０への実装構造と、ヒューズ６０の構造について説明する。
図５Ａは、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ４０及びヒューズ６０を含む断面を示す図であり、図５Ｂは、ヒューズ６０の分解図である。図５Ａは、図１ＢのＢ−Ｂ矢視断面を示す図である。図６は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のヒューズ６０の半田が溶融した状態を示す図である。
図５Ａは、図１ＢにおけるＢ−Ｂ矢視断面を示す図である。図５Ｂでは、分かり易さのためにＩＣチップ３０及びヒューズ５０の図示を省略する。
ＩＣチップ４０は、バンプ４１、４２がそれぞれ半田等でアンテナ部２４Ａの端子２４Ａ１とアンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ１に接続されるとともに、アンダーフィル樹脂４３によって固定されることにより、基板１０にフリップチップ実装されている。
なお、ここでは、ＩＣチップ４０が基板１０の表面１０Ａにフリップチップ実装されている形態について説明するが、ＩＣチップ４０の基板１０への実装方法は、フリップチップ実装に限られるものではない。例えば、ＩＣチップ４０は、ワイヤボンディング、又は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）等のフリップチップ実装以外のベアチップ実装によって基板１０に実装されてもよい。
ヒューズ６０は、カバー部６１Ａ、６１Ｂ、両面テープ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、ランド６３、半田ブリッジ６４、ランド６５Ａ、６５Ｂ、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂ、フラックス６７、半田バンプ６８、及びランド６９を含む。
ヒューズ６０は、基板１０の端子２４Ｂ２と端子２４Ｃ１との間に形成される孔部７０Ｂに位置を合わせて形成される。孔部７０Ｂは、例えば、基板１０がＰＥＴ製であればパンチング加工によって基板１０を貫通するように形成され、基板１０がガラスエポキシ樹脂製であれば、レーザ加工又はドリル加工によって基板１０を貫通するように形成される。
カバー部６１Ａ、６１Ｂは、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）フィルムで作製される可撓性のあるフィルム状の部材である。カバー部６１Ａ、６１Ｂは、両面テープ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、ランド６３、半田ブリッジ６４、ランド６５Ａ、６５Ｂ、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂ、フラックス６７、半田バンプ６８、及びランド６９を保護するために配設される。
なお、カバー部６１Ａ、６１Ｂは、非導電体で作製されていればよく、材質もＰＥＴには限られない。カバー部６１Ａ、６１Ｂは、例えば、エポキシ樹脂又はポリカーボネート等の樹脂製であってもよい。
両面テープ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃは、例えば、難燃性の両面テープであればよい。半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融するため、難燃性にしたものである。ただし、例えば、両面テープ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを耐熱性の高いものにすることにより、溶融した半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が付着しても損傷が生じなければ、両面テープ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃは難燃性でなくてもよい。
両面テープ６２Ａは、平面視で矩形状の両面テープであり、平面視での縦及び横の寸法は、カバー部６１Ａの寸法と等しい。両面テープ６２Ａは、カバー部６１Ａを基板１０の表面１０Ａに貼り付けるとともに、半田ブリッジ６４をランド６５Ａ、６５Ｂとの間で固定するために用いられる。両面テープ６２Ａは、中央に孔部６２Ａ１を有する。孔部６２Ａ１の直径は、ランド６３の直径より大きい。この理由については後述する。
両面テープ６２Ｂは、平面視で矩形状の両面テープであり、平面視での縦及び横の寸法は、カバー部６１Ｂの寸法と等しい。両面テープ６２Ｂは、カバー部６１Ｂを基板１０の裏面１０Ｂに貼り付けるとともに、半田バンプ６８及びランド６９を固定するために用いられる。
両面テープ６２Ｃは平面視で円形であり、両面テープ６２Ｃの直径は、ランド６３の直径よりも小さくされている。両面テープ６２Ｃは、ランド６３をカバー部６１Ａに貼り付けるために用いられる。両面テープ６２Ｃは、自己の中心軸をランド６３の中心軸と孔部６２Ａ１の中心軸と位置を合わせた状態でランド６３をカバー部６１Ａに貼り付ける。
ランド６３は、自己の中心軸を両面テープ６２Ａの孔部６２Ａ１の中心軸と位置合わせした状態で、両面テープ６２Ｃによってカバー部６１Ａに貼り付けられる。
ランド６３は、例えば、銅製であり、両面テープ６２Ｃでカバー部６１Ａに貼り付けられる側の面とは反対側の面（図５Ａ、５Ｂ中の下面）には、半田６３Ａがコーティングされている。半田６３Ａは、第２予備半田の一例である。なお、半田６３Ａはコーティングされていなくてもよい。
半田ブリッジ６４は、細長い板状の半田であり、ランド６５Ａとランド６５Ｂとを接合できる程の長さを有する。半田ブリッジ６４は、溶融する前の状態において、長手方向の中央の上面がランド６３の半田６３Ａに当接し、長手方向の中央の下面が半田バンプ６８の上部に当接し、両端の下面がランド６５Ａ、６５Ｂに当接した状態で固定されている。
半田ブリッジ６４は、両端の上面が両面テープ６２Ａに貼り付けられている。半田ブリッジ６４は、溶融する前の状態において、図５Ａに示すように、ランド６５Ａ及び６５Ｂを接続して導通状態にしている第２半田の一例である。
ランド６５Ａは、アンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ２に導電性接着剤６６Ａを介して接着される。ランド６５Ｂは、アンテナ部２４Ｃの端子２４Ｃ１に導電性接着剤６６Ｂを介して接着される。
ランド６５Ａ、６５Ｂは、ヒューズ６０の一対の第２接点の一例である。ランド６５Ａ、６５Ｂは、例えば、それぞれ、リフローによる局所加熱された状態で、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂに圧着される。
ランド６５Ａ、６５Ｂは、例えば、銅製であり、それぞれ、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂに接着される側の面とは反対側の面（図５Ａ、５Ｂにおける上面）には、半田６５Ａ１、６５Ｂ１がコーティングされている。半田６５Ａ１、６５Ｂ１は、半田ブリッジ６４に当接している。半田６５Ａ１、６５Ｂ１は、第２予備半田の一例である。なお、半田６５Ａ１、６５Ｂ１はコーティングされていなくてもよい。
ランド６５Ａ、６５Ｂは、平面視で孔部７０Ｂと重複せずに、孔部７０Ｂからオフセットするように、長さが設定されている。このため、ランド６５Ａ、６５Ｂは、平面視ではランド６３とは重複していない。
導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂは、例えば、銀ペーストである。導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂは、アンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ２と、アンテナ部２４Ｃの端子２４Ｃ１に塗布されている。導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂは、それぞれ、ランド６５Ａ、６５Ｂを端子２４Ｂ２、２４Ｃ１に固定している。なお、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂの代わりに、銀以外の金属粉末をエポキシ樹脂接着剤に混入した導電性接着剤を用いてもよく、あるいは、導電性の両面テープを用いてもよい。
フラックス６７は、半田バンプ６８と半田ブリッジ６４との間、及び、基板１０の孔部７０Ｂの内部において半田バンプ６８の周囲に配設される。
フラックス６７は、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の溶剤であり、第２溶剤の一例である。フラックス６７は、例えば、松ヤニ等の植物性天然樹脂を含むものである。
フラックス６７は、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融していない状態では、図５Ａに示すように、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の間と、半田バンプ６８の周囲に配設されている。この状態では、ランド６５Ａとランド６５Ｂとは半田ブリッジ６４によって導通している。
半田バンプ６８は、バンプ状の半田であり、ランド６９の半田６９Ａの上に取り付けられている。半田バンプ６８は、頂部が半田ブリッジ６４の長手方向の中央部に当接している。
半田バンプ６８は、平面視で円形であり、側面視で上部が丸められた円筒状の半田である。半田バンプ６８は、自己の中心軸が基板１０の孔部７０Ｂの中心軸と一致するように配設されている。半田バンプ６８の直径は、孔部７０Ｂの内壁との間に空間が生じる値に設定されている。
また、半田バンプ６８の高さは、図５Ａに示すようにヒューズ６０が組み立てられた状態において、上部が半田ブリッジ６４の下面に当接する値に設定されている。半田バンプ６８の上部及び周囲には、フラックス６７が配設される。
ランド６９は、薄い円盤状の銅板であり、半田バンプ６８と等しい直径を有する。ランド６９には、互いの中心軸が一致した状態で半田バンプ６８が搭載される。このため、ランド６９の側面側には、基板１０の孔部７０Ｂとの間に間隔が空いている。また、ランド６９は、半田バンプ６８が設置される面（図５Ａにおける上面）に、半田６９Ａがコーティングされている。
ランド６９は、半田バンプ６８が搭載された状態で、両面テープ６２Ｂによってカバー部６１Ｂに取り付けられる。
以上のようなヒューズ６０において、ヒューズ６０の環境温度の上昇により半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融し始めると、フラックス６７は、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８とともに溶融する。
溶融したフラックス６７により、ランド６３、６５Ａ、６５Ｂ、６９と、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融した半田との間の表面張力が低減され、半田の濡れ性が向上する。
この結果、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融した半田８０は、図６に示すように、ランド６３とランド６９の間に集中し、ランド６５Ａとランド６５Ｂは、非導通状態になる。このとき、ランド６５Ａ、６５Ｂと両面テープ６２Ａの間には、半田ブリッジ６４の一部６４Ａ、６４Ｂが残存する場合がある。
ランド６３の下面に半田６３Ａをコーティングしたことと、ランド６９の上面に半田６９Ａをコーティングしたことにより、ランド６３、６９の表面の濡れ性が高くなっていることから、ランド６３、６９の表面は、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融した半田８０の凝集点になる。このため、半田８０は、ランド６３とランド６９の間に集まりやすくなる。
半田ブリッジ６４が溶融してランド６３とランド６９との間に集まることにより、ハンド６５Ａとランド６５Ｂの間は半田ブリッジ６４で接続されない状態になり、ヒューズ６０は非導通状態になる。
なお、両面テープ６２Ａに孔部６２Ａ１を設けた理由は、半田ブリッジ６４が溶融する際に、半田ブリッジ６４の長手方向の中央部の部分を確実に溶融させて、ランド６５Ａとランド６５Ｂの間の電気的な接続を絶つためである。このため、溶融した半田８０の凝集点となるランド６３の直径は孔部６２Ａ１の直径よりも小さく、かつ、ランド６３と孔部６２Ａ１は互いの中心軸が合わせられている。
また、ランド６５Ａとランド６５Ｂの電気的な接続を確実に絶つために、半田バンプ６８の直径は、孔部６２Ａ１の直径より小さいことが望ましく、互いの中心軸が合わせられていることが望ましい。
また、ヒューズ６０は、一度第２温度以上に上昇して非導通状態になると、それ以後は加熱されてもランド６５Ａとランド６５Ｂの間が半田８０によって接続されることはない。また、ヒューズ６０は、一度第２温度以上に上昇して非導通状態になると、それ以後に冷却されても半田８０は溶融しないため、ランド６５Ａとランド６５Ｂの間が半田８０によって接続されることはない。従って、ヒューズ６０は、一度第２温度以上に上昇して非導通状態になると、それ以降は非導通状態を保持することになる。
以上より、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が加熱されて第２温度以上になって溶融することにより、ヒューズ６０が非導通状態になるので、ＩＣチップ４０は、アンテナ２０を介してＲＦＩＤタグ１００のリーダー機で読み取ることができない状態になる。
次に、図７を用いて、ヒューズ５０が導通状態になる第１温度と、ヒューズ６０が非導通状態になる第２温度について説明する。
図７は、半田の組成と融点の関係を示す図である。図７には、鉛（Ｐｂ）又はカドミウム（Ｃｄ）を含まない半田の組成を示す。
実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８としては、例えば、図７に示す組成の半田を用いることができる。
図７に示す半田の材料は、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び銀（Ａｇ）である。図７には、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、又は銀（Ａｇ）のいずれかを様々な組成で含む１０種類の半田の融点を示す。図７には、融点が最も低いＮｏ．１の半田から、融点が最も高いＮｏ．１０の半田を上から順番に示す。
Ｎｏ．１の半田は、Ｓｎ：１６．５％、Ｂｉ：３２．５％、Ｉｎ：５１％で融点は６０℃である。Ｎｏ．２の半田は、Ｂｉ：３４％、Ｉｎ：６６％で融点は７２℃である。Ｎｏ．３の半田はＳｎ：１７．３％、Ｂｉ：５７．５％、Ｉｎ：２５．２％で融点は７９℃である。
Ｎｏ．４の半田は、Ｓｎ：４８％、Ｉｎ：５２％で融点は１１７℃である。Ｎｏ．５の半田は、Ｓｎ：４０％、Ｂｉ：５６％、Ｚｎ：４％で融点は１３０℃である。Ｎｏ．６の半田は、Ｓｎ：４３％、Ｂｉ：５７％で融点は１３９℃である。
Ｎｏ．７の半田は、Ｉｎ：９７％、Ａｇ：３％で融点は１４３℃である。Ｎｏ．８の半田は、Ｉｎ：１００％で融点は１５６℃である。Ｎｏ．９の半田は、Ｓｎ：９１％、Ｚｎ：９％で融点は１９９℃である。Ｎｏ．１０の半田は、Ｓｎ：９６．５％、Ａｇ：３．５％で融点は２２１℃である。
以上、図７に示すように半田の組成を選択することにより、融点を設定することができる。
例えば、ヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８とに同一組成の半田を用いたとする。この場合は、ヒューズ５０の半田シート５７が溶融する第１温度と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８が溶融する第２温度とが等しくなる。
半田シート５７、半田ブリッジ６４、及び半田バンプ６８の温度が融点より低い場合は、ヒューズ５０が非導通状態であり、ヒューズ６０が導通状態である。従って、ＲＦＩＤタグ１００をリーダー機で読み取ると、ＩＣチップ４０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができるが、ＩＣチップ３０の識別子（ＩＤ）を読み取ることはできない。
また、半田シート５７、半田ブリッジ６４、及び半田バンプ６８の温度が融点以上に上昇すると、ヒューズ５０が導通状態になり、ヒューズ６０が非導通状態になる。従って、ＲＦＩＤタグ１００をリーダー機で読み取ると、ＩＣチップ３０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができるが、ＩＣチップ４０の識別子（ＩＤ）を読み取ることはできない。
このように、温度上昇により導通状態になるヒューズ５０と、温度上昇により非導通状態になるヒューズ６０とを用い、ヒューズ５０、６０の導通／非導通が切り替わる温度を等しくしたＲＦＩＤタグ１００を物品等に取り付ければ、その物品の温度がある温度以上になったことを特定できる。
このようなＲＦＩＤタグ１００は、温度上昇の有無を調べる必要のある物品に取り付けると非常に便利である。また、そのような物品の数が多いほど、ＲＦＩＤタグ１００の有用性は高くなる。
例えば、旅客機の酸素発生器は、旅客機の各客席に１つずつ取り付けられている。酸素発生器は、一度しか利用できないため、旅客機の運行前には、酸素発生器が未利用のものであることを１つずつ確認する必要がある。
酸素発生器は発熱性の化学反応で酸素を発生する装置であるため、利用されると、化学反応による発熱によって温度がある温度以上に上昇する。現在の酸素発生器は、発熱によって断絶するテープが外部から視認できる透明枠内に設置されており、運行前の点検時に、作業員又は乗務員が目視でテープ断絶の有無を点検し、バーコードリーダ等で品番等を確認している。このため、酸素発生器の点検には数十分程度の時間を要する。
例えば、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００を各酸素発生器に取り付け、酸素発生器の作動時の発熱によってヒューズ５０が導通状態に切り替わるとともに、ヒューズ６０が非導通状態に切り替わるように融点を設定したとする。このようにすれば、リーダー機で各ＲＦＩＤタグ１００の読み取りを行いながら旅客機の通路を歩くだけで、各酸素発生器が利用済であるか未利用であるかを容易に判別でき、酸素発生器の点検作業を短時間で容易に行うことができる。
なお、この場合、各酸素発生器に取り付けるＲＦＩＤタグ１００の識別子（ＩＤ）については、すべてのＩＣチップ３０及び４０について別々の識別子（ＩＤ）を割り当ててもよい。また、すべてのＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０について同一の識別子（ＩＤ）を割り当てるとともに、すべてのＩＣチップ４０について同一の識別子（ＩＤ）を割り当ててもよい。この場合には、ＩＣチップ３０とＩＣチップ４０とが異なる識別子（ＩＤ）を有するようにすればよい。
また、上述の酸素発生器等のように、多数の物品の各々にＲＦＩＤタグ１００を取り付ける場合には、ＲＦＩＤタグ１００及びリーダー機にアンチコリジョン機能を付加しておけばよい。アンチコリジョン機能により、多数のＲＦＩＤタグ１００を一度に読み取ることができる。
以上のように、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００を用いれば、第１温度まで温度上昇があった物品を特定することができる。これは、上述のように、温度が上昇するとヒューズ５０が導通し、ＩＣチップ３０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができるようになることによって実現される。
従来、温度上昇の有無を管理するためには、例えば、バッテリとメモリを内蔵するアクティブ型のＲＦＩＤタグを用いて、温度上昇が生じたことを表す情報をメモリに格納すれば、温度上昇の有無を管理することができた。しかしながら、バッテリを内蔵するアクティブ型のＲＦＩＤタグは、バッテリの使用温度に上限があるため、比較的低い温度領域でしか温度上昇の有無を管理することができなかった。また、アクティブ型のＲＦＩＤタグは製造コストが高かった。
これに対して、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００は、バッテリを含まないパッシブ型であるため、バッテリの使用温度の上限による制約を受けることなく様々な物品に取り付けることができ、温度上昇の生じた物品を特定することができる。また、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００はパッシブ型であるため製造コストを抑えることができる。
また、従来の温度ヒューズを用いたＲＦＩＤタグでは、温度上昇によって温度ヒューズが溶断するので、温度上昇後はリーダライタで読み取ることができなかった。このため、温度上昇によって温度ヒューズが切れたことによって識別子を確認できないのか、ＲＦＩＤタグの故障等によって識別子を受信できないのかを判別できなかった。
これに対して、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００によれば、温度上昇前はヒューズ５０が非導通状態でヒューズ６０が導通状態であり、リーダー機でＩＣチップ４０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができるため、温度上昇が生じていないことを特定できる。
また、温度上昇後はヒューズ５０が導通状態でヒューズ６０が非導通状態になるため、リーダー機でＩＣチップ３０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができる。
従って、温度上昇があった場合にはリーダー機で読み取れる識別子（ＩＤ）が切り替わることにより、どのＲＦＩＤタグ１００を取り付けた物品で温度上昇が生じたのかを特定することができる。
なお、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００は、リーダー機で常時読み取りを行う必要はなく、リーダー機で不定期に読み取りを行うような用途であっても、温度上昇のあった物品を特定することができる。
以上では、ヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８とに同一組成の半田を用いる場合について説明した。しかしながら、ヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８とに組成の異なる半田を用いてもよい。
例えば、ヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８とに組成の異なる半田を用いて、半田シート５７の融点（第１温度）を半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の融点（第２温度）よりも高くしてもよい。
例えば、加熱処理によって物品を製造する製造工程において、各物品にＲＦＩＤタグ１００を取り付けておき、リーダー機で各ＲＦＩＤタグ１００の識別子（ＩＤ）を常時読み取るようにしておく。例えば、ヒューズ５０の半田シート５７をＮｏ．９の半田（融点１９９℃）で形成し、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８をＮｏ．５の半田（融点１３０℃）で形成しておく。
このような場合には、各物品に取り付けられたＲＦＩＤタグ１００のヒューズ６０が非導通状態になった時点で、ＩＣチップ４０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができなくなり、これにより、物品の温度が１３０℃に達したことを把握することができる。
また、各物品に取り付けられたＲＦＩＤタグ１００のヒューズ５０が導通状態になった時点で、ＩＣチップ３０の識別子（ＩＤ）を読み取ることができるようになるため、これにより、物品の温度が１９９℃に到達したことを把握することができる。
従って、このようなＲＦＩＤタグ１００を加熱処理を伴う物品の製造工程で用いた場合には、どの工程でいつ第１温度又は第２温度に到達したか、あるいは、第２温度から第１温度までの温度上昇に要した経過時間等を把握することができる。
このようなＲＦＩＤタグ１００は、例えば、加熱処理を伴う半導体装置等の製造工程、加熱処理を伴う樹脂成型品等の製造工程、加熱処理を伴う食品の製造工程等に広く利用することができる。
なお、半田シート５７の融点（第１温度）を半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の融点（第２温度）よりも高くする場合は、用途に応じて第１温度と第２温度を任意の組み合わせに設定することができる。例えば、第１温度と第２温度の温度差が比較的小さい場合には、微少な温度の変化が生じたことを把握できる。また、第１温度と第２温度の温度差が比較的大きい場合には、比較的大きな温度の変化が生じたことを把握できる。
なお、ここでは、ヒューズ５０の半田シート５７と、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の融点について説明したが、ヒューズ５０の半田５３Ａ１、５３Ｂ１は、例えば、半田シート５７と同一組成の半田を用いればよい。
また、ヒューズ６０の半田６３Ａ、６５Ａ１、６５Ｂ１、６９Ａは、例えば、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８と同一組成の半田を用いればよい。
なお、ヒューズ５０の半田５３Ａ１、５３Ｂ１は、例えば、半田シート５７よりも融点の低い半田を用いてもよい。同様に、ヒューズ６０の半田６３Ａ、６５Ａ１、６５Ｂ１、６９Ａは、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８よりも融点の低い半田を用いてもよい。
次に、図８乃至図１８を用いて、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造方法について説明する。
図８乃至図１８は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の製造工程を段階的に示す図である。
ここでは、一例として、最初に基板１０に孔部７０Ａ、７０Ｂを形成した後に、基板１０にＩＣチップ３０、４０を実装し、最後にヒューズ５０とヒューズ６０をこの順番で形成する形態について説明する。
しかしながら、この順番は一例に過ぎず、ＩＣチップ３０、４０を基板１０に実装した後に孔部７０Ａ、７０Ｂを形成してから、ヒューズ５０、６０を形成してもよい。また、ヒューズ５０よりもヒューズ６０を先に形成してもよく、また、ヒューズ５０、６０を形成した後に、ＩＣチップ３０、４０を基板１０に実装してもよい。
まず、図８に示すように、アンテナ２０がパターニングされた基板１０に孔部７０Ａ、７０Ｂを形成する。孔部７０Ａは、アンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ２と、アンテナ部２３Ｃの端子２３Ｃ１の間に形成される。孔部７０Ｂは、アンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ２と、アンテナ部２４Ｃの端子２４Ｃ１の間に形成される。
なお、アンテナ部２３Ｂとアンテナ部２３Ｃを一体的に形成しておいて、孔部７０Ａを形成することによってアンテナ部２３Ｂとアンテナ部２３Ｃとに分断してもよい。同様に、アンテナ部２４Ｂとアンテナ部２４Ｃを一体的に形成しておいて、孔部７０Ｂを形成することによってアンテナ部２４Ｂとアンテナ部２４Ｃとに分断してもよい。
基板１０がＰＥＴ製である場合は、パンチング加工によって孔部７０Ａ、７０Ｂ形成すればよく、基板１０がガラスエポキシ樹脂製である場合は、レーザ加工又はドリル加工によって形成すればよい。なお、ここでは孔部７０Ａ、７０Ｂを同時期に形成する形態について説明するが、孔部７０Ｂは、ヒューズ５０を形成した後に形成してもよい。
次に、図９に示すように、基板１０にＩＣチップ３０、４０をフリップチップ実装する。これにより、ＩＣチップ３０、４０は、それぞれ、アンテナ部２３Ａ、２３Ｂ、アンテナ部２４Ａ、２４Ｂに接続される。
ＩＣチップ３０は、図３Ａに示すように、バンプ３１、３２がそれぞれ半田等でアンテナ部２３Ａの端子２３Ａ１とアンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ１に接続されるとともに、アンダーフィル樹脂３３によって固定されることにより、基板１０にフリップチップ実装される。
ＩＣチップ４０は、図５Ａに示すように、バンプ４１、４２がそれぞれ半田等でアンテナ部２４Ａの端子２４Ａ１とアンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ１に接続されるとともに、アンダーフィル樹脂４３によって固定されることにより、基板１０にフリップチップ実装される。
次に、図１０に示すように、アンテナ部２３Ｂの端子２３Ｂ２と、アンテナ部２３Ｃの端子２３Ｃ１に、それぞれ、銀ペーストの導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂを塗布する。
次に、図１１に示すように、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂの上に、ランド５３Ａ、５３Ｂを接着する。ランド５３Ａ、５３Ｂは、例えば、それぞれ、リフローによる局所加熱された状態で、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂに圧着される。
ランド５３Ａ、５３Ｂは、それぞれの先端５３Ａ２、５３Ｂ２（図３Ｂ参照）が平面視で孔部７０Ａの上部に位置するように、接着される。
また、このときに、カバー部５１Ｂの上に両面テープ５２Ｂ、スペーサ５６、及び両面テープ５８を貼り付け、スペーサ５６の孔部５６Ａ内でランド５５を両面テープ５２Ｃ（図３Ａ参照）でカバー部５１Ｂの上に貼り付けた構造体９０を準備しておく。構造体９０のスペーサ５６の孔部５６Ａには、半田シート５７を嵌着しておく。半田シート５７は、例えば、図７に示す組成の中から選択した半田で作製しておけばよい。半田シート５７の融点（第１温度）は、半田の組成によって決まる。
なお、ここでは、構造体９０を予め準備しておいて基板１０に貼り付ける形態について説明するが、構造体９０を準備せずに、基板１０を天地逆にした状態で、両面テープ５８、スペーサ５６、半田シート５７、ランド５５、両面テープ５２Ｂ、カバー部５１Ｂを順次貼り付けてもよい。
次に、図１２に示すように、構造体９０（図１１参照）を基板１０の下面側に貼り付け、孔部７０Ａの上方から、孔部７０Ａにフラックス５９を注入する。これにより、フラックス５９は、図３Ａに示すように、半田シート５７の上方において、孔部７０Ａ内に収容される。
また、このとき、カバー部５１Ａの下面に両面テープ５２Ａを貼り付けた構造体９１を予め準備しておく。なお、ここでは、構造体９１を予め準備しておき、基板１０の表面１０Ａに貼り付ける形態について説明するが、構造体９１を準備せずに、両面テープ５２Ａとカバー部５１Ａを基板１０の表面に順次貼り付けてもよい。
次に、図１３に示すように、カバー部５１Ａの下面に両面テープ５２Ａを貼り付けた構造体９１を基板１０の表面１０Ａに貼り付け、ランド５３Ａ、５３Ｂ、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂ、孔部７０Ａ、フラックス５９をカバー部５１Ａで覆う。以上により、ヒューズ５０が完成する。
次に、図１４に示すように、アンテナ部２４Ｂの端子２４Ｂ２と、アンテナ部２４Ｃの端子２４Ｃ１とに、それぞれ、銀ペーストの導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂを塗布する。
次に、図１５に示すように、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂの上にランド６５Ａ、６５Ｂを接着する。ランド６５Ａ、６５Ｂは、例えば、それぞれ、リフローによる局所加熱された状態で、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂに圧着される。
このとき、カバー部６１Ａの上面に両面テープ６２Ｂを貼り付けるとともに、両面テープ６２Ｂの上面の中央に半田バンプ６８及びランド６９の積層体を貼り付けた構造体９２を予め準備しておく。
なお、ここでは、構造体９２を準備しておく形態について説明するが、構造体９２を準備せずに、基板１０を天地逆にした状態で、半田バンプ６８、ランド６９、両面テープ６２Ｂ、カバー部６１Ａを順次貼り付けてもよい。
次に、図１６に示すように、構造体９２（図１５参照）を基板１０の下面側から取り付ける。構造体９２は、両面テープ６２Ｂによって基板１０の下面に貼り付けられる。
また、孔部７０Ｂから上部が突出している半田バンプ６８の上部及び周囲にフラックス６７を塗布する。フラックス６７は、ランド６５Ａ、６５Ｂの上部にも一部延在する。
なお、半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８は、例えば、半田シート５７と同一の半田で予め作製しておけばよい。
次に、図１７に示すように、部分加熱した半田ブリッジ６４をランド６５Ａ、６５Ｂの上面に接合する。
このとき、カバー部６１Ａの下面に両面テープ６２Ａを貼り付けるとともに、両面テープ６２Ａの孔部６２Ａ１内で、カバー部６１Ａの下面に両面テープ６２Ｃでランド６３を貼り付けた構造体９３を準備しておく。
なお、ここでは、構造体９３を予め準備しておく形態について説明するが、構造体９３を準備せずに、ランド６３、両面テープ６３Ｃ、両面テープ６２Ａ、カバー部６１Ａを順次貼り付けてもよい。
次に、図１８に示すように、構造体９３を基板１０の表面１０Ａに貼り付ける。構造体９３は、両面テープ６２Ａによって基板１０に貼り付けられる。これにより、カバー部６１Ａによって、半田ブリッジ６４、ランド６５Ａ、６５Ｂ、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂ、フラックス６７、半田バンプ６８、及び孔部７０Ｂが覆われる。以上によりヒューズ６０が完成する。
以上の製造工程により、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００が完成する。
実施の形態１によれば、加熱により導通状態になるヒューズ５０と、加熱により非導通状態になるヒューズ６０とを用いたＲＦＩＤタグ１００を物品に取り付けることにより、その物品の温度がある温度以上になったことを検出できる。
なお、以上では、両端に平面視で矩形状に巻回されたアンテナ部２２Ａ、２２Ｂを有するダイポール型のアンテナ２０（図１Ｂ及び図２参照）を含むＲＦＩＤタグ１００について説明したが、アンテナ２０のパターンは、このようなパターンに限られない。
例えば、図１９Ａに示すように、アンテナ部２２Ａ、２２Ｂは、真っ直ぐなライン状のアンテナ部であってもよい。また、図１９Ａに示すアンテナ部２２Ａ、２２Ｂを繋げることにより、図１９Ｂに示すループ状のアンテナ部２２を有するように変形してもよい。
また、以上では、ヒューズ５０、６０がアンテナ２０のパターニングされた回路に直列に挿入される形態について説明したが、ヒューズ５０、６０は、ぞれぞれ、ＩＣチップ３０、４０とアンテナ２０との間に挿入されてもよい。
例えば、ＩＣチップ３０、４０のバンプ３１、３２、４１、４２と、アンテナ２０との間に、ぞれぞれ、ヒューズ５０、６０を挿入してもよい。具体的には、例えば、ＩＣチップ３０のバンプ３１又は３２をヒューズ５０のランド５３Ａ又は５３Ｂのいずれか一方に接続し、ランド５３Ａ又は５３Ｂのいずれか他方をアンテナ２０に接続してもよい。同様に、例えば、ＩＣチップ４０のバンプ４１又は４２をヒューズ６０のランド６５Ａ又は６５Ｂのいずれか一方に接続し、ランド６５Ａ又は６５Ｂのいずれか他方をアンテナ２０に接続してもよい。これらのうち、ヒューズ５０のランド５３ＡとＩＣチップ３０のバンプ３２を直接接続した場合の断面構造を図２０に示す。図２０は、実施の形態１の変形例ＲＦＩＤタグ１００のＩＣチップ３０及びヒューズ５０を含む断面を示す図である。図２０に示すヒューズ５０のランド５３Ａは、カバー部５１Ａ及び両面テープ５２Ａの左端よりもＩＣチップ３０の方に延出し、バンプ３２が直接接続されている。このようにすれば、ヒューズ５０をＩＣチップ３０とアンテナ部２３Ｃとの間に挿入することができる。
また、例えば、ＩＣチップ３０、４０のバンプ３１、３２、４１、４２とアンテナ２０との間にそれぞれ配線を引き出し、その配線にヒューズ５０、６０をそれぞれ挿入してもよい。
＜実施の形態２＞
図２１は、実施の形態２のＲＦＩＤを示す斜視図である。図２２は、実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００のアンテナのパターンを示す図である。
実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００は、ＩＣチップ４０とヒューズ６０を含まない点が実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００と異なる。その他の構成は実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００は、基板１０、アンテナ２２０、ＩＣチップ３０、及びヒューズ５０を含む。
アンテナ２２０は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のアンテナ２０と同様に、例えば、銀ペースト、アルミニウム箔、又は銅箔によって形成される。アンテナ２２０を銀ペーストで形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａに銀ペーストをスクリーン印刷すればよい。アンテナ２２０をアルミニウム箔又は銅箔で形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａの一面に形成したアルミニウム箔又は銅箔をエッチングすればよい。
アンテナ２２０は、ループ状のアンテナであり、アンテナ部２２１とアンテナ部２２２を含む。アンテナ部２２１、２２２は、ともに平面視でコの字型にパターニングされたアンテナ部である。
アンテナ部２２１は、ＩＣチップ３０のバンプ３１（図３Ａ参照）を接続するための端子２２１Ａと、ヒューズ５０のランド５３Ａを導電性接着剤５４Ａ（図３Ａ、３Ｂ参照）で接着するための端子２２１Ｂとを両端に有する。
アンテナ部２２２は、ＩＣチップ３０のバンプ３２（図３Ａ参照）を接続するための端子２２２Ａと、ヒューズ５０のランド５３Ｂを導電性接着剤５４Ｂ（図３Ａ、３Ｂ参照）で接着するための端子２２２Ｂとを両端に有する。
ＩＣチップ３０は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の場合と同様に、端子２２１Ａ、２２２Ａにフリップチップ実装される。
ヒューズ５０は、端子２２１Ｂと端子２２２Ｂとの間の基板１０に孔部７０Ａ（図８参照）を形成し、端子２２１Ｂ、２２２Ｂに、それぞれ、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂ（図３Ａ、３Ｂ参照）を介してランド５３Ａ、５３Ｂを接着することにより、実施の形態１のヒューズ５０と同様に形成される。
このような実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００は、ヒューズ５０の半田シート５７（図３Ａ、３Ｂ参照）の温度が融点（第１温度）以上になって溶融すると、ヒューズ５０が導通状態になり、リーダー機で読み取り可能な状態になる。
従って、温度上昇の伴う物品にＲＦＩＤタグ２００を取り付けておき、物品の温度が上昇することによってＲＦＩＤタグ２００が読み取ることができる状態になると、物品の温度がある温度に到達したことを判別することができる。
このため、実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００を用いれば、第１温度まで温度上昇があった物品を特定することができる。
なお、ヒューズ５０の半田シート５７の融点（第１温度）は、ＲＦＩＤタグ２００の用途に応じて半田の組成を選択することによって設定すればよい。
このようなＲＦＩＤタグ２００は、例えば、加熱処理を伴う半導体装置等の製造工程、加熱処理を伴う樹脂成型品等の製造工程、加熱処理を伴う食品の製造工程等において、物品の温度を管理するために広く利用することができる。また、耐熱性のある物品の上限温度でヒューズ５０が導通するように半田シート５７の融点を設定しておけば、耐熱性のある物品において、温度上限に到達したか否かを管理することができる。
＜実施の形態３＞
図２３は、実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００を示す斜視図である。図２４は、実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００のアンテナのパターンを示す図である。
実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００は、実施の形態２のＲＦＩＤタグ２００のヒューズ５０に並列にヒューズ６０を接続したものである。その他の構成は実施の形態１、２のＲＦＩＤタグ１００、２００と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００は、基板１０、アンテナ３２０、ＩＣチップ３０、ヒューズ５０、及びヒューズ６０を含む。
アンテナ３２０は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００のアンテナ２０と同様に、例えば、銀ペースト、アルミニウム箔、又は銅箔によって形成される。アンテナ３２０を銀ペーストで形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａに銀ペーストをスクリーン印刷すればよい。アンテナ３２０をアルミニウム箔又は銅箔で形成する場合は、例えば、基板１０の表面１０Ａの一面に形成したアルミニウム箔又は銅箔をエッチングすればよい。
アンテナ３２０は、ループ状のアンテナであり、アンテナ部３２１とアンテナ部３２２を含む。アンテナ部３２１、３２２は、ともに平面視で２つのコの字型を組み合わせたような形状にパターニングされたアンテナ部である。
アンテナ部３２１は、ＩＣチップ３０のバンプ３１（図３Ａ参照）を接続するための端子３２１Ａを有する。また、アンテナ部３２１は、ヒューズ５０のランド５３Ａを導電性接着剤５４Ａ（図３Ａ、３Ｂ参照）で接着するための端子３２１Ｂ１と、ヒューズ６０のランド６５Ａを導電性接着剤６６Ａ（図５Ａ、５Ｂ参照）で接着するための端子３２１Ｂ２を有する。端子３２１Ｂ１と端子３２１Ｂ２は、アンテナ部３２１の端子３２１Ａとは反対側において、コの字型に分岐された端部に位置する。
アンテナ部３２２は、ＩＣチップ３０のバンプ３２（図３Ａ参照）を接続するための端子３２２Ａを有する。また、アンテナ部３２２は、ヒューズ５０のランド５３Ｂを導電性接着剤５４Ｂ（図３Ａ、３Ｂ参照）で接着するための端子３２２Ｂ１と、ヒューズ６０のランド６５Ｂを導電性接着剤６６Ｂ（図５Ａ、５Ｂ参照）で接着するための端子３２２Ｂ２を有する。端子３２２Ｂ１と端子３２２Ｂ２は、アンテナ部３２２の端子３２２Ａとは反対側において、コの字型に分岐された端部に位置する。
ＩＣチップ３０は、実施の形態１のＲＦＩＤタグ１００の場合と同様に、端子３２１Ａ、３２２Ａにフリップチップ実装される。
ヒューズ５０は、端子３２１Ｂ１と端子３２２Ｂ１との間の基板１０に孔部７０Ａ（図８参照）を形成し、端子３２１Ｂ１、３２２Ｂ１に、それぞれ、導電性接着剤５４Ａ、５４Ｂ（図３Ａ、３Ｂ参照）を介してランド５３Ａ、５３Ｂを接着することにより、実施の形態１のヒューズ５０と同様に形成される。
ヒューズ６０は、端子３２１Ｂ２と端子３２２Ｂ２との間の基板１０に孔部７０Ｂ（図８参照）を形成し、端子３２１Ｂ２、３２２Ｂ２に、それぞれ、導電性接着剤６６Ａ、６６Ｂ（図５Ａ、５Ｂ参照）を介してランド６５Ａ、６５Ｂを接着することにより、実施の形態１のヒューズ６０と同様に形成される。
このような実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００では、例えば、ヒューズ５０の半田シート５７の融点（第１温度）を、ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８の融点（第２温度）よりも高く設定しておく。
ヒューズ６０の半田ブリッジ６４及び半田バンプ６８（図５Ａ、５Ｂ参照）の温度が融点（第２温度）以上になって溶融すると、ヒューズ６０が非導通状態になり、リーダー機で読み取り不可能な状態になる。
また、ヒューズ５０の半田シート５７（図３Ａ、３Ｂ参照）の温度が融点（第１温度）以上になって溶融すると、ヒューズ５０が導通状態になり、リーダー機で読み取り可能な状態になる。
従って、温度上昇の伴う物品にＲＦＩＤタグ３００を取り付けておき、物品の温度上昇によってヒューズ６０が非導通状態になることによってＲＦＩＤタグ３００が読み取り不可能な状態になると、物品の温度が第２温度に到達したことを判別することができる。
また、物品の温度がさらに上昇してヒューズ５０が導通状態になることによってＲＦＩＤタグ３００が再び読み取り可能な状態になると、物品の温度が第１温度に到達したことを判別することができる。
このため、実施の形態３のＲＦＩＤタグ３００を用いれば、第１温度まで温度上昇があった物品を特定することができる。
このようなＲＦＩＤタグ３００は、例えば、加熱処理を伴う半導体装置等の製造工程、加熱処理を伴う樹脂成型品等の製造工程、加熱処理を伴う食品の製造工程等において、物品の温度を管理するために広く利用することができる。
以上、本発明の例示的な実施の形態のＲＦＩＤタグ、及び、ヒューズについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
１００ ＲＦＩＤタグ
１０ 基板
１０Ａ 表面
２０ アンテナ
２１Ａ、２１Ｂ 端子
２２Ａ、２２Ｂ、２３、２４ アンテナ部
２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ アンテナ部
２３Ｂ１、２３Ｂ２、２３Ｃ１ 端子
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ アンテナ部
２４Ｂ１、２４Ｂ２、２４Ｃ１、２３Ａ１、２４Ａ１ 端子
３０、４０ ＩＣチップ
３１、３２、４１、４２ バンプ
３３、４３ アンダーフィル樹脂
５０、６０ ヒューズ
５１Ａ、５１Ｂ カバー部
５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ 両面テープ
５３Ａ、５３Ｂ ランド
５４Ａ、５４Ｂ 導電性接着剤
５５ ランド
５６ スペーサ
５７ 半田シート
５８ 両面テープ
５９ フラックス
４１、４２ バンプ
６１Ａ、６１Ｂ カバー部
６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ 両面テープ
６３ ランド
６４ 半田ブリッジ
６５Ａ、６５Ｂ ランド
６６Ａ、６６Ｂ 導電性接着剤
６７ フラックス
６８ 半田バンプ
６９ ランド
７０Ａ、７０Ｂ 孔部
２００ ＲＦＩＤタグ
２２０ アンテナ
２２１、２２２ アンテナ部
２２１Ａ、２２１Ｂ、２２２Ａ、２２２Ｂ 端子
３００ ＲＦＩＤタグ
３２０ アンテナ
３２１、３２２ アンテナ部
３２１Ａ、３２１Ｂ１、３２１Ｂ２、３２２Ａ、３２２Ｂ１、３２２Ｂ２ 端子

Claims (10)

  1. 互いに並列に接続される第１アンテナ部と第２アンテナ部を有するアンテナと、
    前記第１アンテナ部に接続される第１ＩＣチップと、
    前記第１アンテナ部と前記第１ＩＣチップとの間、又は、前記第１アンテナ部に直列に挿入され、第１温度以上になると導通し、導通後は導通状態を保持する第１ヒューズと、
    前記第２アンテナ部に接続される第２ＩＣチップと、
    前記第２アンテナ部と前記第２ＩＣチップとの間、又は、前記第２アンテナ部に直列に挿入され、第２温度以上になると非導通状態になり、非導通状態になった後は非導通状態を保持する第２ヒューズと
    を含む、ＲＦＩＤタグ。
  2. 前記第１ヒューズは、前記第１温度で第１半田が溶融することによって導通する、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
  3. 前記第１ヒューズは、
    一対の第１接点と、
    溶融前の状態において前記一対の第１接点の近傍に配設され、前記第１温度で溶融する第１半田と
    を有し、前記第１半田は、前記第１温度以上になると前記一対の第１接点の間を導通し、導通後は前記一対の第１接点の間の導通状態を保持する、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
  4. 前記第１ヒューズは、前記第１半田が溶融する前の状態において、前記一対の第１接点と前記第１半田との間に配設される第１溶剤をさらに有する、請求項３記載のＲＦＩＤタグ。
  5. 前記第１ヒューズは、前記第１半田が溶融した後に、前記第１接点の前記第１半田と接続される面に配設される第１予備半田をさらに有する請求項３記載のＲＦＩＤタグ。
  6. 前記第２ヒューズは、
    一対の第２接点と、
    溶融前の状態において前記一対の第２接点の間を接続し、前記第２温度で溶融する第２半田と
    を有し、前記第２温度以上になると前記第２半田が溶融して前記一対の第２接点の間が断絶されることにより、非導通状態になる、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
  7. 前記第２ヒューズは、前記第２半田の溶融前の状態において、前記第２半田の近傍に配設される第２溶剤をさらに有する請求項６記載のＲＦＩＤタグ。
  8. 前記第２ヒューズは、前記第２半田の溶融前の状態において、前記一対の第２接点の間で、前記第２半田の中央部に当接する半田バンプをさらに有する請求項６記載のＲＦＩＤタグ。
  9. 前記第２ヒューズは、前記第２半田の溶融前の状態において、前記第２溶剤の近傍に配設される第２予備半田をさらに有する、請求項７記載のＲＦＩＤタグ。
  10. 前記第２温度は、前記第１温度以下である、請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
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