JP5667417B2 - 光変調素子および空間光変調器 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係る光変調素子1は、図1に示すように、磁化固定層11、中間層12、磁化自由層13、保護層14の順に積層された構成であり、一対の電極である上部電極2と下部電極3(以下、適宜電極2,3)に上下で接続されて、膜面に垂直に電流を供給される。光変調素子1は、磁化が一方向に固定された磁化固定層11および磁化の方向が回転可能な磁化自由層13を、非磁性導体または絶縁体である中間層12を挟んで備えたCPP−GMR(Current Perpendicular to the Plane Giant MagnetoResistance:垂直通電型巨大磁気抵抗)素子やTMR(Tunnel MagnetoResistance:トンネル磁気抵抗)素子等のスピン注入磁化反転素子である。さらに、製造工程におけるダメージからこれらの層を保護するためおよび上面(磁化自由層13)の酸化防止のために、最上層に保護層14が設けられている。また、磁化固定層11の下に、下部電極3との密着性や薄膜の結晶配向性等を向上させるために、金属膜からなる下地層(図示せず)を設けてもよい。光変調素子1を構成する各層は、下部電極3を形成された上に、例えばスパッタリング法や分子線エピタキシー(MBE)法等の公知の方法で連続的に成膜されて積層され、電子線リソグラフィおよびイオンビームミリング法等で所望の平面視形状に加工される。光変調素子1の平面視形状は限定されないが、一辺が100〜500nm程度の矩形またはこれに相当する大きさの形状であれば、磁化固定層11および磁化自由層13がそれぞれ単磁区を形成し易く好ましい。以下、光変調素子1を構成する各層の詳細を説明する。
次に、前記の本発明に係る光変調素子を画素に備える空間光変調器について、図面を参照してその実施形態を説明する。なお、本明細書における画素とは、空間光変調器による表示の最小単位での情報(明/暗)を表示する手段を指す。
次に、空間光変調器10の画素選択の動作を、この空間光変調器10を用いた表示装置として、図4を参照して説明する。電極2,3は、前記の通り、電流制御部80に接続される。また、図4に示すように、本実施形態に係る空間光変調器10の画素アレイ40の直上には、画素アレイ40に向けて光(レーザー光)を照射する光源等を備える光学系OPSと、光学系OPSから照射された光を画素アレイ40に入射する前に1つの偏光成分の光(1つの向きの偏光、以下、適宜偏光という)にする偏光フィルタPFiと、この上方から画素アレイ40に入射する偏光(入射偏光)を透過させ、かつ画素アレイ40で反射して出射した光を側方へ反射するハーフミラーHMと、が配置される。そして、画素アレイ40の上方の前記ハーフミラーHMの側方には、ハーフミラーHMで反射して到達した光から特定の偏光成分の光を遮光する偏光フィルタPFoと、偏光フィルタPFoを透過した光を検出する検出器PDとが配置される。
本発明の効果を確認するために、本発明に係る光変調素子1(図1参照)の積層構造を模擬した積層膜のサンプル(平面視10mm×10mm)を作製し、その磁気特性および磁気光学効果を評価した。表面を熱酸化したSi基板上に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下部電極を模擬したCu膜、および表1に示す積層構造を連続して成膜した。なお、表1に示す膜厚の単位はnmである。磁化自由層を形成するGdFe合金は、Gd23at%−Fe77at%の合金ターゲットとFeターゲットとに同時に電圧を印加して成膜した。その際に、Feターゲットの電力を変化させてGdFe合金組成を変化させた。成膜したGdFe合金膜は、蛍光X線測定装置を用いたFP(ファンダメンタルパラメータ)法により組成を解析した結果、Gd:27.5at%−Fe:72.5at%、Gd:24.4at%−Fe:75.6at%、Gd:21.7at%−Fe:78.3at%、Gd:19.7at%−Fe:80.3at%の4通りとなった。さらに成膜時間を調整して膜厚を変化させた。
作製したサンプルについて、試料振動磁力計(VSM:Vibrating Sample Magnetometer)にて磁化自由層(GdFe合金)の飽和磁化を測定した。また、レーザー光を用いた偏光変調法にてカー回転角を測定し、印加磁界との関係から保磁力を同定した。詳しくは、サンプルに、外部から一様な磁界を印加することによって、磁化固定層および磁化自由層の磁化方向が一方向となるようにした。そして、波長780nmのレーザー光を入射角30°で入射して、サンプルからの反射光の偏光の向きを、垂直磁界Kerr効果測定装置で測定した。次に、反射光の偏光の測定を継続したまま、前記印加磁界と反対方向の磁界をその大きさを漸増させながら印加することによって、磁化自由層の磁化を反転させて、サンプルからの反射光の偏光の向きを再び測定した。磁化反転の前後における各旋光角の絶対値の平均をカー回転角とする。また、前記磁化反転したときの印加磁界の大きさから、磁化自由層の保磁力を測定した。図5に飽和磁化(Ms)および保磁力(Hc)、図6にカー回転角(θk)のそれぞれについて、磁化自由層の組成(Fe含有率)依存性および膜厚依存性のグラフを示す。
1 光変調素子
11 磁化固定層
12 中間層
13 磁化自由層
14 保護層
2 上部電極
3 下部電極
40 画素アレイ
4 画素
7 基板
6 絶縁部材
81 電源(電流供給手段)
84 画素選択部(画素選択手段)
Claims (2)
- 垂直磁化異方性を有する磁化固定層と、中間層と、垂直磁化異方性を有する磁化自由層とを積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、前記スピン注入磁化反転素子構造の上下に接続された一対の電極を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子であって、
前記磁化自由層は、組成がGd:19〜21.7at%、Fe:78.3〜81at%であるGd−Fe合金からなり、飽和磁化が50〜250emu/ccであることを特徴とする光変調素子。 - 基板と、この基板上に2次元配列された複数の画素と、前記複数の画素から1つ以上の画素を選択する画素選択手段と、この画素選択手段が選択した画素に所定の電流を供給する電流供給手段と、を備えて、前記画素選択手段が選択した画素に入射した光の偏光方向を特定の方向に変化させて出射する空間光変調器であって、
前記画素は、請求項1に記載の光変調素子と、この光変調素子の上下に接続された一対の電極と、を備える空間光変調器。
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JP2010254310A JP5667417B2 (ja) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 光変調素子および空間光変調器 |
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JP5001807B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2012-08-15 | 日本放送協会 | 空間光変調器 |
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- 2010-11-12 JP JP2010254310A patent/JP5667417B2/ja active Active
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