JP6546745B2 - 光変調素子および空間光変調器 - Google Patents
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Description
本発明に係る光変調素子は、空間光変調器の画素として用いられて、入射した光を反射して異なる偏光成分に変調して、または変調せずに出射する。画素とは、空間光変調器による表示の最小単位での情報(明(highlight)/暗(shadow))を表示する手段を指し、さらに、明と暗の間の1以上の中間調(mid-tone)を含んでもよい。
本発明の第1実施形態に係る光変調素子1は、図1(a)に示すように、MgO膜21からなる絶縁層2と垂直磁気異方性の磁性層3を積層し、その上下に、一対の電極である上部電極6と下部電極5(以下、適宜、電極5,6)を接続して備える。光変調素子1はさらに必要に応じて、当該光変調素子1の製造工程におけるダメージから磁性層3を保護するために、磁性層3の上に保護膜42を、下部電極6への密着性を得るために、絶縁層2の下に下地膜41を、それぞれ備える。すなわち光変調素子1は、TMR素子から磁化固定層を除いた積層構造を有するといえ、磁性層3は磁化自由層に相当する。光変調素子1は、磁性層3を含む保護膜42〜下地膜41の積層構造部分が同じ平面視形状で形成され、その一辺の長さを光変調のために少なくとも入射光の回折限界(波長の1/2程度)以上とし、画素サイズ(ピッチ)に応じた大きさの所望の形状に設計することができる。
本実施形態に係る光変調素子1において、磁性層3は、絶縁層2上に設けられ、垂直磁気異方性を示す。磁性層3は、絶縁層2との界面に、Co,Fe,Co−Fe,Co−Fe−Bから選択される磁性金属膜31を備え、特にCoまたはCoを含有するCo−Fe,Co−Fe−Bを適用することが好ましい。これらの磁性金属膜31は単独で面内磁気異方性を示すため、磁性層3は、全体で垂直磁気異方性を示すように、磁性金属膜に垂直磁気異方性材料からなる層を積層して備える。このような材料として、垂直磁気異方性を有するスピン注入磁化反転素子(TMR素子、CPP−GMR素子)に適用される公知の磁性材料を適用することができ、特に、磁気光学効果の高いGdFe層(Gd−Feからなる層)33を適用することが好ましい。具体的には、磁性層3は、下(絶縁層2側)から、Co−FeまたはCo−Fe−Bからなる磁性金属膜31、Gd膜32、GdFe層33の3層構造を有することが特に好ましい。
絶縁層2は、磁性層3(磁性金属膜31)において当該絶縁層2との界面に電荷を蓄積させるために設けられる。絶縁層2は、TMR素子の障壁層に適用されるMgO,Al2O3,HfO2を適用することができ、本実施形態に係る光変調素子1においては、MgO膜21で形成される。特に、絶縁層2(MgO膜21)は、(001)面配向のMgOとすることが好ましい。絶縁層2は、TMR素子の障壁層と同様に厚さを0.1nm以上とすることが好ましく、1nm以上とすることがより好ましい。一方、絶縁層2は、光変調素子1に必要な電圧が印加される範囲で厚く形成されてもよい。ただし、後記するように、光変調素子1を搭載した空間光変調器の構成によっては、電圧印加時に電流が流れるため、この場合には、絶縁層2は、薄く形成して抵抗を抑えることが好ましく、厚さを3nm未満とし、TMR素子の障壁層と同様に厚さを2nm以下とすることが好ましい。あるいは、省電力化のために光変調素子1が電流を流さないように構成されてもよく、この場合は、絶縁層2は、厚さを3nm以上とする。
下地膜41は、絶縁層2の下に設けて下部電極6への密着性を付与するために設けられ、非磁性金属材料の中で、Ru,Taを適用することが好ましい。下地膜41は、厚さが1nm未満であると連続した(ピンホールのない)膜を形成し難く、一方、10nmを超えて厚くしても、密着性がそれ以上には向上しないので、厚さ1〜10nmとすることが好ましい。
保護膜42は、光変調素子1の製造工程において、レジスト形成時の現像液の含浸や磁性層3のGdFe層の酸化等のダメージから磁性層3を保護するために、磁性層3の上に設けられる。保護膜42は、Ru,Ta,Cu,Pt,Au等の非磁性金属材料からなる単層膜、またはCu/Ta,Cu/Ru等の異なる金属材料からなる金属膜を2層以上積層した積層膜から構成される。保護膜42は、下地膜41と同様に、厚さが1nm未満であると連続した膜を形成し難いため、保護膜として十分な効果が得られず、一方、10nmを超えて厚くしても、GdFe層を保護する効果がそれ以上には向上せず、また、光変調素子1の上方からの入射光の透過光量を減衰させる。したがって、保護膜42は、厚さを1〜10nmとすることが好ましい。
上部電極6および下部電極5は、絶縁層2と磁性層3の界面に垂直に電圧を印加するために設けられる。本実施形態においては、電極5,6は、絶縁層2および磁性層3を含む保護膜42〜下地膜41の積層構造部分を、上下から挟むように設けられ、この積層構造部分の平面視形状と同じまたはそれよりも大きく形成される。さらに、電極5,6は、光変調素子1を2次元配列した空間光変調器においては、当該空間光変調器における配線として、配列の一方向に延設されたストライプ状に形成されてもよい(図示省略)。
本発明に係る光変調素子は、絶縁層が異なる絶縁材料で2層以上に形成されてもよい。例えば、図1(b)に示すように、光変調素子1は、磁性層3との界面側(上)のMgO膜21と絶縁膜22とを積層した絶縁層2Aを備える。特に、光変調素子1が電流を流さない構成である場合に、高屈折率材料からなる絶縁膜22を十分な厚さで備えて、磁性層3の下面と下部電極5の上面との間で光を多重反射させ、磁性層3によるカー回転角を累積させて光変調度を大きくすることができる。さらに、光変調素子1は、電流を流さない構成である場合に、磁性層3の両面に絶縁層を備えてもよい(図示せず)。また、光変調素子1は、磁性層3と絶縁層2,2Aとの積層順を入れ替えて、磁性層3が下地膜41を介して下部電極5に接続されてもよい(図示せず)。この場合、絶縁層2Aの絶縁膜22は、上部電極6の透明電極材料よりも屈折率の高い材料を適用して、絶縁膜22内で光を多重反射させることが好ましい。また、下部電極5にも上部電極6と同様に透明電極材料を適用して、光を多重反射させることができ、例えば、反射膜として金属電極材料の層を下側に設けた2層構造とする(図示せず)。また、図1においては、光変調素子1は上下に電極6,5を備えているが、磁性層3と絶縁層2,2Aとの界面に垂直に電圧を印加することができればこれに限られない。したがって、例えば、磁性層3に接続する電極(図1においては上部電極6)は、磁性層3の側面に接続してもよい(図示せず)。
第1実施形態に係る光変調素子1の磁性層3の磁化方向の変化を、図2を参照して説明する。図2においては、3個の光変調素子1,1,1を横一列に並べて示し、また、下地膜41および保護膜42は図示を省略する。磁性層3は垂直磁気異方性であるので、予め外部磁界を印加して、磁化方向を所定の向き(ここでは上向き)に設定する。
本発明に係る光変調素子は、膜面方向に2次元配列して反射型の空間光変調器を構成する。本発明に係る光変調素子1は、スピン注入磁化反転素子の磁化自由層と異なり、磁性層3の磁化方向を非垂直(膜面方向)に保持することができない。そこで、本発明に係る光変調素子1を備える空間光変調器は、例えば液晶ディスプレイ(LCD)やDRAMのように、画素(光変調素子1)毎にコンデンサ(キャパシタ)を備えて、1フレーム分の時間(1/60秒間)、継続して光変調素子1に所定の電圧が印加されるように構成する。具体的には、本発明に係る空間光変調器10は、図3に示すように、光変調素子1(図中、抵抗器で表す)のそれぞれにコンデンサ72が並列に接続され、光変調素子1およびコンデンサ72にさらにトランジスタ71のドレインが接続され、このトランジスタ71のソースおよびゲートに、互いに直交するデータ線DLおよびゲート線GL(ワード線)が接続される。光変調素子1の上部電極6とデータ線DLとから所定の大きさの電圧を、ゲート線GLにより選択的に光変調素子1とコンデンサ72とに印加することができる。すなわち、空間光変調器10は、TFT−LCD等と同様に、アクティブマトリックス方式である。なお、図3においては、簡潔に、2列×2行の4画素分を示す。
本発明に係る空間光変調器において、光変調素子を駆動したときの消費電力と光変調素子の面積との相関を、スピン注入方式の空間光変調器と比較する。
Jc=Jc0×[1−(kBT/Kuv)×ln(tp/t0)] ・・・(1)
本発明に係る光変調素子は、面内磁気異方性の磁性層を適用することもできる。すなわち、本発明の第2実施形態に係る光変調素子1A(図5参照)は、図1(a)に示す第1実施形態に係る光変調素子1の磁性層3に代えて、面内磁気異方性の磁性層3Aを備える。磁性層3Aは、磁性層3の磁性金属膜31と同じCo,Fe,Co−Fe,Co−Fe−Bを適用することができ、厚さは1原子〜2、3原子相当の0.3〜0.5nmが好ましい。絶縁層2等のその他の構成は、光変調素子1と同様であり、2層構造の絶縁層2A(図1(b)参照)を備えてもよい。なお、図5においては、図2と同様に、下地膜41および保護膜42を省略する。
第2実施形態に係る光変調素子1Aの磁性層3Aの磁化方向の変化を、図5を参照して説明する。図5においては、第1実施形態(図2参照)と同様、3個の光変調素子1A,1A,1Aを横一列に並べて示す。磁性層3Aは面内磁気異方性であるので、予め外部磁界を印加して、磁化方向を所定の向き(ここでは右向き)に設定する。
第2実施形態に係る光変調素子1Aは、第1実施形態に係る光変調素子1と同様に、2次元配列して空間光変調器を構成する(図3、図4参照)。配線(電極)の形状やコンデンサ等の接続の仕様、および駆動方法は第1実施形態にて説明した通りである。
1,1A 光変調素子
2,2A 絶縁層(絶縁膜)
21 MgO膜
3,3A 磁性層
31 磁性金属膜
5 下部電極(電極)
6 上部電極(電極)
Claims (7)
- 垂直磁気異方性を有する磁性層、絶縁膜、および前記磁性層と前記絶縁膜との界面に垂直に電圧を印加する一対の電極を備え、
前記磁性層は、少なくとも前記絶縁膜との界面に、Co,Fe,Co−Fe,Co−Fe−Bから選択される磁性金属膜を備え、前記一対の電極から電圧が印加されているときに、磁化方向が非垂直方向に変化し、
入射した光の偏光方向を、前記電圧が所定の大きさで印加されているときに変化させずに出射し、電圧が印加されていないときに所定の角度で変化させて出射することを特徴とする光変調素子。 - 入射した光の偏光方向を、電圧が印加されていないときに最大の角度で変化させて出射し、印加されている電圧が大きいほど小さな角度で変化させて出射することを特徴とする請求項1に記載の光変調素子。
- 面内磁気異方性を有する磁性層、絶縁膜、および前記磁性層と前記絶縁膜との界面に垂直に電圧を印加する一対の電極を備え、
前記磁性層は、少なくとも前記絶縁膜との界面に、Co,Fe,Co−Fe,Co−Fe−Bから選択される磁性金属膜を備え、前記一対の電極から電圧が印加されているときに、磁化方向が非面内方向に変化し、
入射した光の偏光方向を、前記電圧が印加されているときに変化させて出射し、電圧が印加されていないときに変化させずに出射することを特徴とする光変調素子。 - 印加されている電圧が大きいほど、入射した光の偏光方向を大きな角度で変化させて出射することを特徴とする請求項3に記載の光変調素子。
- 前記磁性層が、Gd−Feからなる層を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の光変調素子。
- 前記絶縁膜が、少なくとも前記磁性層との界面に、MgO膜を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の光変調素子。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の光変調素子を2次元配列して備える空間光変調器。
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