JP5643575B2 - 炭化けい素質多孔体の製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、窒素雰囲気で焼成することにより、窒化けい素の分解によって生成した窒素が、ネックの炭化けい素、骨材としての炭化けい素に不純物として含有される。これにより、炭化けい素中に含有量を容易に制御して不純物を導入することができ、炭化けい素質多孔体がn型半導体となるため、導電性が向上する。そして、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により、窒素の含有量やネック形状、気孔率などの多孔体構造などを制御することができるので、導電特性を制御することができる。
そして、窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比を増大させることにより比抵抗の温度依存性を小さくさせることができる。
窒化けい素粉末は、ネックを形成する炭素質固体粉末との反応を促進するために平均粒径が100μm以下が好ましい。
炭素質固体粉末として、カーボンブラック、アセチレンブラックなどを用いることができる。窒化けい素粉末との反応を促進させるために平均粒径が10μm以下であることが好ましい。炭素質固体粉末として、フェノール、フラン、ポリイミドなどの熱分解し炭素源となる有機系樹脂などを使用することもできる。
ネック原料の混合比が増大すると、炭化けい素に含有される窒素量は増大するため、比抵抗が低減すると考えられる。また、炭化けい素質多孔体の気孔率は高くなり、ネック形状は太くなる傾向が認められる。
以下の実施例にも示すように、ネック原料の混合比が増大するほど、比抵抗が低下するとともにその温度依存性が小さくなる。これにより、ネック原料の混合比により、所望の比抵抗及びその温度依存性に制御することができる。
また、ネック原料の混合比が増大すると、温度上昇に伴う比抵抗の低下割合が小さくなり、温度依存性が小さくなった。
これにより、ネック原料の混合比により、炭化けい素質多孔体の比抵抗及びその温度依存性を制御できることが確認された。
本発明の炭化けい素質多孔体の製造方法によれば、骨材としての炭化けい素粉末に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比(Si/C)が0.5〜1.5である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を所定量混合して成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成することにより、けい素源の窒化けい素と炭素源の炭素質固体とが反応して炭化けい素が生成して骨材をつなぐネックが形成された炭化けい素質多孔体を製造することができる。
ここで、窒素雰囲気で焼成することにより、窒化けい素の分解によって生成した窒素が、ネックの炭化けい素、骨材としての炭化けい素に不純物として含有される。これにより、炭化けい素中に含有量を容易に制御して不純物を導入することができ、炭化けい素質多孔体がn型半導体となるため、導電性が向上する。そして、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により、窒素の含有量やネック形状、気孔率などの多孔体構造などを制御することができるので、導電特性を制御することができる。
窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比を増大させることにより比抵抗を低減させることができるとともに、温度依存性を小さくさせることができる。
Claims (1)
- 骨材としての炭化けい素粉末50〜95重量%に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比(Si/C)が0.5〜1.5である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を50〜5重量%混合した混合粉末を成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成する炭化けい素質多孔体の製造方法であって、
窒化けい素の分解によって生成する窒素を炭化けい素中に不純物として含有させ、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により当該窒素の含有量を制御し、前記窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比を増大させることにより比抵抗の温度依存性を小さくさせることを特徴とする炭化けい素質多孔体の製造方法。
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