JP5641348B2 - リン系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
(1) リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属(以下、半導体形成性金属という)の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法、および
(2) 半導体形成性金属が、亜鉛、インジウム、ガリウムおよびアルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属、または当該金属とケイ素、ゲルマニウムおよびスズからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属との合金である請求項1に記載のリン系化合物半導体の製造方法
に関する。
リン蒸気がP4であると考え、これを理想気体とみなし、スズと三リン化四スズとの混合物(スズと三リン化四スズとのモル比:7/93)および赤リンの平衡分圧と実験圧力との関係を調べた。その結果を図1に示す。なお、図1中の単位は「atm」で表記されているが、SI単位に換算した場合には、1atmは約101.3kPaとなる。また、図1中、○印はスズと三リン化四スズとの混合物の測定結果を示し、△印は赤リンの測定結果を示す。
基板として亜鉛板(縦:20mm、横:20mm、厚さ:0.5mm)を用い、これを内径が46mmの石英ガラス管内に入れ、内部雰囲気を精製されたアルゴンガスで十分に置換した後、内径が15mmの石英ガラス細管内にスズと三リン化四スズとの混合物(スズと三リン化四スズとのモル比:7/93)1.5gを入れ、この石英ガラス細管を前記石英ガラス管内に挿入し、石英ガラス細管内にアルゴンガスを軽く吹き込みながら電気炉で石英ガラス管を30分間加熱し、石英ガラス細管から放出されたリン蒸気を亜鉛の板表面と接触させることにより、リンと亜鉛とを反応させた。そのとき、熱電対で亜鉛板の温度およびスズと三リン化四スズとの混合物の温度を測定したところ、亜鉛板の温度は387℃であり、スズと三リン化四スズとの混合物の温度は447℃であった。
従来、リン系化合物半導体を製造するときに用いられている赤リンを用いて実施例1と同様にしてリン系化合物半導体を製造した。より具体的には、実施例1において、スズと三リン化四スズとの混合物1.5gの代わりに赤リン1.5gを用いたこと以外は、実施例1と同様にしてリンと亜鉛とを反応させた。そのとき、熱電対で亜鉛板の温度および赤リンの温度を測定したところ、亜鉛板の温度は381℃であり、赤リンの温度は456℃であった。
基板としてモリブデン基板(縦:20mm、横:20mm、厚さ:0.5mm)を用い、当該モリブデン基板上に亜鉛めっきにより、亜鉛薄膜を形成させた。次に、亜鉛薄膜が形成されたモリブデン基板を内径が46mmの石英ガラス管内に入れ、内部雰囲気を精製されたアルゴンガスで十分に置換した後、内径が15mmの石英ガラス細管内にスズと三リン化四スズとの混合物(スズと三リン化四スズとのモル比:7/93)1.5gを入れ、この石英ガラス細管を前記石英ガラス管内に挿入し、石英ガラス細管内にアルゴンガスを軽く吹き込みながら電気炉で石英ガラス管を30分間加熱し、石英ガラス細管から放出されたリン蒸気を亜鉛薄膜が形成されたモリブデン基板と接触させることにより、リンと亜鉛とを反応させた。そのとき、熱電対で亜鉛薄膜が形成されたモリブデン基板の温度およびスズと三リン化四スズとの混合物の温度を測定したところ、亜鉛薄膜が形成されたモリブデン基板の温度は352℃であり、スズと三リン化四スズとの混合物の温度は451℃であった。
実施例2で得られたリン系化合物半導体の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を図4に示す。なお、図面の尺度は、図の右下に記載のとおりである。
基板としてアルミニウム板(縦:20mm、横:20mm、厚さ:0.5mm)を用い、これを内径が46mmの石英ガラス管内に入れ、内部雰囲気を精製されたアルゴンガスで十分に置換した後、内径が15mmの石英ガラス細管内にスズと三リン化四スズとの混合物(スズと三リン化四スズとのモル比:7/93)1.5gを入れ、この石英ガラス細管を前記石英ガラス管内に挿入し、石英ガラス細管内にアルゴンガスを軽く吹き込みながら電気炉で石英ガラス管を60分間加熱し、石英ガラス細管から放出されたリン蒸気を亜鉛板表面と接触させることにより、リンと亜鉛とを反応させた。そのとき、熱電対でアルミニウム板の温度およびスズと三リン化四スズとの混合物の温度を測定したところ、アルミニウム板の温度は610℃であり、スズと三リン化四スズとの混合物の温度は449℃であった。
Claims (2)
- スズと三リン化四スズとの混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。
- リンとの反応によって半導体を形成する金属が、亜鉛、インジウム、ガリウムおよびアルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属、または当該金属とケイ素、ゲルマニウムおよびスズからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属との合金である請求項1に記載のリン系化合物半導体の製造方法。
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