JP5637697B2

JP5637697B2 - Ｘ線高電圧装置、ｘ線装置、及びこれを用いたｘ線診断装置

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Publication number: JP5637697B2
Application number: JP2010026429A
Authority: JP
Inventors: 真二郎大貫; 美奈小川
Original assignee: Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 2010-02-09
Filing date: 2010-02-09
Publication date: 2014-12-10
Anticipated expiration: 2030-02-09
Also published as: JP2011165466A

Description

本発明は、複数種の半導体電力変換回路を用いたX線高電圧装置、X線装置、及びこれを用いたX線診断装置に関し、特に、半導体電力変換回路の個々の制御タイミングに関する。

X線管の陰極となるフィラメントと、陽極となる回転陽極間に、電圧を印加しX線を発生させるX線高電圧装置は、4種類の半導体電力変換回路を含み構成されている。
一つ目は、入力電圧を昇圧するコンバータ回路、二つ目は、直流電圧を高周波の交流電圧に変換するインバータ回路、三つ目は、X線管の回転陽極を駆動させる陽極駆動回路、四つ目は、X線管のフィラメントを加熱するフィラメント加熱回路、である。上記4種類の半導体電力変換回路を動作させ、X線管からX線を発生させる装置はあった(特許文献1参照)。
また、陽極駆動回路の動作モードに応じて、コンバータ回路から陽極駆動回路に出力する電圧レベルを切り替える装置はあった(特許文献2参照)。

特開2002-65656号公報特開2001-110591号公報

X線高電圧装置を構成する上記4種類の半導体電力変換回路は、それぞれ半導体スイッチング素子を有しており、この半導体スイッチング素子のスイッチング動作(過渡応答)によりノイズが発生する。特許文献1、2では、これら半導体電力変換回路を全て動作させX線管からX線を発生させるため、例えば、前記X線高電圧装置を用いてX線撮影を行うX線CT装置のような場合、X線CT装置内の撮影に関する他の装置にノイズが混入し、正常なX線撮影画像を取得できないという恐れがあった。また、特許文献2では、コンバータ回路の出力電圧を陽極駆動回路とインバータ回路の入力電圧として共用しているため、各々の半導体電力変換回路間で発生したノイズが伝搬するという恐れがあった。さらに、上記ノイズ以外にも、前記X線高電圧装置を用いて透視撮影を行う際は、長時間コンバータ回路を動作するため、コンバータ回路内の半導体スイッチング素子の発熱し、これを冷却するための冷却器が大型化するという問題があった。

そこで、本発明の目的は、X線管からX線を発生させつつも、X線発生条件に応じてX線高電圧装置を構成する4種類の半導体電力変換回路の内、一部回路を停止し、ノイズ発生量、及び発熱を低減するX線高電圧装置と、このX線高電圧装置を用いてX線を発生させるX線装置と、このX線装置用いてX線による診断撮影を行うX線診断装置を提供する。

X線を発生させるX線管装置に電力を供給する、半導体スイチング素子を備えた複数の半導体電力変換回路と、この半導体電力変換回路を制御する制御回路と、を備えたX線高電圧装置であって、このX線管装置からX線を発生させる際のX線発生条件に基づいて、これら複数の半導体電力変換回路のうち、一つの半導体電力変換回路内の半導体スイチング素子の動作を停止させる。

本発明により、X線高電圧装置から発生するノイズによる周辺機器への誤動作の低減、及び、発熱低減による冷却構造の簡易化をすることが可能なX線高電圧装置と、このX線高電圧装置を用いてX線を発生させるX線装置を提供することができる。また、このX線装置を用いて撮影画像へのノイズ混入等の影響を低減可能なX線診断装置を提供することができる。

本発明を説明するためのX線装置の構成図図1の整流器1002と半導体電力変換回路101の回路構成の一例実施例1を説明するためのX線装置のシーケンスを示した図図3に示すスイッチング動作SW301を行う入力装置の一例を示した図 4つの半導体電力変換回路を同時に動作させた場合のX線高電圧装置の雑音端子電圧測定結果 3つの半導体電力変換回路を同時に動作させた場合のX線高電圧装置の雑音端子電圧測定結果実施例3を説明するためのX線装置のシーケンスを示した図実施例4を説明するためのX線装置の構成図図8の半導体電力変換回路801の回路構成の一例本発明を説明するためのX線診断装置の構成図

以下、添付図面に従って本発明のX線高電圧装置、X線装置、及びこれを用いたX線診断装置の好ましい実施形態について詳説する。なお、発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

最初に、本発明を実施するX線装置の概略について図1、2を用いて説明する。図1は、本発明のX線高電圧装置1000と、X線高電圧装置1000に接続し、X線を発生させるX線管装置1007とからなるX線装置の概略を示した構成図である。図2は、図1に示す整流器1002と半導体電力変換回路101の回路構成の一例を示した等価回路図である。

図1に示すように、X線高電圧装置1000は、半導体電力変換回路101〜104と、整流器1002、1004と、高電圧変圧器1003と、平滑コンデンサ1005と、制御回路1006と、を備えて構成される。X線高電圧装置1000の入力には交流電源1001が接続され、出力にはX線管装置1007が接続される。また、X線管装置1007は、X線管1008と、フィラメント1009と、回転陽極1010と、固定子コイル1011と、を備えて構成される。

ここで、X線高電圧装置1000、及びX線管装置1007の各構成要素の機能につき簡単に説明する。

交流電源1001から整流器1002に入力された交流電圧は、整流器1002により直流電圧に整流され、その後、半導体電力変換回路101に出力される。

半導体電力変換回路101は、コンバータ回路であり、前記整流された直流電圧を昇圧する。半導体電力変換回路101により昇圧された直流電圧は、半導体電力変換回路101から、それぞれ、半導体電力変換回路102、及び半導体電力変換回路103に入力される。半導体電力変換回路102は、インバータ回路であり、前記昇圧された直流電圧を高周波交流電圧に変換する。半導体電力変換回路102により変換された高周波交流電圧は、半導体電力変換回路102から、高電圧変圧器1003に出力される。高電圧変圧器1003に入力された前記高周波交流電圧は、高電圧変圧器1003により昇圧され整流器1004に出力される。整流器1004に入力された前記昇圧された高周波交流電圧は、整流器1004により直流電圧に整流され、さらに、平滑コンデンサ1005により平滑化された後、X線管1008内のフィラメント1009と回転陽極1010間に供給する。

半導体電力変換回路103は、回転陽極1010を回転させる為の陽極駆動回路であり、X線管1009内の回転陽極1010を回転させる為に用いる固定子コイルに電力を供給する回路である。回転陽極1010が回転するのは、フィラメント1009から放出される電子が電子線となり、回転陽極1010に衝突しX線を発生する際、回転陽極1010の一点にのみ電子線が集中することで、回転陽極1010の発熱及び、劣化を防止するためである。

また、半導体電力変換回路104は、X線管1009内のフィラメント1009に接続され、フィラメント1009を加熱する為のフィラメント加熱回路である。半導体電力変換回路104は、交流電源1001から電力を供給される。

制御回路1006は、半導体電力変換回路101〜104に接続し、各々半導体電力変換回路内の半導体スイッチング素子の制御を行う。

次に、図1に示す整流器1002と半導体電力変換回路101の回路構成について、図2の等価回路図を用いて説明する。

図2に示す整流器1002は、ダイオードD201〜D204と、コンデンサC201から構成される。
また、半導体電力変換回路101は、インダクタL201と、ダイオードD205、D206と、半導体スイチング素子SW201と、コンデンサC202から構成される。半導体スイチング素子SW201は例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)で構成され、他にもMOS-FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等が該スイッチング素子として使用することができる。本実施例では半導体スイチング素子SW201をIGBTとする。整流器1002のダイオードD201のアノードは、ダイオードD203のカソードに接続されると共に、AC電源1001の一方の電極に接続される。ダイオードD202のアノードは、ダイオードD204のカソードに接続されると共に、AC電源1001の他方の電極に接続される。また、ダイオードD201のカソードはダイオードD202のカソードに接続されると共に、コンデンサC201の一方の電極に接続され、ダイオードD203のアノードはダイオードD204のアノードに接続されると共に、コンデンサC201の他方の電極に接続される。AC電源1001から出力された交流電圧は、ダイオードD201〜D204により全波整流され、さらにコンデンサC201により平滑化された後、直流電圧として半導体電力変換回路101に出力される。

半導体電力変換回路101は、チョッパ方式のDC-DCコンバータ回路である。インダクタL201の一方の電極は、SW201のコレクタと、ダイオードD205のアノードに接続される。ダイオードD205のカソードは、コンデンサC202の一方の電極に接続され、コンデンサC202の他方の電極は、SW201のエミッタに接続される。また、ダイオードD206のカソードはSW201のコレクタに、アノードはSW201のエミッタに、それぞれ接続される。さらに、インダクタL201の他方の電極は、ダイオードD201のカソードに接続され、SW201のエミッタは、ダイオードD204のアノードに接続される。

ここで、整流器1002から出力される電圧をVdとすると、SW201を所定の間隔で導通と開放を繰り返すことで、半導体電力変換回路101に入力された電圧Vdは昇圧され、所望の電圧Vdcとして半導体電力変換回路101から出力される。この場合、SW201を常に開放にしておくと、半導体電力変換回路101に入力された電圧Vdは、電圧Vdのまま半導体電力変換回路101から出力される。

次に、本発明のX線装置を用いたX線診断装置の概略について図10を用いて説明する。
被検体10を載せる天板12と、被検体10にX線を照射するX線管装置1007と、被検体10に対するX線照射領域を設定する絞り装置11と、X線管装置1007に電力供給を行なうX線高電圧装置1000と、X線管装置1007に対向する位置に配置され、被検体10を透過したX線を検出するX線検出器13と、X線検出器13から出力されたX線信号に対して画像処理を行なう画像処理部14と、画像処理部14から出力されたX線画像を記憶する画像記憶部15と、X線画像を表示する表示部16と、上記各構成要素を制御する制御部17と、制御部17に対して指令を行なう操作部18と、を備えている。X線管装置1007は、X線高電圧装置1000から電力供給を受けてX線を発生させる。また、X線管装置1007には、特定のエネルギーのX線を選択的に透過させるX線フィルタなどを有していてもよい。絞り装置11は、X線管装置1007から発生したX線を遮蔽するX線遮蔽用鉛板を複数有し、複数のX線遮蔽用鉛板をそれぞれ移動することにより、被検体10に対するX線照射領域を決定する。X線検出器13は、例えば、X線を検出する複数の検出素子が二次元アレイ状に配置されて構成されており、X線管装置1007から照射され、被検体10を透過したX線の入射量に応じたX線信号を検出する機器である。画像処理部14は、X線検出器13から出力されたX線信号を画像処理し、画像処理されたX線画像データを出力する。画像処理は、ガンマ変換、階調変換処理、画像の拡大・縮小等である。表示部16は、画像処理部10から出力されたX線信号を被検体10のX線画像として表示する。

本発明を実施するX線診断装置は、高出力、短時間のX線照射による一般撮影と、低中出力、中長時間のX線照射による透視撮影と、を実施する機能を備える。

本発明の実施例1について、図1、3、5、6を用いて説明する。
図3は、図1に示すX線装置の動作シーケンスを示した図である。また、該動作シーケンスは、前記X線装置を用いて、高出力のX線を短時間発生させ、X線診断装置により一般撮影を行う場合のシーケンスである。図5は、図1に示す4つの半導体電力変換回路101〜104を同時に動作させた場合の雑音端子電圧測定結果である。図6は、図1に示す3つの半導体電力変換回路101、102、104を同時に動作させた場合の雑音端子電圧測定結果である。

図3に示す制御信号S301〜S304は、半導体電力変換回路101〜103の動作を制御する信号であり、それぞれ、S301は、半導体電力変換回路101を、S302、S303は、半導体電力変換回路101を、S304は、半導体電力変換回路102を制御する信号である。また、S302は半導体電力変換回路101によって、回転陽極1010を起動する信号であり、S303は半導体電力変換回路101によって、回転陽極1010を制動する信号である。なお、図3に示す各信号のONとは、各半導体電力変換回路内の半導体スイッチング素子がスイッチング動作している状態をいい、OFFとは、停止している状態をいう。さらに言えば、動作している状態とは例えば、図2のSW201の動作について説明したように、導通と、開放を所定の間隔で繰り返す場合を含む。出力電圧SEは、半導体電力変換回路101から出力される電圧値の変動について模式的に示した図であり、陽極回転数ARは、回転陽極1010の回転数の変動を模式的に示した図である。スイッチング動作SW301については実施例2で後述する。t0〜t8は経過時間を示している。

まず、t0では、制御信号S301〜S304は全てOFFである。この場合、整流器1002によって半導体電力変換回路101に入力された電圧Vdが、そのまま半導体電力変換回路101から出力される。

次にt1では、S301がONし、半導体電力変換回路101によって、半導体電力変換回路101から出力される電圧値がVdからVdcに向け昇圧を開始する。これにより、X線管1008から高出力のX線を発生させ、また、回転陽極1010が回転起動を開始する際に必要な半導体電力変換回路103に入力する電圧値を確保する。回転陽極1010が回転起動を開始する際は、逸早く所望の回転数に上げるために、特に高電圧を半導体電力変換回路103に入力する必要がある。S302がONすることで、回転陽極1010が回転を始め、回転数を上昇させる。

次にt2では、半導体電力変換回路101から出力される電圧値がVdcに到達する。

次にt3では、回転陽極1010の回転数が所望の回転数RTに到達する。回転数RTは例えば10000[rpm]であり、回転陽極1010が回転を開始し回転数RTに到達するまでの時間は、例えば1秒程度である。だたし、この時間は、回転陽極1010の大きさ等によりことなる。

次にt4では、S302がOFFする。この場合、半導体電力変換回路103内の半導体スイッチング素子のスイッチング動作が停止し、回転陽極1010を回転させるために必要な固定子コイル1011に供給される電力が遮断される。さらにこの場合、半導体電力変換回路103内の半導体スイッチング素子のスイッチング動作が停止状態となったことで、半導体スイッチング素子のスイッチング動作によって発生するノイズが、半導体電力変換回路103から生じなくなる。半導体電力変換回路103を停止する効果は図5と6の比較により分かる。4つの半導体電力変換回路101〜104を同時に動作させた場合の雑音端子電圧測定結果を示す図5に対し、3つの半導体電力変換回路101、102、104を同時に動作させた場合の雑音端子電圧測定結果は、図5、6に示す周波数全域について約10〜20[db(μv)]低減している。

次にt5からt6の間で、S304がONする。これによりX線管1008内のフィラメント1009、及び回転陽極1010間に電力が供給され、X線管1008から被検体10に対しX線が照射されX線撮影が行われる。また、この場合、固定子コイル1011に供給される電力が一時的に遮断されているが、高出力のX線を短時間照射し行う一般撮影では、t4からt6の時間は、例えば数[msec]〜数百[msec]オーダーである。この様な短時間であれば、回転陽極1010は慣性により回転数をほぼ落とすことなく回転を維持するため、回転陽極1010に衝突する電子線による回転陽極1010の発熱、及び劣化を防ぐことができる。

次にt7では、S303がONする。これにより回転陽極1010は制動を開始しt8で停止する。
また、特に図3には示していないが、半導体電力変換回路104は、少なくともt1〜t6の間、フィラメント1009を加熱するためにフィラメント1009に電力を供給している
以上説明した様に、X線装置からX線を発生させる際、半導体電力変換回路103を一時停止させることによりX線高電圧装置1000から発生するノイズが低減され、これにより周辺機器への誤動作の影響を低減することが出来る。また、本発明のX線装置を用いたX線診断装置により一般撮影を行う際は、取得する撮影画像へのノイズ混入等の影響を低減することが出来る。

特に、X線診断装置の内、X線高電圧装置1000からX線管装置1007への接続ケーブルが長いレントゲン用一般撮影装置や透視撮影機能を備えた透視撮影装置などにはケーブルから発生するノイズを低減できるために、撮影画像へのノイズ混入等の影響を大幅に低減することができる。

本発明の実施例2について、図1、3、4を用いて説明する。
図4は、図3に示すスイッチング動作SW301を行う入力装置の一例を示した図である。図4に示す入力装置は、2段階の押し込み機構を備えたスイッチSＷ301であり、操作者によって操作される。

図3に示す制御信号S301〜S304は、操作者によるスイッチSW301の操作により図1に示す制御回路1006を通し制御させる。スイッチSW301はST301〜ST304の4つの状態に分けることができる。ST301では、2段階ある押し込み機構のうち、何も押さない状態である。この場合、S301〜S304は、全てOFFの状態を保つ。次に、ST302では、操作者により、2段階ある押し込み機構のうち、1段目を押し込んだ状態である。この場合、制御回路1006によりS301、S302がONし、回転陽極1010が回転起動を開始する。次に、ST303では、操作者により、2段階ある押し込み機構のうち、2段目を押し込んだ状態であるこの2段目の押し込みをトリガーに、制御回路1006によりS302がOFFし、その後S304をONし、X線を被検体10に照射し撮影を行い、その後順に、S304をOFF、S303がONし、回転陽極1010の回転動作に制動をかける。ST304は、操作者により2段目の押し込みを解除された状態である。該解除による制御信号S301〜S304への制御は行わない。

以上説明した様に、2段階ある押し込み機構を備えたスイッチSW301を用いることにより、容易に撮影画像へのノイズ混入等の影響を低減させたX線撮影を行うことができる。
本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、回転陽極1010が所望の回転数RTに到達するまで、操作者による2段目の押し込みを行えないようにした安全機構を備えてもよい。また、回転陽極1010が所望の回転数RTに到達したことを音、音声、ランプ、表示等により操作者に通知する機構を合わせて備えることで、より撮影が容易になる。

本発明の実施例3について、図1、7を用いて説明する。
図7は、図1に示すX線装置の動作シーケンスを示した図である。また、該動作シーケンスは、前記X線装置を用いて、中低出力のX線を中長時間発生させ、X線診断装置により透視撮影を行う場合のシーケンスである。

図7に示す制御信号S301〜S304は、図3に示したものと同一機能を有するものである。また、図7に示す、出力電圧SE、陽極回転数ARに関しても図3に示したものと同一の意味をもつものであるので、実施例1と共通部分については一部説明を省略する。

まず、t0〜t3までは、実施例1と同様である。次にt4では、S301がOFFされる。これにより、半導体電力変換回路101から出力される電圧値がVdcからVdに下がる。実施例1の場合と異なり、中低出力のX線を必要とする透視撮影の場合は、高電圧を半導体電力変換回路102に入力する必要がないため、半導体電力変換回路101内のSW101を停止することができる。また、回転陽極1011は、起動時には固定コイル1011に高電圧を印加する必要があるが、所望の回転数RTに到達し一定の回転数となれば、その回転数を維持するのに高電圧を必要としない。半導体電力変換回路101内の半導体スイッチング素子のスイッチング動作が停止状態となったことで、半導体スイッチング素子のスイッチング動作によって発生するノイズが、半導体電力変換回路101から生じなくなる。次にt5からt6の間で、S304がONし、被検体10に対しX線が照射されX線撮影が行われる。次にt7では、S302がOFF、S303がONすることで回転陽極1010は制動を開始しt8で停止する。また、特に図7には示していないが、半導体電力変換回路104は、少なくともt1〜t6の間、フィラメント1009を加熱するためフィラメント1009に電力を供給している
以上説明した様に、X線装置からX線を発生させる際、半導体電力変換回路101を一時停止させることによりX線高電圧装置1000から発生するノイズが低減され、これにより周辺機器への誤動作の影響を低減することが出来る。また、本発明のX線装置を用いたX線診断装置により透視撮影を行う際は、取得する撮影画像へのノイズ混入等の影響を低減することが出来る。

また、上記透視撮影は、X線を発生させている時間が、例えば十数分〜数十分になる場合があるため、本実施例のように、X線を発生させる際に、半導体電力変換回路101内のSW101を停止することで、導体電力変換回路101内のインダクタL201、ダイオードD205、及びコンデンサC202の導通損のみとすることでき、X線高電圧装置1000の発熱を低減することができる。これにより、X線高電圧装置1000を冷却する冷却構造を簡易化することができる。

本発明の実施例4について、図8、9を用いて説明する。
図8に示すX線装置は、図1に示したX線高電圧装置1000内の、整流器1002と半導体電力変換回路101を、半導体電力変換回路801に置き換えたX線装置の概略を示した構成図である。図9は、図8に示す半導体電力変換回路801の回路構成の一例を示した等価回路図である。

図9に示す半導体電力変換回路801は、倍電圧コンバータ回路である。
半導体電力変換回路801は、インダクタL901、L902と、ダイオードD901、D902と、半導体スイチング素子SW901、SW902と、コンデンサC901〜C903から構成される。本実施例では半導体スイチング素子SW901、SW902をIGBTとする。コンデンサC901の両端の電極にそれぞれインダクタL901、L902の一方の電極が接続され、インダクタL901の他方の電極は、SW901のエミッタと、SW902のコレクタに接続され、SW901のコレクタは、コンデンサC902の一方の電極が接続され、コンデンサC902の他方の電極は、コンデンサC903の一方の電極と、インダクタL902の他方の電極に接続され、コンデンサC903の他方の電極は、SW902のエミッタに接続される。また、半導体スイチング素子SW901 、SW902のコレクタ-エミッタ間にはそれぞれダイオードD901、D902が接続される。コンデンサC901の両端に接続された交流電源1001により交流電圧が入力される。半導体電力変換回路801に入力された交流電圧は、インダクタL901、L902、及び半導体スイチング素子SW901、SW902を用いて直列接続されてコンデンサC901、C902から直流電圧とし出力される。

以上説明した様に、整流器1002と半導体電力変換回路101の代わりに半導体電力変換回路801を用いることができ、これにより構成部材の削減を行うことができる。

10 被検体、11 X線照射領域を設定する絞り装置、12 天板、13 X線検出器、14 画像処理部、15 画像記憶部、16 表示部、17 制御部、18 操作部、101〜104、801 半導体電力変換回路、1000 X線高電圧装置、1001 交流電源、1002、1004 整流器、1003 高電圧変圧器、1005 平滑コンデンサ、1006 制御回路、1007 X線管装置、1008 X線管、1009 フィラメント、1010 回転陽極、1011 固定子コイル

Claims

半導体スイチング素子を有し、Ｘ線を発生させるＸ線管装置に電力を供給する複数の半導体電力変換回路と、前記複数の半導体電力変換回路を制御する制御回路と、を備えたＸ線高電圧装置において、
前記Ｘ線管装置からＸ線を発生させる際のＸ線発生条件に基づいて、前記複数の半導体電力変換回路のうち、一つの半導体電力変換回路内の半導体スイチング素子の動作を停止させること
を特徴とするＸ線高電圧装置。
陰極に電子を発生するフィラメントと、陽極に回転機構を備え回転動作をする回転陽極と、を有するＸ線管装置と、半導体スイチング素子を有し、前記Ｘ線管装置に電力を供給する複数の半導体電力変換回路と、前記複数の半導体電力変換回路を制御する制御回路と、を有するＸ線高電圧装置と、
を備えたＸ線装置において、
前記複数の半導体電力変換回路は、
前記フィラメントと前記回転陽極との間に電力を供給するインバータ回路と、前記回転機構に電力を供給する陽極駆動回路と、前記インバータ回路及び前記陽極駆動回路に電力を供給するコンバータ回路と、を有して構成され、
前記Ｘ線管装置からＸ線を発生させる際に、前記陽極駆動回路内の半導体スイチング素子の動作を停止させること
を特徴とするＸ線装置。
陰極に電子を発生するフィラメントと、陽極に回転機構を備え回転動作をする回転陽極と、を有するＸ線管装置と、半導体スイチング素子を有し、前記Ｘ線管装置に電力を供給する複数の半導体電力変換回路と、前記複数の半導体電力変換回路を制御する制御回路と、を有するＸ線高電圧装置と、
を備えたＸ線装置において、
前記複数の半導体電力変換回路は、
前記フィラメントと前記回転陽極との間に電力を供給するインバータ回路と、前記回転機構に電力を供給する陽極駆動回路と、前記インバータ回路及び前記陽極駆動回路に電力を供給するコンバータ回路と、を有して構成されること
を特徴とするＸ線装置。
前記コンバータ回路は、チョッパ方式のＤＣ−ＤＣコンバータ回路であること
を特徴とする請求項２又は３に記載のＸ線装置。
前記コンバータ回路は、倍電圧コンバータ回路であること
を特徴とする請求項２又は３に記載のＸ線装置。
２段階のスイッチング機構を備えた入力装置において、１段階目で、回転陽極を回転開始し、２段階目で、Ｘ線を発生させること
を特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載のＸ線装置。
被検体にＸ線を照射するＸ線管と、前記Ｘ線管と対向配置され被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、Ｘ線検出器で検出したＸ線をＸ線画像として表示する表示部と、を備えたＸ線診断装置であって、
請求項２乃至６の何れか一項に記載のＸ線装置を用いること
を特徴とするＸ線診断装置。