JP5631628B2 - プラズマrf源測定用マルチレート処理 - Google Patents
プラズマrf源測定用マルチレート処理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5631628B2 JP5631628B2 JP2010111764A JP2010111764A JP5631628B2 JP 5631628 B2 JP5631628 B2 JP 5631628B2 JP 2010111764 A JP2010111764 A JP 2010111764A JP 2010111764 A JP2010111764 A JP 2010111764A JP 5631628 B2 JP5631628 B2 JP 5631628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- digital
- generator
- analog
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H17/00—Networks using digital techniques
- H03H17/02—Frequency selective networks
- H03H17/06—Non-recursive filters
- H03H17/0621—Non-recursive filters with input-sampling frequency and output-delivery frequency which differ, e.g. extrapolation; Anti-aliasing
- H03H17/0635—Non-recursive filters with input-sampling frequency and output-delivery frequency which differ, e.g. extrapolation; Anti-aliasing characterized by the ratio between the input-sampling and output-delivery frequencies
- H03H17/0671—Cascaded integrator-comb [CIC] filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は一般に、周波数同調が可能なソースを採用したRFプラズマシステムに関し、特にRF生成器の同調周波数を追尾し、効率よく不要周波数成分を除去するマルチレート信号処理技術に関する。
半導体業界において、プラズマエッチングは半導体回路の製造には不可欠となっている。実際、エッチャーは、比較的直線に近い垂直エッジが必要な場合、半導体の処理において頻繁に使用される。例えば、MOSトランジスタのポリシリコンゲートのエッチングを行うときに、ポリシリコンのアンダーカッティングはトランジスタの動作に悪影響を及ぼし得る。アンダーカッティングは、液体エッチング法が使用される場合にしばしば直面する。その結果、プラズマエッチングのような他のエッチング技術が発展してきた。電界により加速されたイオンを使用するプラズマエッチングは、水平に露出された表面のみのエッチングを行う傾向があり、それゆえアンダーカッティングを回避できる。
本発明によれば、RF生成器はRFプラズマシステムにおける使用のために提供される。RF生成器は、同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、RF電力信号を検出するように適合され、RF電力信号を代表するアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、アナログ信号が対象周波数と複数の干渉周波数成分とを含むセンサユニットと、センサユニットからアナログ信号を受信し、アナログ信号を、対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限するように適合されたセンサ信号処理ユニットとを含む。センサ信号ユニットはデジタルドメインで実行されることが好ましい。
一例としての単一源RFプラズマシステム10を図1に示す。RFプラズマシステム10はRF生成器12と、整合ネットワーク14と、当業界で周知のプラズマ室16とを具備する。下記の説明は、単一源システムを参照して行うが、本発明のより広い態様は、2つ以上のRF生成器を有するRFプラズマシステムへ適用可能であることは容易に理解される。
Claims (42)
- RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
同調可能な周波数範囲内での同調周波数においてRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、
前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の同調周波数に関連する対象周波数成分を有する、センサユニットと、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するよう適合されたセンサ信号処理ユニットであって、当該アナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記対象周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
を具備するRF生成器。 - 前記アナログ信号はさらに基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを有すると規定され、前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、前記複数のスプリアス周波数成分を除去するように調整可能である請求項1に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記電力源の同調周波数に従って変化する請求項1に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットは、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
をさらに含む請求項1に記載のRF生成器。 - 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項4に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項5に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、
デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
をさらに具備し、前記各処理部は、
前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号を結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
を含む請求項4に記載のRF生成器。 - 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項7に記載のRF生成器。
- 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項7に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項5に記載のRF生成器。
- プラズマ室と、
前記プラズマ室へRF電力信号を送信するRF生成器であって、
同調可能周波数範囲内での同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な同調可能電力源と、
前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が基本周波数成分と複数の干渉周波数成分とを有する、センサユニットと、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するよう適合されたセンサ信号処理ユニットであって、当該アナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
を含む、RF生成器と、
前記RF生成器と前記プラズマ室との間に介在し、前記RF生成器と前記プラズマ室との間でインピーダンスの整合をとる整合ネットワークと
を具備するRFプラズマシステム。 - RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
第1固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第1電力源と、
第2固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第2電力源と、
前記第1及び第2電力源の1つにより生成された前記RF電力信号を検出するように適合され、対応する前記RF電力信号を示す第1及び第2のアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記第1及び第2のアナログ信号が前記電力源の固定周波数に関連する対象周波数と複数の干渉周波数成分とを有する、センサユニットと、
デジタル領域において実行されるセンサ信号処理ユニットであって、前記センサユニットから前記第1及び第2のアナログ信号を受信し、前記第1及び第2のアナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を、前記対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限するように適合された、センサ信号処理ユニットと
を具備するRF生成器。 - 前記アナログ信号は基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを含み、前記複数のスプリアス周波数成分の少なくともいくつかは、前記第1及び第2電力源からのRF電力信号の相互変調に起因する請求項12に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットは、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
をさらに含む請求項12に記載のRF生成器。 - 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項14に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項15に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、
デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
をさらに具備し、前記各処理部は、
前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号とを受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号とを結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
を含む請求項14に記載のRF生成器。 - 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項17に記載のRF生成器。
- 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項17に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項14に記載のRF生成器。
- RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
同調可能な周波数範囲内での同調周波数においてRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、
前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の同調周波数に関連する対象周波数成分を有するセンサユニットと、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記対象周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
を具備するRF生成器。 - 前記アナログ信号はさらに基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを有すると規定され、前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、前記複数のスプリアス周波数成分を除去するように調整可能である請求項21に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記電力源の同調周波数に従って変化する請求項21に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットは、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
をさらに含む請求項21に記載のRF生成器。 - 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項24に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項25に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、
デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
をさらに具備し、前記各処理部は、
前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号を結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
を含む請求項24に記載のRF生成器。 - 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項27に記載のRF生成器。
- 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項27に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項25に記載のRF生成器。
- プラズマ室と、
前記プラズマ室へRF電力信号を送信するRF生成器と、
前記RF生成器と前記プラズマ室との間に介在し、前記RF生成器と前記プラズマ室との間でインピーダンスの整合をとる整合ネットワークと
を具備するRFプラズマシステムであって、前記RF生成器は、
同調可能周波数範囲内での同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な同調可能電力源と、
前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が基本周波数成分と複数の干渉周波数成分とを有するセンサユニットと、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
をさらに具備するRFプラズマシステム。 - RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
第1固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第1電力源と、
第2固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第2電力源と、
前記第1及び第2電力源の1つにより生成された前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の固定周波数に関連する対象周波数と複数の干渉周波数成分とを有するセンサユニットと、
デジタル領域において実行され、前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を、前記対象周波数を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限する所定帯域幅内に帯域制限する、センサ信号処理ユニットと
を具備するRF生成器。 - 前記アナログ信号は基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを含み、前記複数のスプリアス周波数成分の少なくともいくつかは、前記第1及び第2電力源からのRF電力信号の相互変調に起因する請求項32に記載のRF生成器。
- 前記センサ信号処理ユニットは、
前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
をさらに含む請求項32に記載のRF生成器。 - 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項34に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項35に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、
デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
をさらに具備し、前記各処理部は、
前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号とを受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号とを結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
を含む請求項34に記載のRF生成器。 - 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項37に記載のRF生成器。
- 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項37に記載のRF生成器。
- 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項34に記載のRF生成器。
- RF生成器により生成された無線周波数(RF)電力信号に従って変化するデジタル制御信号の生成方法であって、
前記RF生成器により生成されたRF電力信号を示すアナログ信号を生成する工程であって、前記アナログ信号が前記RF生成器の同調周波数に関連する対象周波数を有する工程と、
前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換する工程と、
周波数設定点と一致するデジタル混合信号を生成する工程と、
前記デジタル混合信号と前記デジタル電力信号とを結合してデジタル複素座標信号を形成する工程と、
前記デジタル複素座標信号に関連するデータレートを減少する工程と、
前記デジタル複素座標信号の周波数応答を形成することにより、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出する工程と
を含むデジタル制御信号の生成方法。 - 前記デジタル混合信号を生成する工程は、前記周波数設定点と前記RF生成器の同調周波数とが相関関係を有するようにする工程をさらに含む請求項41に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/192,196 US6707255B2 (en) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | Multirate processing for metrology of plasma RF source |
US10/192,196 | 2002-07-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004521427A Division JP2005532668A (ja) | 2002-07-10 | 2003-04-14 | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212252A JP2010212252A (ja) | 2010-09-24 |
JP2010212252A5 JP2010212252A5 (ja) | 2012-05-17 |
JP5631628B2 true JP5631628B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=30114293
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004521427A Pending JP2005532668A (ja) | 2002-07-10 | 2003-04-14 | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
JP2010111764A Expired - Lifetime JP5631628B2 (ja) | 2002-07-10 | 2010-05-14 | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004521427A Pending JP2005532668A (ja) | 2002-07-10 | 2003-04-14 | プラズマrf源測定用マルチレート処理 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6707255B2 (ja) |
EP (1) | EP1520288B1 (ja) |
JP (2) | JP2005532668A (ja) |
KR (1) | KR100738990B1 (ja) |
CN (1) | CN100339943C (ja) |
AU (1) | AU2003224937A1 (ja) |
WO (1) | WO2004008502A2 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060060139A1 (en) * | 2004-04-12 | 2006-03-23 | Mks Instruments, Inc. | Precursor gas delivery with carrier gas mixing |
CN100543481C (zh) * | 2005-01-11 | 2009-09-23 | 亿诺维新工程股份有限公司 | 检测传递到负载的rf功率以及该负载的复数阻抗的方法 |
US7602127B2 (en) * | 2005-04-18 | 2009-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source |
US8102954B2 (en) * | 2005-04-26 | 2012-01-24 | Mks Instruments, Inc. | Frequency interference detection and correction |
US7477711B2 (en) * | 2005-05-19 | 2009-01-13 | Mks Instruments, Inc. | Synchronous undersampling for high-frequency voltage and current measurements |
US7780814B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Wafer pre-clean reactor cable termination for selective suppression/reflection of source and bias frequency cross products |
US7196650B1 (en) | 2006-01-27 | 2007-03-27 | Analog Devices, Inc. | Signal converter systems and methods with enhanced signal-to-noise ratios |
US7788309B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-08-31 | Analog Devices, Inc. | Interleaved comb and integrator filter structures |
US7408495B2 (en) * | 2006-05-15 | 2008-08-05 | Guzik Technical Enterprises | Digital equalization of multiple interleaved analog-to-digital converters |
US8055203B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Multipoint voltage and current probe system |
DE102007056468A1 (de) * | 2007-11-22 | 2009-06-04 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Messsignalverarbeitungseinrichtung und Verfahren zur Verarbeitung von zumindest zwei Messsignalen |
US7822565B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring characteristics of RF power |
US7839223B2 (en) * | 2008-03-23 | 2010-11-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for advanced frequency tuning |
US8213885B2 (en) * | 2008-04-11 | 2012-07-03 | Nautel Limited | Impedance measurement in an active radio frequency transmitter |
US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
CN102469675A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 功率匹配装置和半导体设备 |
CN102981156A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | 中国科学院声学研究所 | 一种超声成像后处理方法及装置 |
JP5817906B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、および高周波発生器 |
CN104685365B (zh) * | 2012-07-25 | 2017-05-17 | 安平丹斯有限责任公司 | 分析来自等离子体系统的rf信号 |
EP2936541B1 (de) | 2012-12-18 | 2017-02-01 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur erzeugung einer hochfrequenzleistung und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler zur versorgung einer last mit leistung |
CN104871285B (zh) | 2012-12-18 | 2018-01-05 | 通快许廷格两合公司 | 灭弧方法和具有功率转换器的功率供送系统 |
US10821542B2 (en) * | 2013-03-15 | 2020-11-03 | Mks Instruments, Inc. | Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band |
CN103731148B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-04-26 | 上海英威腾工业技术有限公司 | 一种电流采样处理装置及电机驱动器 |
US9336997B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | RF multi-feed structure to improve plasma uniformity |
DE102015212242A1 (de) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zum Abtasten eines mit einem Plasmaprozess in Beziehung stehenden Signalgemischs |
US9947514B2 (en) * | 2015-09-01 | 2018-04-17 | Mks Instruments, Inc. | Plasma RF bias cancellation system |
US10044338B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Mutually induced filters |
WO2017105497A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Olympus Corporation | Method and apparatus for accurate and efficient spectrum estimation using improved sliding dft |
US9748076B1 (en) | 2016-04-20 | 2017-08-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus for frequency tuning in a RF generator |
KR101930440B1 (ko) * | 2017-01-04 | 2018-12-18 | 주식회사 메디플 | 플라즈마 생성을 위한 전력 공급 장치 |
US10546724B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-01-28 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed, bidirectional radio frequency source/load |
US11042140B2 (en) | 2018-06-26 | 2021-06-22 | Mks Instruments, Inc. | Adaptive control for a power generator |
JP7058748B2 (ja) | 2018-09-13 | 2022-04-22 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置 |
US10623013B1 (en) * | 2018-10-29 | 2020-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Systems with pairs of voltage level shifter switches to couple voltage level shifters to anti-aliasing filters |
US11158488B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-10-26 | Mks Instruments, Inc. | High speed synchronization of plasma source/bias power delivery |
US11776793B2 (en) | 2020-11-13 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with ceramic electrode plate |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104379B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 信号電力検出回路 |
JPH07100853B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び処理装置 |
US4951009A (en) * | 1989-08-11 | 1990-08-21 | Applied Materials, Inc. | Tuning method and control system for automatic matching network |
JP3068158B2 (ja) * | 1990-06-12 | 2000-07-24 | 日置電機株式会社 | 高調波電力計 |
US5175472A (en) | 1991-12-30 | 1992-12-29 | Comdel, Inc. | Power monitor of RF plasma |
US5523955A (en) * | 1992-03-19 | 1996-06-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for characterizing AC properties of a processing plasma |
DE4445762A1 (de) | 1994-12-21 | 1996-06-27 | Adolf Slaby Inst Forschungsges | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter |
US5688357A (en) * | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
US5565737A (en) | 1995-06-07 | 1996-10-15 | Eni - A Division Of Astec America, Inc. | Aliasing sampler for plasma probe detection |
US5654679A (en) * | 1996-06-13 | 1997-08-05 | Rf Power Products, Inc. | Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
JPH10241895A (ja) * | 1996-11-04 | 1998-09-11 | Applied Materials Inc | プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善 |
US5960044A (en) * | 1996-11-14 | 1999-09-28 | Scientific-Atlanta, Inc. | Apparatus and method for block phase estimation |
US6046594A (en) | 1997-02-11 | 2000-04-04 | Advanced Energy Voorhees, Inc. | Method and apparatus for monitoring parameters of an RF powered load in the presence of harmonics |
US5808415A (en) * | 1997-03-19 | 1998-09-15 | Scientific Systems Research Limited | Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops |
JPH1183907A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電流の測定方法 |
JP2929284B2 (ja) * | 1997-09-10 | 1999-08-03 | 株式会社アドテック | 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム |
US5971591A (en) * | 1997-10-20 | 1999-10-26 | Eni Technologies, Inc. | Process detection system for plasma process |
US6020794A (en) * | 1998-02-09 | 2000-02-01 | Eni Technologies, Inc. | Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator |
JP3544136B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2004-07-21 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US6509542B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-01-21 | Lam Research Corp. | Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor |
US6522121B2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-02-18 | Eni Technology, Inc. | Broadband design of a probe analysis system |
US6608446B1 (en) | 2002-02-25 | 2003-08-19 | Eni Technology, Inc. | Method and apparatus for radio frequency (RF) metrology |
-
2002
- 2002-07-10 US US10/192,196 patent/US6707255B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-14 WO PCT/US2003/011266 patent/WO2004008502A2/en active Application Filing
- 2003-04-14 JP JP2004521427A patent/JP2005532668A/ja active Pending
- 2003-04-14 CN CNB038080818A patent/CN100339943C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-14 KR KR1020047016541A patent/KR100738990B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-14 AU AU2003224937A patent/AU2003224937A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-14 EP EP03721634.8A patent/EP1520288B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-05-14 JP JP2010111764A patent/JP5631628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040007984A1 (en) | 2004-01-15 |
CN1647237A (zh) | 2005-07-27 |
JP2010212252A (ja) | 2010-09-24 |
EP1520288B1 (en) | 2018-10-17 |
JP2005532668A (ja) | 2005-10-27 |
KR20050039751A (ko) | 2005-04-29 |
EP1520288A2 (en) | 2005-04-06 |
WO2004008502A3 (en) | 2004-09-10 |
AU2003224937A1 (en) | 2004-02-02 |
CN100339943C (zh) | 2007-09-26 |
WO2004008502A2 (en) | 2004-01-22 |
KR100738990B1 (ko) | 2007-07-13 |
US6707255B2 (en) | 2004-03-16 |
AU2003224937A8 (en) | 2004-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5631628B2 (ja) | プラズマrf源測定用マルチレート処理 | |
US8395322B2 (en) | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source | |
JP4297645B2 (ja) | プローブ解析システムのブロードバンド設計 | |
KR102661141B1 (ko) | 대응하는 로크-인 (lock-in) 증폭기들을 갖는 RF 센서들을 포함하는, 기판 프로세싱 장치를 위한 RF 계측 시스템 | |
US7702702B2 (en) | Signal processing device for computing phase difference between alternating current signals | |
CN111788782B (zh) | 用于测量距无源互调源的距离的方法和设备 | |
US6700366B2 (en) | Very fast swept spectrum analyzer | |
JP6656825B2 (ja) | 試験測定装置及びノイズ低減方法 | |
JPH08194043A (ja) | 核磁気共鳴レシーバ装置及び方法 | |
US11705314B2 (en) | RF power generator with analogue and digital detectors | |
CN104122444A (zh) | 全数字中频频谱分析仪及频谱分析方法 | |
EP2877864B1 (en) | Analysing rf signals from a plasma system | |
KR20020077644A (ko) | 반사 계수 위상 검출기 | |
JPH10126217A (ja) | デシメーションフィルタ | |
CN109474288B (zh) | 基于反相抵消机制提高接收机动态范围的电路结构 | |
US20040189326A1 (en) | Vector-detecting apparatus and impedance measuring apparatus | |
KR101468079B1 (ko) | 사이클로트론 rf 제어장치 및 제어방법. | |
US6424277B1 (en) | AC calibration apparatus | |
CN118112451A (zh) | 一种射频电源的测量电路、射频电源和半导体工艺设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130308 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140507 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5631628 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |