JP5631628B2 - プラズマrf源測定用マルチレート処理 - Google Patents

プラズマrf源測定用マルチレート処理 Download PDF

Info

Publication number
JP5631628B2
JP5631628B2 JP2010111764A JP2010111764A JP5631628B2 JP 5631628 B2 JP5631628 B2 JP 5631628B2 JP 2010111764 A JP2010111764 A JP 2010111764A JP 2010111764 A JP2010111764 A JP 2010111764A JP 5631628 B2 JP5631628 B2 JP 5631628B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
digital
generator
analog
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2010111764A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010212252A5 (ja
JP2010212252A (ja
Inventor
コウモウ,デービッド,ジェー.
カーク,マイケル,エル.
Original Assignee
エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド
エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド, エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド filed Critical エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド
Publication of JP2010212252A publication Critical patent/JP2010212252A/ja
Publication of JP2010212252A5 publication Critical patent/JP2010212252A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5631628B2 publication Critical patent/JP5631628B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H17/00Networks using digital techniques
    • H03H17/02Frequency selective networks
    • H03H17/06Non-recursive filters
    • H03H17/0621Non-recursive filters with input-sampling frequency and output-delivery frequency which differ, e.g. extrapolation; Anti-aliasing
    • H03H17/0635Non-recursive filters with input-sampling frequency and output-delivery frequency which differ, e.g. extrapolation; Anti-aliasing characterized by the ratio between the input-sampling and output-delivery frequencies
    • H03H17/0671Cascaded integrator-comb [CIC] filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

発明の分野
本発明は一般に、周波数同調が可能なソースを採用したRFプラズマシステムに関し、特にRF生成器の同調周波数を追尾し、効率よく不要周波数成分を除去するマルチレート信号処理技術に関する。
発明の背景
半導体業界において、プラズマエッチングは半導体回路の製造には不可欠となっている。実際、エッチャーは、比較的直線に近い垂直エッジが必要な場合、半導体の処理において頻繁に使用される。例えば、MOSトランジスタのポリシリコンゲートのエッチングを行うときに、ポリシリコンのアンダーカッティングはトランジスタの動作に悪影響を及ぼし得る。アンダーカッティングは、液体エッチング法が使用される場合にしばしば直面する。その結果、プラズマエッチングのような他のエッチング技術が発展してきた。電界により加速されたイオンを使用するプラズマエッチングは、水平に露出された表面のみのエッチングを行う傾向があり、それゆえアンダーカッティングを回避できる。
プラズマエッチング処理(他のいかなるプラズマ処理と同様)を効率よく行うためには、プラズマ室へ供給される電力を正確に制御することが強く望まれる。電力を制御するための厳密な条件は、エッチング処理が複雑になるにつれて発展してきた。その結果、プラズマ室へ実際に供給されている電力を監視するための種々の制御技術が採用されている。
従来の制御方法はさまざまな理由で、プラズマ処理の増加しつつある厳密な許容誤差の条件を満たすことができなかった。特にその1つの理由は、プラズマ室へ供給されるRF電力が典型的に、複数の基本周波数を、その対応する高調波と共に含むということがある。例えば、プラズマ室へ印加される電圧は2MHzと27MHzの両方の基本周波数を有する可能性があるが、2MHzの信号は、4MHz、6MHz、8MHzなどの高調波を含む。さらに、27MHzの信号は、25MHz、23MHzなどの相互変調生成物を含む。これは、ソースにより供給されるエネルギー量に関する情報が、高調波や相互変調生成物により歪められる可能性があり、そのためにこれらの周波数を正確な測定のために制限、あるいは除去することが必要になるので、非常に重要である。マルチレート処理には、この不要な周波数成分を大幅に減少するという処理上の重要な有利さがある。処理上の有利さとは、帯域外のノイズの除去である。これは、対象周波数が入力信号よりも狭い帯域幅を占める場合に起こる。
本発明は、RF生成器の同調周波数を追尾し、それにより対象周波数から不要な周波数成分を効率よく除去するマルチレート信号処理技術を提供する。この方法は、センサと信号処理ユニットとの間のどんなフィルタ素子の設計仕様でも大幅に緩和する。この方法はまた、精度の向上と設置面積の縮小という直接のメリットももたらす。この方法は、種々のRFセンサに適用可能である。
本発明はまた、周波数同調可能なソースを採用するRFプラズマシステムに関しても重要な意味を有する。周波数同調可能なシステムにおけるRF生成器は、電力移送を最大にするためにそれ自体の周波数を調整する。周波数が調整されると、同調周波数が対象周波数を通過させ、他を除去するために、通過幅の測定領域もまたそれに伴いシフトする必要がある。本発明は、RF生成器の同調周波数をコヒーレントに追尾する。
本発明によるさらなる効果は、複数のRF周波数源を利用するプラズマシステムにおいて得られる。複数のRF周波数源の場合には、相互変調生成物が測定回路の周波数帯域に存在することがよくある。この結果は高周波数RF源の帯域幅の測定が、周波数源の相互変調生成物を超える場合にもたらされる。マルチレート処理法は、帯域外の信号を大幅に減衰させ、測定の精度に与えるこれらの相互変調生成物の効果を除去する。
発明の概要
本発明によれば、RF生成器はRFプラズマシステムにおける使用のために提供される。RF生成器は、同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、RF電力信号を検出するように適合され、RF電力信号を代表するアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、アナログ信号が対象周波数と複数の干渉周波数成分とを含むセンサユニットと、センサユニットからアナログ信号を受信し、アナログ信号を、対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限するように適合されたセンサ信号処理ユニットとを含む。センサ信号ユニットはデジタルドメインで実行されることが好ましい。
本発明、その目的及び利点のより完全な理解のために、下記の仕様と添付の図面を参照する。
単一電力源のRFプラズマシステムの一例を示す図である。 本発明のセンサ信号処理ユニットに対するハードウェアアーキテクチャの一例を示す図である。 本発明のセンサ信号処理ユニットに対する信号処理技術を例示する図である。 本発明のセンサ信号処理ユニットにおけるデシメーション処理を実行するために使用される従来のデシメータ構成のブロック図である。 本発明のセンサ信号処理ユニットにおけるデシメーション処理を実行するために使用されるカスケードインテグレータコームフィルタのブロック図である。 種々のデシメーションファクタに対するカスケードインテグレータコームフィルタの周波数応答を例示する図である。
好ましい実施形態の詳細な説明
一例としての単一源RFプラズマシステム10を図1に示す。RFプラズマシステム10はRF生成器12と、整合ネットワーク14と、当業界で周知のプラズマ室16とを具備する。下記の説明は、単一源システムを参照して行うが、本発明のより広い態様は、2つ以上のRF生成器を有するRFプラズマシステムへ適用可能であることは容易に理解される。
RF生成器12はさらに、RF電力源22と、RFセンサ24と、センサ信号処理ユニット26を含む。動作中、RF電力源22は、整合ネットワーク14を介してプラズマ室16への出力であるRF電力信号を生成するように動作可能である。ここで、生成器の主要構成要素のみが検討されるが、生成器の実行するには他の既知の構成要素が必要であることに留意されたい。
RFセンサ24はRF電力源22と整合ネットワークの間に介在され、RF電力源22により出力されたRF電力信号を検出する。RFセンサ24は一般に、RF電力信号を代表するアナログ信号を生成するように動作可能で、その信号は今度は、RF電力源22への制御信号として使用される。1つの実施例においては、RFセンサ24は、電圧プローブと電流プローブを具備し、センサ出力がRFライン電圧とRFライン電流をそれぞれ示す。別の実施例においては、RFセンサは、その出力が順方向電力と反射電力に対応する指向性センサとして規定される場合もある。いずれにせよ、RFセンサ24からの2つの出力信号は、好ましくは、センサ信号処理ユニット26への入力として機能する。センサ出力は50オームの送信ラインを介してセンサ信号処理ユニット26へ接続される。送信ラインの選択は、下記の原則に従っている限り任意である。つまり、良好な波形再現性が、ライン及び終端の注意深いインピーダンス整合により維持され、干渉信号の良好な減衰が、外部の電磁的干渉を拒絶する適切なシールド及び構造により維持される限り、送信ラインの選択は任意である。センサ信号処理は特別なセンサ構成に多少依存するが、本発明におけるセンサ信号処理方法のより広い態様は、異なるタイプのセンサ構成に適用可能であることは容易に理解される。
本発明によれば、センサ信号処理ユニット26は、RFセンサからのアナログ信号を受信し、RF電力源22により生成されたRF電力信号の同調周波数を追尾するデジタル制御信号を出力するように適合される。RFセンサから受信したアナログ信号は、対象周波数と複数の干渉周波数成分または他の不要なスプリアス周波数成分を含むであろうことは理解される。動作中、センサ信号処理ユニット26は、対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅にアナログ信号の帯域制限を行う。対象周波数は、電力の同調周波数における基本周波数成分であることが好ましいが、対象周波数もまた同調周波数に関連する他の周波数成分を含む可能性があることが想像される。同調可能なRF電力源の場合、所定帯域幅は、後述するように、対象周波数を通過させるように調整可能である。センサ信号処理ユニット26は局所的またはRFセンサ24から離れて位置する可能性があることも想像される。
図2を参照して、一例としてのセンサ処理ユニット26を実行するためのハードウェアアーキテクチャ30が例示される。各センサ出力は、初期においてアンチエイリアシングフィルタ32にかけられる。アンチエイリアシングフィルタの目的は、対象信号の周波数の帯域制限を行うことである。フィルタの最小帯域幅は、典型的にはRF電力源の動作周波数帯域と同等である。フィルタに先立つセンサ出力信号の減衰は、出力信号の振幅に依存して必要になる場合もある。そうでなければ、これらのアンチエイリアシングフィルタ32の設計仕様は、さらなる帯域制限がデシメーション処理中に達成されるので、重要でなくなってしまう。
各アンチエイリアシングフィルタ32は今度は、高速アナログツーデジタル(A/D)変換器対34に接続される。A/D変換器34は、各フィルタからの各信号出力を同時にサンプリングすることにより対として機能する。その後、A/D変換器対34はアナログ入力信号を対応するデジタル電力信号に変換する。入力信号のスペクトルには、ナイキスト範囲(サンプルレートの1/2)またはそれ以上の範囲にあるアンチエイリアシングフィルタの通過帯域における周波数が含まれる。これは、変換器の帯域幅がサンプルレートよりも大きいので達成可能である。
A/D変換器対34からの出力はその後、大規模集積回路(LSI)用のプログラマブルデバイスに接続される。1つの実施例においては、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)36はA/D変換器対34により出力されるデジタル信号を受信する。FPGA36の主な目的は、A/D変換器対34のサンプルレートを、デジタル信号プロセッサ38により管理可能なデータレートに減少することである。信号処理ユニットがプラズマRF生成器の制御ループ中に大きな群遅延をもたらさないということは重要なことである。従って、デシメーションファクタの基準は、制御ループに対する最適な群遅延とセンサの測定精度に対する十分な帯域制限を提供することにある。
実施形態において、センサ信号処理ユニット26は図3で示したように、マルチレート信号処理技術を採用して、対象周波数から不要な周波数成分を効率よく除去する。例えば、2つ以上の電力源を有するRF生成器の場合、センサ信号処理ユニット26の帯域幅は、2つの電力源のうちの1つに関連する対象周波数を通過させ、2つの電力源からの電力信号の相互変調によるスプリアス周波数成分を除去するように設計される。マルチレート信号処理は、好ましくは、デジタル周波数合成器42、一対のデジタル混合モジュール44、一対のデシメーションモジュール46、及び一対のローパスフィルタ48を使用して、デジタルドメインにおいて実行される。
A/D変換器対34から取得されたデジタル信号は、一対のデジタル混合モジュール44に印加される。各デジタル混合モジュール44はまたデジタル周波数合成器42から2つの入力を受信する。一般に、デジタル周波数合成器42はデジタル混合信号を生成する。特に、デジタル周波数合成器は、対象周波数と相関関係を有する周波数設定点を代表する正弦及び余弦波形を生成する。1つの実施例では、周波数設定点は、RF電力源を駆動する周波数源から受け取る周波数オフセットである。このように、周波数の追尾技術はコヒーレントである。種々の自律周波数追尾技術と同様に他のコヒーレントな周波数追尾技術も本発明の範囲となるのは容易に理解される。
各デジタル混合モジュール44は、デジタル周波数合成器42から受信したデジタル混合信号とA/D変換器対34から受信したデジタル電力信号とを結合するように動作可能である。そのために、各デジタル混合モジュールは2つのデジタルマルチプライヤを含む。さらに、デジタル混合モジュール44はA/D変換器対34と同じサンプルレートで動作する。各デジタル混合モジュール44からの結果は、サンプルされた入力信号及びデジタル周波数合成器により提供された信号に含まれる周波数の合計及び差により構成されるスペクトルである。
サンプルレートの、管理可能なデータレートへの変換はデシメーションモジュール46で行われる。デシメーションはよく知られた、信号のデータレートを減少する処理である。従来のデシメータの構成を図4に示す。これはデシメーションの認められる方法ではあるが、この構成は実行を困難にする種々の制限をもたらす。これらの制限には、高速倍率器の数がローパスフィルタの数と同じオーダーとなるということ、フィルタ係数に対する保管条件、及びローパスフィルタの実行に対して局所的なタイミングが重要ということが含まれる。
他のデシメーション構成を図5に示す。特に、デシメーションはカスケードインテグレータコーム(CIC)フィルタ40を介して達成される。CICフィルタ40の周波数応答は設計パラメータK、N、Rに依存する。Kはフィルタのステージ数を与える。フィルタは与えられたKに対して、K個のインテグレータステージとK個のコームフィルタステージが存在するように対照的であることが好ましい。Nはコームフィルタのフィードバックにおける遅延要素である。Rはデシメーションファクタである。与えられたRに対して、サンプルレートはデータレート(サンプルレート/R)に減少される。図解のため、遅延要素Nが1の場合の、第5段階のCICフィルタの種々のデシメーションファクタに対する周波数応答をプロットしたものを図6に示す。デシメーションファクタの増加に従って、データレートは比例して減少し、帯域制限は増加する。当業者であれば、他のデシメーション構成(例えば、多相分解(polyphase decomposition))もまた本発明の範囲に入ることは容易に認識されよう。
図3に戻り、一対のローパスフィルタ48はデシメーション処理の直後に続く。ローパスフィルタは、CICフィルタ40の出力であるスペクトルの形成機能を提供する。例えば、19タップ半値帯域フィルタがこの目的で使用されることもある。センサ信号処理ユニット26へ入力される各デジタル電力信号に対して、出力は同相(I)信号及び直角位相(Q)信号で示される。これらの出力信号はPR電力源22に対する制御フィードバック信号として機能する場合もあるということは、容易に理解される。さらに、他のタイプの制御フィードバック信号がこれらの出力信号から導出される可能性があり、制御フィードバック信号のタイプは、RF生成器12に採用されたセンサ24のタイプに依存する可能性があるということも容易に理解される。
自律周波数追尾の場合、周波数設定点は、いずれかのサンプルされた入力信号の時間に関する導関数を求めることにより導出される。この導関数の結果は、複素座標システムを介して、回転レート提供する。このレートは、サンプルされた入力信号に含まれる対象周波数とデジタル周波数合成器の間の差に対するデシメートされた周波数に直接比例する。この周波数がRF周波数同調システムにおいて変化すると、デジタル周波数合成器の設定点はCICフィルタ通過帯域に対象周波数を維持するように調整される。導出された周波数はまた、いずれかのサンプルされた入力信号の各出力の時間に関する導関数にフィルタをかけたバージョンでもあり得る。例えば、導関数は各出力信号に対して、時間に関して計算され、線形(平均)または非線形(中央値)フィルタにかけられる。
上記の信号処理方法は、プログラマブルデジタル信号プロセッサ、大規模集積回路用プログラマブルデバイス、またはその組合せにおいて実行され得る。LSIによる方法は平行処理により得られる速度に対しては好ましいが、DSPによる方法は、データの変換及び適切な較正ファクタの適用には好ましい。
総論として、本発明は、センサ信号の測定における歪みを削除するための効果的かつ効率的な狭通過帯域フィルタを提供する。RFプラズマシステムに関連する相互変調生成物及び環境ノイズは大幅に減衰される。提案された実行には、効率的にデジタル論理が使用され、それによって、より少ない設置面積が達成される。同様のアナログによる方法はしばしば、構成部品の調整及び/または異なる構成部品を要求する。提案されたデジタルによる実行は、最小の長期間ドリフトを有し、異なるアプリケーションにも容易に適合され得る。
本発明は、現在のところ好ましい実施形態において説明したが、本発明が添付の特許請求の範囲で記載された発明の精神を逸脱することなく変形が可能であることは理解されるであろう。

Claims (42)

  1. RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
    同調可能な周波数範囲内での同調周波数においてRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、
    前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の同調周波数に関連する対象周波数成分を有する、センサユニットと、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するよう適合されたセンサ信号処理ユニットであって、当該アナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記対象周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
    を具備するRF生成器。
  2. 前記アナログ信号はさらに基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを有すると規定され、前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、前記複数のスプリアス周波数成分を除去するように調整可能である請求項1に記載のRF生成器。
  3. 前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記電力源の同調周波数に従って変化する請求項1に記載のRF生成器。
  4. 前記センサ信号処理ユニットは、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
    前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
    をさらに含む請求項1に記載のRF生成器。
  5. 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項4に記載のRF生成器。
  6. 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項5に記載のRF生成器。
  7. 前記デジタル信号プロセッサは、
    デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
    第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
    第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
    をさらに具備し、前記各処理部は、
    前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号を結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
    前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
    前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
    を含む請求項4に記載のRF生成器。
  8. 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項7に記載のRF生成器。
  9. 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項7に記載のRF生成器。
  10. 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項5に記載のRF生成器。
  11. プラズマ室と、
    前記プラズマ室へRF電力信号を送信するRF生成器であって、
    同調可能周波数範囲内での同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な同調可能電力源と、
    前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が基本周波数成分と複数の干渉周波数成分とを有する、センサユニットと、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するよう適合されたセンサ信号処理ユニットであって、当該アナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し、当該所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
    を含む、RF生成器と、
    前記RF生成器と前記プラズマ室との間に介在し、前記RF生成器と前記プラズマ室との間でインピーダンスの整合をとる整合ネットワークと
    を具備するRFプラズマシステム。
  12. RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
    第1固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第1電力源と、
    第2固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第2電力源と、
    前記第1及び第2電力源の1つにより生成された前記RF電力信号を検出するように適合され、対応する前記RF電力信号を示す第1及び第2のアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記第1及び第2のアナログ信号が前記電力源の固定周波数に関連する対象周波数と複数の干渉周波数成分とを有する、センサユニットと、
    デジタル領域において実行されるセンサ信号処理ユニットであって、前記センサユニットから前記第1及び第2のアナログ信号を受信し、前記第1及び第2のアナログ信号のデジタル化版に相当するデジタル信号を、前記対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限するように適合された、センサ信号処理ユニットと
    を具備するRF生成器。
  13. 前記アナログ信号は基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを含み、前記複数のスプリアス周波数成分の少なくともいくつかは、前記第1及び第2電力源からのRF電力信号の相互変調に起因する請求項12に記載のRF生成器。
  14. 前記センサ信号処理ユニットは、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
    前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
    をさらに含む請求項12に記載のRF生成器。
  15. 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項14に記載のRF生成器。
  16. 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項15に記載のRF生成器。
  17. 前記デジタル信号プロセッサは、
    デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
    第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
    第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
    をさらに具備し、前記各処理部は、
    前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号とを受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号とを結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
    前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
    前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
    を含む請求項14に記載のRF生成器。
  18. 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項17に記載のRF生成器。
  19. 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項17に記載のRF生成器。
  20. 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項14に記載のRF生成器。
  21. RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
    同調可能な周波数範囲内での同調周波数においてRF電力信号を生成するように動作可能な電力源と、
    前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の同調周波数に関連する対象周波数成分を有するセンサユニットと、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し当該所定帯域幅は、前記対象周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
    を具備するRF生成器。
  22. 前記アナログ信号はさらに基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを有すると規定され、前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、前記複数のスプリアス周波数成分を除去するように調整可能である請求項21に記載のRF生成器。
  23. 前記センサ信号処理ユニットの所定帯域幅は、前記電力源の同調周波数に従って変化する請求項21に記載のRF生成器。
  24. 前記センサ信号処理ユニットは、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
    前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
    をさらに含む請求項21に記載のRF生成器。
  25. 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項24に記載のRF生成器。
  26. 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項25に記載のRF生成器。
  27. 前記デジタル信号プロセッサは、
    デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
    第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
    第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
    をさらに具備し、前記各処理部は、
    前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号を結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
    前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
    前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
    を含む請求項24に記載のRF生成器。
  28. 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項27に記載のRF生成器。
  29. 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項27に記載のRF生成器。
  30. 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項25に記載のRF生成器。
  31. プラズマ室と、
    前記プラズマ室へRF電力信号を送信するRF生成器と、
    前記RF生成器と前記プラズマ室との間に介在し、前記RF生成器と前記プラズマ室との間でインピーダンスの整合をとる整合ネットワークと
    を具備するRFプラズマシステムであって、前記RF生成器は、
    同調可能周波数範囲内での同調周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な同調可能電力源と、
    前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が基本周波数成分と複数の干渉周波数成分とを有するセンサユニットと、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を所定帯域幅内に帯域制限し当該所定帯域幅は、前記基本周波数成分を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶するように調整可能である、センサ信号処理ユニットと
    をさらに具備するRFプラズマシステム。
  32. RFプラズマシステムにおけるRF生成器であって、
    第1固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第1電力源と、
    第2固定周波数におけるRF電力信号を生成するように動作可能な第2電力源と、
    前記第1及び第2電力源の1つにより生成された前記RF電力信号を検出するように適合され、前記RF電力信号を示すアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、前記アナログ信号が前記電力源の固定周波数に関連する対象周波数と複数の干渉周波数成分とを有するセンサユニットと、
    デジタル領域において実行され、前記センサユニットから前記アナログ信号を受信し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換し、前記デジタル信号を、前記対象周波数を通過させ、かつ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内に帯域制限する所定帯域幅内に帯域制限する、センサ信号処理ユニットと
    を具備するRF生成器。
  33. 前記アナログ信号は基本周波数成分と複数のスプリアス周波数成分とを含み、前記複数のスプリアス周波数成分の少なくともいくつかは、前記第1及び第2電力源からのRF電力信号の相互変調に起因する請求項32に記載のRF生成器。
  34. 前記センサ信号処理ユニットは、
    前記センサユニットから前記アナログ信号を受信するように適合され、前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換するように動作可能なA/D変換器対と、
    前記A/D変換器対から前記デジタル電力信号を受信するように適合され、前記デジタル電力信号から、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出するように動作可能なデジタル信号プロセッサと
    をさらに含む請求項32に記載のRF生成器。
  35. 前記センサユニットは、RFライン電圧を示すアナログ電圧信号とRFライン電流を示すアナログ電流信号とを生成し、前記A/D変換器対は前記アナログ電圧信号をデジタル電圧信号に、前記アナログ電流信号をデジタル電流信号に変換する請求項34に記載のRF生成器。
  36. 前記デジタル信号プロセッサは、前記デジタル電圧信号及びデジタル電流信号の各々に対して、同相信号と直角位相信号とを生成する請求項35に記載のRF生成器。
  37. 前記デジタル信号プロセッサは、
    デジタル混合信号を生成するように動作可能なデジタル周波数合成器と、
    第1デジタル電力信号を処理する第1処理部と、
    第2デジタル電力信号を処理する第2処理部と
    をさらに具備し、前記各処理部は、
    前記デジタル混合信号と1つの前記デジタル電力信号とを受信するように適合され、前記デジタル混合信号と前記1つのデジタル電力信号とを結合して複素座標信号を形成するように動作可能なデジタル複素混合器と、
    前記複素座標信号を受信するように適合され、前記複素座標信号のデータレートを減少するように動作可能なデシメーションモジュールと、
    前記デシメーションモジュールから下方変換された複素座標信号を受信し、前記下方変換された複素座標信号の周波数応答を形成するように適合されたローパスフィルタと
    を含む請求項34に記載のRF生成器。
  38. 前記デシメーションモジュールはさらに、カスケードインテグレータコームフィルタとして規定される請求項37に記載のRF生成器。
  39. 前記デジタル周波数合成器のデジタル混合信号は、前記電力源の同調周波数と相関関係を有する請求項37に記載のRF生成器。
  40. 前記デジタル信号プロセッサは、フィールドプログラマブルゲートアレイにおいて少なくとも部分的には実行される請求項34に記載のRF生成器。
  41. RF生成器により生成された無線周波数(RF)電力信号に従って変化するデジタル制御信号の生成方法であって、
    前記RF生成器により生成されたRF電力信号を示すアナログ信号を生成する工程であって、前記アナログ信号が前記RF生成器の同調周波数に関連する対象周波数を有する工程と、
    前記アナログ信号をデジタル電力信号に変換する工程と、
    周波数設定点と一致するデジタル混合信号を生成する工程と、
    前記デジタル混合信号と前記デジタル電力信号とを結合してデジタル複素座標信号を形成する工程と、
    前記デジタル複素座標信号に関連するデータレートを減少する工程と、
    前記デジタル複素座標信号の周波数応答を形成することにより、RF生成器により生成されたRF電力信号に従って変化するデジタル制御信号を導出する工程と
    を含むデジタル制御信号の生成方法。
  42. 前記デジタル混合信号を生成する工程は、前記周波数設定点と前記RF生成器の同調周波数とが相関関係を有するようにする工程をさらに含む請求項41に記載の方法。
JP2010111764A 2002-07-10 2010-05-14 プラズマrf源測定用マルチレート処理 Expired - Lifetime JP5631628B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/192,196 US6707255B2 (en) 2002-07-10 2002-07-10 Multirate processing for metrology of plasma RF source
US10/192,196 2002-07-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004521427A Division JP2005532668A (ja) 2002-07-10 2003-04-14 プラズマrf源測定用マルチレート処理

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010212252A JP2010212252A (ja) 2010-09-24
JP2010212252A5 JP2010212252A5 (ja) 2012-05-17
JP5631628B2 true JP5631628B2 (ja) 2014-11-26

Family

ID=30114293

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004521427A Pending JP2005532668A (ja) 2002-07-10 2003-04-14 プラズマrf源測定用マルチレート処理
JP2010111764A Expired - Lifetime JP5631628B2 (ja) 2002-07-10 2010-05-14 プラズマrf源測定用マルチレート処理

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004521427A Pending JP2005532668A (ja) 2002-07-10 2003-04-14 プラズマrf源測定用マルチレート処理

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6707255B2 (ja)
EP (1) EP1520288B1 (ja)
JP (2) JP2005532668A (ja)
KR (1) KR100738990B1 (ja)
CN (1) CN100339943C (ja)
AU (1) AU2003224937A1 (ja)
WO (1) WO2004008502A2 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060139A1 (en) * 2004-04-12 2006-03-23 Mks Instruments, Inc. Precursor gas delivery with carrier gas mixing
CN100543481C (zh) * 2005-01-11 2009-09-23 亿诺维新工程股份有限公司 检测传递到负载的rf功率以及该负载的复数阻抗的方法
US7602127B2 (en) * 2005-04-18 2009-10-13 Mks Instruments, Inc. Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source
US8102954B2 (en) * 2005-04-26 2012-01-24 Mks Instruments, Inc. Frequency interference detection and correction
US7477711B2 (en) * 2005-05-19 2009-01-13 Mks Instruments, Inc. Synchronous undersampling for high-frequency voltage and current measurements
US7780814B2 (en) * 2005-07-08 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Wafer pre-clean reactor cable termination for selective suppression/reflection of source and bias frequency cross products
US7196650B1 (en) 2006-01-27 2007-03-27 Analog Devices, Inc. Signal converter systems and methods with enhanced signal-to-noise ratios
US7788309B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-31 Analog Devices, Inc. Interleaved comb and integrator filter structures
US7408495B2 (en) * 2006-05-15 2008-08-05 Guzik Technical Enterprises Digital equalization of multiple interleaved analog-to-digital converters
US8055203B2 (en) * 2007-03-14 2011-11-08 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
DE102007056468A1 (de) * 2007-11-22 2009-06-04 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Messsignalverarbeitungseinrichtung und Verfahren zur Verarbeitung von zumindest zwei Messsignalen
US7822565B2 (en) * 2007-12-31 2010-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring characteristics of RF power
US7839223B2 (en) * 2008-03-23 2010-11-23 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for advanced frequency tuning
US8213885B2 (en) * 2008-04-11 2012-07-03 Nautel Limited Impedance measurement in an active radio frequency transmitter
US7970562B2 (en) * 2008-05-07 2011-06-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring power
US8040068B2 (en) * 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
CN102469675A (zh) * 2010-11-05 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 功率匹配装置和半导体设备
CN102981156A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 中国科学院声学研究所 一种超声成像后处理方法及装置
JP5817906B2 (ja) * 2012-02-23 2015-11-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、および高周波発生器
CN104685365B (zh) * 2012-07-25 2017-05-17 安平丹斯有限责任公司 分析来自等离子体系统的rf信号
EP2936541B1 (de) 2012-12-18 2017-02-01 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur erzeugung einer hochfrequenzleistung und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler zur versorgung einer last mit leistung
CN104871285B (zh) 2012-12-18 2018-01-05 通快许廷格两合公司 灭弧方法和具有功率转换器的功率供送系统
US10821542B2 (en) * 2013-03-15 2020-11-03 Mks Instruments, Inc. Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band
CN103731148B (zh) * 2013-12-31 2017-04-26 上海英威腾工业技术有限公司 一种电流采样处理装置及电机驱动器
US9336997B2 (en) * 2014-03-17 2016-05-10 Applied Materials, Inc. RF multi-feed structure to improve plasma uniformity
DE102015212242A1 (de) * 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Abtasten eines mit einem Plasmaprozess in Beziehung stehenden Signalgemischs
US9947514B2 (en) * 2015-09-01 2018-04-17 Mks Instruments, Inc. Plasma RF bias cancellation system
US10044338B2 (en) * 2015-10-15 2018-08-07 Lam Research Corporation Mutually induced filters
WO2017105497A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Olympus Corporation Method and apparatus for accurate and efficient spectrum estimation using improved sliding dft
US9748076B1 (en) 2016-04-20 2017-08-29 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for frequency tuning in a RF generator
KR101930440B1 (ko) * 2017-01-04 2018-12-18 주식회사 메디플 플라즈마 생성을 위한 전력 공급 장치
US10546724B2 (en) 2017-05-10 2020-01-28 Mks Instruments, Inc. Pulsed, bidirectional radio frequency source/load
US11042140B2 (en) 2018-06-26 2021-06-22 Mks Instruments, Inc. Adaptive control for a power generator
JP7058748B2 (ja) 2018-09-13 2022-04-22 株式会社日立国際電気 高周波電源装置
US10623013B1 (en) * 2018-10-29 2020-04-14 Texas Instruments Incorporated Systems with pairs of voltage level shifter switches to couple voltage level shifters to anti-aliasing filters
US11158488B2 (en) 2019-06-26 2021-10-26 Mks Instruments, Inc. High speed synchronization of plasma source/bias power delivery
US11776793B2 (en) 2020-11-13 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Plasma source with ceramic electrode plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07104379B2 (ja) * 1986-12-19 1995-11-13 日本電気株式会社 信号電力検出回路
JPH07100853B2 (ja) * 1988-09-14 1995-11-01 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及び処理装置
US4951009A (en) * 1989-08-11 1990-08-21 Applied Materials, Inc. Tuning method and control system for automatic matching network
JP3068158B2 (ja) * 1990-06-12 2000-07-24 日置電機株式会社 高調波電力計
US5175472A (en) 1991-12-30 1992-12-29 Comdel, Inc. Power monitor of RF plasma
US5523955A (en) * 1992-03-19 1996-06-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for characterizing AC properties of a processing plasma
DE4445762A1 (de) 1994-12-21 1996-06-27 Adolf Slaby Inst Forschungsges Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter
US5688357A (en) * 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US5565737A (en) 1995-06-07 1996-10-15 Eni - A Division Of Astec America, Inc. Aliasing sampler for plasma probe detection
US5654679A (en) * 1996-06-13 1997-08-05 Rf Power Products, Inc. Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance
JPH10241895A (ja) * 1996-11-04 1998-09-11 Applied Materials Inc プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善
US5960044A (en) * 1996-11-14 1999-09-28 Scientific-Atlanta, Inc. Apparatus and method for block phase estimation
US6046594A (en) 1997-02-11 2000-04-04 Advanced Energy Voorhees, Inc. Method and apparatus for monitoring parameters of an RF powered load in the presence of harmonics
US5808415A (en) * 1997-03-19 1998-09-15 Scientific Systems Research Limited Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops
JPH1183907A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Mitsubishi Electric Corp 高周波電流の測定方法
JP2929284B2 (ja) * 1997-09-10 1999-08-03 株式会社アドテック 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム
US5971591A (en) * 1997-10-20 1999-10-26 Eni Technologies, Inc. Process detection system for plasma process
US6020794A (en) * 1998-02-09 2000-02-01 Eni Technologies, Inc. Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
JP3544136B2 (ja) * 1998-02-26 2004-07-21 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6509542B1 (en) * 1999-09-30 2003-01-21 Lam Research Corp. Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor
US6522121B2 (en) * 2001-03-20 2003-02-18 Eni Technology, Inc. Broadband design of a probe analysis system
US6608446B1 (en) 2002-02-25 2003-08-19 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for radio frequency (RF) metrology

Also Published As

Publication number Publication date
US20040007984A1 (en) 2004-01-15
CN1647237A (zh) 2005-07-27
JP2010212252A (ja) 2010-09-24
EP1520288B1 (en) 2018-10-17
JP2005532668A (ja) 2005-10-27
KR20050039751A (ko) 2005-04-29
EP1520288A2 (en) 2005-04-06
WO2004008502A3 (en) 2004-09-10
AU2003224937A1 (en) 2004-02-02
CN100339943C (zh) 2007-09-26
WO2004008502A2 (en) 2004-01-22
KR100738990B1 (ko) 2007-07-13
US6707255B2 (en) 2004-03-16
AU2003224937A8 (en) 2004-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5631628B2 (ja) プラズマrf源測定用マルチレート処理
US8395322B2 (en) Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source
JP4297645B2 (ja) プローブ解析システムのブロードバンド設計
KR102661141B1 (ko) 대응하는 로크-인 (lock-in) 증폭기들을 갖는 RF 센서들을 포함하는, 기판 프로세싱 장치를 위한 RF 계측 시스템
US7702702B2 (en) Signal processing device for computing phase difference between alternating current signals
CN111788782B (zh) 用于测量距无源互调源的距离的方法和设备
US6700366B2 (en) Very fast swept spectrum analyzer
JP6656825B2 (ja) 試験測定装置及びノイズ低減方法
JPH08194043A (ja) 核磁気共鳴レシーバ装置及び方法
US11705314B2 (en) RF power generator with analogue and digital detectors
CN104122444A (zh) 全数字中频频谱分析仪及频谱分析方法
EP2877864B1 (en) Analysing rf signals from a plasma system
KR20020077644A (ko) 반사 계수 위상 검출기
JPH10126217A (ja) デシメーションフィルタ
CN109474288B (zh) 基于反相抵消机制提高接收机动态范围的电路结构
US20040189326A1 (en) Vector-detecting apparatus and impedance measuring apparatus
KR101468079B1 (ko) 사이클로트론 rf 제어장치 및 제어방법.
US6424277B1 (en) AC calibration apparatus
CN118112451A (zh) 一种射频电源的测量电路、射频电源和半导体工艺设备

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121211

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130308

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130411

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140507

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140911

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141008

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5631628

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term