JP5624492B2 - シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 - Google Patents
シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5624492B2 JP5624492B2 JP2011027609A JP2011027609A JP5624492B2 JP 5624492 B2 JP5624492 B2 JP 5624492B2 JP 2011027609 A JP2011027609 A JP 2011027609A JP 2011027609 A JP2011027609 A JP 2011027609A JP 5624492 B2 JP5624492 B2 JP 5624492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- activation energy
- containing precursor
- nitride film
- calc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 120
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 120
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 120
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 109
- 230000004913 activation Effects 0.000 title claims description 106
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title description 3
- 238000010187 selection method Methods 0.000 title 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 71
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 38
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- CLQPEJKJHMMRRW-UHFFFAOYSA-N N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N[SiH3] CLQPEJKJHMMRRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHCFPFCOZGFTBO-UHFFFAOYSA-N CCN[Si] Chemical compound CCN[Si] RHCFPFCOZGFTBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N[SiH3] DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZUCGJVWOLJJAN-UHFFFAOYSA-N diethylaminosilicon Chemical compound CCN([Si])CC WZUCGJVWOLJJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- -1 isopropylethylamine aminosilane Chemical compound 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
3SiH2[NHC(CH3)3]2+4NH3→Si3N4+6NH2C(CH3)3+6H2
請求項1にかかる発明は、 真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する際に用いられるシリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出する方法において、前記シリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)と、の相関係数を求めて相関性を検証する段階Aと、所定温度における前記成膜速度の対数値(Ln(成膜速度(固定温度)))と前記活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出する段階Bと、を備えることを特徴とするシリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法である。
本発明を適用した第1実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスとしてシリコン含有前駆体を、窒素含有ガスとしてアンモニア(NH3)を供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法(熱CVD法)である。この熱CVD法を用いて、シリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物の所定温度における成膜速度の情報を得る方法である。ここで、図1は、シリコン含有前駆体のシリコン窒化膜形に必要な活性化エネルギーを算出するためのフロー図を示している。
先ず、図1中のS1に示すステップ1では、従来からシリコン含有前駆体として公知である3種類以上の化合物を選択する。これらのシリコン含有前駆体に対して、成膜温度TAからTBの範囲における成膜速度の情報をそれぞれ求める。ここで、上記成膜速度の情報は、文献等に記載された公知の情報であってもよいし、実際に成膜を行って実験データから求めてもよい。
具体的には、成膜温度TAとしては、800℃以下であることが好ましく、700℃以下であることがより好ましく、600℃以下であることがさらに好ましい。これに対して、成膜温度Tbとしては、650℃以上であることが好ましい。
次に、図1中のS2に示すステップ2では、上記ステップ1で得られた結果から、3種類のシリコン含有前駆体ごとにそれぞれ、成膜速度を気体定数で割った値の対数値であるLn(成膜速度)をY軸、1/T(K)をX軸としてプロットする。次に、Ln(成膜速度)と1/Tとの相関性を最小二乗法で求める。ここで、相関係数が0.98以上である場合には、図1中のS3に示すステップ3を実施する。
次に、図1中のS3に示すステップ3では、上記ステップ2で得られた最小二乗法により得られた相関式の傾きより、3種類のシリコン含有前駆体ごとに、それぞれ活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)を得る。
次に、図1中のS4に示すステップ4では、上記ステップ1において選定したシリコン含有前駆体について、第一原理計算によって活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)をそれぞれ求める。
次に、図1中のS5に示すステップ5では、活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)と活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との関係を最小二乗法によって求め、相関性を検証する。
図1中のS6に示すステップ6では、所定温度における成膜速度の対数値(Ln(成膜速度(固定温度)))と活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との関係を最小二乗法によって求め、相関性を示す一次関数を得る。
本発明を適用した第2実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、熱CVD法を用いてシリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物の安定性の評価方法する方法である。
本発明を適用した第3実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、熱CVD法を用いてシリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物を探索する方法である。
<実施例1>
先ず、シリコン−窒素結合含有前駆体として、ヘキサメチルジシラザン[(Me)3Si−NH−Si(Me)3]、トリスジメチルアミノシラン[SiH(NMe2)3]、ビスターシャリブチルアミノシラン[SiH2(NHtBu)2]の3種類を選択した。次に、上記前駆体のそれぞれと、アンモニアとの混合ガスを575℃に加熱された口径8インチのシリコン基板に供給し、熱CVDによりシリコン窒化膜を形成した。ここで、各前駆体は1sccm、アンモニアは100sccmの流量で供給し、成膜時の圧力は0.2Torrとした。各前駆体について、このような成膜処理により得られた屈折率と成膜速度とを表1に示す。
Ln(相対成膜速度)=−6.5081x+2.4551 ・・・式(1)
ここで、式(1)における「x」は、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの相対値である。
Claims (6)
- 真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する際に用いられるシリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出する方法において、
前記シリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)と、の相関係数を求めて相関性を検証する段階Aと、
所定温度における前記成膜速度の対数値(Ln(成膜速度(固定温度)))と前記活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出する段階Bと、を備えることを特徴とするシリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法。 - 前記段階Aは、
前記シリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係からシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)を求めるステップと、
前記シリコン含有前駆体について、第一原理計算によって活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)を求めるステップと、
前記活性化エネルギーの実験値(Ea(Si−N)exp)と前記活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との関係を最小二乗法によって求め、相関性を検証するステップと、を備え、
前記段階Bは、
所定温度における前記成膜速度の対数値(Ln(成膜速度(固定温度)))と前記活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)との関係を最小二乗法によって求め、相関性を示す一次関数を得るステップを備えることを特徴とする請求項1に記載のシリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法。 - 前記段階Aにおいて、シリコン窒化膜形成反応の進行に必要な活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)を第一原理計算する際に、
シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を(≡Si−NH−Si≡)とし、前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法。 - 前記シリコン含有前駆体として、少なくとも3種類以上のシリコン含有前駆体化合物を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法。
- 真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する際に用いられるシリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出して、前記シリコン含有前駆体の安定性を評価する方法において、
前記シリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出するステップと、
算出された全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーのうち、活性化エネルギーが最も低い計算値(Ea(poly)calc)を抽出するステップと、を備え、
前記計算値(Ea(poly)calc)を用いてシリコン含有前駆体の安定性を評価することを特徴とするシリコン含有前駆体の安定性評価方法。 - 真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する際に用いられるシリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出して、所望のシリコン含有前駆体を選定する方法において、
前記シリコン含有前駆体について、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を(≡Si−NH−Si≡)として前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定し、第一原理計算によってシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値(Ea(Si−N)calc)を求めるステップと、
前記シリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出し、活性化エネルギーが最も低い計算値(Ea(poly)calc)を抽出するステップと、を備え、
シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの前記計算値(Ea(Si−N)calc)と、2分子重合反応の活性化エネルギーの前記計算値(Ea(poly)calc)と、の関係から、所望するシリコン含有前駆体を選定することを特徴とするシリコン含有前駆体の選定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011027609A JP5624492B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011027609A JP5624492B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169362A JP2012169362A (ja) | 2012-09-06 |
JP5624492B2 true JP5624492B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=46973267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011027609A Active JP5624492B2 (ja) | 2011-02-10 | 2011-02-10 | シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5624492B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170019668A (ko) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | (주)디엔에프 | 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10267872A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 昇温脱離スペクトル法に基づく物質特性評価方法およびそれを用いた半導体絶縁膜成膜法 |
US8129555B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-03-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same |
JP2009071331A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011027609A patent/JP5624492B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012169362A (ja) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102478568B1 (ko) | 질화규소 막을 증착시키는 방법 | |
CN104576329B (zh) | 半导体装置的制备方法及衬底处理装置 | |
Ovanesyan et al. | Atomic layer deposition of silicon-based dielectrics for semiconductor manufacturing: Current status and future outlook | |
CN103325676B (zh) | 半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 | |
JP6276360B2 (ja) | 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積 | |
KR101497231B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
KR102380197B1 (ko) | SiCON의 저온 분자층 증착 | |
KR101670182B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
CN102827198B (zh) | 有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 | |
JP6155063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
KR20130107232A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
CN108026637A (zh) | 用于沉积保形的金属或准金属氮化硅膜的方法和所得的膜 | |
JP2007051363A (ja) | Cvd炭窒化ケイ素膜用前駆体 | |
KR20140106397A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
JP6112928B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
KR20090016403A (ko) | 실리콘 산화막 증착 방법 | |
KR101549777B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
JP2013524522A (ja) | アミノ金属前駆体とハロゲン化金属前駆体との化合を使用する金属窒化物含有膜堆積 | |
KR20160088933A (ko) | 할로겐화된 규소 전구체들을 사용한 규소, 탄소 및 질소를 포함하는 필름들의 원자층 증착 | |
EP1713953A2 (en) | Method for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition | |
KR101549778B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
CN108474114A (zh) | 用于沉积保形的金属或准金属氮化硅膜的方法 | |
CN104752165A (zh) | 用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件 | |
JPWO2008020592A1 (ja) | 膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法 | |
JP5624492B2 (ja) | シリコン含有前駆体の活性化エネルギーの算出方法、安定性評価方法、及び選定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5624492 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |