JP5620966B2 - マルチギャップ誘導鉄心、マルチギャップインダクタ、変圧器、及び、マルチギャップ誘導鉄心の製造方法 - Google Patents

Description

本願発明は、特に高周波用途のマルチギャップ誘導鉄心、マルチギャップインダクタ、変圧器、及び、その製造方法に関する。

請求項１の前文（プリアンブル）におけるマルチギャップ誘導鉄心は、ＧＢ２０３７０８９Ａ、ＵＳ５，６７６，７６８Ａ、ＥＰ２２０９１２８Ａ１、ＵＳ２００９／０２０６９７１Ａ１、ＵＳ２００２／０１３２１３６Ａ１のいずれの文献からも知られている。

ＧＢ１５６２２７６では、空隙を含む磁気回路を作成することを開示しており、ここでは、接着剤に埋設される球状のガラス粒子が空隙幅を決めている。

ＤＥ１００４０４１５Ｃ１では、３つの直線状導体領域を有するフラットバンド巻線を開示しており、ここでは、第一導体領域と第二導体領域とは、第三導体領域で直角に接続されており、逆平行（アンチパラレル）に配置されている。

ＷＯ２００７／１３６２８８Ａ１では、絶縁されたフラットバンドの層によって形成されるフラットバンド巻線を開示している。

ＵＳ７，５７３，３６２Ｂ２では、高電流、複数の空隙、冷却伝導、積層インダクタを開示している。特に、既知のインダクタの磁心断面は、積み重ねられて配置され、実質的に長方形状をなす磁気積層を含む。

一般的に、電子機器の寸法を抑制するために、コンバータは、１０Ｖ以下の小電力コンバータの使用動作周波数がＭＨｚ帯域に及ぶように設計される。２００Ｖ以下の中電力コンバータ及び５００Ｖ以下の高電力コンバータの研究では、１ＭＨｚ以下で３００ｋＨｚの範囲の周波数に達するように模索されている。

そのようなコンバータでは、インダクタは、損失と寸法に関して重要な役割を有する。とりわけ、インダクタの寸法は最小にされ、可能なら、インダクタの形状は、四角形であり、インダクタは、好ましい動作周波数で、可能な限りの最小のＡＣ／ＤＣ抵抗率を有する。高周波数領域で用いられる従来のインダクタでは、表皮効果、近接効果、フリンジング効果は、比較的高い損失の原因であり、それに対応して、大きな寸法が必要とされる。

低いＤＣ抵抗を有する可能な限りの最小のインダクタを得るために、これまでのほとんどのスイッチングコンバータのインダクタは、一又は二の空隙を有する異なる形状のフェライト磁心を、円状又は四角形状のワイヤにより巻いてなる。低い透磁率によって空隙を置換する粉末材料を含む巻線を有するインダクタによって、より好ましい結果が得られる。

相対的に、図１４に示される従来のインダクタにより最良の結果が得られる。ここで、ＴＣは、空隙ＡＧを有するドーナツ形のフェライト磁心を示し、磁心ＴＣの周囲に巻かれる撚り線ＳＷを有している。図１４に示される従来のインダクタは、好ましいＡＣ／ＤＣの電流抵抗率を示し、一方、その照射範囲は広く、その寸法は大きく、またその形状は、回路基板に固定するには不利である。

円形又は四角形状のフリーワイヤの高周波電流は、表皮効果と呼ばれるワイヤ表面領域でのみ流される。それは、非常に低い抵抗と高い誘導性を有するワイヤで巻かれる従来のインダクタが、周波数を非常に大きく増加することによりその抵抗を変化させることをもたらす。従って、高周波損失は、低周波交流でのみ、従来のインダクタを有効にする。また、空隙は、高周波損失を増加するように寄与する。磁束は、空隙の領域で磁心から出て、巻線に加熱を生じさせて巻線に入る。一つの空隙を複数の空隙によって置換しても、高周波数では、この加熱現象の効果をあまり抑制しない。効果は、磁心材として合成フェライト材を用いることで、完全に除去できるが、対応するインダクタの透磁率は、磁気密度によるところが大きい。更に、合成フェライト材は、焼結されたフェライト材よりも非常に低い飽和水準を有する。それは、合成フェライト材のインダクタの誘導性が電流変化で大幅に変化することをもたらす。

本願発明では、独立請求項１に記載のマルチギャップ誘導鉄心を提供し、独立請求項５に記載のマルチギャップインダクタを提供し、独立請求項１０に記載の対応する製造方法を提供する。

好ましい実施形態は、各従属請求項に記載される。

本発明の一態様では、マルチギャップ磁心は、磁束が隙間外に散ることを防止する。積層は、硬化した各固定層に互いに連結されてなる。スペーサ手段は、固定層に組み込まれ、各隙間を調整する。間隔ボールとして球状粒子が混在した高い粘着性の接着剤は、固定層として用いられる。

球状粒子は、その直径分布が例えば２０μｍ±２μｍなどの狭い範囲であれば、隣接する積層間の隙間の厚さを非常に精密に確定できる。そのような直径分布は、例えば、フィルタ処理した炭素粒子によって得ることができる。更に、球状の間隔ボールは、均質のスペーサ手段として単分子層を提供するために良く適している。本発明の他の態様では、予めパターン化されたバンプが均質のスペーサ手段として用いられる。

本発明の他の態様では、磁気積層シートは、０．１ｍｍと１ｍｍの間の厚さを有し、及び／又は、隙間の所定の厚さは、１０μｍと１００μｍとの間である。

本発明は、高周波数において、高いリプル電流用途に良く適している。

本発明の一実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心の横断面図を示す。 本発明の一実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心の製造方法を説明すべく、同マルチギャップ誘導鉄心の横断面図を示す。 図２で説明されるように製造される硬化した積層から各マルチギャップ誘導鉄心を分離する工程について説明するための斜視図を示す。 図２で説明されるように製造される硬化した積層から各マルチギャップ誘導鉄心を分離する工程について説明するための斜視図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの第一例における平面図を示す。 図５ａの絶縁導電フラットバンドの巻き工程を説明する斜視図を示す。 図５ａの絶縁導電フラットバンドの巻き工程を説明する斜視図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる絶縁導電フラットバンドの第一例における巻き工程が終了した後の斜視図を示す。 本発明の他の実施形態における図６の巻線タイプを有するマルチギャップインダクタの断面図を示す。 本発明の他の実施形態における撚り線の巻線タイプを有するマルチギャップインダクタの断面図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの第二例における平面図を示す。 図９ａの絶縁導電フラットバンドの複数の平行な巻線の巻き工程を説明する斜視図を示す。 図９ａの絶縁導電フラットバンドの複数の平行な巻線の巻き工程を説明する斜視図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる第二例の絶縁導電フラットバンドの複数の平行な巻線における巻き工程が終了した後の斜視図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、第一と第二の積層されたフラットバンドからなる本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの一例における平面図を示す。 マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、第一と第二の積層されたフラットバンドからなる本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの一例における平面図を示す。 本発明には含まれないマルチギャップ誘導鉄心の部分断面図を示す。 本発明の一実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心を含む変圧器の概略図を示す。 従来の誘導鉄心の一例を示す。

本発明の実施形態について、図面を参照しつつ以下で説明する。

図面において、同じ引用符号は、同じ又は均等な部材を示す。

図１は、本実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心の横断面図を示す。

図１の引用符号１は、本発明の一実施形態に係るマルチギャップ誘導鉄心を示す。誘導鉄心１は、所望の周波数帯域において可能な限り最小の損失を有するフェライト材からなる複数の７つの磁気積層シート２ａ−２ｇ含む。引用符号ＨＡは、誘導鉄心１の長手方向の軸、即ち積層２ａ−２ｇの積層方向を示す。

例えば、１ＭＨｚの周波数帯が要求されていれば、適切なフェライト材は、Ｆｅｒｒｏｕｘｃｕｂｅ ３Ｆ４５である。現在までに知られている切断方法では、最小の積層の厚さｄ１は、０．２ｍｍ程度であり、透磁率を低く、良好な隙間分布を可能にする。

隣接する各磁気積層間には、硬化した非磁性かつ非導電の接着剤層３ａ−３ｆがそれぞれ提供されている。各接着剤層３ａ−３ｆは、所謂ガラス状炭素の球状粉などの炭素からなる球状粒子の形状をなすスペーサ手段４を含む。このスペーサ手段４は、磁気積層シート２ａ−２ｇの各積層間に、所定の厚さｄ２の隙間Ｇを規定する。上記のような炭素材をフィルタリングすることにより、小さい寸法の径の配分を得ることができるので、炭素粒子４の径ｄ３は、隙間Ｇの所定の厚さｄ２と実質的に等しくなる。換言すれば、前記機械的なスペーサ手段として作用する硬化した接着剤層３ａ−３ｆを含む炭素粒子の単分子層がある。ｍｍ²あたりわずかな数の炭素粒子は、非常に均質な隙間Ｇを十分に確保する。炭素粒子は、例えば１８０度などの接着剤の硬化工程の間の温度でさえも、非磁性であり、導電性が悪い固体をなす。具体的には、スペーサ粒子は、磁束に影響を及ぼさず、加熱効果を一切阻害しない。

図１の実施形態に係る誘導鉄心１は、所望の周波数範囲（本実施形態では、１ＭＨｚ）において優れた性能と比較的低い損失を有するインダクタの提供を可能にする。図１の誘導鉄心の全隙間は、各隙間Ｇの合計であり、隙間Ｇからの磁場は、非常に小さい領域で消失し、巻線で追加損失を生じさせない。従って、巻線は、誘導鉄心１の非常に近くに位置する。

図２は、本発明の一実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心の製造方法を説明すべく、同マルチギャップ誘導鉄心の横断面図を示す。

図２のように、所望の数の磁気積層シート２ａ−２ｇが互いの上に積み重ねられて、隣接する磁気積層シート間で、接着剤層３ａ−３ｆは、適切な分配手段によって分配される。接着剤層は、接着剤と球状炭素粒子４とが事前に混合されてなる。

ｍｍ²あたり幾つかの粒子の好ましい濃度を得るべく、接着剤中の粒子の濃度は、０．１から３％、好ましくは１％である。体積濃度が高すぎれば、粒子が互いにくっ付き、不均質な隙間の厚さｄ２を生じさせるリスクがある。他方、粒子の体積密度が低すぎれば、粒子は、隣接する積層間の全域に亘って均一に分配されず、不均質な隙間の厚さｄ２を生じさせる。通常、実験により非常に容易に発見される下限と上限に限らず、適用可能な濃度範囲は、広い。

所望の数の積層２ａ−２ｇと、介在する接着剤／スペーサ層３ａ−３ｆとの積層が終わると、圧力Ｐは、球状炭素粒子４がその径ｄ３に一致する所定の厚さｄ２の隙間Ｇに適合して隙間Ｇを確定するように積層に適用される。例えば、エポキシ接着剤などの接着剤の種類に応じて、硬化は、室温又は上昇温度で実行され、一方で、圧力Ｐの適用は、積層が完全に硬化するまで続けられる。

図３，４は、図２で説明されるように製造される硬化した積層から各マルチギャップ誘導鉄心を分離する工程について説明するための斜視図を示す。

小さい誘導鉄心の径においてはとりわけ、長手方向の軸ＨＡに直交する積層の寸法は、得られた誘導鉄心の寸法に対応しない。

図２の例では、硬化した積層１００の寸法は、幅８０ｍｍ、奥行き５０ｍｍ、長さ２５ｍｍである。

各誘導鉄心１を提供すべく、硬化した積層１００は、ウエハー鋸（ダイヤモンド鋸）又は線鋸によって、列１００ａに切り分けられ、更に誘導鉄心１’に切り分けられる。ここで、積層は、２ａ’−２ｍ’とし、接着剤／スペーサ層は、３ａ’−３ｌ’とする。

適切な切り分け工程によって、例えば図４に示すように、積層２ａ’’−２ｎ’’と接着剤／スペーサ層３ａ’’−３ｌ’’とを含む円形状の誘導鉄心１’’などの任意の誘導鉄心の形状を得ることができる。

この製造方法では、インダクタンス値の５％程度の精度と非常に小さい隙間とを許容する。他の例では、６５枚のフェライトシートにおいて、１．３ｍｍの隙間が分配された。許容精度は、所望の小さい許容誤差を有する空隙を提供すべく、２又はそれ以上の磁心の積層の選別及び組み合わせによって向上させることができる。

図５ａは、マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンド（また、技術的には、細長い片として示されることもある）の第一例における平面図を示し、図５ｂ，ｃは、図５ａの絶縁導電フラットバンドの巻き工程を説明する斜視図を示す。

図５ａ−５ｃに示される絶縁された導電フラットバンドは、銅、アルミニウムなどの絶縁された導電材から構成され、第一線状領域ＳＲと第二線状領域ＳＬと第三線状領域ＳＭとを含む。第一線状領域ＳＲの幅ｂ１は、第二線状領域ＳＬの幅ｂ１に等しく、第三線状領域ＳＭの幅ｂ２は、２×ｂ１＋Ｓであり、Ｓは、既知の距離である。これは、第一線状領域ＳＲと第二線状領域ＳＬとが距離Ｓだけ離間していることを意味する。

更に、第一線状領域ＳＲと第二線状領域ＳＬとは、第三線状領域ＳＭに直角に接続されており、図５ａから明確であるように、逆平行な方向に設けられている。第一線状領域ＳＲにおける各長さｌのバーチャルセグメントＳＲ１−ＳＲ５は、本発明の実施形態に係る磁心の周りに絶縁された導電フラットバンドを巻きつける際の折れ線を示している。同様に、ＳＬ１−ＳＬ５は、第二線状領域ＳＬにおける各長さｌのバーチャルセグメントを示しており、長さｌは、用いられる磁心の径よりも僅かに大きい。

図５ｂ及び図５ｃから得られるように、第一線状領域ＳＲと第二線状領域ＳＬとは互いに、第三線状領域ＳＭの周りに反対方向のＦＵ（時計回り）とＦＧ（反時計回り）の方向に巻き付けられて、本発明の実施形態に係る磁心の周りの巻線を形成する。

図６は、マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる前記絶縁導電フラットバンドの第一例における巻き工程が終了した後の斜視図を示す。

図５ａ−５ｃに示されるような絶縁された導電フラットバンドからなる巻き終えられた巻線５’は、図６で示される。図示のように、巻き終えられた巻線５’の両端部Ｅ１，Ｅ２は、巻き終えられた巻線５’に挿通される磁心の長手方向軸ＨＡに対して直交する。

図７は、本発明の他の実施形態における図６の巻線タイプを有するマルチギャップインダクタの断面図を示す。

図７の完成したインダクタは、図１，２に関連して説明されるような接着剤／スペーサ層が介在する２０の積層を有するマルチギャップ磁心１’’’と、図６に記載の巻線５’に類似するが巻き数が多い周囲の巻線５’’とを含む。

図７から明らかなように、磁心１’’’と巻線５’’との間の隙間βは、非常に小さい。図７の領域Ａは、図７の右手側の拡大図に示されており、第一線状領域ＳＲと第二線状領域ＳＬとの間の距離Ｓに対応する間隔を示す。

引用符号Ｖは、この実施形態に係るインダクタの周りの磁気シールドを示しており、コイルの磁場を閉ざしている。

図８は、本発明の他の実施形態における撚り線５０の巻線タイプを有するマルチギャップインダクタの断面図を示す。

図８に示される実施形態では、積層磁心１’’’は、撚り線により囲まれている。その他の詳細は、図７についての上記の記載と同じである。

図９ａは、マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの第二例における平面図を示し、図９ｂ，ｃは、図９ａの絶縁導電フラットバンドの複数の平行な巻線の巻き工程を説明する斜視図を示す。

図９ａに示される絶縁された導電フラットバンド２５は、第一線状領域ＳＵと第二線状領域ＳＯと第三線状領域ＳＭ’とを含む。図５ａの例と同様に、第三線状領域ＳＭ’は、第一線状領域ＳＵと第二線状領域ＳＯとに実質的に直角に接続されており、第一線状領域ＳＵと第二線状領域ＳＯとは、距離Ｓだけ離間し、図５ａとは対照的に、平行に配置されている。距離Ｓは、第三線状領域ＳＭ’の幅ｂ２と、第一線状領域ＳＵ及び第二線状領域ＳＯの幅ｂ１の合計との差に起因する。

これらの例では、第一線状領域ＳＵにおけるバーチャルセグメントＳＵ１−ＳＵ５と第二線状領域ＳＯにおけるバーチャルセグメントＳＯ１−ＳＯ５とは、図９ａの絶縁された導電フラットバンド２５が本発明の実施形態に係る磁心の周りに巻線を形成するように巻き付けられる際の折れ線を明確にすべく示されている。

図９ｂに示されるように、図９ａに示されるタイプの複数の絶縁された導電フラットバンド２５，２５’，２５’’，２５’’’は、互いの上に絶縁されて積み重ねられている。絶縁は、絶縁された導電フラットバンド２５，２５’，２５’’，２５’’’の表面上に、例えば、カプトンホイルなどのホイル、樹脂、自然酸化物、人工酸化物を用いることで達成することができる。

図９ｃから得られるように、図９ｂに示される絶縁された導電フラットバンド２５，２５’，２５’’，２５’’’の積層は、本発明の実施形態に係る磁心の周り巻線を形成すべく、絶縁された導電フラットバンド２５，２５’，２５’’，２５’’’の第三線状領域の周りに反対方向のＦＵ（時計回り）とＦＧ（反時計回り）とに巻き付けられる。

図１０は、マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる第二例の絶縁導電フラットバンドの複数の平行な巻線における巻き工程が終了した後の斜視図を示す。

巻き終えられた巻線の形状は、図１０に示される。両端部Ｅ１’，Ｅ２’は、巻き付けられた巻線に挿通される本発明の実施形態に係る磁心の長手方向軸ＨＡに対して直角をなすように曲げられたものである。

図１０に示される実施形態では、外側のフラットバンド２５は、反対方向ＦＵ，ＦＧに巻き付けられた際に、内側のフラットバンドになる。これは、近接効果を弱め、それ以外にも、フラットバンドの最外部の領域で高周波電流を流すようになる。特に、積層順序の変化は、バンドに沿う電流を妨げるように、バンドに沿う誘導電圧を一様にする。

図１１ａ，ｂは、マルチギャップインダクタに接続される巻線として用いられる、第一と第二の積層されたフラットバンドからなる本発明の実施形態の絶縁導電フラットバンドの一例における平面図を示す。

図１１の実施形態では、実施形態に係る磁心の周りの巻線は、図５ａに示されるタイプの２つの絶縁された導電フラットバンド５ａ，５ｂからなり、この導電フラットバンド５ａ，５ｂは、互いの上に絶縁されて積層される。

図１１ａに示される絶縁された導電フラットバンド５ａ，５ｂでは、ＳＲａ，ＳＲｂは、第一と第二フラットバンド５ａ，５ｂの各々の第一線状領域を示し、ＳＬａ，ＳＬｂは、第一と第二フラットバンド５ａ，５ｂの各々の第二線状領域を示している。ここで、ＳＭａ，ＳＭｂは、第一と第二フラットバンド５ａ，５ｂの第一と第二線状領域に接続される各々の第三線状領域である。

巻き付けられる前に、図１１ａに示される絶縁された導電フラットバンド５ａ，５ｂは、重複するように互いに絶縁して積層される。第一フラットバンド５ａの第一線状領域ＳＲａは、第二フラットバンド５ｂの第一線状領域ＳＲｂの上に位置し、第一フラットバンド５ａの第二線状領域ＳＬａは、第二フラットバンド５ｂの第二線状領域ＳＬｂの下に位置する。重複する領域では、絶縁された導電フラットバンド５ａ，５ｂ間に小さな外側の隙間Ｓ’×Ｓが形成されている。

図１１ｂのように積層された第一と第二の絶縁された導電フラットバンド５ａ，５ｂを巻き付けるときには、図１０の実施形態のように、外側のフラットバンドは、反対方向ＦＵ，ＦＧに巻き付けられた際に内側のフラットバンドになるようにすることが可能である。これは、近接効果を弱め、それ以外にも、フラットバンドの最外部の領域で高周波電流を流すようになる。

図１２は、本発明には含まれないマルチギャップ誘導鉄心の部分断面図を示す。

この例では、スペーサ手段４’は、フォトリソグラフィで構成される酸化アルミニウム層を含む。酸化アルミニウム層は、複数の立方体状のバンプ４’を有し、そのバンプ４’間では、硬化した固定層３ｆなどが提供される。ここで、固定層３ｆは、接着剤ではなく、接着性のあるワックスで構成される。

図１３は、本発明の一実施形態におけるマルチギャップ誘導鉄心を含む変圧器の概略図を示す。

図１３では、引用符号１は、図１に示される本発明の実施形態に係るマルチギャップ誘導鉄心を示し、Ｗ１，Ｗ２は、変圧器Ｔを形成するように磁心の周りに巻き付けられた第一巻線と第二巻線とを示す。

本発明は、特定の実施形態を参照して説明されたが、独立請求項としての本発明の範囲を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。

更に、種々の部材が積層、固定材、巻線のために用いられることが可能であり、本発明は、上記の部材や寸法に限定されるものではない。例えば、固定材は、十分に硬化され得るテフロンやレジスト、グリースであっても良い。

Claims (13)

1. 積層される磁心部からなる第一の複数の磁気積層シートと、
   固定材からなる第二の複数の固定層とを備え、
   各固定層は、隣接する磁気積層シート間に配置され、各固定層は、隣接する磁気積層シート間の所定の厚さを有する隙間を確定する組込みの機械的スペーサ手段を含み、
   前記機械的スペーサ手段は、実質的に球状をなす粒子を含み、該球状粒子の径は、前記所定の厚さと実質的に等しく、前記粒子は、球状炭素粒子であることを特徴とするマルチギャップ誘導鉄心。
2. 前記固定材は接着剤であることを特徴とする請求項１記載のマルチギャップ誘導鉄心。
3. 前記磁気積層シートは、強磁性シートとしてのフェライトシートであることを特徴とする請求項１又は２記載のマルチギャップ誘導鉄心。
4. 前記磁気積層シートは、０．１ｍｍから１ｍｍの間の厚さを有し、及び／又は、前記隙間の所定の厚さは、１０μｍから１００μｍの間であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマルチギャップ誘導鉄心。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマルチギャップ誘導鉄心と、該マルチギャップ誘導鉄心の長手方向の軸の周りに巻き付くフラットバンドの巻線及び／又は撚り線の巻線とを含むマルチギャップインダクタ。
6. 第一線状領域と第二線状領域と第三線状領域とを有する絶縁された導電フラットバンドを少なくとも含むフラットバンドの巻線を備え、前記第三線状領域は、前記第一線状領域と前記第二線状領域とに実質的に直角に接続されており、前記第一線状領域と第二線状領域とは、所定の距離だけ離間して逆平行に配置されており、前記第一線状領域と前記第二線状領域とは、前記マルチギャップ誘導鉄心の周り及び前記第三線状領域の周りに反対方向に巻き付けられることを特徴とする請求項５記載のマルチギャップインダクタ。
7. 第一と第二の前記絶縁された導電フラットバンドは、互いに絶縁されて重なる部分があるように積み重ねられ、第一の絶縁された導電フラットバンドの第一線状領域は、第二の絶縁された導電フラットバンドの第一線状領域の上に位置し、第一の絶縁された導電フラットバンドの第二線状領域は、第二の絶縁された導電フラットバンドの第二線状領域の下に位置し、前記積層された第一と第二の絶縁された導電フラットバンドは、マルチギャップ誘導鉄心の周りに反対方向に巻き付けられることを特徴とする請求項６記載のマルチギャップインダクタ。
8. 第一線状領域と第二線状領域と第三線状領域とを有する絶縁された導電フラットバンドを少なくとも含むフラットバンドの巻線を備え、前記第三線状領域は、前記第一線状領域と前記第二線状領域とに実質的に直角に接続されており、前記第一線状領域と第二線状領域とは、所定の距離だけ離間して平行に配置されており、前記第一線状領域と前記第二線状領域とは、前記マルチギャップ誘導鉄心の周り及び前記第三線状領域の周りに反対方向に巻き付けられることを特徴とする請求項５記載のマルチギャップインダクタ。
9. 複数の前記絶縁された導電フラットバンドは、互いに絶縁されて積層され、前記積層された複数の絶縁された導電フラットバンドは、積層順序が変化するように、マルチギャップ誘導鉄心の周りに反対方向に巻き付けられることを特徴とする請求項８記載のマルチギャップインダクタ。
10. 請求項１記載のマルチギャップ誘導鉄心の製造方法であって、
    磁心部からなる第一の複数の磁気積層シートを積層する工程と、
    隣接する磁気積層シート間に、固定材からなる第二の複数の固定層であって機械的スペーサ手段を含む第二の複数の固定層を設ける工程と、
    隣接する磁気積層シート間に前記第二の複数の固定層を備える前記積層された第一の複数の磁気積層シートを押圧し、前記機械的スペーサ手段が隣接する磁気積層シート間に所定の厚さを有する隙間を確定する工程と、
    硬化した積層を形成するように押圧する間に、前記固定層を硬化させ、前記硬化した積層から一又は複数のマルチギャップ誘導鉄心を提供する工程とを含むマルチギャップ誘導鉄心の製造方法。
11. 前記硬化した積層は、前記硬化した積層から前記一又は複数のマルチギャップ誘導鉄心を提供すべく、鋸手段、好ましくはウエハー鋸又は線鋸によって切り分けられる請求項１０記載の方法。
12. 前記固定層は、前記固定材と前記機械的スペーサ手段とが予め混合された接着剤として、隣接する磁気積層シート間に設けられる請求項１０又は１１記載の方法。
13. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマルチギャップ誘導鉄心を含む変圧器。

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