JP5617081B2 - 飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法及び飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置 - Google Patents

Description

この発明は、ガス溶解した純水からナノバブル水を生成する飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法、および、飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置に関し、より詳細には、パーテイクルフリーでメタルフリーなナノバブル水を、より安定に製造し、又、ナノバブル量を制御することにより、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用可能な飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法及び飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置に関する。

電子産業におけるパーテイクル除去は、従来からＡＰＭ（アンモニア、過酸化水素）が使用されていた。しかし、近年、純水に水素ガスを溶解させた水素水を使用し、それにメガソニックをかけることで洗浄が行われてきている。

しかしながら、近年、例えば半導体の製造では、回路パターンの線幅が狭まり、アスペクト比が大きくなるにつれ、メガソニックによる回路パターンだおれが発生するようになった。

そのため、救急対応として、メガソニックの出力を小さくして対応しているのが現状である。

また、他の方法として、例えば２流体ジェット等を用いて洗浄することが試験的に行われているが、ガスと水の２流体が安定にジェットノズルから出力されることがなかなか難しい。

また、洗浄効果が、従来の水素水とメガソニックに比べ、パーテイクル除去の効果がなかなか得られない状況である。

このため、ナノバブル水を用いて洗浄することが考えられ、ナノバブル水の製造として例えば、超音波のエネルギも必要でなく、水素を含む微小気泡等が安定して分散する水を製造する技術（特許文献１）、また加圧ポンプを使用し物理的障害物を設定した配管内に水流と気体を送り、強制的に加圧混入を行うことでマイクロバブルを発生させる技術などがある（特許文献２〜５）。

特開２００９−１９５８８９号公報 特許第３０４３３１５号公報 特開２００１−３００５２２号公報 特開２００４−０７３９５３号公報 特開２００５−２４５８１７号公報

この発明は、前述の従来技術の問題点を解消し、パーテイクル除去の効果を得ることが可能で、かつ長期間にわたり連続的で、また常に安定なガス飽和ナノバブル水を得ることが可能な飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法及び飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。

請求項１に記載の発明は、純水を脱気して脱気純水を生成する脱気工程と、
前記脱気純水に溶解目的のガスを加圧し溶解してガス飽和の溶解純水を生成するガス溶解工程と、
前記ガス溶解工程において前記溶解目的のガスの圧力を制御する圧力制御工程と、
前記ガス溶解工程を経た前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成するナノバブル発生工程と、
前記ガス溶解工程と前記ナノバブル発生工程との間に、
１ミクロン以下の空孔を経由して、前記飽和ガスの溶解純水を整流する整流工程と、
前記飽和ガスの溶解純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解ガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整工程を有することを特徴とする飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項２に記載の発明は、前記脱気工程は、
膜を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、
前記膜を介して、脱気状態の空間に導きだすことを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項３に記載の発明は、前記ガス溶解工程は、
膜を介することにより一方に脱気純水を、他方に前記溶解目的のガスを導入して前記膜を介して前記溶解ガスが脱気純水に溶け込み、
前記脱気純水を飽和ガスの溶解純水にすることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項４に記載の発明は、前記圧力制御工程は、
前記溶解目的のガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、前記脱気純水の水圧、及び／又は前記飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力にすることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項５に記載の発明は、前記ナノバブル発生工程は、
前記ガス溶解工程を経た前記ガス飽和の溶解純水の圧力が減圧されることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項６に記載の発明は、前記ガス溶解工程の前段に、
前記脱気純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整工程を有することを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法である。

請求項７に記載の発明は、純水を脱気して脱気純水を生成する脱気手段と、
前記脱気純水に溶解目的のガスを加圧し溶解してガス飽和の溶解純水を生成するガス溶解手段と、
前記溶解目的のガスの圧力を制御する圧力制御手段と、
前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成するナノバブル発生手段と、
前記ガス溶解手段と前記ナノバブル発生手段との間に、
１ミクロン以下の空孔を経由して、前記飽和ガスの溶解純水を整流する整流手段と、
前記飽和ガスの溶解純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整手段を有することを特徴とする飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項８に記載の発明は、
前記脱気手段は、
膜を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、
前記膜を介して、脱気状態の空間に導きだす構成であることを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項９に記載の発明は、
前記ガス溶解手段は、
膜を介することにより一方に脱気純水を、他方に前記溶解ガスを導入して前記膜を介して前記溶解目的のガスが脱気純水に溶け込み、
前記脱気純水を飽和ガスの溶解純水にする構成であることを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項１０に記載の発明は、
前記圧力制御手段は、
前記溶解目的のガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、前記脱気純水の水圧、及び／又は前記飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力に制御することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項１１に記載の発明は、前記ナノバブル発生手段は、
前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項１２に記載の発明は、
前記ガス溶解手段の前段に、
前記脱気純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整手段を有することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

請求項１３に記載の発明は、
前記飽和ガス含有ナノバブル水は、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置である。

前記構成により、この発明は、以下のような効果を有する。

請求項１及び請求項７に記載の発明では、ガス溶解工程とナノバブル発生工程との間で、飽和ガスの溶解純水を整流し、飽和ガスの溶解純水の圧力を溶解目的のガスの圧力以上で、溶解ガスの圧力に近づけるように制御することで、簡単かつ確実に飽和ガス含有ナノバブル水の製造することができる。

請求項２及び請求項８に記載の発明では、膜を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、膜を介して、簡単な構造でかつ確実に脱気状態の空間に導きだすことができる。

請求項３及び請求項９に記載の発明では、膜を介することにより一方に脱気純水を、他方に溶解ガスを導入して膜を介して溶解目的のガスが脱気純水に溶け込み、簡単な構造でかつ確実に脱気純水を飽和ガスの溶解純水にすることができる。

請求項４及び請求項１０に記載の発明では、溶解目的のガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、脱気純水の水圧、及び／又は飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力にすることで、確実に脱気純水を飽和ガスの溶解純水にすることができる。

請求項５及び請求項１１に記載の発明では、空孔を経由することで、ガス飽和の溶解純水の圧力が減圧され、飽和ガス含有ナノバブル水が発生する。

請求項６及び請求項１２に記載の発明では、ガス溶解の前段で、脱気純水の圧力を溶解目的のガスの圧力以上で、溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御することで、簡単かつ確実に飽和ガス含有ナノバブル水の製造することができる。

請求項１３に記載の発明では、飽和ガス含有ナノバブル水は、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用することができる。

飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置の一般的な概念図である。 飽和ガス含有ナノバブル水製造装置で整流工程、水圧調整工程を経由した概念図である。

以下、この発明の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法及び飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置の実施の形態について説明する。この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明はこれに限定されない。
［第１の実施の形態］
図１は飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置の一般的な概念図である。この第１の実施の形態では、脱気工程Ａ、ガス溶解工程Ｂ、圧力制御工程Ｃ、ナノバブル発生工程Ｄを有し、パーテイクルフリーでメタルフリーなナノバブル水を、より安定に製造し、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用可能な飽和ガス含有ナノバブル水を製造する。

すなわち、純水は脱気工程Ａを経由して脱気され脱気純水となり、脱気純水はガス溶解工程Ｂにてガスが溶解され、ガス飽和の溶解純水となる。このガス溶解工程Ｂにおいては、溶解目的のガスが供給され、供給された溶解目的のガスには圧力制御工程Ｃにてガスの圧力は制御されている。また、圧力制御工程Ｃは脱気純水の水圧、及び／又は飽和純水の水圧よりも低い圧力であることが条件となっている。

このようにして生成されたガス飽和の溶解純水は、ナノバブル発生工程Ｄにて減圧され、過飽和ガスがナノバブルとなった飽和ガス含有ナノバブル水として生成される。

（脱気工程Ａ）
この脱気工程Ａでは、脱気手段１０によって純水を脱気して脱気純水を生成する。脱気手段１０は、脱気ケース１１内に膜１２が配置され、さらに迷路１３を形成する堰板１４が配置されている。脱気ケース１１には、入口１５と出口１６が形成され、純水が入口１５から迷路１３を流れ、出口１６から脱気純水が排出される。脱気手段１０は、膜１２を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、膜１２を介して、脱気状態の空間１７に導きだす構成であり、純水を脱気して脱気純水を生成する。

溶解させる目的のガス（例えば水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、オゾンガス）があるときには、純水中にすでに溶解されているガスを一度除去することが必要であり、そのため脱気し、膜１２を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、膜１２を介して、簡単な構造でかつ確実に脱気状態の空間１７に導きだすことができる。

（ガス溶解工程Ｂ）
このガス溶解工程Ｂでは、ガス溶解手段２０によって脱気純水に溶解目的のガスを加圧し溶解してガス飽和の溶解純水を生成する。ガス溶解手段２０は、ガス溶解ケース２１内に膜２２が配置され、さらに迷路２３を形成する堰板２４が配置されている。ガス溶解ケース２１には、入口２５と出口２６が形成され、脱気純水が入口２５から迷路２３を流れ、出口２６から溶解純水が排出される。また、ガス溶解ケース２１には、溶解ガス入口２７と溶解ガス圧力制御口２８が形成されている。ガス溶解手段２０は、膜２２を介することにより一方に脱気純水を、他方に溶解目的のガスを溶解ガス入口２７から導入して膜２２を介して溶解目的のガスが脱気純水に溶け込み、脱気純水を飽和ガスの溶解純水にする構成であり、脱気純水に溶解目的のガスをガス制御口２８から制御して溶解してガス飽和の溶解純水を生成する。すなわち、溶解させる目的のガスの溶解であり、その際、膜２２を使用し、ガス圧より水圧を大きくすると、ガスが完全に純水に溶解し、この実施の形態では、一度ガスを純水に完全溶解させ、その後、細かい（１マイクロ以下）空孔を通して減圧することによりナノバブル水を生成する。

（圧力制御工程Ｃ）
この圧力制御工程Ｃでは、圧力制御手段３０によってガス溶解工程Ｂにおいて溶解ガスの圧力を制御する。圧力制御手段３０は、第１の圧力センサ３１と第２の圧力センサ３２とを有し、第１の圧力センサ３１は溶解ガス制御口２８に接続され、第２の圧力センサ３２は出口２６に接続され、第１の圧力センサ３１と第２の圧力センサ３２とによって溶解ガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、脱気純水の水圧、及び／又は飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力になるように制御する。

このように、溶解目的のガスを加圧するのは、加圧した分だけ（加圧されたガス量だけ）、純水を減圧したときにガスとして生成される。その量を制御するには加圧したガス圧力を制御すればよい。減圧してバブル生成されるが、通常の場合は、大きなバブル、小さくてもマイクロバブルであり、バブルを安定なナノバブルとして生成させるには細かい空孔を通すことが必要である。

ガス圧力を、脱気純水及び／またはガス飽和溶解純水よりも低くするのは、水にガスを完全に溶解させるためであり、ガスが水に溶解するとは、水分子（Ｈ２Ｏ）の分子と分子の間の空間に、ガスとして存在することを言い、どの程度溶解するかは、温度にも依存するが、大きくはガス圧力に依存し、例えばガス圧力が倍になると倍溶解する。

（ナノバブル発生工程Ｄ）
このナノバブル発生工程Ｄでは、ナノバブル発生手段４０によってガス溶解工程Ｂを経たガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成する。ナノバブル発生手段４０は、フィルタ４１を有し、このフィルタ４１の１ミクロン以下の空孔を経由して、ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧し、ガス溶解工程Ｂを経たガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成する。このナノバブル発生手段４０の減圧構造は、フィルタ４１の１ミクロン以下の空孔を経由して、減圧されることを特徴とし、できれば０．５ミクロン以下の空孔を経由して減圧される。

［第２の実施の形態］
図２は飽和ガス含有ナノバブル水製造装置で整流工程、水圧調整工程を経由した概念図である。この第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、脱気工程Ａ、ガス溶解工程Ｂ、圧力制御工程Ｃ、ナノバブル発生工程Ｄを有し、さらに整流工程Ｅ、水圧調整工程Ｆを有する。

この第２の実施の形態では、さらに安定な飽和ガス含有ナノバブル水を生成するために、図１の実施の形態に対して、ガス飽和の溶解純水を整流工程Ｅに導き、整流して整流純水を生成した後、水圧調整工程Ｆにて前もって純水の水圧を調整し水圧調整純水とした後、ナノバブル発生工程Ｄにて減圧され、過飽和ガスがナノバブルとなった飽和ガス含有ナノバブル水として生成される。

（整流工程Ｅ）
この整流工程Ｅは、ガス溶解工程Ｂとナノバブル発生工程Ｄとの間に有し、整流手段５０によって１ミクロン以下の空孔を経由して、飽和ガスの溶解純水を整流する。純水が加圧されている状態では、溶解されたガスはバブルとはなっていないため、ナノバブル発生工程で均一にナノバブルを発生させるためには、その前で整流することで、容易にかつ確実に均一なナノバブルが生成できるようになる。
（水圧調整工程Ｆ）
この水圧調整工程Ｆは、ガス溶解工程Ｂとナノバブル発生工程Ｄとの間に有し、水圧調整手段６０によって飽和ガスの溶解純水の圧力を溶解目的のガスの圧力以上で、溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する。この水圧調整手段６０には、圧力センサ６１を用いて制御している。

また、水圧調整工程Ｆは、ガス溶解工程Ｂの前段に、水圧調整手段を設けることによって脱気純水及び／又は飽和ガス溶解純粋の圧力を溶解目的のガスの圧力以上で、溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御するようにしてもよい。
（飽和ガス含有ナノバブル水）
製造された飽和ガス含有ナノバブル水は、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用することができる。この飽和ガス含有ナノバブル水は、直径が１μｍ（ １マイクロメートル：１００万分の１メートル）以下の超微細な気泡を含有した水であり、従って、直径１μｍ以上のマイクロバブルの気泡も含有している。

飽和ガス含有ナノバブル水は、同体積を有する単一の気泡に比べて大きな比表面積を有し、また水中への気体の溶解や液中の不純物の吸着、科学的な触媒効果が大きく、また浮力が殆ど効かないため液中に滞在する時間が長いなどの特徴を有している。

また、ナノバブルは、直径１００ｎｍ程度の気泡は気液界面の表面張力により、気泡内部の圧力が３０気圧程度まで増加しており、また気泡表面は活性が高く、汚れ成分を界面に吸着させる。また、１００ｎｍ程度の気泡は数ｍｍ程度の気泡と比べ、同じ体積に比べ表面積が数万倍大きい、さらに分子動力学の解析結果より、数ｎｍの気泡では気液界面の極性が揃うなどの特徴を有している。

したがって、飽和ガス含有ナノバブル水は、ナノバブルが物体に接触する際に破壊すると数十気圧のジェットが生じし、浄化速度が大きく、物体表面の洗浄効果があり、さらに静電気による殺菌効果を有する。

このように、飽和ガス含有ナノバブル水の生成方法は、 ポンプ等で水圧をかけ、ガス圧をかけて溶解させた後、変圧して生成し、生成したガス溶解水を整流手段（フィルター）を経由して均一なガス溶解ナノバブル水のみ取り出す。

そして、特に半導体の洗浄に用いる飽和ガス含有ナノバブル水に必要な条件、例えばパーテイクルフリーであること、メタルフリーであること、溶解目的のガスが既知のガスであり、ガス量が制御できること、ノズルから連続的に供給できること、常に一定のパーテイクル除去性能があることなどを有する。

したがって、飽和ガス含有ナノバブル水は、洗浄においては、主として破壊時の数十気圧といわれるジェットによるため、ナノバブルが被洗浄物上において、均一に供給され、破壊することができる。

次に、この発明に係わる飽和ガス含有ナノバブル水製造装置の実施例を記載するが、この実施例はこの発明を限定するものではない。

（実施例１）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。

溶解目的のガスを窒素ガスとし、５０ｋＰａの圧力で制御を行い、ナノバブル発生工程での空孔は０．５ミクロンのフィルタを用いた。

生成したナノバブル水の発生バブルを測定したところ、０．１〜０．５ミクロンの粒径で２４００個、０．５ミクロン以上が３０個測定された。

（比較例１）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。
溶解目的のガスを窒素ガスとし、５０ｋＰａで圧力を制御し、実施例１と同じ条件とした。ナノバブル発生工程での空孔は１０ミクロンのフィルタを使用した。
生成したナノバブル水の粒径は、０．１〜０．５ミクロンの粒径で１１００個測定されたが、０．５ミクロン以上が４７５０個測定された。実施例１はナノバブルが生成されていたにもかかわらず、比較例１ではナノバブルのほか、多くのマイクロバブルが生成され、どちらかといえばマイクロバブル生成となった。

（実施例２）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。

溶解目的のガスを酸素ガスとし、５０ｋＰａの圧力で制御をおこない、ナノバブル発生工程での空孔は０．５ミクロンのフィルタを用いた。

生成したナノバブル水の発生バブルを測定したところ、０．１〜０．５ミクロンの粒径で３９００個、０．５ミクロン以上が５０個測定された。

（比較例２）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。

溶解目的のガスを酸素ガスとし、５０ｋＰａで圧力を制御し、実施例２と同じ条件とした。ナノバブル発生工程での空孔は１０ミクロンのフィルタを使用した。
生成したナノバブル水の粒径は、０．１〜０．５ミクロンの粒径で１３７０個測定されたが、０．５ミクロン以上が３８３０個測定された。実施例２はナノバブルが生成されていたにもかかわらず、比較例２ではナノバブルのほか、多くのマイクロバブルが生成され、どちらかといえばマイクロバブル生成となった。

（実施例３）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。

溶解目的のガスを酸素ガスとし、１００ｋＰａの圧力で制御を行った。

また、ナノバブル発生工程は、バルブを用いた。

水圧調整工程の優位性を確認するため、水圧調整を行い１２０ｋＰａにしたうえで、ナノバブル発生工程に導いた。

生成したナノバブル水の発生バブルを測定したところ、０．１〜０．５ミクロンの粒径で２８６０個、０．５ミクロン以上が５８８０個測定された。

（比較例３）
水圧２５０ｋＰａで飽和ガス含有ナノバブル水の生成を行った。

溶解目的のガスを酸素ガスとし、１００ｋＰａの圧力で制御を行った。

また、ナノバブル発生工程は、バルブを用い、実施例３と同じ条件とした。
水圧調整工程は設置せず、水圧は２５０ｋＰａのまま、ナノバブル発生工程に導いた。
ナノバブル生成工程でバルブを使用したが、バルブを使用するとナノバブルが多く生成されることが分かっている。しかしながら、生成したナノバブル水の粒径は、０．１〜０．５ミクロンの粒径で１８００個、０．５ミクロン以上が３８００個測定された。実施例３に比べ、発生ナノバブル、マイクロバブルともに減少した。このことより、水圧調整手段の優位性が推測される。

この発明は、ガス溶解した純水からナノバブル水を生成する飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法、および、飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置に適用可能であり、パーテイクルフリーでメタルフリーなナノバブル水を、より安定に製造し、又、ナノバブル量を制御することにより、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用可能である。

Ａ 脱気工程
Ｂ ガス溶解工程
Ｃ 圧力制御工程
Ｄ ナノバブル発生工程
Ｅ 整流工程
Ｆ 水圧調整工程
１０ 脱気手段
１１ 脱気ケース
１２ 膜
１３ 迷路
１４ 堰板
１５ 入口
１６ 出口
２０ ガス溶解手段
２１ ガス溶解ケース
２２ 膜
２３ 迷路
２４ 堰板
２５ 入口
２６ 出口
２７ 溶解ガス入口
２８ 溶解ガス圧力制御口
３０ 圧力制御手段
３１ 第１の圧力センサ
３２ 第２の圧力センサ
４０ ナノバブル発生手段
４１ フィルタ
５０ 整流手段
６０ 水圧調整手段
６１ 圧力センサ

Claims (13)

1. 純水を脱気して脱気純水を生成する脱気工程と、
   前記脱気純水に溶解目的のガスを加圧し溶解してガス飽和の溶解純水を生成するガス溶解工程と、
   前記ガス溶解工程において前記溶解目的のガスの圧力を制御する圧力制御工程と、
   前記ガス溶解工程を経た前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成するナノバブル発生工程と、
   前記ガス溶解工程と前記ナノバブル発生工程との間に、
   １ミクロン以下の空孔を経由して、前記飽和ガスの溶解純水を整流する整流工程と、
   前記飽和ガスの溶解純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解ガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整工程を有することを特徴とする飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
2. 前記脱気工程は、
   膜を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、
   前記膜を介して、脱気状態の空間に導きだすことを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
3. 前記ガス溶解工程は、
   膜を介することにより一方に脱気純水を、他方に前記溶解目的のガスを導入して前記膜を介して前記溶解ガスが脱気純水に溶け込み、
   前記脱気純水を飽和ガスの溶解純水にすることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
4. 前記圧力制御工程は、
   前記溶解目的のガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、前記脱気純水の水圧、及び／又は前記飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力にすることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
5. 前記ナノバブル発生工程は、
   空孔を経由して、前記ガス溶解工程を経た前記ガス飽和の溶解純水の圧力が減圧されることを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
6. 前記ガス溶解工程の前段に、
   前記脱気純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整工程を有することを特徴とする請求項１に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造方法。
7. 純水を脱気して脱気純水を生成する脱気手段と、
   前記脱気純水に溶解目的のガスを加圧し溶解してガス飽和の溶解純水を生成するガス溶解手段と、
   前記溶解目的のガスの圧力を制御する圧力制御手段と、
   前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧して飽和ガス含有ナノバブル水を生成するナノバブル発生手段と、
   前記ガス溶解手段と前記ナノバブル発生手段との間に、
   １ミクロン以下の空孔を経由して、前記飽和ガスの溶解純水を整流する整流手段と、
   前記飽和ガスの溶解純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整手段を有することを特徴とする飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
8. 前記脱気手段は、
   膜を介することにより一方に純水を、他方に脱気状態にすることにより、純水中の気体成分を純水より除去し、
   前記膜を介して、脱気状態の空間に導きだす構成であることを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
9. 前記ガス溶解手段は、
   膜を介することにより一方に脱気純水を、他方に前記溶解ガスを導入して前記膜を介して前記溶解目的のガスが脱気純水に溶け込み、
   前記脱気純水を飽和ガスの溶解純水にする構成であることを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
10. 前記圧力制御手段は、
    前記溶解目的のガスの圧力は、加圧されたガスではあるが、前記脱気純水の水圧、及び／又は前記飽和ガスの溶解純水の水圧よりも低い圧力に制御することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
11. 前記ナノバブル発生手段は、
    空孔を経由して、前記ガス飽和の溶解純水の圧力を減圧することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
12. 前記ガス溶解手段の前段に、
    前記脱気純水の圧力を前記溶解目的のガスの圧力以上で、前記溶解目的のガスの圧力に近づけるように制御する水圧調整手段を有することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。
13. 前記飽和ガス含有ナノバブル水は、半導体、液晶をはじめとする電子産業分野に使用することを特徴とする請求項７に記載の飽和ガス含有ナノバブル水の製造装置。