JP5608426B2 - Method for manufacturing anisotropic conductive film - Google Patents
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- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明は、導電性粒子がほぼ一列に配列された異方性導電膜の製造方法に関するものであり、特に、熱圧着時に導電性粒子に配列の乱れが生ずることのない新規な異方性導電膜の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing an anisotropic conductive film in which conductive particles are arranged in approximately one row, and in particular, a novel anisotropic conductive film that does not cause disorder in the arrangement of conductive particles during thermocompression bonding. film forming method for the production of.
例えば電子部品を基板に実装する技術として、電子部品をいわゆるフェースダウン状態で基板上に実装するフリップチップ実装法が広く行われている。このフリップチップ実装法は、電子部品の端子電極としてバンプと称される電極を形成し、このバンプが基板の電極部と対向するように配置し、一括して電気的に接続する方法である。 For example, as a technique for mounting an electronic component on a substrate, a flip chip mounting method in which the electronic component is mounted on the substrate in a so-called face-down state is widely performed. This flip-chip mounting method is a method in which electrodes called bumps are formed as terminal electrodes of an electronic component, and the bumps are disposed so as to face the electrode portions of the substrate, and are electrically connected together.
フリップチップ実装法においては、接続信頼性を高めること等を目的として、異方性導電膜による電気的及び機械的接続が図られている。異方性導電膜は、接着剤として機能する絶縁性の樹脂中に導電性粒子を分散したものである。バンプと電極部との間に異方性導電膜を挟み込み、加熱、加圧することで、導電性粒子が押し潰されて電気的な接続が図られる。バンプが無い部分では、導電性粒子は、絶縁性の樹脂中に分散した状態が維持され、電気的に絶縁された状態が保たれる。このため、バンプのある部分でのみ電気的導通が図られることになる。 In the flip-chip mounting method, electrical and mechanical connection using an anisotropic conductive film is attempted for the purpose of improving connection reliability. An anisotropic conductive film is obtained by dispersing conductive particles in an insulating resin that functions as an adhesive. By sandwiching an anisotropic conductive film between the bump and the electrode portion, and heating and pressurizing, the conductive particles are crushed and electrical connection is achieved. In the portion where there is no bump, the conductive particles are kept dispersed in the insulating resin, and are kept electrically insulated. For this reason, electrical continuity is achieved only at the portion where the bump is present.
異方性導電膜を用いたフリップチップ実装法によれば、このように、多数の電極間を一括して電気的に接続することが可能であり、ワイヤボンディングのように電極間を1つずつボンディングワイヤで接続する必要はなく、また高密度実装に伴う端子電極の微細化、狭いピッチ化等への対応も比較的容易である。 According to the flip chip mounting method using an anisotropic conductive film, it is possible to electrically connect a large number of electrodes in a lump as described above, and the electrodes are connected one by one as in wire bonding. It is not necessary to connect with bonding wires, and it is relatively easy to cope with the miniaturization of terminal electrodes and the narrow pitch associated with high-density mounting.
また、フリップチップ実装法は、基板同士の接続にも利用されており、このフリップチップ実装法を用いた異方性導電膜による電気的接続は、例えばガラス基板とフレキシブルプリント配線板(FPC)との接続や、ガラスエポキシ配線板(通常のプリント配線板)とフレキシブルプリント配線板との接続等において多用されている。 The flip chip mounting method is also used for connection between substrates, and electrical connection using an anisotropic conductive film using the flip chip mounting method is, for example, between a glass substrate and a flexible printed wiring board (FPC). And connection between a glass epoxy wiring board (ordinary printed wiring board) and a flexible printed wiring board.
異方性導電膜においては、その改良が進められており、例えば異方性導電膜に含有される導電性粒子を1層配列状態にしたもの等が提案されている(例えば特許文献1、2を参照)。 Improvements have been made in anisotropic conductive films, for example, one in which conductive particles contained in an anisotropic conductive film are arranged in a single layer has been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2). See).
特許文献1には、導電性粒子をバインダ樹脂に分散混合してなる樹脂組成物をフィルム状に成形し、その後圧延することにより導電性粒子を面方向に1層に配列させ、フィルムの厚み方向にのみ導電性を付与する異方導電性樹脂フィルム成形物の製造方法が開示されている。 In Patent Document 1, a resin composition obtained by dispersing and mixing conductive particles in a binder resin is formed into a film shape, and then rolled to arrange the conductive particles in a single layer in the plane direction. A method for producing an anisotropically conductive resin film molded article that imparts conductivity only to a thin film is disclosed.
また、特許文献2には、一の噴霧手段により噴出され、静電電位付与手段により静電電位が付与された導電性粒子と、他の噴霧手段により噴出された樹脂粒子とを被処理面上に同時に噴霧することにより、樹脂粒子で形成された樹脂膜中に導電性粒子が1層配列された異方性導電膜を得ることが開示されている。 Further, Patent Document 2 discloses that conductive particles ejected by one spraying unit and applied with an electrostatic potential by electrostatic potential applying unit and resin particles ejected by another spraying unit on the surface to be treated. It is disclosed that an anisotropic conductive film in which one layer of conductive particles is arranged in a resin film formed of resin particles is obtained by spraying simultaneously.
異方性導電膜において、対向する電極同士の間に配置されることになる導電性粒子は、その一部が接続の際の圧着によりバインダ剤とともに周囲に排除されることになる。したがって、通常の異方性導電膜では、排除される導電性粒子の量を見越して、必要量より多めに導電性粒子を含有させている。しかしながら、導電性粒子は、サイズが均一であること等が要求されていることから高価なものとなっており、必要量より多くの導電性粒子を添加することは、製造コストの増加を招く要因となる上、導電性粒子の凝集等が生じるおそれがある。 In the anisotropic conductive film, a part of the conductive particles to be disposed between the opposing electrodes is excluded together with the binder agent by pressure bonding at the time of connection. Therefore, in an ordinary anisotropic conductive film, the conductive particles are included in an amount larger than the necessary amount in anticipation of the amount of conductive particles to be excluded. However, the conductive particles are expensive because they are required to have a uniform size and the like, and adding more conductive particles than the necessary amount causes an increase in manufacturing cost. In addition, the conductive particles may be aggregated.
そこで、特許文献1、2に記載されているように、異方性導電膜に含有される導電性粒子を1層配列にすれば、これらの問題を解消することができると考えられる。 Therefore, as described in Patent Documents 1 and 2, it is considered that these problems can be solved if the conductive particles contained in the anisotropic conductive film are arranged in a single layer.
しかしながら、例えば特許文献1に記載の技術のように、圧延により異方性導電膜の厚さを導電性粒子の粒径レベルにまで薄くしてしまうと、接着成分(バインダ)も僅かな量となることから、接続強度が不足するおそれがあり、接続信頼性の点で課題を残すことになる。これを解消するために、上層に導電性粒子を含有しない層を設けて2層構造とする異方性導電膜も考えられる。しかしながら、単に2層構造にしただけでは、圧着時に下層中の導電性粒子の配列が乱れ、これにより電極間の導電性粒子の捕捉率が低下して電気的な導通が不十分になるおそれがある。 However, when the thickness of the anisotropic conductive film is reduced to the particle size level of the conductive particles by rolling as in the technique described in Patent Document 1, for example, the adhesive component (binder) is also a small amount. As a result, the connection strength may be insufficient, and a problem remains in connection reliability. In order to solve this problem, an anisotropic conductive film having a two-layer structure by providing a layer not containing conductive particles as an upper layer is also conceivable. However, if the two-layer structure is merely used, the arrangement of the conductive particles in the lower layer may be disturbed at the time of pressure bonding, which may reduce the trapping rate of the conductive particles between the electrodes, resulting in insufficient electrical conduction. is there.
一方、特許文献2に記載の技術のように、噴霧手段を用いて導電性粒子や樹脂粒子を噴霧して導電性粒子を片寄らせて1層配列にする方法では、異方性導電膜の作製が煩雑なものとなる等、生産性の点で問題が残る。また、圧着時の導電性粒子の配列乱れの問題も解消できない。 On the other hand, as in the technique described in Patent Document 2, in the method of spraying conductive particles and resin particles using a spraying means to shift the conductive particles to one layer arrangement, an anisotropic conductive film is produced. However, the problem remains in terms of productivity. Moreover, the problem of the disorder of the arrangement of the conductive particles at the time of pressure bonding cannot be solved.
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、導電性粒子を1層配列化した場合にも作製が容易であり、圧着時に導電性粒子の配列が乱れることのない異方性導電膜の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and can be easily manufactured even when the conductive particles are arranged in a single layer, and the arrangement of the conductive particles is not disturbed during press bonding. It aims at providing the manufacturing method of an anisotropic conductive film.
また、本発明の異方性導電膜の製造方法は、基材フィルム上に、接着成分と導電性粒子とを含有する第2の層を形成する工程と、前記第2の層の厚さが前記導電性粒子の粒径とほぼ等しくなるように前記第2の層を圧延する工程と、圧延した前記第2の層に含有される接着成分を半硬化状態となるように硬化する工程と、半硬化状態である前記第2の層の上に、接着成分を含有し且つ導電性粒子を含有しない第1の層を積層形成する工程とを有することを特徴とする。 Moreover, the manufacturing method of the anisotropic electrically conductive film of this invention has the process of forming the 2nd layer containing an adhesive component and electroconductive particle on a base film, and the thickness of the said 2nd layer is Rolling the second layer so as to be approximately equal to the particle size of the conductive particles, curing the adhesive component contained in the rolled second layer to be in a semi-cured state, A step of laminating a first layer containing an adhesive component and not containing conductive particles on the second layer in a semi-cured state .
本発明においては、異方性導電膜を構成する第2の層において、導電性粒子が1層配列とされているので、導電性粒子の必要量が抑えられる。また、第1の層が積層形成されているので、接着強度も確保される。さらに、第2の層において、接着成分が半硬化状態とされ、導電性粒子がある程度固定された状態とされているので、圧着時に導電性粒子の配列に乱れが生ずることもない。 In the present invention, since the conductive particles are arranged in a single layer in the second layer constituting the anisotropic conductive film, the necessary amount of conductive particles can be suppressed. In addition, since the first layer is formed by lamination, adhesion strength is also ensured. Furthermore, in the second layer, the adhesive component is in a semi-cured state and the conductive particles are fixed to some extent, so that the arrangement of the conductive particles is not disturbed at the time of pressure bonding.
本発明によれば、製造コストを削減しながら、信頼性の高い接続状態及び導通状態を得ることが可能な異方性導電膜を提供することが可能である。また、本発明によれば、導電性粒子が下層に局在化し1層配列した異方性導電膜を、汎用の工程を利用して簡単に作製することが可能な異方性導電膜の製造方法を提供することが可能である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is possible to provide the anisotropic electrically conductive film which can obtain a reliable connection state and conduction | electrical_connection state, reducing manufacturing cost. In addition, according to the present invention, an anisotropic conductive film in which conductive particles are localized in a lower layer and arranged in a single layer can be easily manufactured using a general-purpose process. It is possible to provide a method.
以下、本発明を適用した異方性導電膜及びその製造方法の実施形態(以下、「本実施の形態」という。)について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, an anisotropic conductive film to which the present invention is applied and an embodiment of a manufacturing method thereof (hereinafter referred to as “this embodiment”) will be described with reference to the drawings.
異方性導電膜を用いた接続構造体は、例えば図1の概略断面図に示すように、ICチップ等のチップ部品1と、フレキシブル配線基板や液晶パネル等の基板3とが、異方性導電膜5を介して電気的及び機械的に接続固定されることにより構成される。
For example, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 1, the connection structure using the anisotropic conductive film has an anisotropy between a chip component 1 such as an IC chip and a substrate 3 such as a flexible wiring board and a liquid crystal panel. It is configured by being electrically and mechanically connected and fixed through the
ここで、チップ部品1の一方の面には、接続端子としてバンプ(突起電極)2が形成されている。また、基板3の一方の面には、バンプ2と対向する位置に電極4が形成されている。そして、チップ部品1のバンプ2が形成された面と、基板3の電極4が形成された面との間には、異方性導電膜5が介在され、バンプ2と電極4とが対向する部分では、異方性導電膜5に含有される導電性粒子が押し潰されて電気的な導通が図られている。これと同時に、異方性導電膜5を構成する接着剤成分によりチップ部品1と基板3との機械的な接合も図られている。
Here, bumps (projection electrodes) 2 are formed as connection terminals on one surface of the chip component 1. An electrode 4 is formed on one surface of the substrate 3 at a position facing the bump 2. An anisotropic
チップ部品1に形成されるバンプ2は、例えばAu、Cu、半田等の導電性金属により形成され、その高さは、例えば数μm〜数十μm程度である。バンプ2は、メッキ等により形成することが可能であり、例えばバンプ2の表面のみを金メッキ等の導電性金属メッキとすることも可能である。 The bumps 2 formed on the chip component 1 are formed of a conductive metal such as Au, Cu, or solder, for example, and the height thereof is, for example, about several μm to several tens of μm. The bump 2 can be formed by plating or the like. For example, only the surface of the bump 2 can be conductive metal plating such as gold plating.
一方、基板3上に形成される電極4は、所定の回路に応じて形成される配線の部品実装位置に形成されるものであるため、ソルダーレジスト等によって被覆されず、露呈した状態で形成されている。なお、電極4の表面に、例えば金メッキ等を施すことも可能である。 On the other hand, since the electrode 4 formed on the substrate 3 is formed at the component mounting position of the wiring formed according to a predetermined circuit, it is not covered with a solder resist or the like and is formed in an exposed state. ing. In addition, it is also possible to give gold plating etc. to the surface of the electrode 4, for example.
図1に示す接続構造体においては、接続に使用する異方性導電膜5に含有される導電性粒子の必要量を削減しながら、導電性粒子を1層配列とすることで導通信頼性を確保することが必要である。また、異方性導電膜5による接続においては、十分な接着性の確保も必要である。
In the connection structure shown in FIG. 1, while reducing the necessary amount of conductive particles contained in the anisotropic
そこで、本実施の形態においては、図1に示す接続構造体において、チップ部品1と基板3との接続に使用される異方性導電膜5を2層構造とし、これらの要求を満たす異方性導電膜5を実現する。
Therefore, in this embodiment, in the connection structure shown in FIG. 1, the anisotropic
図2は、異方性導電膜5の概略的な構成を示す断面図である。異方性導電膜5は、例えばチップ部品1のバンプ2と接続する第1の層51と、基板3の電極4と接続する第2の層52とから構成される。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the anisotropic
ここで、第1の層51は、バインダとしての接着成分51Aを含有し且つ導電性粒子を含有しない層である。一方、第2の層52は、バインダとしての接着成分52Aと導電性粒子52Bとを含有する層である。この第2の層52は、後述する圧延工程により、導電性粒子の平均粒子径と同程度の厚さに圧延される。その結果、第2の層52は、図2に示すように、導電性粒子52Bが1列に配列された形状となる。
Here, the first layer 51 is a layer that contains an
この第2の層52に含有される導電性粒子52Bとしては、この種の一般的な異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の導電性粒子であれば、いずれの導電性粒子も使用することができ、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や、金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、あるいはこれらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等を使用することができる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものを使用する場合、樹脂粒子としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。導電性粒子52Bの平均粒径は、任意であるが、通常は数μm程度(例えば1μm〜4μm程度)である。
As the
次に、第1の層51、第2の層52の接着成分としては、従来から異方性導電膜5に使用されてきた熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を使用することができる。もっとも、第2の層52の接着成分52Aは、熱硬化性樹脂と紫外線硬化性樹脂とからなることが好ましい。熱硬化性樹脂と紫外線硬化性樹脂とを併用して接着成分52Aとすることにより、紫外線硬化性樹脂のみが硬化することで、第2の層52の硬化の程度を容易に調整して適度な半硬化状態とすることができる。また、熱硬化性樹脂及び紫外線硬化性樹脂の少なくとも一方に加え、異方性導電膜5を使用した際の流動性、硬化後の接着特性を調整するために、従来から使用されているフェノキシ樹脂等の熱可塑性樹脂、ゴム系ポリマー等をさらに添加するようにしてもよい。
Next, as an adhesive component of the first layer 51 and the
熱硬化性樹脂は、異方性導電膜5を使用した接続構造体の機械的な結合強度を得るために含有される。熱硬化性樹脂の具体例としては、各種エポキシ樹脂やエポキシ基含有(メタ)アクリレート、ウレタン変性(メタ)アクリレート等のアクリレート系樹脂を使用することができる。ここで、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA(BPA)型エポキシ樹脂、ビスフェノールF(BPF)エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらの熱硬化性樹脂の中でも、ビスフェノールA(BPA)型エポキシ樹脂やビスフェノールF(BPF)エポキシ樹脂が好適である。
The thermosetting resin is contained in order to obtain the mechanical bond strength of the connection structure using the anisotropic
熱硬化樹脂を硬化させるためには、硬化剤を添加する必要がある。硬化剤は、使用する熱硬化性樹脂の種類に応じて選択すればよく、例えば熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、イミダゾール系の潜在性硬化剤等が使用可能である。入手が比較的容易なものとして、商品名ノバキュアHX3741(旭化成社製)、商品名ノバキュアHX3921HP(旭化成社製)、商品名アミキュアPN−23(味の素社製)、商品名ACRハードナーH−3615(ACR社製)等を挙げることができる。 In order to cure the thermosetting resin, it is necessary to add a curing agent. The curing agent may be selected according to the type of thermosetting resin to be used. For example, when the thermosetting resin is an epoxy resin, an imidazole-based latent curing agent or the like can be used. Product names NovaCure HX3741 (Asahi Kasei Co., Ltd.), product name Novacure HX3921HP (Asahi Kasei Co., Ltd.), product name Amicure PN-23 (Ajinomoto Co., Inc.), product name ACR Hardener H-3615 (ACR) For example).
また、熱硬化性樹脂がアクリレート系樹脂である場合には、過酸化系の硬化剤が使用可能である。この過酸化系の硬化剤としては、例えば、ジアシルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類、パーオキシエステル、パーオキシケタール類、ジアルキルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、シリルパーオキサイド類等を挙げることができる。なお、第2の層52は、異方性導電膜5の完成時において半硬化しているため、第1の層51よりもその添加量は少なく処方される。
In addition, when the thermosetting resin is an acrylate resin, a peroxide curing agent can be used. Examples of the peroxide curing agent include diacyl peroxides, peroxydicarbonates, peroxyesters, peroxyketals, dialkyl peroxides, hydroperoxides, silyl peroxides, and the like. Can do. Since the
紫外線硬化性樹脂は、異方性導電膜の第2の層52を容易に適度な半硬化状態とするために、第2の層52の接着成分52Aとして単独で又は熱硬化性樹脂と共に使用されるものである。紫外線硬化性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用すると、接続構造体を作製する際に第1の層51と熱混合されるので、接続構造体全体としてさらに機械的な強度を高めることができる。この紫外線硬化性樹脂の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート等の各種アクリレート系樹脂や、前述の熱硬化性樹脂としても使用可能なエポキシ基含有(メタ)アクリレート、ウレタン変性(メタ)アクリレート等のアクリレート系樹脂が挙げられる。また、これらは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また、このようなアクリレートの代わりにメタクリレートを使用してもよい。
The ultraviolet curable resin is used alone or together with the thermosetting resin as the
紫外線硬化性樹脂を使用する場合には、光重合開始剤を添加する必要がある。例えば、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベンゾインエーテル;ベンジルヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール;ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類及びその誘導体;チオキサントン類;ビスイミダゾール類等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また、これら光重合開始剤に、必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加してもよい。 When an ultraviolet curable resin is used, it is necessary to add a photopolymerization initiator. Examples include benzoin ethers such as benzoin ethyl ether and isopropyl benzoin ether; benzyl ketals such as benzylhydroxycyclohexyl phenyl ketone; ketones such as benzophenone and acetophenone and derivatives thereof; thioxanthones; bisimidazoles and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add sensitizers, such as amines, a sulfur compound, a phosphorus compound, to these photoinitiators in arbitrary ratios as needed.
次に、異方性導電膜5の第2の層52においては、接着成分52Aに導電性粒子52Bを含有させて層形成を行えばよいが、1層配列した導電性粒子が、第1の層51との積層時に圧着時に配列乱れが生じないような工夫をする必要がある。そこで、本実施の形態においては、予め第2の層52に含有される接着成分を半硬化状態とし、導電性粒子を固定した状態にして配列乱れが生じないようにしてから、第1の層51を積層する。
Next, in the
例えば、第2の層52に含有される接着成分が紫外線硬化性樹脂のみの場合には、紫外線照射量を制御することにより、半硬化状態とする。もっとも、第2の層52に含有される接着成分として紫外線硬化性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用した場合には、通常の紫外線照射により、紫外線硬化性樹脂のみを硬化することで、半硬化状態とすることが可能となる。
For example, when the adhesive component contained in the
いずれの場合にも、第2の層52に含有される接着成分を半硬化状態とすることで、導電性粒子の配列乱れが抑制され、導通不良等を確実に回避することが可能となる。また、第2の層52に含有される接着成分を半硬化状態とするため、後の圧着工程にて本硬化させるようにすれば、接着剤としての機能も十分に発揮することができる。
In any case, by making the adhesive component contained in the
本実施の形態の異方性導電膜5においては、第2の層52上に第1の層51が積層形成されるが、第1の層51においては、接着成分は未硬化状態とする。
In the anisotropic
以上、本実施の形態における異方性導電膜の構成について説明したが、この異方性導電膜は、例えば以下の製造方法によって製造することが可能である。 Although the configuration of the anisotropic conductive film in the present embodiment has been described above, this anisotropic conductive film can be manufactured by the following manufacturing method, for example.
前述の2層構成の異方性導電膜5を作製する場合、先ず、第2の層52を形成する。第2の層52の形成は、例えば図3に示すように、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の基材フィルム11上に、接着成分52Aと導電性粒子52Bとを含有する異方性導電材料を塗布し、コーティング層12を形成する。
When the above-described anisotropic
第2の層は、前述の通り、このコーティング層12において、接着成分中52A中に導電性粒子52Bが1層配列されるものである。通常のコータを用いて導電性粒子が1層配列された薄膜を形成しようとしても、ギャップ間に導電性粒子が凝集する等して塗布形成することが難しい。そこで、導電性粒子52Bと接着成分52Aとからなる異方性導電材料を、予め導電性粒子52Bの粒径の2〜3倍程度の厚みとなるように基材フィルム11上にコーティングする。
As described above, in the coating layer 12, the second layer is one in which
次に、コーティング層12上に2の基材フィルム13を積層する。そして、コーティング層12が基材フィルム11,13で挟み込まれてなる積層体をラミネータロール14で圧延する。このローラ14による圧延作業により、導電性粒子52Bが1層配列されたフィルムとなる。
Next, the two
圧延作業後、コーティング層12中に予め配合された接着成分52Aを硬化反応させると、その後の第1の層51を積層した際の第1の層51及び第2の層52同士の混合や、第2の層52の流動を抑制し、導電性粒子52Bの配列乱れを抑制することができる。硬化反応は、接着成分52Aが紫外線硬化性樹脂のみからなる場合に加え、紫外線硬化性樹脂と熱硬化性樹脂とからなる場合も、紫外線を照射することにより行う。ただし、この硬化反応は、接着成分52Aが半硬化状態となるように行う。例えば、接着成分52Aが紫外線硬化性樹脂のみからなる場合には、硬化に必要とされる紫外線量の半分以下程度の量の紫外線を照射すればよく、また接着成分52Aが紫外線硬化性樹脂と紫外線硬化樹脂とからなる場合には、紫外線照射により紫外線硬化性樹脂のみを硬化すればよい。
After the rolling operation, when the
この段階でコーティング層12の接着成分52Aを完全に硬化してしまうと、圧着時の接着性を確保することが難しくなるので、半硬化状態とすることが重要である。
If the
次に、圧延作業により製造された第2の層52上に、導電性粒子を含有せず接着成分51Aのみを含有する第1の層51を積層する。これにより、導電性粒子が1層配列された層(第2の層52)を最下層とする2層構成の異方性導電膜が形成される。
Next, on the
作製された異方性導電膜5は、第2の層52が半硬化状態とされ、流動性が抑制されて導電性粒子52Bが固定されているので、導電性粒子52Bの使用量を大幅に削減しながら、十分な導通接続を図ることが可能である。
In the produced anisotropic
以上、本実施の形態について説明したが、本発明が前述の実施の形態に限定されないことは言うまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、異方性導電膜5は、前述の実施の形態では2層構成としたが、3層以上の構成とすることも可能である。この場合にも、最下層において導電性粒子が1層配列されるように各層を積層すればよい。
As mentioned above, although this Embodiment was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change is possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, the anisotropic
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例に限定されるものではない。 Next, specific examples of the present invention will be described. The scope of the present invention is not limited to the following examples.
<実施例1>
(1)第2の層の形成
下記に示す材料をそれぞれ下記に示す配合量(質量部)で配合し、接着成分及び導電性粒子を含有する第2の層の形成に用いる溶液を調整した。
アクリレート樹脂(2官能アクリルモノマ、CN112C60、サートマ社製) 70質量部
フェノキシ樹脂(PKHH、ユニオンカーバイド社製) 30質量部
光重合開始剤(イルガキュア369、チバスペシャリティーケミカルズ社製) 1質量部
熱硬化性開始剤(有機過酸化物、パーヘキサ3M、日本油脂社製) 4質量部
導電性粒子(4μmφ、ブライトGNR−EHLCD、日本化学工業社製) 15質量部
トルエン 100質量部
<Example 1>
(1) Formation of 2nd layer The material shown below was mix | blended by the compounding quantity (mass part) shown below, respectively, and the solution used for formation of the 2nd layer containing an adhesive component and electroconductive particle was adjusted.
Acrylate resin (bifunctional acrylic monomer, CN112C60, manufactured by Sartoma) 70 parts by mass Phenoxy resin (PKHH, manufactured by Union Carbide) 30 parts by mass photopolymerization initiator (Irgacure 369, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1 part by mass thermosetting Initiator (organic peroxide, Perhexa 3M, manufactured by NOF Corporation) 4 parts by mass of conductive particles (4 μmφ, Bright GNR-EHLCD, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.) 15 parts by mass Toluene 100 parts by mass
得られた溶液を、バーコータを用いて剥離処理したポリエステルフィルム(厚さ10μm)上に形成した後、溶剤であるトルエンを乾燥炉により揮発させて厚さ12μmからなる異方性導電膜(コーティング層)を形成した。続いて、このコーティング層上に他のポリエステルフィルム(厚さ10μm)を積層した。その後、この積層体に市販のラミネータにおけるラミネータロールを通過させた。その結果、ポリエステルフィルムに積層挟持された厚さ4μmの第2の層を得た。 The resulting solution was formed on a polyester film (thickness 10 μm) peel-treated using a bar coater, and then the solvent, toluene, was evaporated in a drying furnace to form an anisotropic conductive film (coating layer) having a thickness of 12 μm. ) Was formed. Subsequently, another polyester film (thickness 10 μm) was laminated on the coating layer. Thereafter, a laminator roll in a commercially available laminator was passed through this laminate. As a result, a second layer having a thickness of 4 μm sandwiched between the polyester films was obtained.
次に、ポリエステルフィルムの一方の面から、紫外線照射機(キュアマックス、大宮化成製)を用いて、紫外線を6mW/cm2の照射量で1分間照射し、第2の層を半硬化状態させた。 Next, from one side of the polyester film, an ultraviolet ray irradiator (Curemax, manufactured by Omiya Kasei Co., Ltd.) is used to irradiate ultraviolet rays at a dose of 6 mW / cm 2 for 1 minute to make the second layer semi-cured. It was.
(2)第1の層の形成
下記に示す材料をそれぞれ下記に示す配合量(質量部)で配合し、接着成分のみを含有し且つ導電性粒子を含有しない第1の層の形成に用いる溶液を調整した。
エポキシ樹脂(EP828、油化シェルエポキシ社製) 40質量部
フェノキシ樹脂(PKHH、ユニオンカーバイド社製) 30質量部
潜在性硬化剤(HX3941、旭化成社製) 30質量部
トルエン 100質量部
(2) Formation of the first layer The materials shown below are blended in the following blending amounts (parts by mass), and the solution is used for forming the first layer containing only the adhesive component and no conductive particles. Adjusted.
Epoxy resin (EP828, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) 40 parts by mass Phenoxy resin (PKHH, manufactured by Union Carbide) 30 parts by mass Latent curing agent (HX3941, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) 30 parts by mass Toluene 100 parts by mass
剥離処理したポリエステルフィルム(厚さ10μm)上に、調整された溶液をバーコータにより塗布した。その後、溶剤であるトルエンを乾燥炉により揮発させて厚さ16μmの第1の層を形成した。 The prepared solution was applied to a peeled polyester film (thickness 10 μm) by a bar coater. Thereafter, toluene as a solvent was volatilized in a drying furnace to form a first layer having a thickness of 16 μm.
(3)第2の層と第1の層の積層
第2の層の片面のポリエステルフィルムを剥離して第2の層のコーティング層を露出させ、第1の層の接着成分が露出している面と第2の層のコーティング層とを対向させて、第1の層上に第2の層を積層させて積層体を作製した。次に、この積層体に前述の市販のラミネータにおけるラミネータロールを通過させた。これにより、ポリエステルフィルムに挟持された、第1の層(厚さ16μm)と第2の層(厚さ4μm)とからなる異方性導電膜を得た。
(3) Lamination of second layer and first layer The polyester film on one side of the second layer is peeled to expose the coating layer of the second layer, and the adhesive component of the first layer is exposed. The surface and the coating layer of the second layer were made to face each other, and the second layer was laminated on the first layer to produce a laminate. Next, the laminator roll in the above-mentioned commercially available laminator was passed through this laminate. Thereby, an anisotropic conductive film composed of a first layer (thickness 16 μm) and a second layer (thickness 4 μm) sandwiched between polyester films was obtained.
<比較例1(従来の異方性導電膜)>
下記に示す材料をそれぞれ下記に示す配合量(質量部)で配合し、接着成分と導電性粒子とからなる1層構造の異方性導電膜の形成に用いる溶液を調整した。
エポキシ樹脂(EP828、油化シェルエポキシ社製) 40質量部
フェノキシ樹脂(PKHH、ユニオンカーバイド社製) 30質量部
潜在性硬化剤(HX3941、旭化成社製) 30質量部
導電性粒子(4μmφ、ブライトGNR−EHLCD、日本化学工業社製) 10質量部
トルエン 100質量部
<Comparative example 1 (conventional anisotropic conductive film)>
The materials shown below were blended in the following blending amounts (parts by mass) to prepare a solution used for forming an anisotropic conductive film having a one-layer structure composed of an adhesive component and conductive particles.
Epoxy resin (EP828, manufactured by Yuka Shell Epoxy) 40 parts by mass Phenoxy resin (PKHH, manufactured by Union Carbide) 30 parts by mass Latent curing agent (HX3941, manufactured by Asahi Kasei) 30 parts by mass conductive particles (4 μmφ, Bright GNR) -EHLCD, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.) 10 parts by mass Toluene 100 parts by mass
剥離処理したポリエステルフィルム(厚さ10μm)上に、調整された溶液をバーコータにより塗布した。その後、溶剤であるトルエンを乾燥炉により揮発させて、厚さ20μmの異方性導電膜を形成した。 The prepared solution was applied to a peeled polyester film (thickness 10 μm) by a bar coater. Thereafter, toluene as a solvent was volatilized in a drying furnace to form an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.
<評価>
実施例1、比較例1でそれぞれ作製した異方性導電膜を用いて、以下に示すITOガラス基板とICチップとの接続構造体を作製した。
・ITOガラス基板:厚み0.7mmのガラス基板の片面にITO(インジウム錫酸化物)電極が形成されたもの
・ICチップ:サイズ2mm×20mm×0.55(厚み)、バンプ面積2500μm2であるバンプを有するもの
<Evaluation>
Using the anisotropic conductive films produced in Example 1 and Comparative Example 1, respectively, the following connection structure of an ITO glass substrate and an IC chip was produced.
-ITO glass substrate: an ITO (indium tin oxide) electrode formed on one side of a 0.7 mm thick glass substrate-IC chip: size 2 mm x 20 mm x 0.55 (thickness), bump area 2500 µm 2 With bumps
具体的には、実施例1、比較例1でそれぞれ作製した異方性導電膜に形成されたポリエステルフィルムを剥離し、第2の層をITOガラス基板側に配置し、第1の層をICチップ側に配置した状態で、実施例1、比較例1でそれぞれ作製した異方性導電膜を介してICチップとITOガラスを接触させ、190℃、60MPa、10秒間の条件で熱圧着を行い、接続構造体を得た。得られた接続構造体における初期の導通抵抗、信頼性試験後(温度85℃、湿度85%及び250時間後)における導通抵抗の結果を[表1]に示す。 Specifically, the polyester film formed on the anisotropic conductive film produced in each of Example 1 and Comparative Example 1 is peeled off, the second layer is disposed on the ITO glass substrate side, and the first layer is IC. The IC chip and ITO glass are brought into contact with each other through the anisotropic conductive films prepared in Example 1 and Comparative Example 1 in a state of being arranged on the chip side, and thermocompression bonding is performed under conditions of 190 ° C., 60 MPa, and 10 seconds. A connection structure was obtained. Table 1 shows the results of the initial conduction resistance and the conduction resistance after the reliability test (temperature 85 ° C., humidity 85% and after 250 hours) in the obtained connection structure.
ここで、厚さ4μmの第2の層中に15質量部の導電性粒子を含有する実施例1(導電性粒子15質量部/全体120質量部×100=12.5%)と、厚さ20μmの異方性導電膜中に10質量部の導電性粒子を含有する比較例1(導電性粒子10質量部/質量全体110部×100=9.1%)との間で導電性粒子の全使用量を比較すると、12.5×4:9.1×20=50:182となる。 Here, Example 1 containing 15 parts by mass of conductive particles in the second layer having a thickness of 4 μm (15 parts by mass of conductive particles / total 120 parts by mass × 100 = 12.5%) and thickness Between Comparative Example 1 containing 10 parts by mass of conductive particles in a 20 μm anisotropic conductive film (10 parts by mass of conductive particles / 110 parts by mass as a whole × 100 = 9.1%) When the total amount used is compared, 12.5 × 4: 9.1 × 20 = 50: 182.
このように、実施例1の異方性導電膜では、導電性粒子が含有される第2の層の厚みを薄くすることができる結果、導電性粒子の全使用量が比較例1の1/3以下であるにもかかわらず、[表1]に示すように比較例1の異方性導電膜(従来の異方性導電膜)と同等の性能(抵抗値)が得られた。これにより、実施例1の異方性導電膜は、含有する導電性粒子の配列が乱れていないことがわかる。 As described above, in the anisotropic conductive film of Example 1, the thickness of the second layer containing the conductive particles can be reduced. As a result, the total amount of the conductive particles used is 1 / of that of Comparative Example 1. Despite being 3 or less, the performance (resistance value) equivalent to the anisotropic conductive film of Comparative Example 1 (conventional anisotropic conductive film) was obtained as shown in [Table 1]. Thereby, it turns out that the arrangement | sequence of the electroconductive particle which the anisotropic electrically conductive film of Example 1 contains is not disordered.
1 チップ部品、2 バンプ、3 基板、4 電極、5 異方性導電膜、51 第1の層、52 第2の層、11,13 基材フィルム、12 コーティング層、14 ラミネートロール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip component, 2 Bump, 3 Substrate, 4 Electrode, 5 Anisotropic conductive film, 51 1st layer, 52 2nd layer, 11, 13 Base film, 12 Coating layer, 14 Laminating roll
Claims (2)
前記第2の層の厚さが前記導電性粒子の粒径とほぼ等しくなるように前記第2の層を圧延する工程と、
圧延した前記第2の層に含有される接着成分を半硬化状態となるように硬化する工程と、
半硬化状態である前記第2の層の上に、接着成分を含有し且つ導電性粒子を含有しない第1の層を積層形成する工程とを有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法。 Forming a second layer containing an adhesive component and conductive particles on a base film;
Rolling the second layer such that the thickness of the second layer is approximately equal to the particle size of the conductive particles;
Curing the adhesive component contained in the rolled second layer to a semi-cured state;
And a step of laminating and forming a first layer containing an adhesive component and not containing conductive particles on the second layer in a semi-cured state. Method.
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