JP5608133B2 - 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5608133B2 JP5608133B2 JP2011132644A JP2011132644A JP5608133B2 JP 5608133 B2 JP5608133 B2 JP 5608133B2 JP 2011132644 A JP2011132644 A JP 2011132644A JP 2011132644 A JP2011132644 A JP 2011132644A JP 5608133 B2 JP5608133 B2 JP 5608133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum substrate
- sio
- film
- phosphoric acid
- oxygen gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
まず、アルミニウム板を準備する。上記アルミニウム板としては、5086合金(国際アルミニウム合金名)を用いることができる。また、5086合金以外の合金種を用いてもよい。
本発明では、上記アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施すことが重要である。上述したように、アルミニウム基板をりん酸に浸漬することによって、バリやグラインド加工時に形成された微細な突起を溶解除去できるため、アルミニウム基板の表面を平滑にできる。一方、りん酸以外のエッチング液を用いると、アルミニウム基板をエッチングできないか、エッチングできたとしてもピットが発生し、表面粗度が大きくなる。
本発明では、アルミニウム基板に対してりん酸処理を施した後、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成することが重要である。
C6H18Si2O+12O2 → 2SiO2+6CO2+9H2O
SiO2膜を形成した後は、SiO2膜の表面を公知の条件で研磨し、表面を平滑にすればよい。本発明によれば、研磨前にりん酸処理を施すことによってアルミニウム基板表面を平滑にしているため、研磨量を従来よりも低減でき、生産性を高めることができ、しかもコスト削減を実現できる。また、本発明では、アルミニウム基板の表面に形成されているSiO2膜は硬質であるため、従来から用いられているガラス板を研磨する方法やその装置などをそのまま利用できる。
本発明では、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に形成されている研磨後のSiO2膜について、FT−IR(フーリエ変換型赤外分光光度計)スペクトルを測定したときに、1220〜1280cm-1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000〜1200cm-1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比(P1/P2)が0.10以下であることが好ましい。
本発明のアルミニウム基板は、磁気記録媒体(磁気ディスク)用の基板として好適に用いることができる。本発明のアルミニウム基板を用いて磁気記録媒体を製造するにあたっては、該アルミニウム基板の表面に、公知の条件で磁気記録膜を形成し、必要に応じて、更に保護膜や潤滑膜を形成すればよい。
実験1では、エッチング液が研削アルミニウム基板の表面粗度に及ぼす影響を調べた。
実験2では、りん酸処理の有無が、アルミニウム基板の表面に形成したSiO2膜の表面粗度(中心面平均粗さSa)に及ぼす影響を調べた。
上記実験1で用いた円板状研削アルミニウム基板にりん酸処理を施した後、プラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成してアルミニウム基板を製造した。詳細な製造条件は次の通りである。
比較材として、上記実験1で用いた円板状研削アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施さずに、上記発明材と同じ条件のプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜(厚み3μm)を形成してSiO2膜被覆アルミニウム基板を製造した。
実験3では、酸素ガスと有機シロキサンガスの流量比が、アルミニウム基板表面に形成したSiO2膜を研磨した後の表面粗度(中心面平均粗さSa)に及ぼす影響を調べた。
Claims (6)
- アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程と、
りん酸処理後のアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。 - 前記酸素ガスとして、前記有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いる請求項1に記載の製造方法。
- 前記有機シロキサンガスとして、ヘキサメチルジシロキサンガスを用いる請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程の前に、前記アルミニウム基板を研削する工程を有し、
前記プラズマ化学気相成長法により形成されたSiO 2 膜の表面を研磨する工程を更に含む請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。 - 前記りん酸処理は、りん酸の濃度が5〜60質量%の水溶液を用い、液温を35〜60℃とし、アルミニウム基板の浸漬時間を4〜10分とする請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法で得られた磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、
該アルミニウム基板の表面に形成されているSiO2膜のFT−IRスペクトルを測定したときに、
1220〜1280cm-1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、
1000〜1200cm-1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比(P1/P2)が0.10以下であることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132644A JP5608133B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132644A JP5608133B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004132A JP2013004132A (ja) | 2013-01-07 |
JP5608133B2 true JP5608133B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=47672555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132644A Active JP5608133B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5608133B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6261399B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-01-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板 |
TW202020227A (zh) * | 2018-09-03 | 2020-06-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 化學研磨液及使用此化學研磨液之表面處理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0963048A (ja) * | 1995-08-17 | 1997-03-07 | Kobe Steel Ltd | Hdd用アルミニウム基盤研磨における前処理方法 |
JP5164107B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-03-13 | 株式会社ユーテック | プラズマcvd装置、薄膜の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP5250838B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-07-31 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置 |
-
2011
- 2011-06-14 JP JP2011132644A patent/JP5608133B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013004132A (ja) | 2013-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8821747B2 (en) | Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk | |
TWI748260B (zh) | 高平整度、低損傷大直徑單晶碳化矽基材及其製備方法 | |
JP6078942B2 (ja) | ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法、並びにガラス基板用研磨液組成物 | |
JP2012164417A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
Deng et al. | Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma-assisted polishing | |
KR20010075093A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 | |
WO2011021578A1 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
CN102820041A (zh) | 制造磁记录介质用玻璃基板的方法和磁记录介质用玻璃基板 | |
JP2016113356A (ja) | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 | |
TW201917186A (zh) | 碳化矽晶片及其製造方法 | |
JP2006089363A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、それにより得られる磁気記録媒体用ガラス基板およびこの基板を用いて得られる磁気記録媒体 | |
JP5608133B2 (ja) | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 | |
CN103938182B (zh) | 硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法 | |
CN101140868B (zh) | 外延晶片及其制造方法 | |
JP6513454B2 (ja) | 研磨物の製造方法 | |
Li et al. | Influence of acid slurries on surface quality of LBO crystal in fixed abrasive CMP | |
TWI738420B (zh) | 化學機械拋光墊調節器及其製造方法 | |
JP2006092718A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法およびそれにより得られる磁気記録媒体用ガラス基板 | |
JP5319095B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP5455143B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 | |
WO2015178339A1 (ja) | ガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびブラックマトリクス基板 | |
WO2016171065A1 (ja) | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び製造方法 | |
JP4285222B2 (ja) | 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板 | |
JP2006138011A (ja) | ダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法 | |
CN114774003B (zh) | NiP改性层化学机械抛光液及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20140801 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140826 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20140829 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5608133 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |