JP5598419B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5598419B2 JP5598419B2 JP2011114705A JP2011114705A JP5598419B2 JP 5598419 B2 JP5598419 B2 JP 5598419B2 JP 2011114705 A JP2011114705 A JP 2011114705A JP 2011114705 A JP2011114705 A JP 2011114705A JP 5598419 B2 JP5598419 B2 JP 5598419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- substrate
- film forming
- heating chamber
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
が提供される。
10…加熱室
11…加熱装置
12…ガス導入機構
13…ガス排出機構
14…制御装置
20…成膜処理装置
30…ゲート
50…カート
100…基板
Claims (6)
- 成膜処理対象の基板を成膜処理前に予備加熱する加熱室を備える成膜装置であって、
前記加熱室が、
前記基板を加熱する加熱装置と、
前記加熱室に窒素ガスを導入するガス導入機構と、
前記加熱室から前記窒素ガスを排出することにより、一定の排気時間で前記加熱室内の圧力を所定の搬送圧力に減圧するガス排出機構と、
前記ガス排出機構を制御して前記加熱室から前記窒素ガスの排出を開始させるのと同時に、前記排気時間で前記基板の基板温度が設定温度になるように前記加熱装置の発熱量の制御を開始する制御装置と
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記制御装置は、前記基板温度をリアルタイムで監視し、前記基板温度を用いたPID演算を行って、前記排気時間で前記基板温度が前記設定温度に達するように前記加熱装置の発熱量を制御することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記加熱室からの前記窒素ガスの排出を開始するまでは、前記加熱装置の発熱量が最大であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 成膜処理対象の基板を成膜処理前に予備加熱する加熱室を備える成膜装置を用いる成膜方法であって、
前記基板が格納された前記加熱室の内部に、所定の圧力になるまで窒素ガスを導入するステップと、
前記窒素ガスが導入された前記加熱室内において、加熱装置による前記基板の加熱を開始するステップと、
一定の排気時間による減圧で前記加熱室の圧力が搬送圧力に達するのと同時に前記基板の基板温度が設定温度に達するように、前記加熱室からの前記窒素ガスの排出と前記加熱装置の発熱量の減少とを同時に開始するステップと、
前記加熱室の圧力が前記搬送圧力に達し、且つ前記基板温度が前記設定温度に達する時刻に、前記加熱装置の発熱量を0%に制御するステップと
を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板温度をリアルタイムで監視し、前記基板温度を用いたPID演算を行って、前記加熱装置の発熱量を減少させ始めた時刻から前記排気時間で前記基板温度が前記設定温度に達するように前記加熱装置の発熱量を制御することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記加熱室からの前記窒素ガスの排出を開始するまでは、前記加熱装置の発熱量が最大であることを特徴とする請求項4又は5に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011114705A JP5598419B2 (ja) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011114705A JP5598419B2 (ja) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012241256A JP2012241256A (ja) | 2012-12-10 |
JP5598419B2 true JP5598419B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=47463288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011114705A Expired - Fee Related JP5598419B2 (ja) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5598419B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4718989B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-07-06 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
-
2011
- 2011-05-23 JP JP2011114705A patent/JP5598419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012241256A (ja) | 2012-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5530350B2 (ja) | プラズマ成膜方法、およびプラズマcvd装置 | |
JP2014108375A (ja) | 太陽電池素子構成材料の回収方法 | |
EP3291287B1 (en) | Roller type solar cell sintering and irradiation annealing integrated continuous furnace | |
JP2011044446A (ja) | 圧力制御機器、圧力制御方法および基板処理装置 | |
JP5598419B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2009170705A (ja) | 減圧式加熱装置とその加熱方法および電子製品の製造方法 | |
CN103262222B (zh) | 单晶硅晶片的热氧化膜形成方法 | |
JP5267176B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP6112042B2 (ja) | 連続焼鈍炉の立ち上げ方法 | |
JP2008306141A (ja) | Cvd装置 | |
JP2006342022A (ja) | SiOタブレットの製造方法、及びSiOタブレット | |
JP4202045B2 (ja) | 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法 | |
JP2009182006A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP5516470B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US8507366B2 (en) | Rapid thermal processing system and sulfidation method thereof | |
JP2008218490A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN115863487A (zh) | 太阳能电池的氧化退火工艺 | |
TWI473170B (zh) | Overspeed control heating method | |
JP5472802B2 (ja) | 連続式熱処理炉の設計方法及び連続式熱処理炉 | |
JPS6384017A (ja) | 気相成長方法 | |
JP4874754B2 (ja) | 被加熱物の熱処理方法 | |
CN116936399A (zh) | 改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法 | |
CN102148288A (zh) | 采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺 | |
JP2004140022A (ja) | 太陽電池用ウェハおよびその製造方法ならびにそのウェハから得られる太陽電池 | |
JP2005201470A (ja) | 焼成装置および焼成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5598419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |