JP5595052B2 - 真空吸着ノズル - Google Patents

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Description

本発明は、チップコンデンサやチップ抵抗器などのチップ状の電子部品を回路基板に実装するための電子部品装着機に好適に用いられる真空吸着ノズルに関する。
従来、チップコンデンサやチップ抵抗器などのチップ状の電子部品は、電子部品装着機に具備された真空吸着ノズルの先端の吸着面に真空吸引によって吸着された後、そのまま搬送されて回路基板の所定の位置へ実装される。このとき、このチップ状の電子部品の位置の測定は、光を照射して、このチップ状の電子部品によって反射された反射光をCCDカメラで受光し、画像解析装置でそのチップ状の電子部品の形状や電極の位置を解析することによって行なわれている。
図6は、真空吸着ノズルを具備した電子部品装着機を用いた、チップ状の電子部品を回路基板に実装する電子部品装着装置の構成を示す概略図である。
図6に示す電子部品装着装置50は、電子部品装着機44に具備された真空吸着ノズル31と、電子部品45を並べたトレイ46と、真空吸着ノズル31に吸着された電子部品45に向けて光を照射するライト47と、電子部品45からの反射光を受光するためのCCDカメラ48と、CCDカメラ48で受光した反射光を画像処理するための画像解析装置49とで構成されている。
そして、この電子部品装着装置50は、真空吸着ノズル31がトレイ46まで移動し、トレイ46上に並べられた電子部品45を吸着すると、ライト47が真空吸着ノズル31に吸着された電子部品45へ向けて光を照射し、この光が電子部品45の本体や電極に当たって反射する反射光をCCDカメラ48で受光し、CCDカメラ48で受光した画像を基に画像解析装置49によって電子部品45の位置を測定して、そのデータを基に回路基板(図示せず)の所定の位置に電子部品45を吸着した真空吸着ノズル31を移動させて、回路基板上に電子部品45を実装している。
図5は、電子部品装着機の保持部材に組み付けられた状態の真空吸着ノズルの構成の一例を示す、(a)は斜視図であり、(b)は縦断面図である。
この真空吸着ノズル31は、真空吸引することによって電子部品を吸着して保持するための吸着面32を先端の端面側に有した円筒部35と、円筒部35の吸着面32と相対する側に円筒部35に向かって先細りの形状で設けられた円錐部34と、円錐部34が吸着面32と相対する根元の端面側に設けた頭部36とを有する構成とされている。そして円筒部35の中心部を貫く内孔は、円錐部34と頭部36とに延設されて吸引孔33とされている。
また、保持部材40は真空吸着ノズル31の頭部36と嵌合する受け部41を中央に有し、その中心部に吸引孔33と連通するように吸引孔42を有しており、受け部41に真空吸着ノズル31の頭部36を嵌合して電子部品装着機に取り付けられるようにしてある。
そして、真空吸着ノズル31の材質としては、耐摩耗性に優れるセラミックスや超硬合金などが用いられている。
例えば、特許文献1には、チップ部品を吸着する吸着ノズルの先端部に耐摩耗性の優れたセラミックスを用いることや、このような吸着ノズルの先端部がカメラで撮影したとき
にチップ部品よりも画像入力レベルの低い色(濃い色、例えば黒色のセラミックスの色)で構成されることによって、チップ部品の位置検出が行なえることが開示されており、この吸着ノズルは耐摩耗性に優れ、チップ部品をノズルでピックアップした際の画像処理を確実に行なえることが開示されている。
しかしながら、例えば特許文献2には、セラミックス等の耐摩耗性に優れた材料を用いると、このような材料は摩擦係数が小さいために、実装機の高速化を図るとチップ部品と吸着ノズルとの接触面で滑りが起こり、プリント基板に装着する電子部品の安定した装着精度が得られないので、ノズル本体を耐摩耗性・耐衝撃性に優れた母材にて構成して耐久性を確保し、吸着ノズルの部品吸着面に母材よりも摩擦係数が大きい材料の接触材を設けることにより、電子部品の滑りを抑え、耐久性と安定した装着精度とを両立できるようにした吸着ノズルが開示されている。
また、特許文献3には、通常、吸着ノズルの吸着面はノズルの先端面に固定砥粒でもって研磨することにより平坦化されているが、固定砥粒を用いて研磨すると、吸着面に一方向に延びる直線状の加工痕が多数形成されるため、電子部品を吸着保持しても加工痕から空気の漏れが発生し、吸着力をさらに低下させるので、吸着面にショットブラスト加工を施して吸着面を形成するか、あるいは少なくとも先端面に粒径が0.5〜2μmの硬質粒子
を固着して吸着面を形成するかして、その表面粗さを最大粗さ(Ry)で0.5〜5μmと
した吸着ノズルが開示されている。これによれば、この吸着ノズルは高速移動時に電子部品のずれを生じたり落下させたりすること無く確実に保持することができるというものである。
特開平2−90700号公報 特開平11−26993号公報 特開平11−99426号公報
しかしながら、近年、真空吸着ノズルを高速で移動させてトレイ上の電子部品を吸着し、そのまま電子部品を回路基板まで移動して実装する工程等において、回路基板およびこれに実装する電子部品がますます小型化されて、実装する電子部品の数が増加する傾向にあるため、真空吸着ノズルが電子部品を吸着して回路基板の実装位置に載置するための時間を短縮することが課題となっている。
また、電子部品の小型化に伴って、電子部品を吸着する真空吸着ノズルの吸着面もさらに小型化が求められるが、真空吸着ノズルを小型化するためには強度的な問題があって限界があった。そのために、吸着面よりも電子部品のほうが小さくなって、CCDカメラで電子部品の位置を確認するときに、吸着面からの光の反射が電子部品の正確な位置の測定を妨害するという問題があった。
また、実装する電子部品が小型化して軽量化するとともに真空吸着ノズルもさらに小型化していることから、電子部品の滑りや落下がなく確実に電子部品を吸着し、この吸着した電子部品をいかにすばやく吸着面から離脱するとともに、吸着面への貼り付きをなくし吸着物の持ち帰りをなくして実装を高速化するかが課題となっていた。
とくに、特許文献1に開示されたチップ部品を吸着する吸着ノズルの先端部に耐摩耗性の優れたセラミックスを単に用いた場合には、実装機の高速化を図るとチップ部品と吸着
ノズルとの接触面で滑りが起こり、プリント基板に装着する電子部品の安定した装着精度が得られないという問題があった。さらに、実装機の高速化を図り、装着精度を向上させるためにセラミックに濃い色、例えば黒色のセラミックスを用いたとしても、カメラ側から光を照射してチップ部品の位置検出を行なうときに、吸着ノズルの先端部(吸着面)からの反射光の画像入力レベルがなお高い(吸着面の輝度が高い)ので、チップ部品の正確な位置検出ができず、装着精度が劣るという問題が残っていた。
この問題の対策として、特許文献2に開示されたように、ノズル本体を耐摩耗性・耐衝撃性に優れた母材にて構成して耐久性を確保し、吸着ノズルの部品吸着面に母材より摩擦係数が大きい材料の接触材を設けることにより、電子部品の滑りを抑え、耐久性と安定した装着精度を両立できるようにした吸着ノズルを用いたとしても、部品吸着面での電子部品の滑りは抑えられるものの、この電子部品の滑りを抑えたことによって電子部品を回路基板の実装位置に載置した後に部品吸着面から電子部品が離脱するのに時間を要することとなってしまうという問題があった。また、特許文献2には、電子部品を回路基板の実装位置に載置するための位置検出に画像解析装置を用いようとしても、部品吸着面からの反射光によって電子部品の正確な位置検出ができずに装着精度が劣るという課題、およびその解決方法については何ら記載されていなかった。
さらに、特許文献3に開示されたものは、吸着ノズルの吸着面にショットブラスト加工を施して吸着面を形成するか、あるいは少なくとも先端面に粒径が0.5〜2μmの硬質粒
子を固着して吸着面を形成し、吸着面の最大粗さ(Ry)を0.5〜5μmとすれば吸着ノ
ズルの高速移動時に電子部品のずれや落下がなく確実に保持できるものではあるが、吸着面を点状の加工痕が多数存在した凹凸面とし、一方向に延びる直線状の加工痕のない面としてあるので、吸着面と吸着物との隙間が狭くなると空気が流れにくくなって隙間の空気の圧力が急上昇してしまうことから、電子部品を吸着すると位置がずれたり、回路基板の実装位置に載置した後に吸着面から電子部品が離脱するのに時間を要したりするという問題が残っていた。また、特許文献3には、電子部品を回路基板の実装位置に載置するための位置検出に画像解析装置を用いる場合に、黒色系のセラミックスを用いることが記載されているが、特許文献1と同様に、吸着面からの反射光によって吸着面の輝度が高くなるので電子部品の正確な位置検出ができず装着精度が劣るという課題、およびその解決方法については何ら記載されていなかった。
本発明は、先端に吸着物を真空吸着して移送する際に吸着物の位置ずれや落下がなく、その移送先で吸着面から吸着物を離脱する時間を短縮することができ、さらに、装着精度や移送効率のよい真空吸着ノズルを提供することを目的とする。
本発明の真空吸着ノズルは、先端に吸着物を真空吸着する吸着面を備えた黒色系セラミックスからな、前記吸着面は、前記吸着物より大きな面積を有しているとともに、前記吸着物の吸着領域および吸着外領域の全面に亘って、一方から他方にまで繋がる列状の溝を有しており、該列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下であるとともに、切断
レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であることを特徴とする
ものである。
また、本発明の真空吸着ノズルは、上記各構成において、前記黒色系セラミックスは主成分が安定化剤を含むジルコニアであって、添加剤として酸化鉄を含有していることを特徴とするものである。
また、本発明の真空吸着ノズルは、上記各構成において、前記添加剤は含有量の総量が20質量%以上40質量%以下であり、酸化鉄が17.7質量%以上35.5質量%以下であることを特徴とするものである。
さらに、本発明の真空吸着ノズルは、上記各構成において、前記添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有することを特徴とするものである。
本発明の真空吸着ノズルによれば、先端に吸着物を真空吸着する吸着面を備えた黒色系セラミックスからなる真空吸着ノズルであることから、真空吸着ノズルで吸着した電子部品をライトで照射してCCDカメラで撮影したときに、電子部品はライトの反射光で鮮明に写るが、電子部品の背景は真空吸着ノズルが黒色系セラミックスであるために暗い状態となり、電子部品の輪郭は明瞭になるため、画像解析装置は真空吸着ノズルに吸着された電子部品の形状を認識しやすくなり、回路基板に実装する際の装着精度を高めることができる。
また、吸着面吸着物より大きな面積を有しており、吸着物の吸着領域および吸着外領域の全面に亘って、一方から他方にまで繋がる列状の溝を有していることから、吸着物を真空吸着したときに吸着物と真空吸着ノズルの吸着面との間で溝を介して僅かな空気漏れが生じるので、真空吸着ノズルが吸着物に近付いて吸着するときに急激な吸着が起こらないものとなって位置ずれを起こすことなく吸着できる。さらに、吸着物が吸着面から離脱するときに真空による貼り付きが残らないため、吸着物の持ち帰りがなく、さらに時間が短縮できて応答動作が速いので、装着精度や移送効率を高めることができる。
また、列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下であるときには、例えば電子部
品を回路基板の実装位置に載置するための位置検出を画像解析する場合に、吸着面に照射された光をCCDカメラの方向とは違う方向へ乱反射させることができるので、正確な位置検出ができるようになって装着精度が向上する。また、吸着物を真空吸着するときに溝からの適度な外気の流入があるので、位置ずれを起こすことなく吸着できるとともに、吸着の強さが大きく低下しないので移送中の吸着物の落下がなく、移送先での吸着面から吸着物を離脱する時間を短縮することができるので装着精度や移送効率が向上する。
また、本発明の真空吸着ノズルによれば、粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの
負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であることから、例えば電子部品を回路基板の実装位置に載置するための位置検出を画像解析する場合に、光を電子部品に照射しても周囲の真空吸着ノズルの吸着面からの反射光は広範囲に乱反射して電子部品からの反射光とは別の方向へも反射するので、電子部品の識別が可能となって正確な位置検出ができて、装着精度が向上する。また、吸着物を真空吸着するときに溝からの適度な外気の流入があるので、位置ずれを起こすことなく吸着できるとともに、吸着の強さが大きく低下しないので移送中の吸着物の落下がなく、移送先での吸着面から吸着物を離脱する時間を短縮することができるので装着精度や移送効率が向上する。
また、本発明の真空吸着ノズルによれば、黒色系セラミックスは主成分が安定化剤を含むジルコニアであって、添加剤として酸化鉄を含有しているときには、吸着物を繰り返し吸着および離脱したとしても、強度が高いので吸着面の破損が少なく、長時間の使用に耐えられる。さらに、添加剤として酸化鉄を含有すると、真空吸着ノズルが半導電性を有するものとなるので、静電気の帯電防止や、一瞬にして静電気を放電して電子部品などの吸着物を破壊することの防止ができる。また、真空吸着ノズルの製造過程で、吸着面を鏡面研磨するときに、添加剤として含有する酸化鉄がジルコニアよりも硬度が低いので、加工
性が向上して、所望の溝を作製しやすくなる。
また、本発明の真空吸着ノズルによれば、添加剤は含有量の総量が20質量%以上40質量%以下であり、酸化鉄が17.7質量%以上35.5質量%以下であるときには、真空吸着のズルの先端と後端との間の抵抗値を10〜1011Ωをとすることができ、真空吸着ノズルが高速で移動して空気との摩擦で発生する静電気により帯電したとしても、この静電気は保持部材と電子部品装着機とを通してアース(除電)できるために、真空吸着ノズルから周囲の電子部品などに静電気が急速に放電して周囲の電子部品が放電破壊するのを防止することができる。また、真空吸着ノズルが電子部品に近付いても、真空吸着ノズルの静電気は除電されているので、静電気の反発力で電子部品が吹き飛ぶという現象を抑えることができる。
また、本発明の真空吸着ノズルによれば、前記添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有することから、酸化鉄の結晶の粒成長を抑え、ジルコニアの持つ機械的特性を大きく低下させることなく、優れた半導電性のジルコニア焼結体が得られる。
本発明の真空吸着ノズルを電子部品装着機の保持部材に組み付けたときの構成の一例を示す、(a)は斜視図であり、(b)は(a)の縦断面図である。 本発明の真空吸着ノズルを具備した電子部品装着機を用いて、チップ状の電子部品を回路基板に実装する電子部品装着装置の構成を示す概略図である。 本発明の真空吸着ノズルの吸着面の一例を示す、(a)は吸着面の外形形状が円形状の場合を示す図であり、(b)は吸着面の外形形状が矩形状の場合を示す図であり、(c)は吸着面の外形形状が小判形状の場合を示す図である。 本発明の真空吸着ノズルの真空吸着ノズルの先端と後端との間の抵抗値を測定する方法を示す正面図である。 従来の電子部品装着機の保持部材に組み付けられた状態の真空吸着ノズルの構成の一例を示す、(a)は斜視図であり、(b)は縦断面図である。 従来の真空吸着ノズルを具備した電子部品装着機を用いた、チップ状の電子部品を回路基板に実装する電子部品装着装置の構成を示す概略図である。
以下、本発明の実施の形態の例を説明する。
図1は本発明の真空吸着ノズルを電子部品装着機の保持部材に組み付けたときの構成の一例を示す、(a)は斜視図であり、(b)は(a)の縦断面図である。
図1に示す真空吸着ノズル1は、真空吸引することによって吸着物である電子部品(図示せず)を吸着して保持するための吸着面2を先端の端面側に有した円筒部5と、円筒部5の吸着面2と相対する側に円筒部5に向かって先細りの形状で設けられた円錐部4と、円錐部4が吸着面2と相対する根元の端面側に設けた頭部6とを有する構成である。そして、円筒部5を貫通して吸着面2に開口した内孔は、円錐部4と頭部6とに延設して頭部6の表面に開口させて、吸引孔3としてある。
また、真空吸着ノズル1の頭部6と嵌合する受け部11を有し、吸引孔3と連通するように吸引孔12を有している保持部材10が、真空吸着ノズル1の頭部6と受け部11とを嵌合させて取り付けられており、この保持部材10を介して真空吸着ノズル1が電子部品装着機(図示せず)に取り付けられるようにしてある。
次に、図2に、本発明の真空吸着ノズル1を具備した電子部品装着機を用いて、チップ
状の電子部品を回路基板に実装する電子部品装着装置の構成を概略図で示す。
図2に示す電子部品装着装置20は、電子部品装着機14に具備した真空吸着ノズル1と、電子部品15を並べたトレイ16と、真空吸着ノズル1に吸着された電子部品15に向けて光を照射するライト17と、ライト17の反射光を受光するためのCCDカメラ18と、CCDカメラ18で受光した反射光(画像)を画像処理するための画像解析装置19とで構成されている。
そして、この電子部品装着装置20は、真空吸着ノズル1がトレイ16まで移動し、トレイ16上に並べられた電子部品15を吸着すると、ライト17が真空吸着ノズル1に吸着された電子部品15へ向けて光を照射し、この光が電子部品15の本体や電極に当たって反射する反射光をCCDカメラ18で受光し、CCDカメラ18で受光した画像を基に画像解析装置19によって電子部品15の位置を測定して、そのデータを基に回路基板(図示せず)の所定の位置に電子部品15を吸着した真空吸着ノズル1を移動させて、回路基板の表面に電子部品15を実装するものである。
そして、本発明の真空吸着ノズル1は、先端に吸着物を真空吸着する吸着面2を備えた黒色系セラミックスからなる真空吸着ノズル1であって、吸着面2に互いに実質的に平行な列状の溝を有し、列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下であることが重要で
ある。
図3は本発明の真空吸着ノズルの吸着面の一例を示す、(a)は吸着面の外形形状が円形状の場合を示す図であり、(b)は吸着面の外形形状が矩形状の場合を示す図であり、(c)は吸着面の外形形状が小判形状の場合を示す図である。
図3(a)〜(c)に示すように、真空吸着ノズル1は、吸着物を真空吸着する吸着面2に、互いに実質的に平行な列状の溝8を有している。この図3(a)〜(c)に示す溝8によって、吸着物を真空吸着したときに吸着物と真空吸着ノズル1の吸着面2との間で溝8を介して僅かな隙間が生じ、この隙間から空気の流入が生じるので、真空吸着ノズル1が吸着物に近付いて吸着するときに、急激な吸着が起こらないので位置ずれを起こすことなく吸着物を吸着することができる。また、吸着物が吸着面2から離脱するときに真空による貼り付きがなくなるために、吸着物の持ち帰りが発生しなくなり、さらに離脱にかかる時間が短縮でき応答動作が速いので、装着精度や移送効率を高めることができる。
さらに、本発明の真空吸着ノズル1に用いるセラミックスは黒色系セラミックスとしたことから、真空吸着ノズル1で吸着した電子部品15をライト17で照射してCCDカメラ18で撮影したときに、電子部品15はライト17の反射光で鮮明に写るが、電子部品15の背景は真空吸着ノズル1が黒色系セラミックスであるために暗い状態となり、電子部品15の輪郭は明瞭になる。そのため、画像解析装置19は真空吸着ノズル1に吸着された電子部品15の形状を認識しやすくなるので、回路基板に実装する際の装着精度が高くなる。また、黒色系セラミックスとしては、黒色系の導電性付与材を添加したジルコニア,アルミナ,窒化珪素および炭化珪素などがある。また、茶色系や青色系など他の色調を有するセラミックスでも、濃い色調とすることにより黒色系セラミックスと同様の効果を得ることができる。
さらに、吸着面2に互いに実質的に平行な列状の溝8を有し、この列状の溝8に対して直交する方向の粗さ曲線におけるJIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下としたので、例えば、吸着面2の列状の溝8の横断面形状が
波状であれば、列状の溝8の表面で吸着面2に照射された光を乱反射させたり、場合によ
ってはCCDカメラの方向とは違う方向へ反射させたりすることもできる。このとき、その反射光は吸着物からの反射光とは識別が可能となるので、正確な位置検出ができるようになって装着精度が向上する。
なお、この算術平均粗さRaが0.017μm未満になると、溝8からの空気の流入が少な
くなることから、吸着物を吸着するときの位置ずれが発生しやすくなるとともに、移送先で吸着面2から吸着物を離脱する時間が長くなることとなる。逆に、算術平均粗さRaが0.06μmを超えると、列状の溝8の表面で吸着面2に照射された光をさらに乱反射させることができるものの、溝8からの空気の流入が多くなることから、吸着する力が低下することにより吸着物を移送するときの吸着物を落下させてしまうことがある。
また、真空吸着ノズルは、列状の溝に対して直交する方向における粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であることが好ましい
本発明の真空吸着ノズル1は、列状の溝8に対して直交する方向における粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であるときには
、例えば電子部品を回路基板の実装位置に載置するための位置検出を画像解析する場合に、光を電子部品に照射しても周囲の真空吸着ノズルの吸着面からの反射光は広範囲に乱反射して電子部品からの反射光とは別の方向へ反射するので、さらに電子部品の識別が可能となって正確な位置検出ができて、装着精度が向上する。
なお、この切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが93.2%を超えると、吸着面2からの反射光が乱反射することが少なくなり、その反射光と電子部品15からの反射光との識別が難しくなるので、正確な位置検出ができなくなる傾向にある。逆に、この切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%未満になると、溝8の間隔が狭くなることから吸着面2での反射光が一定の方向に多くなり、吸着面2の輝度が高くなって電子部品15からの反射光との識別が困難になる傾向にある。
なお、吸着面2において、互いに実質的に平行な列状の溝8は、吸着面2の面上にどのような方向に形成されていても構わないが、例えば図2に示す電子部品装着装置20のような装置で本発明の真空吸着ノズル1を用いる場合には、ライト17から照射した光が吸着面2で反射してCCDカメラ18で受光する反射光の量が多くならないようにすることが好ましいので、ライト17から照射する光が吸着面2に形成した列状の溝8にできるだけ垂直に当たるように、真空吸着ノズル1を電子部品装着装置20に取り付けるのが好ましい。
この点から、電子部品装着装置20の真空吸着ノズル1は、図2の矢印方向に移動するものであるが、吸着面2が円形状や矩形状ではなく長方形状や楕円形状のような形状に長短のあるような場合には、真空吸着ノズル1はその移動方向がその形状の長手方向に垂直な方向になるように取り付けられることが多いので、吸着面2に形成する列状の溝8は、図3(b)および(c)に示すように、吸着面2の形状の長手方向に平行に形成することが好ましい。
なお、吸着面2の列状の溝8に対して直交する方向の粗さ曲線における、算術平均粗さRaおよび粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrは、JIS B
0601(2001)に準拠して測定すればよく、測定長さおよびカットオフ値をそれぞれ4.8
mmおよび0.8mmとし、触針径を5μmとして触針の走査速度は0.5mm/秒に設定し、この測定で得られた10箇所の平均値とする。
また、真空吸着ノズルは、主成分が安定化剤を含むジルコニアであって、添加剤として
酸化鉄を含有していることが好ましい。
主成分が安定化剤を含むジルコニアであって、添加剤として酸化鉄を含有しているときには、特に、図1(a)に示す真空吸着ノズル1のように、円筒部5を有しており、その径が細い形状の真空吸着ノズル1の場合には、セラミックスとしての機械的強度が高いため、例えばこのときの強度の好ましい範囲は、750MPa以上である。
さらに、添加剤として酸化鉄を含有しているときには、真空吸着ノズルが半導電性を有するものとなるので、真空吸着ノズル1が高速で移動して空気との摩擦で発生する静電気の帯電防止や、一瞬にして静電気を放電して電子部品などの吸着物を破壊することの防止ができる。また、真空吸着ノズルの製造過程で、吸着面を鏡面研磨するときに、添加剤として含有する酸化鉄がジルコニアよりも硬度が低いので、加工性が向上して、所望の溝を作製しやすくなる。
また、ジルコニアの平均結晶粒子径は3μm以下のものが好ましい。ジルコニアの平均結晶粒子径を3μm以下とすることで、真空吸着ノズル1の作製や補修の際に吸着面2に対して研削加工や鏡面加工をするときに、結晶粒子が脱落しにくくなることから吸着面2に欠けが生じにくくなる。
また、吸着面2の径が0.7mm以下と小さな真空吸着ノズル1であるときにも、吸着物
である電子部品15を回路基板に配設し実装したときに、真空吸着ノズル1の吸着面2の一部が先に実装してある電子部品や周囲に実装してある部品に接することによって破損するという問題を防止することができる。
また、真空吸着ノズル1は、添加剤は含有量の総量が20質量%以上40質量%以下であり、酸化鉄が17.7質量%以上35.5質量%以下であることが好ましい。
添加剤は含有量の総量が20質量%以上40質量%以下で、酸化鉄が17.7質量%以上35.5質量%以下であるときには、例えば真空吸着ノズル1の先端と後端との間の抵抗値を10〜1011Ωとすることができ、真空吸着ノズル1が高速で移動して空気との摩擦で発生する静電気により帯電したとしても、この静電気は保持部材10と電子部品装着機20とを通してアース(除電)できるために、真空吸着ノズル1から周囲の電子部品15などに静電気が急速に放電して周囲の電子部品15が放電破壊するのを防止することができる。また、真空吸着ノズル1が電子部品15に近付いても、真空吸着ノズル1の静電気は除電されているので、静電気の反発力で電子部品15が吹き飛ぶという現象を抑えることができる。また、酸化鉄が17.7質量%未満になると、この抵抗値が1011Ωを超え、真空吸着ノズル1が高速で移動して空気との摩擦により発生した静電気を帯電しやすくなり、真空吸着ノズル1が電子部品15に近付くと静電気の反発力により電子部品15が吹き飛ぶという現象が発生するおそれがある。また、酸化鉄が35.5質量%を超えると、この抵抗値が10Ω未満になり、真空吸着ノズル1の周囲にある部品などに静電気が帯電しているとそれらから放電しやすくなり、吸着している電子部品15を静電破壊してしまうという問題が生じるおそれがある。
ここで、図4は真空吸着ノズル1の先端と後端との間の抵抗値を測定する方法を示す正面図であり、真空吸着ノズル1の先端となる吸着面2に一方の電極60を接触させ、後端となる頭部6の端面に他方の電極60を接触させた状態を示している。そして、これら電極60・60には電気抵抗測定器(図示せず)が接続されており、真空吸着ノズル1の先端側と後端側の電極60・60間に任意の電圧を加えて真空吸着ノズル1の先端と後端の間の抵抗値を測定すればよい。測定に際して加える電圧は真空吸着ノズル1の形状や材質および抵抗値などに合わせて設定すればよく、おおよそ10〜1000Vの範囲であれば問題はない。
また、真空吸着ノズル1は、添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有することが好ましい。
添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有するときには、添加剤である酸化クロムおよび酸化チタンが半導電性を有するために添加した酸化鉄の結晶の粒成長を抑えることができることから、ジルコニアの持つ機械的特性を大きく低下させることなく、優れた半導電性のジルコニア焼結体が得られる。特に、図1(a)に示す真空吸着ノズル1のように、円筒部5を有しており、その径が細い形状の真空吸着ノズル1の場合には、セラミックスとしての機械的強度を大きく低下させることなく、例えば吸着物として電子部品15を用いて着脱を繰り返しても、強度を維持できるので吸着面2の破損が少なく、長時間の使用に耐えられる。さらに、添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有しているときには、真空吸着ノズルが半導電性を有するものとなるので、真空吸着ノズル1が高速で移動して空気との摩擦で発生する静電気の帯電防止や、一瞬にして静電気を放電して電子部品などの吸着物を破壊することの防止ができる。
なお、強度の測定は、製品と同一組成、同一焼成条件で作製した焼結体を、3mm×4mm×40mmのサイズに加工して試験片とし、JIS R 1601 2008に準拠して4点曲
げ強度の測定を行なえばよい。
次に、本発明のセラミックス製の真空吸着ノズル1の製造方法を説明する。
本発明の真空吸着ノズル1を構成する黒色系セラミックスとしては、安定化剤を含むジルコニア,アルミナ,窒化珪素および炭化珪素など公知の材料を用いることができる。
例えば、本発明の真空吸着ノズル1を構成する黒色系セラミックスとして、安定化剤を含むジルコニアセラミックスおよびアルミナセラミックスなどを用いる場合には、添加剤としては、酸化鉄,酸化コバルト,酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも1種か、または炭化チタンや窒化チタンを含むものを用いることができる。
例えば、安定化剤としてイットリアを含むジルコニアを65質量%に対して酸化鉄を35質量%の割合で混合し、この原料をボールミルに投入して所定の粒度まで粉砕してスラリーを作製し、スプレードライヤーを用いて噴霧乾燥して顆粒を形成する。
次に、この顆粒と熱可塑性樹脂とをニーダに投入して加熱しながら混練して得られた坏土をペレタイザーに投入すれば、インジェクション成形用の原料となるペレットを得ることができる。なお、ニーダに投入する熱可塑性樹脂としては、エチレン酢酸ビニル共重合体やポリスチレンやアクリル系樹脂などをセラミックスの質量に対して10〜25質量%程度添加すればよく、ニーダを用いて混練中の加熱温度は140〜180℃に設定すればよい。また、混練の条件はセラミックスの種類や粒度、および熱可塑性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。
そして、得られたペレットをインジェクション成形機に投入して射出成形すれば、真空吸着ノズル1となる成形体が得られる。このとき、得られた成形体には通常は射出成形したときの余分な原料が冷えて固まったランナが付随しているので、脱脂する前に切断しておく。
ここで、ジルコニアセラミックスおよびアルミナセラミックスの焼成条件としては、導電性付与材が酸化鉄,酸化コバルト,酸化クロムおよび酸化ニッケルの少なくとも1種の場合には、大気雰囲気中での焼成で最高温度を1300〜1700℃の範囲として、最高温度での保持時間を1〜5時間とすればよい。また、導電性付与材が炭化チタンの場合には、最高
温度を1400〜1800℃の範囲として、最高温度での保持時間を1〜5時間とし、真空雰囲気中またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で焼成すればよい。また、導電性付与材が窒化チタンの場合には、これら真空雰囲気中または不活性雰囲気中に加えて、窒素ガス雰囲気中で焼成してもよい。これにより、黒色系セラミックス製の真空吸着ノズル1に適度な導電性を付与することができる。
さらにまた、本発明の真空吸着ノズル1を構成する黒色系セラミックスとして、炭化珪素を用いる場合には、添加剤として炭素を用いることができる。
例えば、炭化珪素を99質量%に対して炭素を1.0質量%の割合で混合し、この原料をボ
ールミルに投入して所定の粒度まで粉砕してスラリーを作製し、スプレードライヤーを用いて噴霧乾燥して顆粒を形成し、上述と同様の工程をへてインジェクション成形機に投入して上述と同様の方法で射出成形すれば、真空吸着ノズル1となる成形体が得られる。
そして、得られたペレットをインジェクション成形機(射出成形機)に投入して射出成形すれば、真空吸着ノズル1となる成形体が得られる。このとき、得られた成形体には通常は射出成形したときの余分な原料が冷えて固まったランナが付随しているので、脱脂する前に切断しておく。
ここで、炭化珪素の焼成条件としては、真空雰囲気中またはアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で焼成すればよく、最高温度は1900〜2200℃とし、最高温度での保持時間を1〜5時間とすればよい。
なお、焼成後の真空吸着ノズル1は、黒色系セラミックスの表面の導電性が、内部よりも低下したり、ばらついて不安定となったりしないように、バレル加工などで研磨してセラミックスの面状態を一様にしておいてもよい。
そして、真空吸着ノズルの吸着面2に互いに実質的に平行な列状の溝8を作製する方法としては、吸着面2を平面研削盤を用いて研磨加工する方法を採用すればよい。また、算術平均粗さRaおよび負荷長さ率Rmrを調整するには砥石の番手や、砥石の送り条件で調整すればよい。さらに研磨加工後に吸着面2を酸処理やアルカリ処理によって処理しても調整できる。
以下、本発明の実施例を説明する。
セラミックスの主成分は、安定化剤としてイットリアを3モル%含むジルコニアを選択し、これに酸化鉄,酸化クロムおよび酸化チタンをそれぞれセラミックスの全体量に対して表1に示す試料No.1および2の様に秤量し原料とした。そして、この試料No.1および2の原料に水を加えてボールミルで粉砕・混合してスラリーを作製し、これらのスラリーをスプレードライヤーを用いて噴霧乾燥し、顆粒を作製した。そして、この顆粒100質量部に対してエチレン酢酸ビニル共重合体,ポリスチレンおよびアクリル系樹脂を合
計20質量部加えてニーダに投入し、約150℃の温度に保ちながら混練して坏土を作製した
。次に、得られた坏土をペレタイザーに投入してインジェクション成形用の原料となるペレットを作製した。そして、このペレットを公知のインジェクション成形機に投入し、図1に示す真空吸着用ノズル1とフランジ(保持部材)10となる成形体をそれぞれ作製した。
そして、得られた各成形体を乾燥機に入れて乾燥した後、酸化雰囲気である大気雰囲気中での焼成で最高温度を1400〜1650℃の範囲とし、最高温度での保持時間を2〜3時間と
してそれぞれ焼成して焼結体とした。
Figure 0005595052
そして、得られた焼結体に対して、真空吸着ノズル1の吸着面2となる部分の円筒部5に、図3(a)に示すような、吸着面2に互いに実質的に平行な列状の溝8を、三井ハイテック株式会社製のMSG−612CNC型平面研削盤を使用して、砥石番手を#400〜#1500とし、研削加工条件として、砥石の送り速度を50〜300mm/分および砥石の切込量を
1〜20μmの範囲で研削条件を変えて、表2に示すような試料No.1−1〜2−6の真空吸着ノズルの各試料を作製した。
次に、得られた試料No.1−1〜2−6の真空吸着ノズル1の焼結体について、各試料の吸着面の状態および吸着面の呈色について表2に示す。そして、これらの算術平均粗さRa,位置ずれ発生率,落下発生率,持ち帰り発生率および輝度について調べた。
算術平均粗さRaについては、真空吸着ノズル1の吸着面2の列状の溝8に対して直交する方向の粗さ曲線における、算術平均粗さを、各試料を作製したときと同一条件で外形サイズが10mm×10mm×0.5mmtの測定用の試料を別途作製して測定した。このとき
の測定器には、Taylor Hobson社製のTalySurf S4C型面粗さ測定器を使用し、JIS B 0601(2001)に準拠して測定した。このときの測定長さおよびカットオフ値をそれぞれ4.8mmおよび0.8mmとし、触針径を5μmとして触針の走査速度は0.5mm/秒に設
定して、測定試料の研削溝の方向である列状の溝8に対して垂直方向に測定した。なお、測定数は10個とし、測定結果はその平均値とした。
位置ずれ発生率,落下発生率および持ち帰り発生率については、得られた真空吸着ノズル1とフランジ10とを組み付けた真空吸着ノズル組み立て体7の試料を電子部品装着機14に取り付けて稼動させて0603タイプ(寸法が0.6mm×0.3mm)の電子部品15の真空吸着テストを行ない、電子部品15の吸着時の位置ずれ発生率、搬送時の落下発生率および電子部品15を装着位置まで運んだが電子部品15が吸着面2から離れずに真空吸着ノズル1が元の位置に戻ったいわゆる持ち帰り発生率については、1万個の吸着を行ない、ダミー基板
上に電子部品15を実装してその個数を数えることで、電子部品15の位置ずれの発生率および持ち帰り発生率を確認した。
また、真空吸着ノズル1の吸着面2の輝度測定は、光源に波長が400〜750nmの白色LEDを用いて、吸着面2との距離が20〜40mm、照射角度が45°となるようにセットし、さらに、汎用CCDカメラ(KEYENCE社製 倍速白黒カメラ 型式CV−020)を真空吸着ノズル1と向かい合わせでセットして、256階調で画像処理を行なって輝度値の算出をし
た。なお、測定個数は10個とし、測定結果はその平均値とした。
得られた結果を表2に示す。
Figure 0005595052
表2に示す結果から、まず、吸着面2の呈色については、本発明の範囲外である、吸着面2の呈色が白色である試料No.1−1は、吸着面2の呈する色が白色のために反射光が多く輝度が210と高くなった。これに対して、試料No.1と同様の加工をした本発明
の試料No.2−4は、吸着面2の呈する色が黒色のために反射光が少なく輝度が75と低くなったことが分かる。
次に、吸着面2に平行な互いに実質的に平行な列状の溝を有しており、列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが本発明の範囲外である試料No.2−1および2−2は、吸着面2の状態が、列状の溝を有しない鏡面またはRaが0.16μmであることから輝度は、それぞれ60および70と低く抑えることができるが、溝8からの空気の流入が少なくなることから、電子部品15を吸着するときの位置ずれや、電子部品15の持ち帰りが各々3.0%および0.5%と多くなったことがわかる。また、試料No.2−6は、Raが0.62μmであることから溝8からの空気の流入が多くなることから、吸着する力が低下することにより電子部品15を移送するときの電子部品15の落下発生率が、0.5%と高くなったことが分かる。これに対して本発明の
範囲内である。試料No.2−3〜2−5は、輝度が72〜77と低く抑えられ電子部品15の位置ずれ発生率,落下発生率および持ち帰り発生率が各々0.03〜0.06%,0%および0.23〜0.30%と低く抑えることが分かる。
以上のことから本発明の真空吸着ノズルによれば、黒色系セラミックスからなる真空吸着ノズルであって、前記吸着面に互いに実質的に平行な列状の溝を有しており、該列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下であり、前記粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であることから、輝度を低くすることができるとともに、電子部品15の位置ズレの発生率,落下発生率および持ち帰り発生率を低くおさえることができることが分かる。
次に、実施例1で作製した真空吸着ノズル1の焼結体の試料No.2−3〜2−5について、吸着面2の粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrの条件を35.5%,38.0%,65.0%,93.2%および93.5%の5水準に条件を変えて試料No.3〜17
を作製した。そして、電子部品15の位置ずれ発生率,落下発生率,持ち帰り発生率および輝度について調べた。その各評価方法は、実施例1と同様の方法で評価した。
またこのときの焼結体に対して、図3(a)に示すような、吸着面2に互いに実質的に平行な列状の溝8は、三井ハイテック株式会社製のMSG−612CNC型平面研削盤を使
用して、砥石番手を#400〜#1500とし、研削加工条件として、砥石の送り速度を50〜300mm/分および砥石の切込量を1〜20μmの範囲で研削条件を変えて、表3に示すような
試料No.3〜17の真空吸着ノズルの各試料を作製した。
得られた結果を表3に示す。
Figure 0005595052
表3に示す結果から、吸着面2の粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ
率Rmrの条件が35.5%の試料No.3,8および13は、反射光が一定の方向に多くなり輝度が高くなり電子部品15の識別が若干難しくなり電子部品15の正確な位置検出が難しくくなり位置ズレの発生率が0.05〜0.06%となった。また、負荷長さ率Rmrの条件が93.5%の試料No.7,12および17は、吸着面2からの反射光が乱反射することが少なくなり、その反射光と電子部品15からの反射光との識別が難しくなったため電子部品15の正確な位置検出が難しくなり位置ズレの発生率が0.08〜0.10%となった。これに対して負荷長さ率Rmrの条件が38.0%,65.0%および93.2%の範囲の試料No.4〜6,9〜11および14〜16は、輝度を低く抑えられることから電子部品15の識別が可能となり電子部品15の正確な位置検出ができて位置ズレの発生率が0.01〜0.03%と低く抑えられたことが分かる。
以上のことから粗さ曲線における切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%
以上93.2%以下であれば、吸着面2からの反射光は広範囲に乱反射して電子部品からの反射光とは別の方向へも反射するので、電子部品の識別が可能となってさらに正確な位置検出ができて、装着精度が向上することが分かる。
セラミックスの主成分は、安定化剤としてイットリアを3モル%含むジルコニアを選択し、これに酸化鉄,酸化クロムおよび酸化チタンをそれぞれセラミックスの全体量に対して表4の試料No.18〜24となる様に秤量した。そして、表4の試料No.18〜24の原料に水を加えてボールミルで粉砕・混合してスラリーを作製し、これらのスラリーをスプレードライヤーを用いて噴霧乾燥し、顆粒を作製した。そして、この顆粒100質量部に対し
てエチレン酢酸ビニル共重合体,ポリスチレンおよびアクリル系樹脂を合計20質量部加えてニーダに投入し、約150℃の温度に保ちながら混練して坏土を作製した。次に、得られ
た坏土をペレタイザーに投入してインジェクション成形用の原料となるペレットを作製した。そして、このペレットを公知のインジェクション成形機に投入し、図1に示す真空吸着用ノズル1とフランジ(保持部材)10となる成形体をそれぞれ作製した。
そして、得られた各成形体を乾燥機に入れて乾燥した後、酸化雰囲気である大気雰囲気中での焼成で最高温度を1300〜1700℃の範囲とし、最高温度での保持時間を1〜5時間としてそれぞれ焼成して焼結体とした。
次に、セラミックの主成分は、アルミナを選択して、これに酸化鉄および酸化クロムをそれぞれセラミックスの全体量に対して表4の試料No.25〜27となる様に秤量した。そして、表4の試料No.25〜27の原料に水を加えてボールミルで粉砕・混合してスラリーを作製し、上述した方法と同一の方法で焼結体とした。
次に、セラミックの主成分は、炭化珪素を選択して、これにカーボンをセラミックスの全体量に対して表4の試料No.28となる様に秤量した。そして、表4の試料No.28の原料に水を加えてボールミルで粉砕・混合してスラリーを作製し、上述した方法と同一の方法で成形体とし、この成形対を窒素雰囲気の乾燥機に入れて乾燥した後、公知のアルゴン雰囲気の焼成方法で最高温度を2000℃とし、最高温度での保持時間を2時間として焼成し焼結体とした。
Figure 0005595052
そして、得られた真空吸着ノズル1の焼結体は、実施例2の試料No.10の吸着面と同様の加工をして、これらの真空吸着ノズル1の試料を電子部品装着機14に取り付けて0603タイプ(寸法が0.6mm×0.3mm)の電子部品15の真空吸着テストを行ない、電子部品15の吹き飛び、および電子部品15の静電破壊について調べた。このとき、隣接する電子部品15の間隔は最小で0.1mmとした。また、強度を確認するために曲げ強度の測定、さらに
、抵抗値の測定を行なった。
曲げ強度の評価方法は、それぞれ各試料と同一組成および同一焼成条で件製作した焼結体を、3mm×4mm×40mmの試験片とし、JIS R 1601 2008に記載の4点曲げ
強度の測定方法で行なった。なお、測定装置はアイコーエンジニアリング製デジタル荷重測定機1840を使用して、測定個数は10個とし、測定結果はその平均値とした。
次に、真空吸着ノズル組み立て体7の先端と後端6との間の抵抗値の測定については、図4を用いて前述した通りであり、真空吸着ノズル1の先端となる吸着面2に一方の電極60を接触させ、後端となる頭部6の端面に他方の電極60を接触させ、フランジ10の後端となる凸部の端面に他方の電極60を接触させた状態で、これら電極60・60に、HIOKI製SM−8220表面抵抗測定器を接続して電圧を加えて、真空吸着ノズル1の先端と後端との間の抵抗値を測定した。
電子部品15の静電破壊については、電子部品装着機14を稼動させて2000万個の吸着を行ない、回路を形成したダミー基板上に電子部品15を実装し、ダミー基板の通電試験を行なって電子部品15を実装した回路基板が通電するか否かの確認をするという方法で、電子部
品15の静電破壊の有無を確認した。今回の試験では、1枚のダミー基板に100個の電子部
品15を実装して、一般に使用される回路の導通試験機を用いてダミー基板毎に導通試験を実施して、問題のあったダミー基板についてのみさらに個別に実装した電子部品15の導通試験を実施して良否の判断を行ない、静電破壊した個数を数えた。その結果、静電破壊した個数が3個以下のときは◎、4〜10個のときは○とし、11〜15個のときは、従来と差がないので△として記入した。
電子部品15の吹き飛びについては、電子部品装着機14を稼動させて2000万個の吸着を行ない、ダミー基板上に電子部品15を実装してその個数を数えることで、電子部品15の吹き飛びの個数を確認した。吹き飛んだ数が3個以下のときは◎、4〜10個のときは○と記入した。また、電子部品15の吹き飛んだ数が11〜15個のときは、従来と差がないので△と記入した。
得られた結果を表5に示す。
Figure 0005595052
この結果から、黒色系セラミックスの主成分がアルミナである試料No.25〜27と、炭化珪素である試料No.28とは、その曲げ強度が389〜400MPaであるの対し、安定化剤を含むジルコニアである試料No.18〜24の曲げ強度は590〜908MPaであり強度が高くできることが分かる。これによって吸着物として電子部品15を用いて着脱を繰り返しても、強度が高いので吸着面2の破損が少なく、長時間の使用に耐えられることが分かる。
次に添加剤の含有量について、試料No.18および19は、添加剤の含有量が10〜17質量%であることから、抵抗値が1012Ωと高くなって電子部品15の吹き飛びが11〜15個の範囲となりその評価は従来と同じ△であった。また、試料No.24は、添加剤の含有量が44.5質量%であることから、抵抗値が10Ωと低くなって電子部品15の静電破壊か11〜15個の範囲となりその評価は従来と同じ△であった。これに対して試料No.20〜23は、添加剤の含有量が20〜40質量%であることから、抵抗値が10〜1011Ωとなって、電子部品15の静電破壊や吹き飛びは、それぞれ3個以下または4〜10個となってその評価は◎または○であった。これによって、真空吸着ノズル1が高速で移動して空気との摩擦で発生する静電気により帯電したとしても、この静電気は保持部材10と電子部品装着機20とを通してアース(除電)できるために、真空吸着ノズル1から周囲の電子部品15などに静電気が急速に放電して周囲の電子部品15が放電破壊するのを防止することができるとともに、真空吸着ノズル1が電子部品15に近付いても、真空吸着ノズル1の静電気は除電されている
ので、静電気の反発力で電子部品15が吹き飛ぶという現象を抑えることができることが分かる。
次に添加剤に酸化クロムおよび酸化チタンを含有することについて、添加剤の合計含有量が20質量%であり、その添加剤に酸化クロムおよび酸化チタンを含まない試料No.21は、曲げ強度が620MPaであるの対して、添加剤の合計含有量が20質量%であり、その
添加剤に酸化クロムおよび酸化チタンを含有する試料No.20は、曲げ強度が908MPa
と高くなった。これは、添加剤に含まれる酸化クロムおよび酸化チタンが、同じ添加剤である酸化鉄の粒成長を抑えジルコニアのもつ機械的特性の低下を抑えることができたことが分かる。
1:真空吸着ノズル
2:吸着面
3:吸引孔
4:円錐部
5:円筒部
6:頭部
7:平坦面
8:溝
11:受け部
14:電子部品装着機
15:電子部品
16:トレイ
19:画像解析装置
20:電子部品装着装置

Claims (4)

  1. 先端に吸着物を真空吸着する吸着面を備えた黒色系セラミックスからな、前記吸着面は、前記吸着物より大きな面積を有しているとともに、前記吸着物の吸着領域および吸着外領域の全面に亘って、一方から他方にまで繋がる列状の溝を有しており、該列状の溝に対して直交する方向の粗さ曲線における、JIS B 0601(2001)に記載の算術平均粗さRaが0.017μm以上0.06μm以下であるとともに、切断レベルcが0.1μmの負荷長さ率Rmrが38.0%以上93.2%以下であることを特徴とする真空吸着ノズル。
  2. 前記黒色系セラミックスは主成分が安定化剤を含むジルコニアであって、添加剤として酸化鉄を含有していることを特徴とする請求項1に記載の真空吸着ノズル。
  3. 前記添加剤は含有量の総量が20質量%以上40質量%以下であり、酸化鉄が17.7質量%以上35.5質量%以下であることを特徴とする請求項2に記載の真空吸着ノズル。
  4. 前記添加剤が酸化クロムおよび酸化チタンを含有することを特徴とする請求項2または3に記載の真空吸着ノズル。
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