JP5592147B2 - シリコンナノニードルおよびその製造方法 - Google Patents
シリコンナノニードルおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5592147B2 JP5592147B2 JP2010103922A JP2010103922A JP5592147B2 JP 5592147 B2 JP5592147 B2 JP 5592147B2 JP 2010103922 A JP2010103922 A JP 2010103922A JP 2010103922 A JP2010103922 A JP 2010103922A JP 5592147 B2 JP5592147 B2 JP 5592147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- protective film
- needle
- film
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
この構成を採用すると、ニードルの先端が突出する高さを高めつつ、基端近くの剛性が高いニードルを実現することができる。
この構成を採用すると、異物に当たってニードルが損傷することを防止することができる。
この構成を採用すると、ニードルを対象に押し込む距離を規定するストッパとして保護壁を用いることができる。
この構成において、複数のニードルの配列は任意であって、それぞれの形状は互いに異なっていても良い。
この構成を採用すると、複数のニードルのそれぞれに対して個別に電圧を印加することができる。
酸化膜を十分厚く形成することによって、横断面最大幅が1μm未満のリードを有するニードルを寸法精度高く形成することができる。
この構成を採用すると、離散保護膜直下にエッチングされずに残る直柱体は完全に熱酸化されるため、酸化膜を除去することによって消滅する。したがって、基板を垂直方向にエッチングする面積を狭めることができる。このため、歩留まり良く細長いニードルを形成することができる。なお、"酸化膜の内方拡散領域"とは、熱酸化前の表面より深い領域において酸化膜が形成された領域に相当する。
この構成を採用すると、マイクロローディング効果によって離散保護膜同士の間のエッチング深さが環状領域の外側のエッチング深さよりも浅くなる。その結果、離散保護膜が離散的に配置される環状領域の直下には、マウントの側面と段差無く連続する環状領域を頂面とする直柱体を構成する支持部が形成される。したがって、ニードルの先端が基部から突出する高さを高めつつ、剛性が高いニードルを実現することができる。
この構成を採用すると、製造中のニードルの損傷を防ぎ、さらに異物に当たって損傷しにくいニードルを製造することができる。
本発明によるシリコンナノニードルの製造方法の第一実施形態を図1に基づいて説明する。はじめに単結晶シリコンからなる基板100を準備する。基板100の不純物濃度および結晶方位は任意である。
本発明によるシリコンナノニードルの製造方法の第二実施形態を図3に基づいて説明する。第二実施形態では、図3Fに示す支持部107を有するニードル20を製造する方法を説明する。
本発明によるシリコンナノニードルの製造方法の第三実施形態を図4に基づいて説明する。第三実施形態では、図4Dおよび図4Eに示す保護壁121でニードル20を囲む構成を説明する。
上述したニードルは、原子力間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)、走査型トンネル顕微鏡(STM:Scanning Tunneling Microscope)等の走査型プローブ顕微鏡(SPM:Scanning Probe Microscope)の探針、エミッター等の電子放出源、FIB(Focused Ion Beam:収束イオンビーム)を放出するLMIS(Liquid Metal Ion Source:液体金属イオン源)、プリンタのインジェクタ、遺伝子工学用途に用いる検査プローブ、電子部品検査用のプローブ、細胞操作、ニードルの高密度配置を利用した超撥水や表面につけた膜のアンカー等に用いることができる。
マウントと基部との間に支持部を有するニードルを形成するにあたって図5A、図5B、図5Cに示す離散保護膜R2を形成しても良い。すなわち離散保護膜R2は、リード保護膜R1を囲む環状領域において離散して形成され、それぞれの離散保護膜R2の最大幅が酸化膜の内方拡散領域の厚さの2倍以下であればよい。また、隣り合う離散保護膜R2同士の距離および離散保護膜R2とリード保護膜R1との距離がマイクロローディング効果によってエッチングレートが離散保護膜R2が形成される環状領域の外側よりも低くなる距離であれば、その環状領域の直下にニードルの支持部を形成することができる。図5Aに示す離散保護膜R2の直下には矩形管状の犠牲直柱体が形成され、図5Bに示す離散保護膜R2の直下には屈曲した壁状の犠牲直柱体が形成され、図5Cに示す離散保護膜R2の直下には直方体状の犠牲直柱体が形成される。また、隣り合う離散保護膜R2同士の距離がリード保護膜R1から離れた離散保護膜R2ほど長くなるように設定すると、図5Dに示すように横断面積が基部106に近くなるほど大きくなる複数段の支持部1071、1072をリード1041と基部106の間に形成することも可能である。
Claims (4)
- 最小幅1μm以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜をシリコン基板の主面の一カ所以上に形成する工程と、
前記シリコン基板の主面の前記リード保護膜から露出している領域をDeep−RIE法で垂直方向にエッチングすることによって直柱体を形成する工程と、
前記直柱体の内部に酸化されずに残る直柱体領域の横断面最大幅が1μm未満になるまで前記シリコン基板を900℃以下で熱酸化する工程と、
前記シリコン基板に形成された酸化膜を除去することによって、前記直柱体領域からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂から前記リードが突出するマウントとを有しシリコンからなるニードルを形成する工程と、
を含むシリコンナノニードルの製造方法。 - シリコン基板の主面の前記リード保護膜を囲む環状領域において離散している1または複数の領域を保護する膜である1または複数の離散保護膜を前記リード保護膜と同時に形成し、
それぞれの前記離散保護膜の最大幅は前記酸化膜の内方拡散領域の厚さの2倍以下である、
請求項1に記載のシリコンナノニードルの製造方法。 - 前記酸化膜を除去する工程において前記マウントの側面と段差無く連続する環状領域を頂面とする直柱体を構成する支持部が前記マウントの直下に形成されるように、前記リード保護膜と前記離散保護膜との間の最大幅または前記リード保護膜を囲む位置において離散している前記離散保護膜同士の間の距離はマイクロローディング効果によりエッチングレートが前記環状領域の外側よりも内側において低くなる距離に設定する、
請求項2に記載のシリコンナノニードルの製造方法。 - 前記酸化膜を除去する工程において直管体または複数の直柱体を構成する保護壁が保護壁保護膜の直下に形成されるように、シリコン基板の主面の前記リード保護膜を囲む位置において連続または離散している領域を保護する膜である前記保護壁保護膜を前記リード保護膜と同時に形成する、
請求項1から3のいずれか一項に記載のシリコンナノニードルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103922A JP5592147B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | シリコンナノニードルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103922A JP5592147B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | シリコンナノニードルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011230253A JP2011230253A (ja) | 2011-11-17 |
JP5592147B2 true JP5592147B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=45320109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010103922A Expired - Fee Related JP5592147B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | シリコンナノニードルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5592147B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112885707B (zh) * | 2019-11-30 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器件的制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226317A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Nippon Steel Corp | 単結晶シリコン量子細線の構造と形成方法 |
JPH11304824A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Seiko Instruments Inc | 探針およびその製造方法 |
SE0102736D0 (sv) * | 2001-08-14 | 2001-08-14 | Patrick Griss | Side opened out-of-plane microneedles for microfluidic transdermal interfacing and fabrication process of side opened out-of-plane microneedles |
JP2008143068A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
JP5717322B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2015-05-13 | 凸版印刷株式会社 | 針状体アレイ原版の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-28 JP JP2010103922A patent/JP5592147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011230253A (ja) | 2011-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4912600B2 (ja) | カーボンナノチューブの水平成長方法およびカーボンナノチューブを含む素子 | |
JP5247438B2 (ja) | ナノ構造物の製造方法 | |
JP2005241631A (ja) | 触媒上でのナノチューブの有向成長 | |
KR100438835B1 (ko) | 기판에서 들뜬 구조물의 형성 방법 및 이를 적용한 들뜬구조의 게이트 전극 및 fed 제조방법 | |
JP5592147B2 (ja) | シリコンナノニードルおよびその製造方法 | |
JP4611228B2 (ja) | 電界電子放出装置およびその製造方法 | |
JP4414774B2 (ja) | シリコン針の製造方法 | |
US20090140626A1 (en) | Vacuum channel transistor and manufacturing method thereof | |
JP4703270B2 (ja) | ナノ構造体群を用いた電子素子 | |
JP4486368B2 (ja) | シリコン針の製造方法 | |
JP4456891B2 (ja) | カソード基板及びその作製方法 | |
JP2735009B2 (ja) | 電界放出型電子銃の製造方法 | |
JPH09259740A (ja) | 真空マイクロデバイスおよびその製造方法 | |
US6572425B2 (en) | Methods for forming microtips in a field emission device | |
JP5624424B2 (ja) | 撥水性構造体およびその製造方法 | |
JP4371976B2 (ja) | 電界電子放出装置 | |
JP2009302003A (ja) | 電子放出素子及び画像表示装置 | |
JP3668246B2 (ja) | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 | |
JP2000090811A (ja) | 冷電子放出素子とその製造方法 | |
KR100934228B1 (ko) | 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP4206480B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
JPH1012123A (ja) | 冷陰極とその製造方法 | |
JP2007115564A (ja) | 冷電子放出素子の製造方法 | |
JP3144297B2 (ja) | 真空マイクロデバイス及びその製造方法 | |
JP2009245767A (ja) | イオン源、及びこのイオン源の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110818 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140331 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5592147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |