JP4456891B2 - カソード基板及びその作製方法 - Google Patents
カソード基板及びその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4456891B2 JP4456891B2 JP2004056624A JP2004056624A JP4456891B2 JP 4456891 B2 JP4456891 B2 JP 4456891B2 JP 2004056624 A JP2004056624 A JP 2004056624A JP 2004056624 A JP2004056624 A JP 2004056624A JP 4456891 B2 JP4456891 B2 JP 4456891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- emitter
- opening
- insulating layer
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000016169 Fish-eye disease Diseases 0.000 description 1
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OKJMLYFJRFYBPS-UHFFFAOYSA-J tetraazanium;cerium(4+);tetrasulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OKJMLYFJRFYBPS-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
Description
比較例として、図3に示すように、上記実施例1と同じ条件でガラス基板11上に、カソード電極層12、触媒層、絶縁層14及びゲート電極層15を形成した。次いで、上記実施例1と同様にして、直径が10μmの1個のゲート孔開口部20を形成した後、絶縁層14をエッチングして開口上部の直径が約16μmのホール14aを形成した。次いで、触媒層上に、公知の方法でカーボン・ナノチューブを成長せしめてエミッタEを設け、カソード基板10を得た。
11 ガラス基板
12 カソード電極層
13 触媒層
14 絶縁層
14a ホール
15 ゲート電極層
16 ゲート孔開口部
16a 開口
Claims (3)
- 処理基板上に順次積層したカソード電極層、絶縁層及びゲート電極層を備え、この絶縁層に形成したホールの底部にエミッタを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部を形成したカソード基板において、
前記エミッタをカーボン系エミッタ材料から構成し、このカーボン系エミッタ材料は、触媒層上に成長させたものであり、
前記ゲート孔開口部を、前記絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口から構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させ、前記各開口の開口面積及び個数の少なくとも一方を増減させて、三極電界放出素子を構成すべく対向して配置されるアノード基板への電荷注入効率を変化させるようにしたことを特徴とするカソード基板。 - 請求項1記載のカソード基板を作製する方法であって、
処理基板上に、カソード電極層、絶縁層及びゲート電極層を順次積層し、このゲート電極層上に、ゲート孔開口部を形成するためのレジストパターンを設けた後、エッチングにより複数個の開口からなるゲート孔開口部を形成し、このゲート孔開口部を通して深さ方向及び幅方向に同時に絶縁層をエッチングして1つのホールを形成してこのホール直上にゲート孔開口部の各開口を密集させ、ホールの底部にエミッタを設けてなり、
前記エミッタを、カーボン系エミッタ材料から構成し、このカーボン系エミッタ材料を成長させる際に触媒として作用する触媒層を絶縁層の下側に予め形成することを特徴とするカソード基板を作製する方法。 - 請求項1記載のカソード基板を作製する方法であって、
処理基板上に、カソード電極層、絶縁層及びゲート電極層を順次積層し、このゲート電極層上に、ゲート孔開口部を形成するためのレジストパターンを設けた後、エッチングにより複数個の開口からなるゲート孔開口部を形成し、このゲート孔開口部を通して深さ方向及び幅方向に同時に絶縁層をエッチングして1つのホールを形成してこのホール直上にゲート孔開口部の各開口を密集させ、ホールの底部にエミッタを設けてなり、
前記エミッタを、カーボン系エミッタ材料から構成し、このカーボン系エミッタ材料を成長させる際に触媒として作用する触媒層を、絶縁層のエッチング後に、リフトオフ法によって形成し、CVD法によりホール底部にカーボン系エミッタを成長することを特徴とするカソード基板を作製する方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004056624A JP4456891B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | カソード基板及びその作製方法 |
TW094104346A TW200531116A (en) | 2004-03-01 | 2005-02-15 | Cathode base plate and its manufacture method |
KR1020050014324A KR101121195B1 (ko) | 2004-03-01 | 2005-02-22 | 캐소드 기판 및 그 제작 방법 |
US11/066,562 US20050230750A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-02-28 | Cathode substrate and its manufacturing method |
CNB2005100518261A CN100477060C (zh) | 2004-03-01 | 2005-03-01 | 阴极基板及其制造方法 |
US12/538,354 US20090325452A1 (en) | 2004-03-01 | 2009-08-10 | Cathode substrate having cathode electrode layer, insulator layer, and gate electrode layer formed thereon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004056624A JP4456891B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | カソード基板及びその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010003992A Division JP2010092885A (ja) | 2010-01-12 | 2010-01-12 | カソード基板及びその作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251430A JP2005251430A (ja) | 2005-09-15 |
JP2005251430A5 JP2005251430A5 (ja) | 2006-12-21 |
JP4456891B2 true JP4456891B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=35031716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004056624A Expired - Fee Related JP4456891B2 (ja) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | カソード基板及びその作製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050230750A1 (ja) |
JP (1) | JP4456891B2 (ja) |
KR (1) | KR101121195B1 (ja) |
CN (1) | CN100477060C (ja) |
TW (1) | TW200531116A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4833639B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-12-07 | 株式会社アルバック | カソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法 |
JP4755898B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-08-24 | 株式会社アルバック | カソード基板の作製方法及び表示素子の作製方法 |
CN102034664A (zh) * | 2009-09-30 | 2011-04-27 | 清华大学 | 场发射阴极结构及场发射显示器 |
DE102010000895B4 (de) * | 2010-01-14 | 2018-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Durchkontaktes eines Halbleiterbauelements mit einem umgebenden ringförmigen Isolationsgraben und entsprechendes Halbleiterbauelement |
JP5590125B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2014-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN101908457B (zh) * | 2010-08-27 | 2012-05-23 | 清华大学 | 金属栅网及场发射装置和场发射显示器 |
US10658144B2 (en) * | 2017-07-22 | 2020-05-19 | Modern Electron, LLC | Shadowed grid structures for electrodes in vacuum electronics |
CN110767519B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-03-04 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种场发射电子源结构及其形成方法、电子源、微波管 |
CN114525498B (zh) * | 2022-03-07 | 2022-11-01 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 下垂罩板及带有该下垂罩板的pecvd设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3252545B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | 電界放出型カソードを用いたフラットディスプレイ |
US5621272A (en) * | 1995-05-30 | 1997-04-15 | Texas Instruments Incorporated | Field emission device with over-etched gate dielectric |
US5710483A (en) * | 1996-04-08 | 1998-01-20 | Industrial Technology Research Institute | Field emission device with micromesh collimator |
FR2756969B1 (fr) * | 1996-12-06 | 1999-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Ecran d'affichage comprenant une source d'electrons a micropointes, observable a travers le support des micropointes, et procede de fabrication de cette source |
JP3740295B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
JP2000260299A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷電子放出素子及びその製造方法 |
JP2001256884A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 |
US6448701B1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Self-aligned integrally gated nanofilament field emitter cell and array |
JP2002334673A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
-
2004
- 2004-03-01 JP JP2004056624A patent/JP4456891B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-15 TW TW094104346A patent/TW200531116A/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-22 KR KR1020050014324A patent/KR101121195B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-28 US US11/066,562 patent/US20050230750A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-01 CN CNB2005100518261A patent/CN100477060C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-10 US US12/538,354 patent/US20090325452A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005251430A (ja) | 2005-09-15 |
TW200531116A (en) | 2005-09-16 |
CN1664972A (zh) | 2005-09-07 |
US20090325452A1 (en) | 2009-12-31 |
KR20060043044A (ko) | 2006-05-15 |
US20050230750A1 (en) | 2005-10-20 |
TWI359436B (ja) | 2012-03-01 |
KR101121195B1 (ko) | 2012-03-23 |
CN100477060C (zh) | 2009-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090325452A1 (en) | Cathode substrate having cathode electrode layer, insulator layer, and gate electrode layer formed thereon | |
JP4648807B2 (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP2006224296A (ja) | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP2008543008A (ja) | 放出陰極の製造方法 | |
JP4611228B2 (ja) | 電界電子放出装置およびその製造方法 | |
JP2006294387A (ja) | ナノカーボンエミッタ及びその製造方法 | |
KR100445419B1 (ko) | 냉음극 전자원 | |
US7138759B2 (en) | Electron-emitting device, electron source, and image display apparatus | |
JP2010092885A (ja) | カソード基板及びその作製方法 | |
JP4755898B2 (ja) | カソード基板の作製方法及び表示素子の作製方法 | |
JP4990555B2 (ja) | カソード基板及び表示素子 | |
JP4607513B2 (ja) | カソード基板及びこのカソード基板の作製方法。 | |
KR101034885B1 (ko) | 전계 방출 디바이스의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 디바이스 | |
JP4590631B2 (ja) | フィールドエミッタアレイ及びその製造方法 | |
JP2007227091A (ja) | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電子放出素子を有する表示装置 | |
JP2001307665A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007115564A (ja) | 冷電子放出素子の製造方法 | |
JP2007172925A (ja) | 電子放出素子、およびこれを用いた電界放出型ディスプレイ | |
JP2010251102A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2007149594A (ja) | 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出素子の製造方法 | |
JP2004186015A (ja) | Fed用カソード基板の作製方法 | |
JP2005150091A (ja) | カーボンナノファイバを形成しやすい金属板およびナノカーボンエミッタ | |
JP2008091263A (ja) | 電界電子放出装置及びその製造方法 | |
JP2008021522A (ja) | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電子放出素子を有する表示装置 | |
JP2004186014A (ja) | 電界電子放出型表示装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061102 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160212 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |