JP5588403B2 - トリアゾール誘導体および複素環化合物 - Google Patents

トリアゾール誘導体および複素環化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP5588403B2
JP5588403B2 JP2011167923A JP2011167923A JP5588403B2 JP 5588403 B2 JP5588403 B2 JP 5588403B2 JP 2011167923 A JP2011167923 A JP 2011167923A JP 2011167923 A JP2011167923 A JP 2011167923A JP 5588403 B2 JP5588403 B2 JP 5588403B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substituted
emitting element
unsubstituted
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011167923A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012054542A (ja
JP2012054542A5 (ja
Inventor
裕史 門間
ゆう子 川田
信晴 大澤
哲史 瀬尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2011167923A priority Critical patent/JP5588403B2/ja
Publication of JP2012054542A publication Critical patent/JP2012054542A/ja
Publication of JP2012054542A5 publication Critical patent/JP2012054542A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5588403B2 publication Critical patent/JP5588403B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Description

本発明は、トリアゾール誘導体、複素環化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を得ることができる。
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。よって、大面積の素子を容易に形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
そのＥＬを利用した発光素子は、発光物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。発光物質に有機化合物を用い、一対の電極間に当該有機化合物を含む層を設けた有機ＥＬ素子の場合、発光素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正孔が発光性の有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された発光性の有機化合物から発光を得るものである。
有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態（Ｓ＊）からの発光が蛍光、三重項励起状態（Ｔ＊）からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。
一重項励起状態を発光に変換する化合物（以下、蛍光性化合物と称す）では室温において、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されず、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。
一方、三重項励起状態を発光に変換する化合物（以下、燐光性化合物と称す）を用いれば、三重項励起状態からの発光（燐光）が観測される。また、燐光性化合物は項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること）が起こりやすいため、内部量子効率は７５〜１００％まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて３〜４倍の発光効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んに行われている。
上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。この時、マトリクスとなる化合物はホスト材料、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト材料と呼ばれる。
燐光性化合物をゲスト材料とする場合、ホスト材料に必要とされる性質は、該燐光性化合物よりも大きな三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）を有することである。
また、一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）は三重項励起エネルギーよりも大きいため、大きな三重項励起エネルギーを有する物質は大きな一重項励起エネルギーをも有する。したがって、上述したような大きな三重項励起エネルギーを有する物質は、蛍光性化合物を発光物質として用いた発光素子においても有益である。
特許文献１では、緑色の発光を示す燐光性化合物のホスト材料として、３−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）が使用されている。
特開２００２−３５２９５７号公報
ＴＡＺのように大きな三重項励起エネルギーを有する化合物は、燐光性化合物に対するホスト材料として有用である。一方、ＴＡＺは、一重項励起エネルギーが大きく、正孔ブロック材料としても使用されている。つまり、ＴＡＺには正孔が非常に注入されにくいという特徴がある。よって、ＴＡＺを発光層のホスト材料として用いた場合、発光層に正孔が注入されにくく、発光領域が、発光層と正孔輸送層との界面近傍に偏って形成される傾向が強い。発光領域が局所的に界面に偏ると、励起状態の発光物質の濃度消光や三重項−三重項消滅による消光が生じてしまい、発光効率が低下してしまう。
したがって、本発明の一態様は、正孔が注入されやすく、大きな三重項励起エネルギーを有する物質を提供することを目的の一とする。
また、発光効率が高い発光素子を提供することを本発明の一態様の目的の一とする。また、駆動電圧の低い発光素子を提供することを本発明の一態様の目的の一とする。また、長寿命の発光素子を提供することを本発明の一態様の目的の一とする。また、消費電力が低い発光装置、電子機器及び照明装置を提供することを本発明の一態様の目的の一とする。
本発明者らは、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を発光素子に用いることに着眼した。
したがって、本発明の一態様は、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体、を含む発光素子である。
特に、発光素子の発光層において、燐光発光材料を分散させる材料（ホスト材料）として、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を含むことが好ましい。
よって、本発明の一態様は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は、燐光発光材料と、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体と、を有する発光素子である。
また、本発明の一態様には、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体である下記トリアゾール誘導体も含まれる。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ１−１）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ１−２）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ２−１）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ２−２）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ３−１）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ３−２）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記のトリアゾール誘導体において、Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であることが好ましい。特に、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。
上記のトリアゾール誘導体は、全て、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体であるため、上記のトリアゾール誘導体を含む発光素子も、本発明の一態様に含まれる。
また、本発明の一態様の発光素子は駆動電圧が低い。また、本発明の一態様の発光素子は、電流効率が高い。また、本発明の一態様の発光素子は、長寿命である。したがって、この発光素子を用いた発光装置は上記発光素子と同様の効果を呈し、また低消費電力を実現できる。したがって、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いた発光装置である。また、その発光装置を用いた電子機器及び照明装置も本発明の一態様に含むものとする。
なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
また、本発明の一態様のトリアゾール誘導体を合成する際に用いられる複素環化合物も、新規な物質であるため、これらの複素環化合物も本発明に含まれるものとする。したがって、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ４）で表される複素環化合物である。
式中、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ５−１）で表される複素環化合物である。
式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
または、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ５−２）で表される複素環化合物である。
式中、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘはヨウ素、又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記複素環化合物において、Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であることが好ましい。特に、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。
本発明の一態様では、正孔が注入されやすく、大きな三重項励起エネルギーを有する物質を提供することができる。また、発光効率が高い発光素子を提供することができる。また、駆動電圧の低い発光素子を提供することができる。また、長寿命の発光素子を提供することができる。また、消費電力が低い発光装置、電子機器及び照明装置を提供することができる。
本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の電子機器を説明する図。 本発明の一態様の照明装置を説明する図。 ３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＣｚＴＰｔの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＣｚＴＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＣｚＴＰｔの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 実施例の発光素子を説明する図。 実施例５の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例５の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例５の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例５の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。 実施例５の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。 実施例６の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例６の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例６の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例６の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。 実施例６の発光素子の信頼性試験の結果を示す図。 実施例７の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例７の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例７の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例８の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例８の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例８の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例９の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例９の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例９の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例１０の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例１０の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例１０の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ｍＣｚＴＰｔの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＣｚＴＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ｍＣｚＴＰｔの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＣｚＴＩｑの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ＣｚＴＩｑのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ＣｚＴＩｑの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＣｚＴＩｑの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ｍＣｚＴＩｑのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ｍＣｚＴＩｑの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ７−ブロモ−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 実施例１８の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例１８の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例１８の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例１９の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例１９の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例１９の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例２０の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例２０の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例２０の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 実施例２１の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。 実施例２１の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 実施例２１の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のトリアゾール誘導体、及び、該トリアゾール誘導体を合成する際に用いられる複素環化合物について説明する。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体は、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン骨格、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン骨格を有する。本発明の一態様のトリアゾール誘導体は、大きな三重項励起エネルギーに加えて、キャリア輸送性も有しているため、発光素子に好適に用いることができる。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体である。
一般式（Ｇ０）において、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記のトリアゾール誘導体としては、例えば、一般式（Ｇ１−１）で表されるトリアゾール誘導体が挙げられる。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
一般式（Ｇ１−１）で表されるトリアゾール誘導体のうち、特に、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン骨格を有するトリアゾール誘導体を、一般式（Ｇ１−２）に示す。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体は、一般式（Ｇ２−１）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
一般式（Ｇ２−１）で表されるトリアゾール誘導体のうち、特に、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン骨格を有するトリアゾール誘導体を、一般式（Ｇ２−２）に示す。
式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ３−１）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
一般式（Ｇ３−１）で表されるトリアゾール誘導体のうち、特に、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン骨格を有するトリアゾール誘導体を、一般式（Ｇ３−２）に示す。
式中、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記一般式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体の別の態様としては、例えば、一般式（Ｇ１−３）で表されるトリアゾール誘導体が挙げられる。
式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
また、本発明の一態様は、一般式（Ｇ２−３）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ２１〜Ｒ２７、及びＲ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
また、本発明の一態様は、一般式（Ｇ３−３）で表されるトリアゾール誘導体である。
式中、Ｒ３１〜Ｒ３８、及びＲ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記のトリアゾール誘導体において、Ａｒとしては、合成の容易さの点から、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であることが好ましく、特に、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体において、Ｒ１〜Ｒ６、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ｒ２１〜Ｒ２７、Ｒ３１〜Ｒ３８、及びＲ４１〜Ｒ４８の具体的な構造としては、例えば、構造式（１−１）〜構造式（１−２３）に示す置換基が挙げられる。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体において、Ａｒの具体的な構造としては、例えば、構造式（２−１）〜構造式（２−１５）に示す置換基が挙げられる。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体としては、具体的には、構造式（１００）〜構造式（１６６）、構造式（２００）〜構造式（２６６）、構造式（３００）〜構造式（３６６）、構造式（４００）〜構造式（４６８）、構造式（５００）〜構造式（５６８）、構造式（６００）〜構造式（６６８）、及び構造式（１０００）〜構造式（１０２７）で表されるトリアゾール誘導体を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。
また、本実施の形態で示すトリアゾール誘導体を合成する際に用いられる複素環化合物も新規な物質であるため、該複素環化合物も本発明の一態様に含まれるものとする。したがって、本発明の一態様は、一般式（Ｇ４）で表される複素環化合物である。
式中、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ５−１）で表される複素環化合物である。
式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。
または、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ５−２）で表される複素環化合物である。
式中、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、該アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
上記複素環化合物において、Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であることが好ましい。特に、置換又は無置換のフェニレン基であることが好ましい。
本発明の一態様の複素環化合物において、Ａｒの具体的な構造としては、例えば、前述の構造式（２−１）〜構造式（２−１５）に示す置換基が挙げられる。
本発明の一態様の複素環化合物において、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ１１〜Ｒ１８の具体的な構造としては、例えば、前述の構造式（１−１）〜構造式（１−２３）に示す置換基が挙げられる。
また、本発明の別の態様は、一般式（Ｇ６）で表される複素環化合物である。
式中、Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表す。
本発明の一態様の複素環化合物において、Ｒ４１〜Ｒ４８の具体的な構造としては、例えば、前述の構造式（１−１）〜構造式（１−２３）に示す置換基が挙げられる。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体を合成する際に用いられる複素環化合物としては、具体的には、構造式（７００）〜構造式（７８３）、構造式（８００）〜構造式（８８３）、及び構造式（９００）〜構造式（９３６）で表される複素環化合物を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。
本実施の形態のトリアゾール誘導体の合成法、及び該トリアゾール誘導体を合成する際に用いられる複素環化合物の合成法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、本発明の一態様のトリアゾール誘導体を合成することができる。以下では、本発明の一態様のトリアゾール誘導体の一例である、下記化合物（Ｇ０）を合成する方法について説明する。なお、本発明の一態様のトリアゾール誘導体の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。
≪一般式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体の合成方法１≫
はじめに合成スキーム（Ａ−１）を以下に示す。
合成スキーム（Ａ−１）に示すように、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート基を有するトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体（化合物１）と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物、又はボロン酸（化合物２）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、目的化合物（Ｇ０）を得ることができる。
合成スキーム（Ａ−１）において、Ａはカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、又はジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を表す。Ａｒは、炭素数６〜１３の置換又は無置換のアリーレン基を表し、Ｒ５０及びＲ５１は、それぞれ独立に、水素、又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。合成スキーム（Ａ−１）において、Ｒ５０とＲ５１は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｘ１は、ハロゲン又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素が好ましい。
合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。
合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。
合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。特に、トルエンと水、トルエンとエタノールと水の混合溶媒、又はエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒が好ましい。
合成スキーム（Ａ−１）に示すカップリング反応としては、化合物２で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木・宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。ただし、これらに限定されるものではない。
また、合成スキーム（Ａ−１）において、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体もしくはジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート基を有するカルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体もしくはジベンゾチオフェン誘導体とを、鈴木・宮浦反応によりカップリングしてもよい。
以上によって、本実施の形態のトリアゾール誘導体を合成することができる。
≪一般式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体の合成方法２≫
はじめに合成スキーム（Ｂ−１）を以下に示す。
合成スキーム（Ｂ−１）に示すように、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート基を有するトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体（化合物３）と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物、又はボロン酸（化合物４）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、目的化合物（Ｇ０）を得ることができる。
合成スキーム（Ｂ−１）において、Ａはカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、又はジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を表す。Ａｒは、炭素数６〜１３の置換又は無置換のアリーレン基を表し、Ｒ５２及びＲ５３は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基を表す。合成スキーム（Ｂ−１）においてＲ５２とＲ５３は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｘ２は、ハロゲン又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素が好ましい。
合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。
合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。
合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。特に、トルエンと水、トルエンとエタノールと水の混合溶媒、又はエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒が好ましい。
合成スキーム（Ｂ−１）に示すカップリング反応としては、化合物２で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸を用いる鈴木・宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。ただし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いても良いが、これらに限定されるものではない。
また、合成スキーム（Ｂ−１）において、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体もしくはジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート基を有するカルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体もしくはジベンゾチオフェン誘導体とを、鈴木・宮浦反応によりカップリングしてもよい。
一般式（Ｇ０）において、ＡがＮ−カルバゾリル基のトリアゾール誘導体を合成する場合は、スキーム（Ｂ−２）に従って合成することで、一般式（Ｇ１０）に示すトリアゾール誘導体を得ることができる。
合成スキーム（Ｂ−２）に示すように、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート基を有するトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体もしくはトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体（化合物３）と、９Ｈ−カルバゾール誘導体（化合物５）を、塩基存在下で金属触媒、金属、又は金属化合物によりカップリングさせることにより、目的化合物（Ｇ１０）を得ることができる。
合成スキーム（Ｂ−２）において、Ｅは、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を表す。Ｒ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。Ａｒは、炭素数６〜１３の置換又は無置換のアリーレン基を表す。また、Ｘ２は、ハロゲン又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素と臭素がより好ましい。
合成スキーム（Ｂ−２）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。なお、合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。
合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。
また、合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
また、ハートウィック・ブッフバルト反応以外にも、ウルマン反応などを用いても良く、これらに限定されるものではない。
以上によって、本実施の形態のトリアゾール誘導体を合成することができる。
本実施の形態のトリアゾール誘導体は、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン骨格、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン骨格を有する。本実施の形態のトリアゾール誘導体は、大きな三重項励起エネルギーに加えて、キャリア輸送性も有しているため、発光素子に好適に用いることができる。本実施の形態のトリアゾール誘導体は、大きな三重項励起エネルギーを有するため、燐光を発光する物質とともに発光層に用いることができる。特に、発光ピーク波長が４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の短波長の発光を示す燐光を発光する物質と共に本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層に用いた場合であっても、高い発光効率を実現することができる。本実施の形態のトリアゾール誘導体を発光素子に用いることで、発光効率が高い発光素子を提供することができる。また、駆動電圧の低い発光素子を提供することができる。また、長寿命の発光素子を提供することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図１を用いて説明する。
本発明の一態様は、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体、を含む発光素子である。
トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体を発光素子に用いることで、発光効率が高い発光素子を実現することができる。また、駆動電圧の低い発光素子を実現することができる。また、長寿命の発光素子を実現することができる。
本発明の一態様の発光素子に用いることができる、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、及び、トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体としては、例えば、実施の形態１に挙げた本発明の一態様のトリアゾール誘導体が挙げられるが、これに限られない。
本実施の形態では、実施の形態１で構造式（１００）に示した３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）を含む発光素子について図１を用いて説明する。
本実施の形態の発光素子は、一対の電極間に少なくとも発光層を有するＥＬ層を挟持して形成される。ＥＬ層は発光層の他に複数の層を有してもよい。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本明細書では、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層をキャリアの注入、輸送などの機能を有する、機能層ともよぶ。機能層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などを用いることができる。
図１（Ａ）に示す本実施の形態の発光素子において、第１の電極１０１及び第２の電極１０３の一対の電極間に、発光層１１３を有するＥＬ層１０２が設けられている。ＥＬ層１０２は、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５を有している。図１（Ａ）における発光素子は、基板１００上に、第１の電極１０１と、第１の電極１０１の上に順に積層した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５と、さらにその上に設けられた第２の電極１０３から構成されている。なお、本実施の形態に示す発光素子において、第１の電極１０１は陽極として機能し、第２の電極１０３は陰極として機能する。
基板１００は発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
第１の電極１０１としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、ＩＺＯ膜は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、ＩＷＺＯ膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
但し、ＥＬ層１０２のうち、第１の電極１０１に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、第１の電極１０１に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金（例えば、Ａｌ−Ｓｉ）等も用いることもできる。
第１の電極１０１上に形成されるＥＬ層１０２は、少なくとも発光層１１３を有しており、またＥＬ層１０２の一部には、本発明の一態様であるトリアゾール誘導体を含んで形成される。ＥＬ層１０２の一部には公知の物質を用いることもでき、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１０２を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
また、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他、図１に示すように正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５などを適宜組み合わせて積層することにより形成される。
正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
また、正孔注入層１１１として、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物は、発生した正孔の輸送に優れた材料（正孔輸送性の高い物質）であることが好ましい。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層１１１に用いてもよい。
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層１１２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。
なお、正孔輸送層１１２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。
発光層１１３は、発光物質を含む層である。なお、本実施の形態では、実施の形態１に示したＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを発光層に用いる場合について説明する。ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩは、発光物質（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成の発光層において、ホスト材料として用いることができる。ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩに発光物質であるゲスト材料を分散させた構成とすることで、ゲスト材料からの発光を得ることができる。
また、発光物質（ゲスト材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は複数種用いることができる。よって、発光層は、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ以外に、ホスト材料を含んでいても良い。
発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層１１３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
また、発光層１１３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
また、発光物質として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。本発明の一態様のトリアゾール誘導体は、電子輸送性が高いため、電子輸送層１１４として用いることができる。このほかに、電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。
あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
第２の電極１０３は、第２の電極１０３が陰極として機能する際は仕事関数の小さい（好ましくは３．８ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属及びこれらを含む合金の他、アルミニウムや銀などを用いることができる。
但し、ＥＬ層１０２のうち、第２の電極１０３に接して形成される層が、上述する有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いることができる。
なお、第２の電極１０３を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
上述した発光素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１又は第２の電極１０３のいずれか一方又は両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１又は第２の電極１０３のいずれか一方、又は両方が可視光に対する透光性を有する電極となる。
なお、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に設けられる層の構成は、上記のものに限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第１の電極１０１及び第２の電極１０３から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。
つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質、又は正孔ブロック材料等から成る層を、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩをホスト材料として含む発光層と自由に組み合わせて構成すればよい。
図１（Ｂ）に示す発光素子は、基板１００上において、第１の電極１０１及び第２の電極１０３の一対の電極間に、ＥＬ層１０２が設けられている。ＥＬ層１０２は、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５を有している。図１（Ｂ）における発光素子は、基板１００上に、陰極として機能する第２の電極１０３と、第２の電極１０３上に順に積層した電子注入層１１５、電子輸送層１１４、発光層１１３、正孔輸送層１１２、正孔注入層１１１と、さらにその上に設けられた陽極として機能する第１の電極１０１から構成されている。
以下、具体的な発光素子の形成方法を示す。
本実施の形態の発光素子は一対の電極間にＥＬ層が挟持される構造となっている。ＥＬ層は少なくとも発光層を有し、発光層は、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩをホスト材料として用いて形成される。また、ＥＬ層には、発光層の他に機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など）を含んでもよい。電極（第１の電極及び第２の電極）、発光層、及び機能層は液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、印刷法などの湿式法を用いて形成してもよく、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの乾式法を用いて形成してもよい。湿式法を用いれば、大気圧下で形成することができるため、簡易な装置及び工程で形成することができ、工程が簡略化し、生産性が向上するという効果がある。一方乾式法は、材料を溶解させる必要がないために溶液に難溶の材料も用いることができ、材料の選択の幅が広い。
発光素子を構成する薄膜のすべての形成を湿式法で行ってもよい。この場合、湿式法で必要な設備のみで発光素子を作製することができる。また、発光層を形成するまでの積層を湿式法で行い、発光層上に積層する機能層や第１の電極などを乾式法により形成してもよい。さらに、発光層を形成する前の第２の電極や機能層を乾式法により形成し、発光層、及び発光層上に積層する機能層や第１の電極を湿式法によって形成してもよい。もちろん、本実施の形態はこれに限定されず、用いる材料や必要とされる膜厚、界面状態によって適宜湿式法と乾式法を選択し、組み合わせて発光素子を作製することができる。
本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、ＴＦＴと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。スタガ型のＴＦＴでもよいし逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型及びＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、若しくはＮ型又はＰ型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。
以上のように、実施の形態１に記載のＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを用いて発光素子を作製することができる。本発明の一態様では、トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン誘導体、又はトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン誘導体、を含むことで、駆動電圧が低い発光素子を実現することができる。また、電流効率が高い発光素子を実現することができる。また、長寿命な発光素子を実現するができる。
また、このようにして得られた本発明の一態様の発光素子を用いた発光装置は低消費電力を実現できる。
なお、本実施の形態で示した発光素子を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、トランジスタによって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態は複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子（以下、積層型素子という）の態様について、図２を参照して説明する。この発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に複数の発光ユニットを有する発光素子である。
図２（Ａ）において、第１の電極３０１と第２の電極３０３との間には、第１の発光ユニット３１１と第２の発光ユニット３１２が積層されている。本実施の形態において、第１の電極３０１は陽極として機能する電極であり、第２の電極３０３は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１と第２の電極３０３は実施の形態２と同様の構成を適用することができる。また、第１の発光ユニット３１１と第２の発光ユニット３１２は同じ構成であっても異なる構成であっても良い。また、第１の発光ユニット３１１と、第２の発光ユニット３１２は、その構成として、実施の形態２と同様なものを適用しても良いし、いずれかが異なる構成であっても良い。
また、第１の発光ユニット３１１と第２の発光ユニット３１２の間には、電荷発生層３１３が設けられている。電荷発生層３１３は、第１の電極３０１と第２の電極３０３に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０３よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３１３から第１の発光ユニット３１１に電子が注入され、第２の発光ユニット３１２に正孔が注入される。
なお、電荷発生層３１３は、光の取り出し効率の点から、可視光に対する透光性を有することが好ましい。また、電荷発生層３１３は、第１の電極３０１や第２の電極３０３よりも低い導電率であっても機能する。
電荷発生層３１３は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを含む構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物と電子供与体（ドナー）とを含む構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
また、電子供与体としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又は元素周期表における第１３族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩などを用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウム、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層３１３を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、図２（Ｂ）に示すように、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子も適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光する長寿命素子を実現できる。
また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する発光素子において、第１の発光ユニットの発光色と第２の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１の発光ユニットの発光色が赤色であり、第２の発光ユニットの発光色が緑色であり、第３の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の、発光素子を有する発光装置について図３を用いて説明する。なお、図３（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）をＡ−Ｂ及びＣ−Ｄで切断した断面図である。
図３（Ａ）において、点線で示された４０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。
なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣ又はＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板４１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１と、画素部４０２中の一つの画素が示されている。
なお、ソース側駆動回路４０１はｎチャネル型ＴＦＴ４２３とｐチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、ＴＦＴで形成される種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部４０２はスイッチング用ＴＦＴ４１１と、電流制御用ＴＦＴ４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物４１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
第１の電極４１３上には、発光層４１６、及び第２の電極４１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極４１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、又は珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。
また、発光層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光層４１６は、実施の形態１で示したトリアゾール誘導体を含んでいる。また、発光層４１６を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、又は高分子材料であっても良い。
さらに、発光層４１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極４１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、又はこれらの合金や化合物、Ｍｇ−Ａｇ、Ｍｇ−Ｉｎ、Ａｌ−Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣａＦ２等）を用いることが好ましい。なお、発光層４１６で生じた光が第２の電極４１７を透過させる場合には、第２の電極４１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化亜鉛等）との積層を用いるのが良い。
さらにシール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより、素子基板４１０、封止基板４０４、及びシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される場合もある。
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
また、本発明の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図４に本発明の発光素子を用いたパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図及び断面図を示す。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。
図４において、基板５０１上の第１の電極５０２と第２の電極５０３との間にはＥＬ層５０４が設けられている。第１の電極５０２の端部は絶縁層５０５で覆われている。そして、絶縁層５０５上には隔壁層５０６が設けられている。隔壁層５０６の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層５０６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層５０５と接する辺）の方が上辺（絶縁層５０５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層５０６を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
以上により、本発明の一態様の発光素子を有するパッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態で示した発光装置（アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型）は、いずれも本発明の一態様の発光素子を用いて形成されることから、消費電力の低い発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図５、図６を用いて説明する。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図５に示す。
図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図５（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
図５（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図５（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図５（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図５（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図５（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部７５０１、傘７５０２、可変アーム７５０３、支柱７５０４、台７５０５、電源７５０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部７５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。
図６は、発光装置を、室内の照明装置８０１として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照明装置８０２として用いることもできる。なお、図６に示すように、室内の照明装置８０１を備えた部屋で、図５（Ｅ）で説明した卓上照明器具８０３を併用してもよい。
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（１００）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）、及び実施の形態１で構造式（７００）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である、３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成方法について説明する。
＜ステップ１：Ｎ’−（４−ブロモベンゾイル）−Ｎ−（フェナントリジン−６−イル）ヒドラジンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（Ｃ−１）に示す。
２００ｍＬ三口フラスコに６−クロロフェナントリジン４．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４−ブロモベンゾイルヒドラジン４．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）、パラ−キシレン８０ｍＬを加えた。この混合物を窒素気流下、１６０℃で２１時間還流した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、析出した固体を吸引濾過により回収した。得られた固体を加熱したクロロホルム、さらに水で洗浄した。この固体を乾燥したところ、目的物の淡黄色粉末を収量６．０ｇ、収率７５％で得た。
＜ステップ２：３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成＞
ステップ２の合成スキームを（Ｃ−２）に示す。
３００ｍＬ三口フラスコに、ステップ１で合成したＮ’−（４−ブロモベンゾイル）−Ｎ−（フェナントリジン−６−イル）ヒドラジン２．０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１２０℃で３時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、１Ｎ塩酸に加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液を１Ｎ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水により洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量１．５ｇ、収率７８％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３６（ｔ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、７．５１−７．６３（ｍ、４Ｈ）、７．７０−７．８０（ｍ、４Ｈ）、８．３９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．８４（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図７に示す。なお、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
＜ステップ３：３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）の合成＞
ステップ３の合成スキームを（Ｃ−３）に示す。
５０ｍＬ三口フラスコに、ステップ２で合成した３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン１．０ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸０．７ｇ（３．１ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン４０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。このフラスコにトルエン１０ｍＬ、エタノール３．３ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加え、この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）６ｍｇ（２７μｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、９０℃で６．５時間還流した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、クロロホルムで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝４：１）で精製し、さらにトルエンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．２ｇ、収率９５％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．１ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．３Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２８０℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．９ｇ、収率８０％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＤＢＴＴＰｔ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．４１（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．４９−７．５７（ｍ、３Ｈ）、７．６３−７．６４（ｍ、２Ｈ）、７．７１−７．８１（ｍ、３Ｈ）、７．８６−７．９０（ｍ、３Ｈ）、８．００（ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、２Ｈ）、８．２１−８．２６（ｍ、２Ｈ）、８．４１（ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．４８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．８８（ｄｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図８に示す。なお、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図９（Ａ）に、発光スペクトルを図９（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図１０（Ａ）に、発光スペクトルを図１０（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図９（Ａ）及び図１０（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図９（Ｂ）及び図１０（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８１、３１４、及び３３２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３８４ｎｍ（励起波長３３５ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２４２、２９１、及び３３７ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３８９ｎｍ（励起波長３３９ｎｍ）であった。
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（３００）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＣｚＴＰｔ）の合成方法について説明する。
ＣｚＴＰｔの合成スキームを（Ｄ−１）に示す。
５０ｍＬナスフラスコに、３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン１．０ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール０．７ｇ（４．２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム０．５ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）２ｍＬを加えた。この混合物に１８−クラウン−６−エーテル２１ｍｇ（７９μｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）１５ｍｇ（７９μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１８０℃で６時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物にトルエンを加え、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝４：１）により精製し、さらにトルエンで２回再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．０ｇ、収率７９％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．０Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、目的物を２６０℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．８ｇ、収率８３％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＣｚＴＰｔであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３６（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．４１−７．６０（ｍ、６Ｈ）、７．７２−７．８２（ｍ、３Ｈ）、７．８６（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、２Ｈ）、７．９９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、８．１９（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．４２（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．５０（ｄｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．８９（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１１に示す。なお、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ＣｚＴＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１２（Ａ）に、発光スペクトルを図１２（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ＣｚＴＰｔの薄膜の吸収スペクトルを図１３（Ａ）に、発光スペクトルを図１３（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図１２（Ａ）及び図１３（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図１２（Ｂ）及び図１３（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２、２９２、３０７、３２６及び３３９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３８４ｎｍ（励起波長３４０ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２４２、３１５、３２８、及び３４２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは４０８ｎｍ（励起波長３４２ｎｍ）であった。
≪合成例３≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（４００）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ）、及び実施の形態１で構造式（７４１）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの合成方法について説明する。
＜ステップ１：３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（Ｅ−１）に示す。
５０ｍＬ三口フラスコに１−クロロイソキノリン０．８ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、４−ブロモベンゾイルヒドラジン１．１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、パラ−キシレン１０ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１００℃で４時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、析出した固体を吸引濾過により回収した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製したところ、目的物の白色粉末を収量０．５ｇ、収率２９％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．１３（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．６８−７．７８（ｍ、７Ｈ）、７．９５（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、８．８０（ｄｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１４に示す。なお、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
＜ステップ２：３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ）の合成＞
ステップ２の合成スキームを（Ｅ−２）に示す。
５０ｍＬの三口フラスコに３−（４−ブロモフェニル）トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン１．１ｇ（３．４ｍｍｏｌ）と、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸０．９ｇ（３．９ｍｍｏｌ）と、トリ（オルト−トリル）ホスフィン５３ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、２．０Ｍ炭酸カリウム水溶液３．９ｍＬと、トルエン１３ｍＬと、エタノール４．４ｍＬを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウム（ＩＩ）７．９ｍｇ（３５μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、９０℃で７時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して固体を得た。クロマトグラフィーの展開溶媒は、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒（トルエン：酢酸エチル＝１０：１）とした。得られた固体を熱クロロホルムで洗浄したところ、目的物である白色粉末を収量１．０ｇ、収率６５％で得た。
目的物の白色粉末１．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．３Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２５５℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．８ｇ、収率８４％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＤＢＴＴＩｑ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、３００ＭＨｚ）：δ＝７．４３（ｔ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．５４−７．６０（ｍ、２Ｈ）、７．６９−７．７５（ｍ、２Ｈ）、７．７８−７．８４（ｍ、２Ｈ）、７．９９−８．０９（ｍ、４Ｈ）、８．１６（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、８．４３−８．５１（ｍ、３Ｈ）、８．６１−８．６７（ｍ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１５に示す。なお、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１６（Ａ）に、発光スペクトルを図１６（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図１７（Ａ）に、発光スペクトルを図１７（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図１６（Ａ）及び図１７（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図１６（Ｂ）及び図１７（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８８、及び３３３ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３６５、３８５、及び４０３ｎｍ（励起波長３３７ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２４３、２９４、及び３４１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは４０１ｎｍ（励起波長３３８ｎｍ）であった。
≪合成例４≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（１０１）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）、及び実施の形態１で構造式（７０１）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成方法について説明する。
＜ステップ１：１−（３−ブロモベンゾイル）−２−（フェナントリジン−６−イル）ヒドラジンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（Ｆ−１）に示す。
１００ｍＬ三口フラスコに６−クロロフェナントリジン１．１ｇ（５．１ｍｍｏｌ）、３−ブロモベンゾイルヒドラジン１．２ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、パラーキシレン４０ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１６０℃で４時間還流した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、析出した固体を吸引濾過により回収し、トルエン、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の淡黄色粉末を収量１．３ｇ、収率６６％で得た。
＜ステップ２：３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成＞
ステップ２の合成スキームを（Ｆ−２）に示す。
２００ｍＬ三口フラスコに、ステップ１で合成した１−（３−ブロモベンゾイル）−２−（フェナントリジン−６−イル）ヒドラジン１．３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７０ｍＬと、を加えた。この溶液を、窒素気流下、１２０℃で５時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、クロロホルムを加えた。この溶液を１Ｎ塩酸に加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水により洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量０．９ｇ、収率６９％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３１−７．３７（ｍ、１Ｈ）、７．４４−７．５４（ｍ、３Ｈ）、７．６３（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．６８−７．７９（ｍ、３Ｈ）、７．８８−７．８９（ｍ、１Ｈ）、８．３７（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．４４（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、８．８３（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１８に示す。なお、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
＜ステップ３：３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）の合成＞
ステップ３の合成スキームを（Ｆ−３）に示す。
１００ｍＬ三口フラスコに、ステップ２で合成した３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン０．９ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸０．５ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン０．１ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、トルエン２５ｍＬ、エタノール３ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液２．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）１８ｍｇ（８０μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で６時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、水層から有機物をクロロホルムにより抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。クロマトグラフィーの展開溶媒は、クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒（クロロホルム：酢酸エチル＝４：１）とした。さらにトルエンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量０．８ｇ、収率７４％で得た。
得られた白色粉末０．８２ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．７Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２７０℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．６７ｇ、収率８１％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３８−７．６１（ｍ、６Ｈ）、７．６９−７．８３（ｍ、６Ｈ）、８．０１−８．０６（ｍ、２Ｈ）、８．１６−８．２１（ｍ、２Ｈ）、８．３９（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．４６（ｄｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．８６（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２．１Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１９に示す。なお、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図２０（Ａ）に、発光スペクトルを図２０（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図２１（Ａ）に、発光スペクトルを図２１（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図２０（Ａ）及び図２１（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図２０（Ｂ）及び図２１（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８０、３１７、及び３３２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３５７ｎｍ（励起波長３３０ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２４３、２８７、３１７、及び３３２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３７２ｎｍ（励起波長３３２ｎｍ）であった。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ａ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
以下に、本実施例の発光素子１〜３、及び比較発光素子４の作製方法を示す。
（発光素子１）
まず、ガラス基板１１００上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、５０ｎｍとし、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ＢＰＡＦＬＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、実施例２にて合成した３−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＣｚＴＰｔ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、及びトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、ＣｚＴＰｔ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．２５：０．０６（＝ＣｚＴＰｔ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
次に、第１の発光層１１１３ａ上に、ＣｚＴＰｔ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ＣｚＴＰｔ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＣｚＴＰｔ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、第２の発光層１１１３ｂ上に、ＣｚＴＰｔを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
（発光素子２）
発光素子２の第１の発光層１１１３ａは、実施例１にて合成した３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．２５：０．０６（＝ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、発光素子２の第２の発光層１１１３ｂは、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
そして、発光素子２の第１の電子輸送層１１１４ａは、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで形成した。第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子１と同様に作製した。
（発光素子３）
発光素子３の第１の発光層１１１３ａは、実施例３で合成した３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０６（＝ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、発光素子３の第２の発光層１１１３ｂは、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
そして、発光素子３の第１の電子輸送層１１１４ａは、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで形成した。第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子１と同様に作製した。
（比較発光素子４）
比較発光素子４の第１の発光層１１１３ａは、３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル）］−４，５−ジフェニル−４Ｈ−トリアゾール（略称：ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０６（＝ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、比較発光素子４の第２の発光層１１１３ｂは、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
そして、比較発光素子４の第１の電子輸送層１１１４ａは、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで形成した。第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子１と同様に作製した。
以上により得られた発光素子１〜３、及び比較発光素子４の素子構造を表１に示す。
発光素子１〜３、及び比較発光素子４を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１〜３、及び比較発光素子４の電流密度−輝度特性を図２３に示す。図２３において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図２４に示す。図２４において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図２５に示す。図２５において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２に示す。
表２に示す通り、１１００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３２，０．６２）であった。１１００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子２のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３２，０．６１）であった。１１００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子３のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３３，０．６１）であった。８１０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の比較発光素子４のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３２，０．６１）であった。これらの発光素子は全て、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に由来する発光が得られたことがわかった。
図２３〜２５、及び表２から、発光素子１〜３、及び比較発光素子４は、電流効率が高い発光素子であることが確認できた。また、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
次に、発光素子１〜３、及び比較発光素子４の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図２６、図２７に示す。図２６において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。図２７において、縦軸は電圧上昇量（Ｖ）、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。
信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子１〜３、及び比較発光素子４を駆動した。
図２６から、発光素子１の２７０時間後の輝度は、初期輝度の６２％を保っていた。発光素子２の２７０時間後の輝度は、初期輝度の７３％を保っていた。発光素子３の４１０時間後の輝度は、初期輝度の６６％を保っていた。比較発光素子４の２７０時間後の輝度は、初期輝度の５６％を保っていた。さらに、図２７から、発光素子１〜３は、比較発光素子４に比べ、電圧の時間変化が少ないことがわかる。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体と同程度に大きな三重項励起エネルギーを有する物質であるＤＢＴＴＡＺ−ＩＩを発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料に用いた比較発光素子４に比べて、本発明の一態様を適用した発光素子１〜３は長寿命であることが明らかとなった。
以上、示したように、実施例１〜３で合成した本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料として用いることで、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を作製することができた。また、長寿命な発光素子を作製することができた。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ａ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子５、及び比較発光素子６の作製方法を示す。
（発光素子５）
まず、実施例５で示した発光素子１と同様の条件で、ガラス基板１１００上に、第１の電極１１０１、正孔注入層１１１１、及び正孔輸送層１１１２を形成した。
次に、実施例４にて合成した３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０８（＝ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
次に、第１の発光層１１１３ａ上に、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０８（＝ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、第２の発光層１１１３ｂ上に、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子５を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
（比較発光素子６）
比較発光素子６の第１の発光層１１１３ａは、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０８（＝ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、比較発光素子６の第２の発光層１１１３ｂは、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０８（＝ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
そして、比較発光素子６の第１の電子輸送層１１１４ａは、ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで形成した。第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子５と同様に作製した。
以上により得られた発光素子５、及び比較発光素子６の素子構造を表３に示す。
発光素子５、及び比較発光素子６を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子５、及び比較発光素子６の電流密度−輝度特性を図２８に示す。図２８において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図２９に示す。図２９において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図３０に示す。図３０において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、各発光素子における輝度１１００ｃｄ／ｍ２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表４に示す。
表４に示す通り、１２００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子５のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３５，０．６０）であった。１１００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の比較発光素子６のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３４，０．６０）であった。これらの発光素子は全て、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に由来する発光が得られたことがわかった。
図２８〜３０及び表４から、発光素子５及び比較発光素子６は、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
次に、発光素子５及び比較発光素子６の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図３１、図３２に示す。図３１において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。図３２において、縦軸は電圧上昇量（Ｖ）、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。
信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子５、及び比較発光素子６を駆動した。
図３１から、発光素子５の１０００時間後の輝度は、初期輝度の６２％を保っていた。比較発光素子６の３００時間後の輝度は、初期輝度の５０％を保っていた。さらに、図３２から、発光素子５は、比較発光素子６に比べ、電圧の時間変化が少ないことがわかる。
本発明の一態様のトリアゾール誘導体と同程度に大きな三重項励起エネルギーを有する物質であるＤＢＴＴＡＺ−ＩＩを発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料に用いた比較発光素子６に比べて、本発明の一態様を適用した発光素子５は長寿命であることが明らかとなった。
以上、示したように、実施例４で合成した本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料として用いることで、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を作製することができた。また、長寿命な発光素子を作製することができた。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｂ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子７の作製方法を示す。
（発光素子７）
まず、ガラス基板１１００上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、５０ｎｍとし、ＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ＣＢＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層１１１１上に、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、実施例２にて合成したＣｚＴＰｔとトリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ＣｚＴＰｔとＩｒ（Ｍｐｔｚ）３の比率は、重量比で１：０．０８（＝ＣｚＴＰｔ：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）となるように調節した。
そして、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）とＩｒ（Ｍｐｔｚ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩとＩｒ（Ｍｐｔｚ）３の重量比は、１：０．０８（＝ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。
次に、第２の発光層１１１３ｂ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、電子輸送層１１１４を形成した。
さらに、電子輸送層１１１４上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子７を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子７の素子構造を表５に示す。
発光素子７を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子７の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子７の電流密度−輝度特性を図３３に示す。図３３において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図３４に示す。図３４において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図３５に示す。図３５において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子７における輝度５２０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表６に示す。
表６に示す通り、５２０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子７のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．２４，０．４９）であった。発光素子７は、Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例の発光素子は、三重項励起エネルギーが大きいトリアゾール誘導体を用いているため、短波長の青色系発光を示すＩｒ（Ｍｐｔｚ）３を効率よく発光させることができる。本発明の一態様を適用することにより、短波長の発光を示す燐光性化合物であるＩｒ（Ｍｐｔｚ）３を効率良く発光させることができると示された。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｃ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子８の作製方法を示す。
（発光素子８）
まず、ガラス基板１１００上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（略称：ｄｍＣＢＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、５０ｎｍとし、ｄｍＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ｄｍＣＢＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層１１１１上に、ｄｍＣＢＰを１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、ｍＣＰとトリス［３−（４−フルオロフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ｍＣＰとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の比率は、重量比で１：０．０６（＝ｍＣＰ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。
そして、実施例１にて合成したＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。
次に、第２の発光層１１１３ｂ上に、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、Ａｌｑを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
その後、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第３の電子輸送層１１１４ｃを形成した。
さらに、第３の電子輸送層１１１４ｃ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子８を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子８の素子構造を表７に示す。
発光素子８を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子８の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子８の電流密度−輝度特性を図３６に示す。図３６において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図３７に示す。図３７において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図３８に示す。図３８において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子８における輝度８９０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表８に示す。
表８に示す通り、８９０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子８のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１８，０．２９）であった。発光素子８は、Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例の発光素子は、三重項励起エネルギーが大きいトリアゾール誘導体を用いているため、短波長の青色系発光を示すＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率よく発光させることができることがわかる。本発明の一態様を適用することにより、短波長の発光を示す燐光性化合物であるＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率良く発光させることができると示された。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｃ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料は、前の実施例にて既に示した材料のため化学式は省略する。
以下に、本実施例の発光素子９の作製方法を示す。
（発光素子９）
まず、実施例８で作製した発光素子８と同様の条件で、ガラス基板１１００上に、第１の電極１１０１、正孔注入層１１１１、及び正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、ｄｍＣＢＰとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ｄｍＣＢＰとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の比率は、重量比で１：０．０６（＝ｄｍＣＢＰ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。
そして、実施例３にて合成したＤＢＴＴＩｑ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の重量比は、１：０．０６（＝ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。
次に、第２の発光層１１１３ｂ上に、ＤＢＴＴＩｑ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、Ａｌｑを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
その後、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第３の電子輸送層１１１４ｃを形成した。
さらに、第３の電子輸送層１１１４ｃ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子９を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子９の素子構造を表９に示す。
発光素子９を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子９の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子９の電流密度−輝度特性を図３９に示す。図３９において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図４０に示す。図４０において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図４１に示す。図４１において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子９における輝度９３０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１０に示す。
表１０に示す通り、９３０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子９のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．２０，０．２９）であった。発光素子９は、Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例の発光素子は、三重項励起エネルギーが大きいトリアゾール誘導体を用いているため、短波長の青色系発光を示すＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率よく発光させることができることがわかる。本発明の一態様を適用することにより、短波長の発光を示す燐光性化合物であるＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率良く発光させることができると示された。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｃ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料は、前の実施例にて既に示した材料のため化学式は省略する。
以下に、本実施例の発光素子１０の作製方法を示す。
（発光素子１０）
まず、ガラス基板１１００上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、５０ｎｍとし、ＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ＣＢＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層１１１１上に、ｍＣＰを１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、ｍＣＰとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ｍＣＰとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の比率は、重量比で１：０．０８（＝ｍＣＰ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。
そして、実施例４にて合成したｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３の重量比は、１：０．０８（＝ｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。
次に、第２の発光層１１１３ｂ上にｍＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、Ａｌｑを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
その後、第２の電子輸送層１１１４ｂ上にＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第３の電子輸送層１１１４ｃを形成した。
さらに、第３の電子輸送層１１１４ｃ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１０を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子１０の素子構造を表１１に示す。
発光素子１０を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子１０の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１０の電流密度−輝度特性を図４２に示す。図４２において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図４３に示す。図４３において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図４４に示す。図４４において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子１０における輝度８３０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１２に示す。
表１２に示す通り、８３０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１０のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１０，０．２９）であった。発光素子１０は、Ｉｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例の発光素子は、三重項励起エネルギーが大きいトリアゾール誘導体を用いているため、短波長の青色系発光を示すＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率よく発光させることができることがわかる。本発明の一態様を適用することにより、短波長の発光を示す燐光性化合物であるＩｒ（ｉＰｒＦｐｔｚ）３を効率良く発光させることができると示された。
≪合成例５≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（２０９）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−｛３−［３−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］フェニル｝−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩ）の合成方法について説明する。
ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩの合成スキームを（Ｇ−１）に示す。
１００ｍＬ三口フラスコに３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン１．１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、３−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニルボロン酸０．８７ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン０．１３ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）、トルエン３０ｍＬ、エタノール３ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）１５ｍｇ（６６μｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、８０℃で６時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物に水を加え、クロロホルムで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝４：１）で精製し油状物を得た。得られた油状物にメタノールを加え、超音波を照射し、析出した固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量１．３ｇ、収率８２％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．９Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を３００℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．９５ｇ、収率７２％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．２９−７．４９（ｍ、５Ｈ）、７．５６（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．６１−７．７９（ｍ、８Ｈ）、７．９３−８．０１（ｍ、４Ｈ）、８．０６（ｓ、１Ｈ）、８．１６−８．１７（ｍ、１Ｈ）、８．３８（ｄｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．４３（ｄｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１．２Ｈｚ、１Ｈ）、８．８７（ｄｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図４５に示す。なお、図４５（Ｂ）は、図４５（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図４６（Ａ）に、発光スペクトルを図４６（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ｍＤＢＦＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図４７（Ａ）に、発光スペクトルを図４７（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図４６（Ａ）及び図４７（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図４６（Ｂ）及び図４７（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２、及び３１４ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３７１ｎｍ（励起波長３１５ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２０４、２５８、２７２、３０３及び３１５ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３７４及び３８６ｎｍ（励起波長３１６ｎｍ）であった。
≪合成例６≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（３０１）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＣｚＴＰｔ）の合成方法について説明する。
ｍＣｚＴＰｔの合成スキームを（Ｈ−１）に示す。
２００ｍＬ３口フラスコに３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン１．４ｇ（３．８ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール０．７２ｇ（４．３ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテル０．１７ｇ（０．６４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．２ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）３ｍＬを加えた。この混合物に、ヨウ化銅（Ｉ）９３ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１８０℃で１９時間攪拌した。攪拌後、この混合物を室温まで冷却し、クロロホルムを加えた。この有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）により精製し、さらにトルエンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．２ｇ、収率６９％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．２ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．２Ｐａ、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２９０℃で加熱して行った。昇華精製後目的物の白色粉末を収量０．５６ｇ、収率４６％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるｍＣｚＴＰｔであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３０（ｔｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．３８−７．５９（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．９３（ｍ、７Ｈ）、８．１４（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．３９（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．４８（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．８６（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２．１Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図４８に示す。なお、図４８（Ｂ）は、図４８（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ｍＣｚＴＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトルを図４９（Ａ）に、発光スペクトルを図４９（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ｍＣｚＴＰｔの薄膜の吸収スペクトルを図５０（Ａ）に、発光スペクトルを図５０（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図４９（Ａ）及び図５０（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図４９（Ｂ）及び図５０（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２、及び３３８ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３４６、及び３６０ｎｍ（励起波長３２５ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２１６、２４３、２８１、２９５、３２７、及び３４１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３８０ｎｍ（励起波長３４２ｎｍ）であった。
≪合成例７≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（６００）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ＣｚＴＩｑ）の合成方法について説明する。
ＣｚＴＩｑの合成スキームを（Ｉ−１）に示す。
２００ｍＬ３口フラスコに３−（４−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン１．６ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール０．９２ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテル０．１９ｇ（０．７２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）３ｍＬを加えた。この混合物に、ヨウ化銅（Ｉ）５８ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１８０℃で６時間攪拌した。攪拌後、この混合物を１００℃まで冷却し、トルエンを加えた。この混合物を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝４：１）により精製し、さらにトルエンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．５ｇ、収率７０％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．４ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．１Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２６０℃で加熱して行った。昇華精製後目的物の白色粉末を収量１．２ｇ、収率８４％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＣｚＴＩｑであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．１８（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．３４（ｔｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．４７（ｔｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、１．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．５４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、７．７３−７．８７（ｍ、５Ｈ）、８．１０−８．１９（ｍ、５Ｈ）、８．８５（ｄｄ、Ｊ＝６．３Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図５１に示す。なお、図５１（Ｂ）は、図５１（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ＣｚＴＩｑのトルエン溶液の吸収スペクトルを図５２（Ａ）に、発光スペクトルを図５２（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ＣｚＴＩｑの薄膜の吸収スペクトルを図５３（Ａ）に、発光スペクトルを図５３（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図５２（Ａ）及び図５３（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図５２（Ｂ）及び図５３（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８１、２９２、３２６、及び３３６ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３６８、及び３８５ｎｍ（励起波長３４０ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２０４、２４５、２８５、３３３、及び３４３ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３９０、３９９ｎｍ（励起波長３４３ｎｍ）であった。
≪合成例８≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（６０１）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、３−［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ｍＣｚＴＩｑ）、及び実施の形態１で構造式（７４２）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である、３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの合成方法について説明する。
＜ステップ１：Ｎ’−（３−ブロモベンゾイル）−Ｎ−（１−イソキノリル）ヒドラジンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（Ｊ−１）に示す。
２００ｍＬ三口フラスコに１−クロロイソキノリン３．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）、３−ブロモベンゾイルヒドラジン４．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）、パラ−キシレン８０ｍＬを加えた。この混合物を窒素気流下、１５０℃で１４時間還流した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、析出した固体を吸引濾過により回収した。得られた固体をトルエン、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。この固体を乾燥したところ、目的物の淡黄色粉末を収量６．２ｇ、収率９０％で得た。
＜ステップ２：３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンの合成＞
ステップ２の合成スキームを（Ｊ−２）に示す。
５００ｍＬ三口フラスコにＮ’−（３−ブロモベンゾイル）−Ｎ−（１−イソキノリル）ヒドラジン６．２ｇ（１８ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２００ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１２０℃で９時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、クロロホルムと水を加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水により洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製し固体を得た。この固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量５．５ｇ、収率９２％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、３００ＭＨｚ）：δ＝７．３８（ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．６１（ｔ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、７．７５−７．８７（ｍ、３Ｈ）、７．９２−８．０２（ｍ、２Ｈ）、８．０９−８．１０（ｍ、１Ｈ）、８．３０（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、８．５６−８．６１（ｍ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図５４に示す。なお、図５４（Ｂ）は、図５４（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
＜ステップ３：３−［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ｍＣｚＴＩｑ）の合成＞
ステップ３の合成スキームを（Ｊ−３）に示す。
２００ｍＬ３口フラスコにステップ２で合成した３−（３−ブロモフェニル）−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン１．６ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール０．９２ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテル０．１６ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）３ｍＬを加えた。この混合物に、ヨウ化銅（Ｉ）８２ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１８０℃で６時間攪拌した。攪拌後、この混合物を室温まで冷却し、クロロホルムを加えた。この有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝５：１）により精製し、固体を得た。得られた固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収し、さらにこの固体をトルエンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．６ｇ、収率７８％で得た。
得られた目的物の白色粉末１．６ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．６Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２７０℃で加熱して行った。昇華精製後目的物の白色粉末を収量１．４ｇ、収率８６％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるｍＣｚＴＩｑであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．１２（ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．３２（ｔｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、０．９Ｈｚ、２Ｈ）、７．４２−７．５２（ｍ、４Ｈ）、７．６８−７．８９（ｍ、５Ｈ）、７．９８−８．０１（ｍ、１Ｈ）、８．０５（ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．０９−８．１０（ｍ、１Ｈ）、８．１７（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、２Ｈ）、８．８２（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図５５に示す。なお、図５５（Ｂ）は、図５５（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、ｍＣｚＴＩｑのトルエン溶液の吸収スペクトルを図５６（Ａ）に、発光スペクトルを図５６（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ｍＣｚＴＩｑの薄膜の吸収スペクトルを図５７（Ａ）に、発光スペクトルを図５７（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図５６（Ａ）及び図５７（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図５６（Ｂ）及び図５７（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８１、３２４、及び３３７ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３７１、及び３５７ｎｍ（励起波長３３９ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２０６、２４６、２８４、３２９、及び３４０ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３７７ｎｍ（励起波長３４０ｎｍ）であった。
≪合成例９≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（１００５）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、７−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ）、及び実施の形態１で構造式（９０５）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である、７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成方法について説明する。
＜ステップ１：Ｎ’−ベンゾイル−Ｎ−（２−ブロモフェナントリジン−６−イル）ヒドラジンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（Ｋ−１）に示す。
２００ｍＬ三口フラスコに２−ブロモ−６−クロロフェナントリジン３．２ｇ（１１ｍｍｏｌ）、ベンゾイルヒドラジン１．８ｇ（１３ｍｍｏｌ）、パラ−キシレン４５ｍＬを加えた。この混合物を窒素気流下、１６０℃で６時間還流した。所定時間経過後、この混合物を１００℃まで降温し、トルエンを１００ｍＬ加えた。この混合物を室温に冷却し、析出した固体を吸引濾過により回収した。得られた固体をトルエン、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、メタノールで洗浄した。この固体を乾燥したところ、目的物の淡黄色粉末を得た。さらに、得られた有機溶液を濃縮し、得られた固体をトルエン、メタノールで洗浄したところ、目的物の淡黄色粉末を得た。これらの操作により、目的物の淡黄色粉末を全量で収量４．０ｇ、収率９２％で得た。
＜ステップ２：７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成＞
ステップ２の合成スキームを（Ｋ−２）に示す。
５００ｍＬ三口フラスコにＮ’−ベンゾイル−Ｎ−（２−ブロモフェナントリジン−６−イル）ヒドラジン４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２００ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１２０℃で６時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物を室温まで冷却し、クロロホルムと水を加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水により洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝４：１）で精製し固体を得た。この固体のメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量２．９ｇ、収率７５％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．４０（ｓ、２Ｈ）、７．５８−７．８０（ｍ、７Ｈ）、８．２９−８．３２（ｍ、１Ｈ）、８．５４（ｓ、１Ｈ）、８．８３−８．８６（ｍ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図５８に示す。なお、図５８（Ｂ）は、図５８（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
＜ステップ３：７−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ）の合成＞
ステップ３の合成スキームを（Ｋ−３）に示す。
１００ｍＬ三口フラスコにステップ２で合成した７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン０．９４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸０．８４ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、トルエン２５ｍＬ、エタノール３ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）７１ｍｇ（６２μｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、８０℃で８時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物に水を加え、クロロホルムで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体にメタノールを加え、超音波を照射し、析出した固体を吸引濾過により回収した。この固体をアルミナカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製し、さらにトルエンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量０．７４ｇ、収率５３％で得た。
得られた目的物の白色粉末０．６８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．６Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を３３０℃で１５時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．５９ｇ、収率８７％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．４６−７．７０（ｍ、９Ｈ）、７．７２−７．９１（ｍ、９Ｈ）、８．１８−８．２４（ｍ、２Ｈ）、８．５１（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．８９（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図５９に示す。なお、図５９（Ｂ）は、図５９（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図６０（Ａ）に、発光スペクトルを図６０（Ｂ）にそれぞれ示す。また、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図６１（Ａ）に、発光スペクトルを図６１（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図６０（Ａ）及び図６１（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図６０（Ｂ）及び図６１（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８６及び３３４ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３６３ｎｍ（励起波長３３６ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２４２、２６４、２９２、及び３４０ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３９０ｎｍ（励起波長３４６ｎｍ）であった。
≪合成例１０≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（１０１４）に示した、本発明の一態様のトリアゾール誘導体である、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ）の合成方法について説明する。
３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの合成スキームを（Ｌ−１）に示す。
１００ｍＬ三口フラスコに７−ブロモ−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン０．９４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸０．８７ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、トルエン２５ｍＬ、エタノール３ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）８７ｍｇ（７５μｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、１００℃で７時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物に水を加え、トルエンで水層から有機物を抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をアルミナカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝１０：１）で精製し、油状物を得た。この油状物を高速液体カラムクロマトグラフィーにより精製した。高速液体カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物にメタノールを加えて超音波を照射し、析出した固体を吸引濾過により濾取したところ、目的物である白色粉末を収量０．９２ｇ、収率６６％で得た。
得られた目的物の白色粉末０．８９ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．８Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を３１０℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．７６ｇ、収率８５％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．４７−７．８６（ｍ、１７Ｈ）、８．０５−８．０６（ｍ、１Ｈ）、８．１８−８．２２（ｍ、２Ｈ）、８．４７（ｄｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．７０（ｓ、１Ｈ）、８．８７（ｄｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図６２に示す。なお、図６２（Ｂ）は、図６２（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
また、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図６３（Ａ）に、発光スペクトルを図６３（Ｂ）にそれぞれ示す。また、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図６４（Ａ）に、発光スペクトルを図６４（Ｂ）にそれぞれ示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製した。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図６３（Ａ）及び図６４（Ａ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表し、図６３（Ｂ）及び図６４（Ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２及び３２９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３５２、及び３６４ｎｍ（励起波長３３１ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では、２５０、２６６、２８７、及び３３５ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３７３ｎｍ（励起波長３３５ｎｍ）であった。
≪合成例１１≫
本実施例では、実施の形態１で構造式（９００）に示した、本発明の一態様の複素環化合物である、７−ブロモ−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成方法について説明する。
７−ブロモ−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンの合成スキームを（Ｍ−１）に示す。
５００ｍＬ三口フラスコに２−ブロモ−６−クロロフェナントリジン２．６ｇ（８．９ｍｍｏｌ）、ホルミルヒドラジン０．６５ｇ（１１ｍｍｏｌ）、パラ−キシレン３６ｍＬを加えた。この混合物を、窒素気流下、１２０℃で８時間攪拌し、１６０℃で１２時間還流した。還流後、この混合物を室温まで冷却し、トルエン１００ｍＬ、水５０ｍＬを加え、固体を吸引濾過し、メタノールで洗浄して固体を得た。また、得られた濾液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水により洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。これらの得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：酢酸エチル＝４：１）で精製し、さらにトルエンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．１ｇ、収率４０％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である７−ブロモ−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジンであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）：δ＝７．７３−７．８５（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄｄ、７．２Ｈｚ、２．１Ｈｚ、１Ｈ）、８．５９（ｄ、２．１Ｈｚ、１Ｈ）、８．７９（ｄｄ、７．２Ｈｚ，２．１Ｈｚ、１Ｈ）、９．１８（ｓ、１Ｈ）。
また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図６５に示す。なお、図６５（Ｂ）は、図６５（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｄ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子１１の作製方法を示す。
（発光素子１１）
まず、ガラス基板１１００上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、６０ｎｍとし、ＣＢＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ＣＢＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、実施例１２にて合成した３−［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：ｍＣｚＴＰｔ）、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、ｍＣｚＴＰｔ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０８（＝ｍＣｚＴＰｔ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は３０ｎｍとした。
次に、発光層１１１３上に、実施例１にて合成したＤＢＴＴＰｔ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１１を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子１１の素子構造を表１３に示す。
発光素子１１を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子１１の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１１の電流密度−輝度特性を図６６に示す。図６６において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図６７に示す。図６７において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図６８に示す。図６８において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子１１における輝度９８０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１４に示す。
表１４に示す通り、９８０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１１のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３３，０．６２）であった。発光素子１１はＩｒ（ｐｐｙ）３に由来する発光が得られたことがわかった。
図６６〜６８、及び表１４から、発光素子１１は、電流効率が高い発光素子であることが確認できた。また、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
以上、示したように、実施例１、１２で合成した本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料として用いることで、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を作製することができた。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｂ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子１２の作製方法を示す。
（発光素子１２）
まず、実施例１８で作製した発光素子１１と同様の条件で、ガラス基板１１００上に、第１の電極１１０１、及び正孔注入層１１１１を形成した。
次に、正孔注入層１１１１上に、ｍＣＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、実施例１２にて合成したｍＣｚＴＰｔとトリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ｍＣｚＴＰｔとＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３の比率は、重量比で１：０．０８（＝ｍＣｚＴＰｔ：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）となるように調節した。
そして、実施例１にて合成したＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３を共蒸着し、第１の発光層１１１３ａ上に第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩとＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３の重量比は、１：０．０８（＝ＤＢＴＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。
次に、第２の発光層１１１３ｂ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、電子輸送層１１１４を形成した。
その後、電子輸送層１１１４上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１２を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子１２の素子構造を表１５に示す。
発光素子１２を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子１２の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１２の電流密度−輝度特性を図６９に示す。図６９において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図７０に示す。図７０において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図７１に示す。図７１において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子１２における輝度５２０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１６に示す。
表１６に示す通り、５２０ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１２のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１９，０．３３）であった。発光素子１２は、Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３に由来する発光が得られたことがわかった。本実施例の発光素子は、三重項励起エネルギーが大きいトリアゾール誘導体を用いているため、短波長の青色系発光を示すＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３を効率よく発光させることができることがわかる。本発明の一態様を適用することにより、短波長の発光を示す燐光性化合物であるＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３を効率良く発光させることができると示された。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ｄ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子１３、１４の作製方法を示す。
（発光素子１３）
まず、実施例１８で作製した発光素子１１と同様の条件で、ガラス基板１１００上に、第１の電極１１０１、正孔注入層１１１１、及び正孔輸送層１１１２を形成した。ただし、正孔輸送層１１１２の膜厚は、２０ｎｍとした。
次に、実施例１３にて合成した３−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ＣｚＴＩｑ）とＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ＣｚＴＩｑとＩｒ（ｐｐｙ）３の比率は、重量比で１：０．０８（＝ＣｚＴＩｑ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。
次に、発光層１１１３上に、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１３を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
（発光素子１４）
発光素子１４の発光層１１１３は、実施例１４にて合成した３−［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−１，２，４−トリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリン（略称：ｍＣｚＴＩｑ）、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、ｍＣｚＴＩｑ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０８（＝ｍＣｚＴＩｑ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は３０ｎｍとした。発光層１１１３以外は発光素子１３と同様に作製した。
以上により得られた発光素子１３、１４の素子構造を表１７に示す。
発光素子１３、１４を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１３、１４の電流密度−輝度特性を図７２に示す。図７２において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図７３に示す。図７３において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図７４に示す。図７４において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１８に示す。
表１８に示す通り、９００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１３のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３４，０．６２）であった。１２００ｃｄ／ｍ２の輝度の時の発光素子１４のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３３，０．６２）であった。これらの発光素子は全て、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に由来する発光が得られたことがわかった。
図７２〜７４及び表１８から、発光素子１３、１４は、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
以上、示したように、実施例１３、１４で合成した本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層のホスト材料として用いることで、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を作製することができた。
本実施例では、本発明の一態様の発光素子について、図２２（Ａ）を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
以下に、本実施例の発光素子１５、１６の作製方法を示す。
（発光素子１５）
まず、ガラス基板１１００上に、ＩＴＳＯをスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
当該基板１１００上に発光素子を形成するための前処理としては、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデン（ＶＩ）を共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、５０ｎｍとし、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：２（＝ＢＰＡＦＬＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
さらに、実施例１５にて合成した７−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０６（＝３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
次に、第１の発光層１１１３ａ上に、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着し、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、第２の発光層１１１３ｂ上に、３Ｐｈ−７ＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上に、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１５を作製した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
（発光素子１６）
発光素子１６の第１の発光層１１１３ａは、実施例１６にて合成した７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニル−１，２，４−トリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン（略称：３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ）、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．３：０．０６（＝３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。
さらに、発光素子１６の第２の発光層１１１３ｂは、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を共蒸着することで形成した。ここで、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の重量比は、１：０．０６（＝３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
そして、発光素子１６の第１の電子輸送層１１１４ａは、３Ｐｈ−７ｍＤＢＴＰＴＰｔ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで形成した。第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子１５と同様に作製した。
以上により得られた発光素子１５、１６の素子構造を表１９に示す。
発光素子１５、１６を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１５、１６の電流密度−輝度特性を図７５に示す。図７５において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、電圧−輝度特性を図７６に示す。図７６において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、輝度−電流効率特性を図７７に示す。図７７において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、各発光素子における輝度１２００ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２０に示す。
表２０に示す通り、１２００ｃｄ／ｍ２の輝度の時、発光素子１５、１６のＣＩＥ色度座標はどちらも（ｘ，ｙ）＝（０．３４，０．６１）であった。これらの発光素子は全て、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に由来する発光が得られたことがわかった。
図７５〜７７、及び表２０から、発光素子１５、１６は、電流効率が高い発光素子であることが確認できた。また、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
以上、示したように、実施例１５、１６で合成した本発明の一態様のトリアゾール誘導体を発光層のホスト材料、及び電子輸送層の材料として用いることで、電流効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を作製することができた。
（参考例１）
上記実施例で用いた、３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ）の合成方法について説明する。ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩの構造を以下に示す。
ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩの合成スキームを（ａ−１）に示す。
３００ｍＬ三口フラスコに３−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール１．９ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸１．３ｇ（５．８ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン０．１７ｇ（０．５６ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル５０ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）２９ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、８０℃で４時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層から有機物をトルエンにより抽出した。得られた抽出溶液と有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製した。このとき、展開溶媒は、クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒（クロロホルム：酢酸エチル＝６：１）とした。さらにトルエンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量２．３ｇ、収率８９％で得た。
得られた目的物の白色粉末２．３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力１０Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２５０℃で加熱して行った。昇華精製後、白色粉末を１．５ｇ、収率６５％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−４Ｈ−トリアゾール（略称：ＤＢＴＴＡＺ−ＩＩ）であることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．３４−７．４５（ｍ、５Ｈ）、７．５２−７．６６（ｍ、１１Ｈ）、７．７６（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、８．０２−８．０４（ｍ、１Ｈ）、８．４１−８．４３（ｍ、２Ｈ）。
（参考例２）
上記実施例で用いた４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）の合成方法について具体的に説明する。ＢＰＡＦＬＰの構造を以下に示す。
［ステップ１：９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンの合成法］
１００ｍＬ三口フラスコにて、マグネシウムを１．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）減圧下で３０分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温にまで冷ましてフラスコ内を窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル１０ｍＬ中に溶かした２−ブロモビフェニル１２ｇ（５０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した後、２．５時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。
４−ブロモベンゾフェノンを１０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテルを１００ｍＬ、を５００ｍＬ三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、９時間加熱還流撹拌した。
反応後、この混合液を濾過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル１５０ｍＬに溶かし、ここに１Ｎ−塩酸を酸性になるまで加えて２時間撹拌した。この液体の有機層の部分を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液を濾過し、得られた濾液を濃縮し粘性の高い物質を得た。
５００ｍＬなすフラスコに、この粘性の高い物質と、氷酢酸５０ｍＬと、塩酸１．０ｍＬとを入れ、窒素雰囲気下、１３０℃で１．５時間加熱撹拌し、反応させた。
反応後、この反応混合液を濾過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量１１ｇ、収率６９％で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記（ｂ−１）に示す。
［ステップ２：４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）の合成法］
１００ｍＬ三口フラスコへ、９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンを３．２ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、４−フェニル−ジフェニルアミンを２．０ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を２３ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．２ｍＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１１０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。
反応後、この反応混合液にトルエン２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）を通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量４．１ｇ、収率９２％で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記（ｂ−２）に示す。
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒 酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）は、目的物は０．４１、９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンは０．５１、４−フェニル−ジフェニルアミンは０．２７だった。
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に測定データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるＢＰＡＦＬＰが得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．６３−７．０２（ｍ，３Ｈ），７．０６−７．１１（ｍ，６Ｈ），７．１９−７．４５（ｍ，１８Ｈ），７．５３−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．７５（ｄ、Ｊ＝６．９，２Ｈ）。
（参考例３）
上記実施例で用いた、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）の合成方法について説明する。
＜ステップ１；３−メチル−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＨＭｐｔｚ）の合成＞
まず、チオアセトアニリド５．０４ｇ、ベンゾイルヒドラジン５．４４ｇ、１−ブタノール５０ｍＬを、還流管を付けた丸底フラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を２時間４５分間照射することで加熱した。その後、この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３−メチル−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＨＭｐｔｚ）を得た（淡黄色の粉末、収率１８％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｃ−１）に示す。
＜ステップ２；トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）の合成＞
次に、上記ステップ１で得られた配位子ＨＭｐｔｚ１．４０ｇ、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）０．５８ｇを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、２５０℃にて１７時間３０分間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解し、この溶液を濾過した。得られた濾液の溶媒を留去し、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。さらに、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、目的物である有機金属錯体Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３を得た（黄色粉末、収率２２％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｃ−２）に示す。
上記ステップ２で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、有機金属錯体Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３が得られたことがわかった。
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：２．１７（ｓ，９Ｈ），６．３８（ｄ，３Ｈ），６．５４（ｔ，３Ｈ），６．７２（ｄｔ，３Ｈ），６．８７（ｄｄ，３Ｈ），７．３４（ｍ，３Ｈ），７．５１（ｂｒｍ，３Ｈ），７．５７（ｍ，９Ｈ）．
（参考例４）
上記実施例で用いた、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）の合成方法について説明する。ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩの構造を以下に示す。
ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩの合成スキームを（ｄ−１）に示す。
２−（３−ブロモフェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール１．２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）と、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸０．８ｇ（３．３ｍｍｏｌ）と、トリ（オルト−トリル）ホスフィン５０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を５０ｍＬの三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に２．０ｍｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液３．３ｍＬと、トルエン１２ｍＬと、エタノール４ｍＬを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウム（ＩＩ）７．４ｍｇ（３３μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で６時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物の水層から有機物をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーは、トルエンを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物を高速液体カラムクロマトグラフィーにより精製した。高速液体カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物である淡黄色粉末を収量０．８ｇ、収率５１％で得た。
得られた淡黄色粉末０．８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．０Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色粉末を２１５℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量０．６ｇ、収率８２％で得た。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩであることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．２３−７．６０（ｍ，１３Ｈ）、７．７１−７．８２（ｍ，３Ｈ）、７．９０−７．９２（ｍ，２Ｈ）、８．１０−８．１７（ｍ，２Ｈ）。
（参考例５）
上記実施例で用いた、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）の合成方法について説明する。Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３の構造を以下に示す。
＜ステップ１；Ｎ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミドの合成＞
まず、アセトイミド酸エチル塩酸塩１５．５ｇ、トルエン１５０ｍＬ、トリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）３１．９ｇを５００ｍＬ三口フラスコに入れ、室温で１０分間撹拌した。この混合物にベンゾイルクロリド１７．７ｇとトルエン３０ｍＬの混合溶液を５０ｍＬ滴下ロートより滴下し、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物を吸引濾過し、固体をトルエンで洗浄した。得られた濾液を、濃縮してＮ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミドを得た（赤色油状物、収率８２％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｅ−１）に示す。
＜ステップ２；３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＨＭｐｔｚ１−ｍｐ）の合成＞
次に、オルト−トリルヒドラジン塩酸塩８．６８ｇ、四塩化炭素１００ｍＬ、Ｅｔ３Ｎ３５ｍＬを３００ｍＬナスフラスコに入れ、室温で１時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に上記ステップ１で得られたＮ−（１−エトキシエチリデン）ベンズアミド８．７２ｇを加えて室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物に水を加え、水層から有機物をクロロホルムで抽出した。この有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはジクロロメタンを用いた。得られたフラクションを濃縮して、３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＨＭｐｔｚ１−ｍｐ）を得た（橙色油状物、収率８４％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｅ−２）に示す。
＜ステップ３；トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）の合成＞
次に、上記ステップ２で得られた配位子ＨＭｐｔｚ１−ｍｐ２．７１ｇ、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）１．０６ｇを、三方コックを付けた反応容器に入れた。この反応容器をアルゴン置換し、２５０℃にて４８時間加熱し、反応させた。この反応混合物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒には、まず、ジクロロメタン用い、次いでジクロロメタン：酢酸エチル＝１０：１（体積比）の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、次いで、ジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒にて再結晶し、有機金属錯体Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３を得た（黄色粉末、収率３５％）。ステップ３の合成スキームを下記（ｅ−３）に示す。
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＩｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３であることを確認した。
得られた化合物の１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．９４−２．２１（ｍ、１８Ｈ）、６．４７−６．７６（ｍ、１２Ｈ）、７．２９−７．５２（ｍ、１２Ｈ）。
１００ 基板
１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
３０１ 第１の電極
３０３ 第２の電極
３１１ 発光ユニット
３１２ 発光ユニット
３１３ 電荷発生層
４０１ ソース側駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート側駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 素子基板
４１１ スイッチング用ＴＦＴ
４１２ 電流制御用ＴＦＴ
４１３ 第１の電極
４１４ 絶縁物
４１６ 発光層
４１７ 第２の電極
４１８ 発光素子
４２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
５０１ 基板
５０２ 第１の電極
５０３ 第２の電極
５０４ ＥＬ層
５０５ 絶縁層
５０６ 隔壁層
８０１ 照明装置
８０２ 照明装置
８０３ 卓上照明器具
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極
１１０３ 第２の電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１３ａ 第１の発光層
１１１３ｂ 第２の発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１４ａ 第１の電子輸送層
１１１４ｂ 第２の電子輸送層
１１１４ｃ 第３の電子輸送層
１１１５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７５０１ 照明部
７５０２ 傘
７５０３ 可変アーム
７５０４ 支柱
７５０５ 台
７５０６ 電源

Claims (14)

  1. 式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  2. 式（Ｇ１−１）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
  3. 式（Ｇ１−２）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  4. 式（Ｇ２−１）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
  5. 式（Ｇ２−２）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  6. 式（Ｇ３−１）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ｒ１〜Ｒ８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
  7. 式（Ｇ３−２）で表されるトリアゾール誘導体。

    （式中、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
    前記Ａｒが、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であるトリアゾール誘導体。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記Ａｒは、置換又は無置換のフェニレン基であるトリアゾール誘導体。
  10. 式（Ｇ４）で表される複素環化合物。

    （式中、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  11. 式（Ｇ５−１）で表される複素環化合物。

    （式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
  12. 式（Ｇ５−２）で表される複素環化合物。

    （式中、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
  13. 請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記Ａｒが、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である複素環化合物。
  14. 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記Ａｒが置換又は無置換のフェニレン基である複素環化合物。

JP2011167923A 2010-08-02 2011-08-01 トリアゾール誘導体および複素環化合物 Expired - Fee Related JP5588403B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011167923A JP5588403B2 (ja) 2010-08-02 2011-08-01 トリアゾール誘導体および複素環化合物

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010173707 2010-08-02
JP2010173707 2010-08-02
JP2011167923A JP5588403B2 (ja) 2010-08-02 2011-08-01 トリアゾール誘導体および複素環化合物

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014151522A Division JP5875641B2 (ja) 2010-08-02 2014-07-25 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012054542A JP2012054542A (ja) 2012-03-15
JP2012054542A5 JP2012054542A5 (ja) 2014-07-24
JP5588403B2 true JP5588403B2 (ja) 2014-09-10

Family

ID=45526036

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011167923A Expired - Fee Related JP5588403B2 (ja) 2010-08-02 2011-08-01 トリアゾール誘導体および複素環化合物
JP2014151522A Expired - Fee Related JP5875641B2 (ja) 2010-08-02 2014-07-25 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014151522A Expired - Fee Related JP5875641B2 (ja) 2010-08-02 2014-07-25 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9034486B2 (ja)
JP (2) JP5588403B2 (ja)
KR (1) KR101925158B1 (ja)
DE (1) DE112011102597B4 (ja)
TW (1) TWI523855B (ja)
WO (1) WO2012017842A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010045405A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101640637B1 (ko) * 2012-05-31 2016-07-18 주식회사 엘지화학 신규한 화합물, 그 제조 방법 및 상기 화합물을 이용한 유기 전자 소자
US20140014930A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
WO2016020516A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Basf Se Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes
KR102512938B1 (ko) 2014-11-18 2023-03-23 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 발광 다이오드에 사용하기 위한 Pt- 또는 Pd-카르벤 착체
JP5988001B1 (ja) * 2015-01-09 2016-09-07 東レ株式会社 光電変換素子およびこれを用いたイメージセンサ
KR102684614B1 (ko) 2015-12-21 2024-07-15 유디씨 아일랜드 리미티드 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도
CN107799658B (zh) * 2016-08-29 2021-05-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备、照明装置及有机金属配合物
KR20180076661A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
CN111377914B (zh) * 2018-12-28 2023-04-18 北京鼎材科技有限公司 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件
CN109994652A (zh) * 2019-04-08 2019-07-09 泰山学院 阴极杂化修饰层以及有机电致发光器件和方法
CN110317187B (zh) * 2019-07-26 2022-01-14 北京燕化集联光电技术有限公司 一种有机主体材料及其制备方法与应用
JPWO2022090863A1 (ja) * 2020-10-30 2022-05-05

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11246559A (ja) * 1998-02-25 1999-09-14 Yamanouchi Pharmaceut Co Ltd 新規なトリアゾール誘導体又はその塩
JP2001081452A (ja) * 1999-09-13 2001-03-27 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子材料及びそれを使用した発光素子
GB0108475D0 (en) * 2001-04-04 2001-05-23 Merck Sharp & Dohme New compounds
JP2002352957A (ja) 2001-05-23 2002-12-06 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100647583B1 (ko) * 2003-10-07 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 이미다졸 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
JP2007081050A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
EP1981898B2 (en) 2006-02-10 2019-04-10 Universal Display Corporation Metal complexes of imidazo[1,2-f]phenanthridine ligands for use in OLED devices
CN101679383B (zh) 2007-05-17 2014-10-29 株式会社半导体能源研究所 三唑衍生物，和使用三唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
KR101612135B1 (ko) 2007-10-17 2016-04-12 바스프 에스이 가교된 카르벤 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에 있어서의 이의 용도
WO2010032663A1 (ja) 2008-09-17 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
US8368062B2 (en) 2008-11-03 2013-02-05 Lg Chem, Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic compound and organic electronic device using the same
JP5262767B2 (ja) 2009-01-30 2013-08-14 凸版印刷株式会社 開封機能付き紙箱
DE102009007038A1 (de) * 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP5509634B2 (ja) * 2009-03-16 2014-06-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
KR101764599B1 (ko) 2009-03-31 2017-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트리아졸 유도체, 트리아졸 유도체를 사용한 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
JP5600891B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP5382887B2 (ja) 2009-08-27 2014-01-08 独立行政法人産業技術総合研究所 イリジウム錯体ならびに該化合物からなる発光材料

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014212345A (ja) 2014-11-13
US20120025697A1 (en) 2012-02-02
JP2012054542A (ja) 2012-03-15
KR20130098299A (ko) 2013-09-04
KR101925158B1 (ko) 2018-12-04
DE112011102597B4 (de) 2018-04-26
US9034486B2 (en) 2015-05-19
JP5875641B2 (ja) 2016-03-02
TW201213330A (en) 2012-04-01
DE112011102597T5 (de) 2013-06-06
WO2012017842A1 (en) 2012-02-09
TWI523855B (zh) 2016-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6026613B2 (ja) 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置
JP6312897B2 (ja) 発光素子用材料
JP5588403B2 (ja) トリアゾール誘導体および複素環化合物
JP5918551B2 (ja) 複素環化合物
JP5755439B2 (ja) 複素環化合物、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP5875321B2 (ja) フェナントレン化合物、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP5815341B2 (ja) 複素環化合物
JP5939937B2 (ja) 複素環化合物および有機化合物
JP6208812B2 (ja) 発光素子、発光装置、照明装置、および電子機器
JP6099781B2 (ja) 発光素子、発光装置、照明装置、電子機器
JP2013063963A (ja) 複素環化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140611

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140611

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20140611

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20140627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140715

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5588403

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees