JP5586323B2

JP5586323B2 - 光伝送基板および光モジュール

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Publication number: JP5586323B2
Application number: JP2010121261A
Authority: JP
Inventors: 孝宏松原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2010-05-27
Filing date: 2010-05-27
Publication date: 2014-09-10
Anticipated expiration: 2030-05-27
Also published as: JP2011248092A

Description

本発明は、光伝送基板および光モジュールに関する。

近年、情報処理能力の向上を図るべく、集積回路素子などの電気素子の間の電気通信を光伝送に変更することが検討されている。例えば、特許文献１には、集積回路素子と、光導波路と、発光素子などの光電変換素子と、を具備する光伝送基板が開示されている。集積回路素子は、駆動素子などを介して光電変換素子に電気信号を伝送する機能を担っている。

特開２００６−１２０９５６号公報

しかし、光導波路は種々の素子で生じる熱によって、屈折率などの光学特性が変化する場合があった。このような素子で生じる熱は、素子に接続される電気的な配線を介して伝達される場合がある。特に、複数ある光導波路の間に温度分布が生じると、光導波路を伝送される光の位相にズレが生じて、光信号を同期するのが難しくなる場合がある。

本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、光学特性の優れた光伝送基板および光モジュールを提供することを目的とする。

本発明の光伝送基板は、第１電気配線を有している基体と、該基体の上に形成された、伝送方向に沿って光を伝送する光導波路を有し、該光導波路は光を伝送する伝送部、光の光路を変更する光路変更部および光が伝送しない非伝送部を有している光学層と、該光学層を厚み方向に貫通して形成された、前記第１電気配線に接続されている貫通導体と、前記光学層の上に形成され且つ前記貫通導体に接続された、光電変換を行う光素子に接続される第２電気配線とを有しており、該第２電気配線は、前記貫通導体に接続されている第１接続部と、前記光素子に接続される第２接続部と、前記第１接続部および前記第２接続部の間を接続している主配線とを有しており、前記第１接続部および前記第２接続部の幅に比べて前記主配線の幅が狭くなっているとともに、前記第１接続部が平面視において前記光導波路の前記非伝送部と重なるように配置されている。

本発明の光モジュールは、本発明に係る光伝送基板と、該光伝送基板の上に実装されている光素子とを有する。

本発明によれば、光学特性の優れた光伝送基板および光モジュールを提供することができる。

本発明に係る光モジュールの１つの実施形態の概略構成を示す平面図である。図１に示した発光モジュールのＩＩ−ＩＩ線に沿った要部断面図である。本発明に係る光伝送基板の１つの実施形態の概略構成を示す平面図である。図３に示した光伝送基板の要部を拡大した平面図である。図４に示した光伝送基板の要部断面図である。本発明に係る光伝送基板の他の実施形態の概略構成を示す平面図である。

＜光伝送基板および光モジュール＞
以下、本発明に係る光伝送基板および光モジュールの一実施形態として光伝送基板１１および光モジュール１０を例示し、図面を参照しつつ説明する。

図１，２に示した光モジュール１０は、基体２０と、光学層３０と、電気配線４０と、光素子としての光電変換素子５０と、回路素子６０とを備えている。この基体２０と、光学層３０と、電気配線４０とは、光伝送基板１１として機能する。

基体２０は、光学層３０および電気配線４０を支持する機能を担っている。この基体２０の厚みとしては、例えば０．１〜２〔ｍｍ〕の範囲が挙げられる。この基体２０としては、例えばガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基材銅張基板、ポリイミド樹脂基板、セラミック基板などが使用される。この基体２０は、単層の基板、または複数の基板を積層した積層体として形成される。

この基体２０としては、ベース基体とビルドアップ層とから構成され、貫通導体を有するビルドアップ基板が好適に用いられる。この貫通導体としては、中央が中空となった形状でも、また中央が導電ペーストなどにより埋められた構成でもかまわない。この貫通導体は、めっき法、金属膜の蒸着法、導電性樹脂の注入法などの方法を用いて形成できる。このようにビルドアップ基板に貫通導体が設けることによって、貫通導体を介して良好な放熱が可能となる。このビルドアップ層は、樹脂絶縁層と導電層とから構成される。樹脂絶縁層としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂、レジンビスマレイミドトリアジン樹脂などが使用される。この樹脂絶縁層の厚みとしては、例えば１０〜７０〔μｍ〕の範囲が挙げられる。この樹脂絶縁層は、レーザで微細な穴あけが可能であることが好ましい。この樹脂絶縁層によってビルドアップ層は、積層して複雑な電気配線パターンを引き回したり、狭い範囲に集約したりすることができる。このビルドアップ層の導電層は、種々の電極に電気的に接続されており、一部が電気配線４０にも電気的に接続されている。

この基体２０の上面の所定領域には、光学層３０が形成されている。光学層３０は、光伝送基板１１としての光の側面を担っている。この光学層３０は、クラッド部３１と、コア部３２とを含んでいる。

このクラッド部３１は、光学層３０の母体として機能している。このコア部３２は、クラッド部３１の中に形成されている。このコア部３２の屈折率は、クラッド部３１の屈折率に比べて大きくなっている。クラッド部３１の屈折率に比べてコア部３２の屈折率を大きくすることで、光学層３０は、光信号を閉じ込めることができるようになり、光導波路として機能することができるようになる。本実施形態のコア部３２は、一部が光導波路３２ａとして機能している。このコア部３２の屈折率としては、クラッド部３１の屈折率に対しての比屈折率差が０．８〜３〔％〕の範囲内であることが好ましい。

このコア部３２は、クラッド部３１の中に複数形成されており、各々が第１方向Ｄ１，Ｄ２に沿って延びている。この複数のコア部３２は、第１方向Ｄ１，Ｄ２に交わる第２方向Ｄ３，Ｄ４に沿って配列されている。本実施形態では、第１方向Ｄ１，Ｄ２と、第２方向Ｄ３，Ｄ４とが直交している。また、第１方向Ｄ１，Ｄ２および第２方向Ｄ３，Ｄ４に交わる方向を第３方向Ｄ５，Ｄ６としている。本実施形態では、第３方向が第１方向Ｄ１，Ｄ２および第２方向Ｄ３，Ｄ４に直交している。本実施形態では、コア部３２が延びている第１方向Ｄ１，Ｄ２が光伝送方向となり、コア部３２が配列される第２方向Ｄ３，Ｄ
４が配列方向となり、基体２０に光学層３０が積層される第３方向Ｄ５，Ｄ６が上下方向となる。

このコア部３２の第１方向における間隔としては、例えば２５〜４５〔μｍ〕の範囲が挙げられる。コア部３２の大きさとしては、第２方向Ｄ３，Ｄ４と第３方向Ｄ５，Ｄ６とに広がる面方向Ｄ３，Ｄ４−Ｄ５，Ｄ６において、一辺の長さまたは直径が例えば２０〜１００〔μｍ〕の範囲が挙げられる。

このコア部３２には、光路変更部３２ｂが形成されている。この光路変更部３２ｂは、光導波路３２ａの端部に形成されている。この光路変更部３２ｂは、光導波路３２ａを伝送する光を、光導波路３２ａの外部に伝送するように光路変換する機能、または光導波路３２ａの外部から入射される光を光導波路３２ｂの内部へ光路変換する機能を担っている。つまり、このコア部３２は、光路変換部３２ｂよりも第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向側に位置する部位が光導波路３２ａとして機能し、光路変換部３２ｂよりも第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ２方向側に位置する部位が光導波路３２ａとして機能していない。

本実施形態では、光路変更部３２ｂとして光反射面が形成されている。この光反射面は、光導波路３２ａの光軸に対して傾斜しており、光の反射によって光路変更が可能となっている。この光反射面の傾斜角は、光導波路３２ａの光軸方向と、光路変更する方向との二等分角であることがこのましく、この二等分角から±３度の範囲に形成される。

本実施形態の光学層３０は、上面から窪んでいる窪み部３０ａが形成されている。この窪み部３０ａは、クラッド部３１およびコア部３２が内周面に現れている。本実施形態では、窪み部３０ａによって、１つのコア部３２が２つに分かれている。本実施形態では、この窪み部３０ａの内面に現れているコア部３２の一部が光反射面として機能している。本実施形態では、この光反射面を光路変更部３２ｂとしている。

また、この窪み部３０ａは、光反射面を介して光導波路３２ａに光を入射する入射口、または光反射面を介して光導波路３２ａを伝送する光を取り出す出射口として機能している。この窪み部３０ａは、第３方向Ｄ５，Ｄ６に沿って広がっている。そのため、光反射面は、第１方向Ｄ１，Ｄ２および第３方向Ｄ５，Ｄ６に対して、略４５°、具体的には４２°〜４８°の範囲で傾いている。なお、窪み部３０ａは、入射口、出射口として機能する範囲において、中空であっても充填物があっても構わない。

また、本実施形態では、光路変更部３２ｂが第２方向Ｄ３，Ｄ４に沿って２列に配列されている。この複数の光路変更部３２ｂからなる列は、第１方向Ｄ１，Ｄ２において、２列に配列されている。複数の光路変更部３２ｂは、第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ２方向側に配置されている第１光路変更部３２ｂ_１と、第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向側に配置されている第２光路変更部３２ｂ_２とが、第２方向Ｄ３，Ｄ４において交互に配列されている。そのため、本実施形態の光導波路３２ａは、相対的に長い第１光導波路３２ａ_１と、短い第２光導波路３２ａ_２とが交互に配列されている。

このクラッド部３１と、コア部３２とを形成する材料としては、例えば直接露光法が使用可能な樹脂、または屈折率変化法が使用可能な樹脂などが挙げられる。直接露光法が使用可能な樹脂としては、例えば感光性を有する樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などが含まれる。また、屈折率変化法が使用可能な樹脂としては、紫外線（Ultra-Violet radiation、ＵＶ線）の照射により屈折率が低下する特性を有する樹脂が挙げられ、例えばポリシランなどの樹脂が含まれる。

なお、直接露光法とは、クラッド部３１の下部を形成後、コア部３２の材料を塗工して
マスク露光によりコア部３２を形成し、その上面および側面にさらにクラッド部３１の材料を塗工形成して光学層３０を作製する方法である。また、屈折率変化法とは、コア部３２となる部位以外にＵＶ線の照射を行ない、コア部３２となる部位以外の屈折率を低下させることによって光導波路を作製する方法である。

電気配線４０は、第１電気配線４１、第１貫通導体４２、第２電気配線４３、第２貫通導体４４を有している。この電気配線４０は、光伝送基板１１において、光電変換素子５０と、回路素子６０とを電気的に接続する機能を担っている。

第１電気配線４１は、基体２０の上面に形成されている。この第１電気配線４１は、第１端部が第１貫通導体４２に接続され、第２端部が第２貫通導体４４に接続されている。第１貫通導体４２は、光学層３０を第３方向Ｄ５，Ｄ６に貫通して形成されている。本実施形態の第１貫通導体４２は、クラッド部３１およびコア部３２を貫通して形成されている。第１貫通導体４２は、Ｄ５方向側の端部が第１電気配線４１の第１端部に接続され、Ｄ６方向側の端部が第２電気配線４３に接続されている。この第２電気配線４３は、光学層３０の上面に形成されている。この第２電気配線４３は、Ｄ１方向側の端部（４３２）が光電変換素子５０に接続され、Ｄ２方向側の端部（４３１）が第１貫通導体４２に接続されている。また、第２貫通導体４４は、光学層３０を第３方向Ｄ５，Ｄ６に貫通して形成されている。第２貫通導体４４は、Ｄ５方向側の端部が第１電気配線４１の第２端部に接続され、Ｄ６方向側の端部が回路素子６０に電気的に接続されている。

この第２電気配線４３は、第１接続部４３ａと、第２接続部４３ｂと、主配線４３ｃとを含んで構成されている。この第１接続部４３ａは、第１貫通導体４２に接続される部位である。この第２接続部４３ｂは、光電変換素子５０に電気的に接続される部位である。主配線４３ｃは、第１接続部４３ａと第２接続部４３ｂとの間に位置している部位である。この主配線４３ｃの幅は、第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの幅に比べて狭くなっている。この光伝送基板１１では、主配線４３ｃの幅を狭くすることで、電気特性を所望の値に調整できると同時に、第１貫通導体４２を介して光電変換素子５０に伝わる熱量を小さくすることができる。

この主配線４３ｃの幅とは、電気伝送方向に対して直交する直交方向における幅である。また、電気伝送方向とは、主配線４３ｃを伝わって電気信号が伝送される方向である。また第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの幅とは、当該接続部の中心を通り、前述の主配線４３ｃの直交方向における幅である。本実施形態では、主配線４３ｃが第１方向Ｄ１，Ｄ２に沿って延びて形成されている。本実施形態における主配線４３ｃの幅とは、第２方向Ｄ３，Ｄ４に沿った幅をいう。

この第２電気配線４３は、２つが対となって１つの光電変換素子５０に接続されている。この第２電気配線４３の対の一方と他方との間の領域のＤ５方向側、すなわち、基体２０側の方向には、コア部３２が位置している。つまり、本実施形態では、平面視した際に、コア部３２の第２方向Ｄ３，Ｄ４の両側に第２電気配線４３の対のそれぞれが位置している。ここで、「平面視」とは、第３方向Ｄ５，Ｄ６におけるＤ５方向視をいう。また、本実施形態では、第２電気配線４３の対から観て、当該対の間に位置するコア部３２を、第１コア部としている。

また、複数の第２電気配線４３の対のうち隣り合って配置されている第１の対と第２の対との間の領域のＤ５方向側には、コア部３２が位置している。本実施形態では、第１光導波路３２ａ_１から観て、Ｄ３方向側に位置する第２電気配線４３の第１の対を第１配線対４３Ｌとし、Ｄ４方向側に位置する第２電気配線４３の第２の対を第２配線対４３Ｒとしている。本実施形態では、第１配線対４３Ｌおよび第２配線対４３Ｒから観て、当該２
つの対の間に位置するコア部３２を、第２コア部としている。結果、本実施形態では、平面視した際に、第１光導波路３２ａ_１の第２方向Ｄ３，Ｄ４の両側に、Ｄ１方向側に位置する第２電気配線４３の対がそれぞれ位置している。

第１配線対４３Ｌおよび第２配線対４３Ｒは、第２電気配線４３の各部位の中心と、第１光導波路３２ａ_１との距離が異なっている。この第２電気配線４３は、第１光導波路３２ａ_１と主配線４３ｃとの間隔に比べて、第１光導波路３２ａ_１と第１接続部４３ａの中心との間隔が大きくなっている。また、当該第１接続部４３ａに接続される第１貫通導体４２の中心と、第１光導波路３２ａ_１との間隔は、主配線４３ｃと第１光導波路３２ａ_１との間隔に比べて大きくなっている。このようにして、第１貫通導体４２と、第１光導波路３２ａ_１との間隔を大きくすることによって、光伝送基板１１は、第１貫通導体４２を介して伝わる熱によって第１光導波路３２ａ_１の光学特性が変化するのを抑えることができる。このような伝熱による光学特性の変化は、Ｄ１方向側に位置する第２電気配線４３の対のうち、第１光導波路３２ａ_１に近い一方の形状を上述のようにすることで可能となる。つまり、光伝送基板１１では、コア部３２のうち光導波路３２ａとして機能する部位と、第１貫通導体４２との間隔を大きくすることで、熱による光学特性の変化に対する対策としている。

この第１接続部４３ａおよび第１貫通導体４２の中心とは、平面視した際の中心をいう。また、この第１光導波路３２ａ_１と主配線４３ｃとの間隔とは、光伝送方向に沿って延びる部位の、配列方向における中心間の間隔をいう。また、第１接続部４３ａおよび第１貫通導体４２の中心と、第１光導波路３２ａ_１との間隔とは、第１接続部４３ａおよび第１貫通導体４２を平面視した際の中心と、第１光導波路３２ａ_１の光伝送方向に沿って延びる部位の、配列方向における中心との間隔をいう。

また、第２電気配線４３の対は、各部位の中心と、第１コア部との距離が異なっている。この第２電気配線４３では、主配線４３ｃと第１コア部との間隔に比べて、第１接続部４３ａの中心と第１コア部との間隔が小さくなっている。また、当該第１接続部４３ａに接続される第１貫通導体４２の中心と、第１コア部との間隔は、主配線４３ｃと第１コア部との間隔に比べて小さくなっている。このようにして、第１貫通導体４２と、第１コア部との間隔を小さくすることによって、光伝送基板１１は、第２方向Ｄ３，Ｄ４におけるコア部材３２ａの間隔を狭くすることができ、光導波路３２ａの線密度を高くして配列することができる。つまり、光伝送基板１１では、コア部３２のうち光導波路３２ａとして機能しない部位と、第１貫通導体４２との間隔を小さくすることで、小型化を図っている。

また、本実施形態では、第１貫通導体４２によってコア部３２が第１方向Ｄ１，Ｄ２において分断されている。つまり、本実施形態の光伝送基板１１では、コア部３２のうち、光導波路３２ａとして機能する部位と、光導波路３２ａとして機能しない部位との間に第１貫通導体４２が形成されている。そのため、本実施形態の光伝送基板１１では、第１貫通導体４２よりもＤ２方向側のコア部３２を伝送する光が光導波路３２ａに入射されるのを抑えることができ、光通信を良好に行うことができる。

光電変換素子５０は、電気配線４０を介して入力される電気信号に応じて光導波路３２ａに光を入射する機能、または光導波路３２ａから照射される光を受けて電気信号に変換する機能を担っている。この光を発する光電変換素子５０としては、種々の発光素子が適用できる。この光電変換素子５０としては、面方向Ｄ１，Ｄ２−Ｄ３，Ｄ４に実装することができ且つＤ５方向に沿って光を発する発光素子が窪み部３０ａに光を入射するうえで好ましい。Ｄ５方向に沿って光を発する発光素子としては、例えば垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ；Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が好ましい。光を受ける光
電変換素子５０としては、例えばフォトダイオード（ＰＤ；Photo Diode）など種々の受光素子が適用できる。この受光素子としてＰＤを採用する場合は、応答速度の速い素子が好ましく、例えばＰＩＮ−ＰＤなどが挙げられる。この光電変換素子５０としては、面方向Ｄ１，Ｄ２−Ｄ３，Ｄ４に実装することができ、Ｄ５方向に沿って光を受ける受光素子が窪み部３０ａに光を入射するうえで好ましい。

光電変換素子５０は、１つの素子に１つの光電変換部を有していても、１つの素子に複数の光電変換部を有していてもよい。本実施形態の光電変換素子５０は、１つの素子に１つの光電変換部を有している。１つの光電変換部は、１つの窪み部３０ａに対応して配置される。つまり、この１つの光電変換部は、１つの光導波路３２ａに対応して配置される。なお、この１つの光電変換部は、１つの光導波路３２ａの両端側に対応して配置されていてもよい。

回路素子６０は、光電変換素子５０と電気的に接続されている。この回路素子６０は、光電変換素子５０の担う機能によって、担う機能が異なっている。光電変換素子５０が光を発する場合、回路素子６０は、光電変換素子５０に変調された電気信号（変調電流）を入力して、光電変換素子５０の発光強度を制御している。また、光電変換素子５０が光を受ける場合、回路素子６０は、光電変換素子５０で受光する光信号強度に応じて出力される電流信号を電圧信号に変換して出力している。また、この回路素子６０は、信号の波形を制御したり、ノイズ成分を除去したりする機能を併せ持っていてもよい。なお、光電変換素子５０で発する電気信号の出力が小さい場合、信号を増幅する機能を担っていても良い。この信号増幅機能は、光電変換素子５０自体が有していてもよい。また、この回路素子６０は、論理演算および数値計算を行う機能を有していてもよい。

本実施形態の光電変換素子５０および回路素子６０は、第１接続部４３ａおよび第２貫通導体４４に金属バンプ、導電性接着剤などによって実装される。光電変換素子５０と回路素子６０とは、電気配線４０が第２貫通導体４４を介して基体２０の上に引き回されている。そのため、この光伝送基板１１では、第２貫通導体を放熱経路として用いることで、回路素子６０の発する熱を基体２０に放熱することができる。したがって、この光伝送基板１１では、回路素子６０で生じる熱によって光導波路３２ａの光学特性が局所的に変化するのを防ぐことができる。

なお、光学層３０の上には、樹脂絶縁層としてソルダレジスト層が設けられていてもよい。ソルダレジスト層は、クラッド部３１の上面に、ラミネート法、またはスピンコートおよびドクターブレードに代表される塗布法を用いることで作製することができる。

なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。

本実施形態の光伝送基板１１は、第２電気配線４３の対のうち、Ｄ３方向側の一方の長さに比べて、Ｄ４方向側の他方の長さが相対的に長くなっている。しかしながら、第２電気配線４３の長さは、このような実施形態に限るものではない。この第２電気配線４３の対は、同じ長さであってもよいし、いずれか一方が長くなっていてもよい。さらに、この第２電気配線４３の長さは、各対で長さが異なっていてもよい。例えば、図６に示したように、第２電気配線４３の対の長さは、配列方向において隣接する他の第２電気配線４３の対とで異なっていてもよい。

この図６に示した光伝送基板１１Ａは、第１配線対４３Ｌおよび第２配線対４３Ｒが、第１光導波路３２ａ_１に対して線対称に配置されている。また、当該第１配線対４３Ｌおよび第２配線対４３Ｒの第２電気配線４３に接続されている第１貫通導体４２は、第１光
導波路３２ａ_１に対して線対称に配置されている。このように、第１貫通導体４２を第１光導波路３２ａ_１に対して線対称に配置することで、第１光導波路３２ａ_１に加わる応力を相殺し、第１光導波路３２ａ_１に歪みが生じるのを低減することができる。

この応力の相殺の効果は、第１配線対４３Ｌおよび第２配線対４３Ｒの第２電気配線４３に接続される第１貫通導体４２のうち、第１光導波路３２ａ_１に近い一方を線対称に配置することで十分に得ることができる。また、この線対称も厳密な線対称でなくともよい。例えば、２つの第１貫通導体４２を配列方向に沿って並べて形成し、この２つの第１貫通導体４２の間に第１光導波路３２ａ_１を形成することで十分に得ることができる。

１０・・・光モジュール
１１・・・光伝送基板
２０・・・基体
３０・・・光学層
３０ａ・・・窪み部
３１・・・クラッド部
３２・・・コア部
３２ａ・・・光導波路
３２ａ_１・・・第１光導波路
３２ａ_２・・・第２光導波路
３２ｂ・・・光路変更部
３２ｂ_１・・・第１光路変更部
３２ｂ_２・・・第２光路変更部
４０・・・電気配線
４１・・・第１電気配線
４２・・・第１貫通導体（貫通導体）
４３・・・第２電気配線
４３ａ・・・第１接続部
４３ｂ・・・第２接続部
４３ｃ・・・主配線
４３Ｌ・・・第１配線対
４３Ｒ・・・第２配線対
４４・・・第２貫通導体（第２の貫通導体）
５０・・・光電変換素子
６０・・・駆動素子

Claims

第１電気配線を有している基体と、
該基体の上に形成された、伝送方向に沿って光を伝送する光導波路を有し、該光導波路は光を伝送する伝送部、光の光路を変更する光路変更部、および光が伝送しない非伝送部を有している光学層と、
該光学層を厚み方向に貫通して形成された、前記第１電気配線に接続されている貫通導体と、
前記光学層の上に形成され且つ前記貫通導体に接続された、光電変換を行う光素子に接続される第２電気配線とを有しており、
該第２電気配線は、前記貫通導体に接続されている第１接続部と、前記光素子に接続される第２接続部と、前記第１接続部および前記第２接続部の間を接続している主配線とを有しており、
前記第１接続部および前記第２接続部の幅に比べて前記主配線の幅が狭くなっているとともに、前記第１接続部が平面視において前記光導波路の前記非伝送部と重なるように配置されている、光伝送基板。
前記第２電気配線は、複数設けられており、
複数の前記第２電気配線のうち２つの前記第２電気配線は、前記第１接続部が、平面視において、２つの前記第２電気配線の前記第２接続部の間を通る１つの前記光導波路と重なるように配置されている請求項１に記載の光伝送基板。
前記光導波路と前記第２電気配線とは、各々が複数設けられており、
前記第２電気配線は、２つが対となって１つの前記光素子に接続され、
前記第２電気配線の対のうち隣り合って配置されている第１の対と第２の対との間には、前記光導波路が設けられている、請求項１に記載の光伝送基板。
前記第１の対における２つの前記第２接続部と、前記第２の対における２つの前記第２接続部とは、平面視において、一列に配置されている請求項３に記載の光伝送基板。
前記第１の対と前記第２の対との間に設けられている前記光導波路に対して、前記第２電気配線の前記主配線との間隔に比べて、当該第２電気配線の前記第１接続部に接続された前記貫通導体の中心との間隔が大きくなっている、請求項３または４に記載の光伝送基板。
前記第１の対と前記第２の対とに接続されている前記貫通導体の対は、当該前記第１の対と前記第２の対との間に設けられている前記光導波路に対して線対称に配置されている、請求項３から請求項５のいずれかに記載の光伝送基板。
前記光学層は、前記光導波路を伝送する光の光路を変更する光路変更部をさらに有しており、該光路変更部として、前記光導波路の光軸に対して傾斜した、前記光素子の発する光を反射する光反射面が形成されている、請求項１から請求項６のいずれかに記載の光伝送基板。
前記光学層を厚み方向に貫通して形成された、前記第１電気配線に接続されている第２の貫通導体と、
前記光学層の上に形成され且つ前記第２の貫通導体に電気的に接続された、前記光素子を駆動する駆動素子とをさらに有している、請求項１から請求項７のいずれかに記載の光伝送基板。
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光伝送基板と、
該光伝送基板の上に実装されている光素子とを有する、光モジュール。