JP5585292B2 - レンズ付発光素子アレイ及びプリントヘッド - Google Patents

レンズ付発光素子アレイ及びプリントヘッド Download PDF

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本発明は、レンズ付発光素子アレイ及びプリントヘッドに関する。
電子写真方式を採用したプリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に静電潜像を形成し、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着させる。静電潜像を形成するための記録手段として、最近では、発光素子としての発光ダイオード(LED)を1次元上、すなわち主走査方向に複数配置してなるLEDプリントヘッドが採用される場合が多い。
LEDは基本的にランバーシアン分布で発光しており、光の取り出し効率は低い。そこで、光の取り出し効率を向上させるために、LED発光部の直上にマイクロレンズアレイを配置して指向性を狭めることが提案されている。
特許文献1には、1次元に配置された発光素子上に、少なくとも2個のシリンドリカルレンズと半球状レンズとの組み合わせよりなる略U字状の複合レンズを備え、複合レンズを一定の厚みを有するベース部分とその上部の表面に曲率を有する曲面部分から構成することが開示されている。発光部の1次元方向のサイズをpとした場合に、複合レンズのベース部の厚さは0〜0.71p、半球状レンズの曲率半径は0.20p〜0.47p、複合レンズを樹脂で形成した場合の屈折率は1.46〜1.68としている。
特開2006−32448号公報
ところで、LEDにはLEDを傷等から保護するための保護層が被覆されることが多く、マイクロレンズを形成する場合には、この保護層の上に形成することになる。この場合、保護層の屈折率とマイクロレンズの屈折率との相違に起因してその界面でLEDから射出した光が反射し、保護層内で多重干渉が生じて出力パワー(発光パワー)が変動する。出力パワーの大きな変動はプリントヘッドの製作を困難なものとし記録品質に影響を及ぼすことから、できるだけ抑制することが望ましい。
本発明の目的は、マイクロレンズアレイを用いて出力パワーを向上させるとともに、パワー変動を抑制するレンズ付発光素子アレイ及びプリントヘッドを提供することを目的とする。
請求項1記載の発明は、1次元上に配列された発光素子アレイと、前記発光素子アレイ上に形成される保護層と、前記保護層上に形成され、一定の厚さを備えるベース部と、前記ベース部上に形成され、前記発光素子アレイを構成する発光素子毎に対応した半球状の曲面部とを備えるレンズ部と、前記保護層と前記レンズ部の前記ベース部との間に形成される反射抑制層とを備え、前記反射抑制層の屈折率は、前記レンズ部の屈折率より小さく、かつ、前記保護層の屈折率より小さいか同程度であることを特徴とするレンズ付発光素子アレイである。
請求項記載の発明は、請求項記載のレンズ付発光素子アレイにおいて、前記保護層は、SiO2あるいはSiNであり、前記反射抑制層は、フッ化ポリマーであることを特徴とするレンズ付発光素子アレイである。
請求項記載の発明は、請求項1,2のいずれかに記載のレンズ付発光素子アレイを備えるプリントヘッドである。
請求項1記載の発明によれば、本構成を有しない場合に比べて、出力パワーを向上させつつパワー変動が抑制される。
請求項記載の発明によれば、安価で入手容易な材料を用いることでコストが抑制される。
請求項記載の発明によれば、出力パワーの向上とパワー変動の抑制によりプリント品質が向上する。
レンズ付発光素子アレイの基本構成図である。 レンズ付発光素子アレイの動作図である。 マイクロレンズアレイの製造工程を示す模式図である。 第1実施形態のレンズ付発光素子アレイの構成図である。 保護層の厚さと出力パワーとの関係を示すグラフ図である。 第2実施形態のレンズ付発光素子アレイの構成図である。 プリントヘッドの構成図である。
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
1.基本構成
まず、レンズ付発光素子アレイの基本構成について説明する。
図1に、レンズ付発光素子アレイの構成を示す。GaAs等の基板10上に複数の発光素子12が1次元上に形成される。発光素子はLEDや発光サイリスタ等であり、以下ではLED12として説明する。複数のLED12上には、SiOやSiNからなる保護層14が形成される。保護層14の上にレンズ部15(マイクロレンズ)が形成される。レンズ部15は、一定の厚さを有するベース部16と、ベース部16上に形成され、LED12毎に対応して形成され一定の曲率を有する半球状の曲面部18を有する。
LED12は、GaAs等の基板上に、順次、P型の第1半導体層、N型の第2半導体層、P型の第3半導体層、N型の第4半導体層を形成して構成される。P型の第1の半導体層上にアノード電極が形成され、P型の第3の半導体層上にゲート電極が形成され、N型の第4の半導体層上にカソード電極が形成され、アノード・カソード電極間に順方向電圧を印加することで発光する。
図2に、図1に示すレンズ付発光素子アレイを用いたプリントヘッドの概略構成を示す。基板10上に形成されたLED12からの光はSLA(集束性ロッドレンズアレイ)20で集束され、感光体ドラム22に照射される。図2(a)は発光素子アレイがレンズ部15を有しない場合であり、図2(b)は発光素子アレイがレンズ部15を有する場合である。SLA20の集光角が一定角度、例えば17度である場合、レンズ部15を有しないとLED12からの光は拡散してSLA20に入射する光量が減る。一方、レンズ部15を有するとLED12からの光の発散角を狭めることができ、これによりSLA20に入射する光量が増大し、感光体ドラム22に照射される光量は1.5倍〜2.5倍に増大する。
図3に、レンズ部15(マイクロレンズアレイ)の製造方法を模式的に示す。LED12が形成された基板10上にスピンコートでレンズ樹脂24を塗布し、プリベークした後に、グレイスケールマスク26をマスクとして紫外線(UV)28を照射する。
グレイスケールマスク26は、透過率の階調が階段状に変化する多階調マスクであり、所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定された複数の単位セルを備えている。単位セルの透過率は、例えば、単位セルに占める開口部の面積の割合である面積開口率によって決定する。また、各単位セルの厚さによって決定してもよい。例えば、中央セルにおいて最も透過率が高く、中央セルから外周セルに向かうにつれて透過率が徐々に減少していくようなマスクである。これとは逆に、中央セルにおいて最も透過率が低く、中央セルから外周セルに向かうにつれて透過率が徐々に増大していくようなマスクでもよい。グレイスケールマスク26は、所望のレンズ部15の形状をまず設計し、このレンズ部15の形状を2次元マスクの各セルの透過率にエンコーディングすることで作成される。
グレイスケールマスク26を介して紫外線28を照射した後、現像しウエットエッチングして紫外線の照射量を反映させた半球状のレンズ部15を形成する。レンズ樹脂24は、例えば感光性ポリイミドである。レンズ樹脂24がポジ型レジストとして機能する場合、グレイスケールマスク26として中央セルにおいて透過率が低く、外周セルに向かうにつれて透過率が増大するようなマスクを用いる。一方、レンズ樹脂がネガ型レジストとして機能する場合、グレイスケールマスク26として中央セルにおいて透過率が高く、外周セルに向かうにつれて透過率が減少するようなマスクを用いる。
このように、LED12上にレンズ部15を形成することで、LED12からの光の発散角を狭めて感光体ドラム22に照射される光量を増大させることができるが、その一方で、LED12と保護層14との界面、あるいは保護層14とレンズ部15との界面、さらにはベース部16と曲面部18との界面における反射により多重干渉が生じ得る。
例えば、レンズ部15を構成するベース部16と曲面部18を同一樹脂で形成するとともに、その屈折率を保護層14の屈折率とほぼ同一に設定したとする。すなわち、LED12の屈折率をn1、保護層14の屈折率をn2、ベース部16の屈折率をn4、曲面部18の屈折率をn5として、
n1=1.47
n2=n4=n5=1.64
に設定すると、保護層14の厚さの変動(0.15μm程度)に対して28%程度の出力パワー変動が生じ得る。
ここで、LED12、保護層14、レンズ部15の屈折率をほぼ同一に設定し、例えば、
n1=n2=n4=n5=1.47
とすれば、出力パワー変動はほとんど生じないが、このような条件を満たすための各層の材料が限定されてしまい、製造が困難となる。
そこで、本実施形態では、保護層14とレンズ部15との間に、保護層14とレンズ部15との界面で生じる反射を抑制する反射抑制層を形成することで、各層の材料選択の幅を確保しながらレンズ部15による出力パワー向上を維持しつつ、出力パワーの変動を抑制する。
以下、実施形態について具体的に説明する。
2.第1実施形態
図4に、第1実施形態におけるレンズ付発光素子アレイの構成を示す。基板10上に複数のLED12が1次元上(主走査方向)に形成され、LED12上にSiOやSiN等の保護層14が形成される。そして、保護層14上には、反射抑制層30が形成される。反射抑制層30上に、ベース部16と曲面部18からなるレンズ部15が形成される。ベース部16の厚さpは例えば10μm、曲面部18の厚さ(最も厚い部分)dは例えば8μm、曲面部18の直径Dは例えば25μmである。保護層14の材料とレンズ部15の材料は同一である必要はなく、異なっていてもよい。従って、保護層14の屈折率とレンズ部15の屈折率は異なっていてもよい。また、レンズ部15を構成するベース部16と曲面部18の材料も同一である必要はなく異なっていてもよい。
本実施形態において、LED12の屈折率をn1、保護層14の屈折率をn2、反射抑制層30の屈折率をn3、ベース部16の屈折率をn4、曲面部18の屈折率をn5として、
n1=1.47
n2=1.46
n3=1.30
n4=1.58
n5=1.63
に設定する。すなわち、反射抑制層30の屈折率をレンズ部15の屈折率より小さくし、かつ、保護層14の屈折率より小さくする。
図5に、保護層14の厚さに対する出力パワーの変化を示す。図において、符号aは基板上に順次、LED12、保護層14、ベース部16を形成した場合(以下、この構成を
LED12/保護層14/ベース部16と略記する)における出力パワー変化であり、符号bはLED12/保護層14/反射抑制層30/ベース部16の構成における出力パワー変化であり、符号cはLED12/保護層14の構成である。すなわち、符号aは、反射抑制層30を有しない場合であり、符号cは反射抑制層30もベース部16も有しない場合であり比較例である。いずれの構成においても、保護層14の屈折率はn2=1.46であり、符号cにおける反射抑制層30の厚さmは0.45μm、屈折率はn3=1.30であり、符号a,cにおけるベース部16の屈折率はn4=1.58である。
図から分かるように、符合bで示す反射抑制層30を有する構成では、符号aで示す反射抑制層30を有しない構成に比べてピークレベルで約15.6%出力パワーが増大している。一方、符号aの場合にはピークレベルにおける出力パワーは大きくないものの、パワー変動については相対的に小さい。また、符号bで示す構成では、符号cで示すベース部16を有しない構成に比べて、ピークレベルは若干低下するものの出力パワー変動は比較的小さい。
すなわち、出力パワーの観点では、
符号a<符号b<符号c
であり、パワー変動の観点では、
符号a<符号b<符号c
である。出力パワーとパワー変動とはトレードオフの関係にあり、出力パワーを向上させつつパワー変動も抑制するとの両立の観点からは、符号bが優れているといえる。
いま、図1の基本構成において、
n1=1.47
n2=1.64
n3=×(無し)
n4=1.64
n5=1.64
に設定した場合の、保護層14の厚さの変動(0.15μm程度)に対する出力パワー減少率0%、パワー変動率28%を基準とすると、図4の構成において、
n1=1.47
n2=1.46
n3=1.30
n4=1.58
n5=1.63
に設定した場合は、出力パワーの減少率は1.8%、パワー変動率は22%となる。反射抑制層30は、出力パワーを若干低下させる代わりに出力パワー変動を抑制する。
なお、レンズ部15を構成するベース部16の厚さpに関しては、上記のようにp=10μmとしているが、この値に限定する必要はない。本願出願人は、ベース部16の厚さpが10μmに対して±2μm変動したとしても、パワー変動率は4%以下であることを確認している。
また、反射抑制層30の屈折率を保護層14の屈折率より大きく設定する、例えば保護層14の屈折率であるn2=1.46に対して反射抑制層30の屈折率をn3=1.55に設定すると、パワー変動率は2%程度に抑制されるが、その一方で出力パワーは大きく減少してしまう。従って、出力パワーをある程度維持しつつ、パワー変動を抑制するために、反射抑制層30の屈折率は保護層14の屈折率より小さいか、あるいは同程度であることが好適である。
本実施形態における反射抑制層30は、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリレート等のフッ化ポリマーで形成され得る。また、レンズ部15のベース部16及び曲面部18は、感光性のポリイミドやエポキシ樹脂、アクリレートで形成される。ポリイミドに含有されるフッ素の量を調整することで屈折率を調整できることは公知であり、エルビウム化合物等の化合物を添加することで屈折率を調整できることも公知である(例えば特開平6−1914号公報)。本実施形態の反射抑制層30の屈折率は、これら公知の調整方法を用い得る。
3.第2実施形態
第1実施形態では、反射抑制層30の屈折率を保護層14の屈折率より小さく設定しているが、上記のように、反射抑制層30の屈折率を保護層14の屈折率と同程度に設定してもよい
図6に、本実施形態のレンズ付発光素子アレイの構成を示す。基板10上に複数のLED12が1次元上(主走査方向)に形成され、LED12上にSiOやSiN等の保護層14が形成される。そして、保護層14上には、反射抑制層30が形成される。反射抑制層30の屈折率は、保護層14の屈折率と同一である。反射抑制層30上に、ベース部16と曲面部18からなるレンズ部15が形成される。屈折率は、
n1=1.47
n2=1.46
n3=1.46
n4=1.58
n5=1.63
である。この構成は、実質的に保護層14上にベース部16が形成される構成と同一であり、図5の符号aで示されるように出力パワー変動が極めて小さい。上記の
n1=1.47
n2=1.64
n3=×(無し)
n4=1.64
n5=1.64
に設定した場合の、保護層14の厚さの変動(0.15μm程度)に対する出力パワー減少率0%、パワー変動率28%を基準とすると、図6の構成では、出力パワーの減少率は9.2%、パワー変動率は7%となる。
第2実施形態では、出力パワーは比較的大幅に低下するものの、これとは逆にパワー変動は大幅に抑制される。従って、出力パワーの大きさが要求されない製品等に好適である。
4.プリントヘッドの構成
各実施形態のレンズ付発光素子アレイは、画像形成装置のプリントヘッドの回路基板に組み込まれるが、以下、このプリントヘッドの回路基板について簡単に説明しておく。
図7に、画像形成装置のプリントヘッドに搭載される回路基板及び発光部の平面図を示す。発光部は、回路基板上に、発光素子アレイチップC1〜C60を主走査方向に二列に対向させて千鳥状に配置される。信号発生回路100は、回路基板上の所定位置に設けられ、発光部に対して各種駆動信号を供給する。信号発生回路100には、画像処理された画像データ及び各種制御信号が供給される。信号発生回路100は、画像データ及び各種制御信号に基づいて、画像データの並び替え等を行い、各発光チップC1〜C60に対して点灯信号を出力する。また、信号発生回路100は、画像データに基づいて、各発光チップC1〜C60において点灯させるべき発光素子を指定し、記憶するための記憶信号を出力する。さらに、信号発生回路100は、各種制御信号に基づいて、各発光チップC1〜C60に対して転送信号を出力する。発光チップC1は、複数の発光素子(発光サイリスタ)を組(ブロック)にし、組(ブロック)を単位として点灯/消灯を制御する。例えば、8個の発光素子で1つの組を構成する。発光チップC1は、一例として2個のSLED(自己走査型発光素子アレイ)を備える。これらのSLEDは、それぞれ128個の発光サイリスタを備える。SLEDの発光サイリスタ上には保護層14、反射抑制層30、レンズ部(マイクロレンズアレイ)15が形成される。
10 基板(SLED基板)、12 LED(発光素子)、14 保護層、15 レンズ部(マイクロレンズアレイ)、16 ベース部、18 曲面部、20 SLA(集束性ロッドレンズアレイ)、22 感光体ドラム、24 レンズ樹脂、26 グレイスケールマスク、30 反射抑制層。

Claims (3)

  1. 1次元上に配列された発光素子アレイと、
    前記発光素子アレイ上に形成される保護層と、
    前記保護層上に形成され、一定の厚さを備えるベース部と、前記ベース部上に形成され、前記発光素子アレイを構成する発光素子毎に対応した半球状の曲面部とを備えるレンズ部と、
    前記保護層と前記レンズ部の前記ベース部との間に形成される反射抑制層と、
    を備え
    前記反射抑制層の屈折率は、前記レンズ部の屈折率より小さく、かつ、前記保護層の屈折率より小さいか同程度であることを特徴とするレンズ付発光素子アレイ。
  2. 請求項1記載のレンズ付発光素子アレイにおいて、
    前記保護層は、SiO2あるいはSiNであり、
    前記反射抑制層は、フッ化ポリマーであることを特徴とするレンズ付発光素子アレイ。
  3. 請求項1,2のいずれかに記載のレンズ付発光素子アレイを備えるプリントヘッド
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