JP5584880B2 - 電子デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は電子デバイス、特に光学−電気的および／または電気−光学的な電気デバイスに関する。

本発明はさらに、電子デバイスの製造方法に関する。

本明細書において光学−電気デバイスとは、（例、可視）光を電力または電気信号に変換するデバイスと定義され、こうしたデバイスはたとえば光電池、たとえば有機光電池（ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏ ｖｏｌｔａｉｃ ｃｅｌｌｓ：ＯＰＶｓ）などを含む。電気−光学デバイスとは、電気信号に依存する光学特性を有するデバイス、たとえば発光ダイオード、たとえば有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ：ＯＬＥＤｓ）およびエレクトロクロミックデバイスなどであると理解される。一般的にこうしたデバイスは、第１および第２の電極層の間に挟まれた光学的機能構造を有する。光電池の場合、その光学的機能構造は、放射線を電流に変換するための少なくとも１つの光学−電気層を含む。発光ダイオードの場合、その機能構造は、電流を放射線に変換するための少なくとも１つの電気−光学層を含む。機能層へ、または機能層から放射線を通すために、電極層の少なくとも一方を比較的薄くする必要がある。厚さが制限されるために、この少なくとも一方の電極層の導電性も制限される。光電池において、このことは抵抗損が比較的高くなるという不利益を有する。有機デバイスは、比較的低温および比較的安価な製造条件で製造できるために注目を集めている。特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、表示および照明の目的に用いるために重要になってきている。ＯＬＥＤ、特に大面積ＯＬＥＤすなわち数平方センチメートルより大きな発光面積を有するＯＬＥＤにおいては、導電性が低いと、その面積にわたって大幅な電圧降下が起こることによって、その面積における輝度が不均一になるという、さらなる不利益がある。米国特許出願番号第２００６／０１２５３８３号により、ロールツーロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）プロセスにおいて大面積ＯＬＥＤを製造する方法が公知である。この方法に従うと、第１、第２および第３の構成要素がともに積層される。第１および第２の構成要素は、ＯＬＥＤ材料の１つまたはそれ以上の層で被覆された基板を含む。第３の構成要素は、接着性材料の１つまたはそれ以上の層を有するさらなる基板を含む。ある実施形態において、第２の構成要素には、第２の基板に対して実質的に垂直な開口が設けられる。光電池およびＯＬＥＤなど、さまざまな種類の電気デバイスを製造するとき、こうしたデバイスの１つに対する予想外の需要があった場合のために、こうしたデバイスを半完成品から迅速に製造できれば魅力的である。公知の製品は、第２の構成要素の開口内に接着剤を与えて、３つの構成要素を集積することによって製造される。ここでは、開口内の接着剤を介して、接着剤が第３の構成要素を第１の構成要素に結合する。中央の構成要素の開口内に接着剤を適用して３つの構成要素を同時に積層するプロセスは、比較的複雑である。さらに、製品を完全に組立てる前にデバイスの正しい動作を評価することができない。

本発明の目的は、改善された製造方法によって製造できる電子デバイスを提供することである。本発明のさらなる目的は、電子製品を製造するための改善された方法を提供することである。本発明のさらなる目的は、第２の構成要素とともに組立てて電子デバイスにすることのできる第１の構成要素を提供することである。

本発明の第１の局面に従うと、請求項１に従って電子デバイスが提供される。上に引用した米国特許出願から公知の製品とは異なり、本発明に従う電子デバイスにおいては、第１および第２の部分の間に電気絶縁接着層が適用され、横断導電体が接着層を通って第１の部分の導電層のうち少なくとも１つに伸びている。

第１および第２の構成要素の積層によって、電子デバイスを製造できる。第１の構成要素は、第１の基板上にたとえばＯＬＥＤまたはＯＰＶなどを形成する機能スタックを含み、第２の構成要素は第２の基板上に電力面を形成するカバーである。第１および第２の構成要素は、安価なロールツーロールプロセスで製造できる。公知の製品とは異なり、たとえばＯＬＥＤまたはＯＰＶなどの機能スタックを含む第１の部分自体は積層によって形成される必要がなく、２枚のホイルの積層前に１つの基板上で完成されてもよい。

少なくとも１つの導電構造は、第１の導電層および第２の導電層の一方に対する電源支持の働きをしてもよい。この態様で支持される導電層は比較的薄くできるため、デバイス内で生成される放射線またはデバイスに入る放射線に対する透過性が良好である。支持されていない他方の層は、デバイスの側方の寸法に依存して比較的厚くなってもよい。有利な実施形態においては、少なくとも第１および第２の導電構造と、第１および第２の横断導電体とが存在し、ここで第１および第２の横断導電体はそれぞれ第１および第２の導電層を第１および第２の導電構造に電気的に相互接続する。この実施形態において、第１の部分における両方の導電層の厚さは、第１の部分の側方の寸法に依存しない。したがって、この実施形態において第１の部分は完全にスケーラブルであるため、多種類の最終製品を製造するために同じ製造プロセスを用いることができる。

第１の構成要素の製造においては、機能スタックが形成されて接着層によって被覆される。たとえばレーザー穿孔などによって、第１および第２の導電層の少なくとも一方に向けて接着層に孔が形成され、導電材料が充填されることによって横断導電体が形成される。第１および第２の構成要素は、さらなる複雑な処理ステップなしに積層によって集積されて最終製品になることができる。

第１および第２の構成要素は、積層の前に各々テストできるため、製造プロセスの後期段階におけるフォールアウトが減少する。

接着層およびおそらくはリリースライナーを含む機能スタックが完成した後に、孔が形成されてその後導電材料で充填されることが好ましい。これは、ブランケット蒸着によってすべての層を適用できて製造プロセスが簡単になるという利点を有する。しかし、これは必要ではない。製造プロセスのあらゆる段階で、あらゆる層のあらゆるパターンが形成されてもよい。たとえば、印刷などのパターン化蒸着プロセスを用いて、蒸着プロセスの際に層内のパターンを適用してもよいし、その層が適用された直後に穿孔またはエッチングによってパターンを適用してもよい。リリースライナーとは、接着剤またはマスチックなど、あらゆる種類の粘着性材料から離れる効果を与える離型剤によって１つまたは２つの側部が覆われた、紙またはプラスチックに基づく担体織物材料であると理解される。

さまざまな種類のデバイスに対する提案および需要に依存して、電気−光学活性層を含む第１の構成要素との集積によって発光製品を製造するため、または光学−電気活性層を有する第１の構成要素との集積によって光起電性製品を製造するためにカバーホイルを用いるかどうかをあらゆる時点で決定してもよい。ＯＰＶおよびＯＬＥＤ製品の最終的なサイズおよび形は、端子形成および積層の直前に決定される。

有利な実施形態においては、接着層を含む機能スタックが完成した後に孔が形成される。この実施形態において、機能スタックは機能層のブランケット蒸着によって形成され、そこにリリースライナーが設けられる。このブランケット蒸着は製造を容易にし、こうして得られた半完成品はすべての製品に対して包括的である。さらに、この実施形態においては穿孔および充填の際に形成されるあらゆる残骸がリリースライナーに残される。リリースライナーはカバーとの積層の直前に離されてもよい。積層プロセスにおいては、横断第１および第２導電体がカバーにおける第１および第２の導電構造に接触される。

別の有利な実施形態において、第１の導電層は互いに電気的に絶縁されかつ第２の共通な面に配置された第１および第２のセグメントを有し、第１の導電層の第１のセグメントは第１の導電構造に電気的に接続され、第２の導電層は第２の導電体および第１の導電層の第２のセグメントを介して第２の導電構造に電気的に相互接続される。この実施形態において、第２の導電構造の横断導体への電気的接続は第１の導電層のセグメントを介して形成されるため、第２の導電層を比較的薄くすることによって透過性を比較的高くできる。したがって、カバーにおける導電構造が表面の十分に大きな部分を自由なまま残していれば、両面放射ＯＬＥＤを形成できる。実際には、導電構造がカバーの基板の表面の約１０％を覆っているとき、導電構造はなおも十分な導電性を有することが見出されている。

第１および第２の導電層を第１および第２の導電構造にそれぞれ接続する第１および第２の横断導電体を適用し、かつ第１および第２の導電構造がカバーの表面の１０％以下を覆うことは、たとえばウィンドウなどに用いられるエレクトロクロミックデバイスに特に関連がある。

さらなる実施形態において、第１の導電層に結合される第１の横断導体は、これらの導体を第２の導電層から絶縁する絶縁ゾーンに囲まれている。絶縁ゾーンは第１の横断導体に直接近接して適用されてもよいが、代替的に横断導体から離れて適用されてもよい。たとえばある実施形態において、第２の導電層には、第１の横断導体のための内側部分と、内側部分とは分離したリング形の外側部分とを有する孔が設けられる。第１の横断導体と第２の導電層との間に絶縁ゾーンが存在していれば十分である。製造の目的のためには、絶縁ゾーンが第１の横断導体の全長にわたって延在することによって、機能スタックのすべての層が適用された後に単一ステップで絶縁ゾーンを製造できることが好ましいだろう。絶縁ゾーンは、機能スタックのすべての層が適用された後に、第１の横断導電体の周りのリング形の体積の材料を除去することによって適用されてもよい。代替的には、第１の導電層に伸びる第１の孔を穿孔して、電気絶縁材料を充填してもよい。その後、この電気絶縁材料内により小さな孔を穿孔して、その中に第１の横断導電体を配置してもよい。絶縁ゾーンは材料を含まないままにされてもよいし、絶縁材料が充填されてもよい。横断方向にのみ伝導する横断導体に対して異方性の材料が用いられるとき、絶縁ゾーンは不必要かもしれない。

本発明に従う電子デバイスは第１および第２の導電構造を含んでもよく、ここで第１の導電構造は第１の横断導電体を介して第１の導電層全体に電気的に接続され、第２の導電構造は第２の横断導電体を介して第２の導電層全体に電気的に接続される。この並列配置においては、ＯＬＥＤを比較的低電圧で駆動でき、ＯＰＶには比較的低電圧の出力が設けられる。代替的な配置においては、機能スタックが機能スタックセグメントに分割され、各機能スタックセグメントは第１の導電層のセグメントと第２の導電層のセグメントとを含み、機能スタックセグメントは直列に配置され、第１の導電層の少なくとも１つのセグメントがカバーにおける導電構造を介して第２の導電層のセグメントに電気的に接続される。この直列配置においては、比較的高電圧だが低い駆動電流でＯＬＥＤを駆動できる。結果的に、第１および第２の導電構造の導電性に対する要求が厳しくなくなる。同様に、この態様でＯＰＶに比較的高電圧の出力が設けられてもよく、一方で第１および第２の導電層の電流負荷は少なくなる。

図面を参照して、これらの局面およびその他の局面がより詳細に説明される。

本発明に従う電子デバイスの第１の実施形態を示す図である。 図１の電子デバイスの第１の部分を示す図である。 図１の電子デバイスの第２の部分を示す図である。 図１の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図１の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図１の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第２の実施形態を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図５の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第３の実施形態を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図７の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第４の実施形態を示す図である。 図９中の底面図Ｘに従って図９の電子デバイスの一部分を示す図である。 図９中のＸＩに従って図９の電子デバイスの別の部分の断面を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第４の実施形態を示す図である。 図１２中のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに従う階段状の断面を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第５の実施形態を示す図である。 図１４の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図１４の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図１４の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 図１４の電子デバイスを製造する方法を示す図である。 本発明に従う電子デバイスの第６の実施形態を示す図である。 共通のパッケージに集積された本発明に従う複数の電子デバイスを示す図である。

以下の詳細な説明には、本発明の完全な理解を与えるために多数の特定的な詳細が示されている。しかし、これらの特定的な詳細なしに本発明を実施してもよいことが当業者に理解されるだろう。他の場合には、本発明の局面を不明瞭にしないために、周知の方法、手順および構成要素は詳細に記載していない。

本明細書において用いられる用語は、特定の実施形態を説明する目的のためのみのものであり、本発明を制限することは意図されていない。本明細書において用いられる単数形「１つの（ａ、ａｎ）」および「前記（ｔｈｅ）」は、その文脈が明らかに別様を示さない限り、複数形をも含むことが意図される。さらに、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、本明細書中で用いられるとき、述べられる特徴、完全体、ステップ、動作、要素および／または構成要素の存在を特定するが、１つまたはそれ以上の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成要素および／またはその群の存在または付加を排除するものではないことが理解されるだろう。さらに、反対のことがはっきりと述べられていない限り、「または（ｏｒ）」は包含的論理和を示すものであって、排他的論理和は示さない。たとえば、ＡまたはＢという条件は、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真（または存在）であってＢが偽（または不在）である、Ａが偽（または不在）であってＢが真（または存在）である、ならびにＡおよびＢの両方が真（または存在）である。

本発明の実施形態を示す添付の図面を参照して、以下に本発明をより十分に説明する。しかし、本発明は多くの異なる形で実施されてもよく、本明細書に示される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。これらの実施形態は、この開示を詳細かつ完全なものとして、当業者に本発明の範囲を十分に伝えるために提供されるものである。図面において、明瞭さのために層および領域のサイズおよび相対サイズは誇張されていることがある。

ある要素または層が別の要素または層に「載せられる（ｏｎ）」、「接続される（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ）」または「結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ）」ことが示されるとき、それは他方の要素または層に直接載せられるか、接続または結合されてもよいし、介在する要素または層が存在してもよいことが理解されるだろう。これに対し、ある要素が別の要素または層に「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）載せられる」、「直接接続される」または「直接結合される」ことが示されるときには、介在する要素または層は存在しない。全体にわたって類似の番号は類似の要素を示す。本明細書において用いられる「および／または」という用語は、関連する列挙された事項の１つまたはそれ以上のあらゆるすべての組合せを含む。

本明細書において、さまざまな要素、構成要素、領域、層および／またはセクションを説明するために第１、第２、第３などの用語を用いることがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層および／またはセクションはこれらの用語によって限定されるべきではないことが理解されるだろう。これらの用語は１つの要素、構成要素、領域、層またはセクションを別の領域、層またはセクションから区別するためにのみ用いられる。よって、以下に考察される第１の要素、構成要素、領域、層またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなく第２の要素、構成要素、領域、層またはセクションと名付けられてもよい。

本明細書において、図面に示される１つの要素または特徴と別の要素または特徴との関係を説明するときに、説明を容易にするために空間的に相対的な用語、たとえば「真下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下側（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上側（ｕｐｐｅｒ）」などが用いられることがある。この空間的に相対的な用語は、図面に示された向きに加えて、使用中または動作中のデバイスの異なる向きも包含することが意図されていることが理解されるだろう。たとえば、もし図面中のデバイスがひっくり返されれば、他の要素または特徴の「下」または「真下」にあると記載された要素が、他の要素または特徴の「上」に向き付けされることになる。よって「下」という例示的用語は、上および下の両方の向きを包含し得る。デバイスが別様に向き付け（９０度または他の向きに回転）されてもよく、本明細書において用いられる空間的に相対的な記述子はそれに従って解釈される。

本明細書においては、本発明の理想化した実施形態（および中間構造）の概略図である断面図を参照して、本発明の実施形態を説明する。よって、たとえば製造技術および／または許容差などの結果として、この図の形から変化することが予期される。よって、本発明の実施形態は本明細書に図示される領域の特定の形に限定されると解釈されるべきではなく、たとえば製造などの結果もたらされる形の逸脱を含むと解釈されるべきである。

別様に定義されない限り、本明細書において用いられるすべての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野における通常の当業者が一般的に理解するものと同じ意味を有する。さらに、一般的に用いられる辞書において定義されるものなどの用語は、関連技術分野の状況におけるそれらの意味と一致した意味を有するものと解釈されるべきであって、本明細書においてはっきりとそう定義されない限り、理想化された意味または過度に形式的な意味に解釈されることはないことが理解されるだろう。本明細書において言及されるすべての出版物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、その全体にわたって引用により援用される。矛盾がある場合には、定義を含む本明細書が支配する。加えて、材料、方法および例は単に例示的なものであり、限定することは意図されない。

図１は電子デバイスの第１の実施形態を示しており、これは第１の構成要素として機能スタック１０を、第２の構成要素としてカバー５０を含む。図２は図１の上面図ＩＩに従って第１の構成要素１０を示し、図３は図１の底面図ＩＩＩに従って第２の構成要素５０を示す。

カバー５０は、絶縁接着層２８によって機能スタック１０に結合される。接着層２８は１５〜１００μｍの範囲の厚さを有し、機能スタック１０をカバー５０に接着する。接着層２８の接着剤は適用後に硬化されてもよい。好適な接着剤は、たとえばアクリル酸塩、エポキシおよびシリコーンなどである。しかし、ホットメルトの（たとえばＥＶＡに基づく）熱可塑性接着剤も用いられ得る。機能スタック１０は第１の透過性の導電層２２を含み、これはバリアスタックの形の第１のバリア構造が設けられた基板１２に適用される。基板としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ））またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ））またはＰＣ（ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ））などの材料が用いられてもよい。基板は、たとえば５０μｍから２５０μｍの範囲、たとえば１２５μｍなどの厚さを有していてもよい。バリアスタックは、１〜５００ｎｍの範囲、好ましくは約３００ｎｍの厚さを有する第１の無機層１６と、０．１〜１００μｍ、好ましくは約２０μｍの厚さを有する第１の有機層１８と、１〜５００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍの厚さを有する第２の無機層２０とを含む。層１８は無機層１６、２０を分離しており、付加的に平坦化層として機能してもよい。バリアスタックは、（任意の）平坦化層１４を有し得る基板１２に適用される。有機平坦化層１４は０．１〜１００μｍの範囲、好ましくは約２０μｍの厚さを有する。第１の透過性の導電層２２は、たとえば透過性の伝導性金属酸化物の層、たとえば酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ）の層などである。第１の透過性の導電層２２は、５０〜３００ｎｍの範囲、たとえば１５０ｎｍなどの厚さを有する。代替的または付加的に、ＰＥＤＯＴなどの十分に伝導性のある透過性有機材料または薄い金属が用いられてもよい。機能スタックは、第２の導電性の必ずしも透過性でない層２４、たとえば約５ｎｍの厚さを有するバリウムの層と１００〜４００ｎｍの範囲の厚さを有するアルミニウムの層との組合せなどを含む。

機能構造２６は前記第１および第２の導電層２２、２４の間に挟まれている。機能構造２６はその機能に応じて１つまたはそれ以上の機能層を含んでもよい。たとえば電子デバイスがＯＬＥＤである場合、機能構造は、たとえば重合ＰＰＶまたは層スタック、およびＩｒＰｙなどのエミッタを含む小さい分子の混合物などの発光材料の少なくとも１つの層を含む。加えて機能構造は、発光材料の層と陽極を形成する導電層との間に正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）を、およびまたは発光材料の層と陰極を形成する導電層との間に電子伝達層を含んでもよい。好適な材料は、たとえばアルミニウム、銅または銀などである。

電子デバイスが光電池である場合、機能構造は電子供与層と電子受容層との組合せを含んでもよい。たとえば、第１の導電層は厚さ１２５ｎｍのＩＴＯ層であり、第２の導電層は厚さ１００ｎｍのアルミニウム層であり、その間に７５ｎｍのＰＥＤＯＴおよび１００ｎｍの混合層（ＭＤＭＯ−ＰＰＶ：ＰＣＢＭ １：４）が配される。

カバー５０は基板５２と、基板５２に適用される第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８とを含む。基板としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）またはＰＣ（ポリカーボネート）などの材料が用いられてもよい。基板は、たとえば５０μｍから２５０μｍの範囲、たとえば１２５μｍなどの厚さを有してもよい。第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８は、接着層２８と基板５２との間に配置される。それによって、第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８は接着層２８の表面に沈められてもよい。導電構造６６、６８に対して好適な材料は、銅、銀およびアルミニウムである。銅の場合には、たとえば欧州特許第１８４３３８３号に記載されるものなどの電気メッキプロセスによって、好適な導電構造を形成できる。導電構造６６、６８は、１０μｍから５０μｍのオーダー、たとえば２５μｍなどの厚さを有してもよい。この構造は、幅１００μｍから３００μｍの分岐を有してもよい。デバイスの良好な動作のために抵抗を十分低くするためには、導電構造６６、６８が基板の表面の約１０％を覆っていれば十分である。そのときカバーはなおも良好な透過性を有する。これは、たとえば導電構造のその後の分岐が１ｍｍから３ｍｍの距離を置いて離されていれば達成される。しかし、機能スタックがデバイスの一方側における放射線に対して伝達性であることのみが要求されているときは、導電構造が実質的に基板５２全体を覆ってもよい。

カバー５０にはさらに、第３の無機層５６、第２の有機層５８および第４の無機層６０を含むバリア構造が設けられる。バリア構造５６、５８、６０は、基板５２と、第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８との間に配置される。本発明のこれらの実施形態およびその他の実施形態におけるバリア構造に対する好適な材料は、以前に出願された欧州特許出願ＥＰ０８１５６４９３．２号に記載されている。カバーには、第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８からデバイスの外側のさらなる導体への電気的接続を提供する第１および第２の電気メイン導体６２、６４がさらに設けられる。代替的には、こうしたメイン導体６２’、６４’が機能スタック１０内に設けられてもよい。

第１の面６１を横断する第１の導電体３２は、第１の導電層２２を第１の面６１中の第１の導電構造６６に電気的に相互接続する。第１の面６１を横断する第２の導電体３４は、第２の導電層２４を第２の導電構造６８に電気的に相互接続する。好ましい実施形態において、導電体３２、３４はＣｕ、ＡｇまたはＣに基づくインク、ペーストまたは接着剤によって形成されてもよいし、好適なシード材料で充填した後に金属導体を無電解成長させることによって形成されてもよい。

第１の導電体３２は、リング形のゾーン３３によって第２の導電層２４から絶縁されている。この場合、リング形のゾーン３３は第１の導電体３２の全長にわたって延在する。しかし、陰極層（第２の導電層２４）が第１の導電体３２の充填されたゾーンの周囲から除去されているだけで十分である。リング形のゾーン３３は電気絶縁材料で充填されてもよいが、代替的には材料を含まないままにされてもよい。

図１に示される製品は、第１の構成要素１０すなわち機能スタックを、第２の構成要素５０すなわち導電構造を有するカバーと積層することによって効率的に製造されてもよい。

次に、図４Ａ〜４Ｅを参照しながら機能スタックを製造する方法を説明する。本発明に従う方法によると、基板１２が提供される。平坦化層１４が任意に適用されてもよい。平坦化層は、たとえば（真空中の）グラビア印刷またはスロットダイコーティングなどによって蒸着される。その後、第１の無機層１６、第１の有機層１８および第２の無機層２０の付着を適用することによって、第１のバリア構造が提供される。無機層１６、２０はＳｉＮｘ：Ｈの蒸着、たとえばＰＥＣＶＤなどによって適用されてもよい。蒸着の前に表面処理が行なわれてもよい。中間有機層１８はグラビア印刷またはスロットダイコーティングによって蒸着されてもよい。

次いで第１の透過性の導電層２２が適用され、１つまたはそれ以上の機能層を含む機能構造２６がそれに続く。次に第２の導電層２４が適用される。たとえばＩＴＯ層などの導電層２２は、（回転可能な）マグネトロンスパッタリングの後に１５０℃未満の温度でアニーリングすることによって適用されてもよい。たとえば熱蒸発などによって二重の導電層２４が適用されてもよい。導電層２４には電気絶縁接着層２６が設けられ、これは任意にリリースライナー３６で覆われていてもよい。機能構造は１つまたはそれ以上の活性層、たとえば電気−光学的活性層、光学−電気的活性層、正孔注入層、電子伝達層などを含んでもよい。この１つまたはそれ以上の活性層は、たとえばスピンコーティング、グラビア／フレキソ印刷、およびスロットダイコーティングなどの方法の１つまたはそれ以上によって適用されてもよい。これらのステップによって、パターン形成を必要とせずに図４Ａに示される結果が得られる。

図４Ｂは、直径２５〜２５０μｍの第１および第２の孔３８、４０が接着層２６およびリリースライナー３６を通って形成される様子を示す。第１の孔３８は第１の透過性の導電層２２に向かって伸びる。第２の孔４０は第２の導電層２４に向かって伸びる。

孔３８、４０に導電材料を適用して導電体３２、３４を形成することによって、図４Ｃに示される結果が得られる。導電体３２の適用後、第１の孔３８中の導電材料の周りに、たとえば５０〜２７５μｍの外径を有するリング形の凹み３３が形成される。リング形の凹み３３には絶縁材料が充填されているが、代替的に空のままであってもよい。第１および第２の孔３８、４０ならびにリング形の凹み３３は、レーザー穿孔によって形成されることが好ましい。なお、機能スタック１０の最終層の適用後に単一ステップで孔３８、４０を適用する代わりに、機能スタック１０の層をパターン化蒸着して、孔および凹みに対応する場所にパーフォレーションを設けた接着層２６を積層することによって、孔３８、４０および凹み３３を代替的に形成してもよい。

製品の長期的保護を与えるために、デバイスに湿気が侵入するのを防ぐための方策が取られてもよく、たとえば機能スタックの側面がバリア材料で密封されてもよい。

カバー５０は、基板１２に層１４、１６、１８、２０を適用するために用いられたのと同様の方法によって、基板５２に層のスタック５４、５６、５８、６０を適用することによって製造されてもよい。その後、たとえば上述の方法などによる電気めっきなどを用いて、スタック５４、５６、５８、６０に第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８を適用してもよい。第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８は、要求される製品のサイズに依存した厚さを有する。

一方の第１の部分１０の層１６、１８および２０によって形成されたバリア構造と、他方の第２の部分５０の層５６、５８および６０によって形成されたバリア構造とが、湿気に敏感な層に環境から湿気が侵入するのを防ぐ。代替的な実施形態においては、両方のバリア構造が第１の部分１０に存在してもよい。たとえば、バリア構造は陰極層２４と接着層２８との間に存在してもよい。

図４Ｅで得られた半完成品を、図３に示される基板５２と第１の面６１における少なくとも１つの導電構造６６とを含むカバー５０に積層することによって、図１に示される電子デバイスの製造が完了してもよい。これによって、第１の面６１の第１および第２の互いに絶縁された導電構造６６、６８は、それぞれ接着層２８の第１の孔および第２の孔の開口における導電材料３２、３４に接触される。このステップの前に、もし存在していればリリースライナー３６を除去してもよい。この製造プロセスにおいて、リリースライナー３６は二重の機能を有する。リリースライナーは一方では、孔３８、４０、リング形の凹み３３、およびデバイスの周囲のバリア材料３０を充填するためのスリットを形成するプロセスの間に放出される残骸を捕える。他方では、リリースライナー３６は迅速な積層を促進する。一旦リリースライナー３６が除去されると、接着層２８が使用可能になることによって機能スタック１０およびカバーを共に積層できる。特定の製品に対する予期せぬ要求があった場合には、関連する機能スタック１０とカバー５０とを積層することによって、その特定の製品を製造できる。接着層の適用による遅延はもたらされない。

図５は、本発明に従う電子デバイスの代替的な実施形態を示す。図１の部分に対応する図中の部分は、１００大きい参照番号を有する。図５において、参照番号１１３および１５５は、たとえば図１を参照して説明されるスタック１４、１６、１８、２０などの、交互になった有機層および無機層のスタックを含むバリア構造を示す。

図５に示される電子デバイスの代替的な実施形態において、第１の導電層１２２は第１および第２のセグメント１２２ａ、１２２ｂを有する。セグメント１２２ａ、１２２ｂは互いに電気的に絶縁されており、第２の共通な面に配置されている。第１の導電層１２２の第１のセグメント１２２ａは、第１の導電構造１６６に電気的に接続される。第２の導電層１２４は、第２の導電体１３４および第１の導電層１２２の第２のセグメント１２２ｂを介して、第２の導電構造１６８に電気的に相互接続される。

図６Ａ〜６Ｅは、図５に示される代替的な実施形態を製造する方法を示す。図６Ａに示されるこの方法の第１のステップにおいて、透過性の導電材料のパターン化層１２２が適用される。この層は、互いに絶縁された少なくとも１つの第１のセグメント１２２ａと１つの第２のセグメント１２２ｂとを含む。層中のパターンは、たとえば印刷プロセスなどによって直接適用されてもよいし、まず連続的な層が適用された後にパターン化が行なわれてもよい。

図６Ｂに示されるとおり、パターン化層１２２に、たとえば発光層、正孔伝達層または電子伝達層のうちの１つまたはそれ以上などを含む１つまたはそれ以上の活性層のスタック１２６が適用される。

次のステップでは、図６Ｃに示されるとおり第２のセグメント１２２ｂ（またはその一部）からスタック１２６が除去される。代替的には、たとえば印刷プロセスなどによって、スタック１２６がパターン化された形で直接適用されてもよい。

図６Ｄに示される次のステップでは、導電材料の少なくとも１つの層１２４が適用される。この少なくとも１つの層１２４は、第１の導電層１２２の少なくとも１つのセグメント１２２ｂと電気接点を形成する。図６Ｅと、図６ＥのビューＦに従う図６Ｆとに示されるとおり、第２の導電層１２４に孔１３７が形成され、スタック１２６を経由して第１の導電層１２２まで延在する。孔１３７は、円形の内側部分１３７ａと、内側部分と分離したリング形の外側部分１３７ｂとを有する。

図６Ｇに示される次のステップにおいて、少なくとも１つの導電層１２４に接着層１２８が適用される。接着層１２８および場合によってはリリース層には、孔１３７の円形の内側部分１３７ａに揃えた第１の孔１３８が設けられる。第１の導電層１２２の第２のセグメントに向かって伸びる１つまたはそれ以上の第２の孔１４０が適用される。孔１３７のリング形の外側部分１３７ｂを接着材料が充たしてもよい。代替的には、外側部分は材料を含まないままにされてもよいし、別個の絶縁材料で充填されてもよい。

次のステップにおいて、孔１３８、１４０にそれぞれ導体１３２、１３４が適用される。第１の横断導体１３８は、孔の内側部分１３７ａを通って第１の導電層１２２まで延在する。ある実施形態において、孔１３７には必要であれば硬化される絶縁材料が充填され、その後絶縁材料の体積の内側にもっと小さな孔１３７ａが穿孔され、その後このもっと小さな孔に横断導体を形成する導電材料が充填される。

その後、結果として得られる図６Ｇに示される半完成品は、たとえば図３に示されるカバー５０などのカバーと積層されてもよい。

この実施形態において、第１の横断導電体１３２の周りの絶縁ゾーンは距離を置いて適用される。代替的には、図１の実施形態に示したとおり、絶縁ゾーンが第１の横断導電体１３２と直接境を接していてもよい。同様に、第２の横断導電体３４が第２の導電層２４に直接接続されている図１の実施形態において、第１の横断導電体の周りの絶縁ゾーンは、第１の横断導電体３２を含む孔とは分離したリング形のゾーンとして距離を置いて適用されてもよい。

図７はさらなる代替的な実施形態を示す。図１の部分に対応する図中の部分は、２００大きい参照番号を有する。図５に対応する図中の部分は、１００大きい参照番号を有する。図７の実施形態において、機能構造２２６および第２の導電層２２４には第１の横断導電体２３２に揃えた空間が設けられる。機能構造２３６の空間は第２の導電層２２４の空間よりも小さく、その内側に存在する。

図７に示される電子デバイスは第２の導電層２２４と接着層２２８との間に薄膜構造２２５を含み、薄膜構造２２５は交互になった有機層および無機層を含む。この有機層および無機層に用いるために好適な材料は、以前に出願された出願ＥＰ０８１５６４９３．２号に記載されている。この薄膜構造が存在することによる利点は、リリースラインを有さない半完成品はより長い寿命を有すること、およびカバーにバリア構造が存在する必要がないことである。図７は、薄膜構造２２５が機能構造２２６および第２の導電層２２４に形成された空間を充たしていることを示す。

次に、図７に示される電子デバイスを製造する方法を、図８Ａ〜８Ｈを参照して示す。図８Ａおよび図８Ｂは製造プロセスの第１段階を示し、ここでは基板２１２におけるバリア構造２１３上に、パターン化された第１の透過性導電層２２２が適用される。図５に示される実施形態と同様に、パターン化された第１の透過性導電層２２２は、互いに電気的に絶縁されて第２の共通な面に配置された第１および第２のセグメント２２２ａ、２２２ｂを有する。図８Ｂは、矢印Ｂに従った図８Ａの上面図を示す。例として３つのセグメントが示されているが、あらゆるその他の複数個のセグメントが適用可能である。

図８Ｃおよび図８Ｄは製造プロセスのさらなる段階を示しており、ここでは機能構造２２６が適用された後にパターン化されて、内部に空間２２６ｏが与えられる。代替的には、パターン化蒸着によって単一ステップでパターン化された形の機能構造２２６を適用してもよい。

図８Ｅおよび図８Ｆに示される段階において、機能構造中の空間２２６ｏに揃えた空間２２４ｏを有する第２の導電層２２４が提供される。機能構造２２６の空間２２６ｏは第２の導電層２２４の空間２２４ｏよりも小さく、その内側に存在する。図８Ｆは図８ＥのＦに従う上面図を示す。

図８Ｇに示される次の段階において、交互になった有機層および無機層を含む薄膜構造２２５が適用される。薄膜構造２２５は機能構造２２６および第２の導電層２２４に形成された空間を充たす。図８Ｈに示されるとおり、薄膜構造２２５中に孔２３８および２４０が適用される。これらの孔は、機能構造２２６の空間２２６ｏおよび第２の導電層２２４の空間２２４ｏに揃えられる。その後、図５に示される製品に対する説明と同様にして、図８Ｈの半完成品を最終製品に完成させてもよい。

図９、図１０および図１１はさらなる実施形態を示す。図１に対応する図中の部分は、３００大きい参照番号を有する。図１０は、図９のＸに従うカバー３５０の底面図を示す。図１１は、図９のＸＩに従う機能スタック３１０の断面を示す。この実施形態において、第１および第２の導電層３２２および３２４はセグメント化されている。第１の導電層のセグメント３２２ａ、．．．、３２２ｅは、第２の導電層３２４のそれぞれのセグメント３２４ａ、．．．、３２４ｅに対向して配置される。対向するセグメントの各対３２２ａ、３２４ａ；３２２ｂ、３２４ｂなどは、機能スタックセグメント３１０ａ、．．．、３１０ｅに対応する。機能スタックセグメント３１０ａ、．．．、３１０ｅは直列的に配置されており、第１の導電層３２２の各セグメント３２２ｂ（第１のセグメント３２２ａを除く）は、後続する機能スタックセグメント３１０ａの第２の導電層３２４のセグメント３２４ａに電気的に接続される。第１の導電層３２２のセグメント３２２ｂと後続する機能スタックセグメント３１０ａの第２の導電層３２４のセグメント３２４ａとの間の電気的接続は、第１の横断導電体３３２ｂと、カバー３５０における導電構造３６６ｂと、第２の横断導電体３３４ａとによって形成される。第１の導電層３２２の第１のセグメント３２２ａは、カバー３５０における第１の導電構造３６６ａを介して第１の端子３６２に電気的に接続される。第２の導電層３２４の最後のセグメント３２４ｅは、カバー３５０における第６の導電構造３６６ｆを介して第２の端子３６４に電気的に接続される。

この実施形態においても、均質性の高い光出力を得ることができる一方で、第１の導電層を比較的薄くできるために透過性が良好になる。この実施形態は、低電流による高電圧駆動を可能にする。

図１２および図１３は、直列接続されるデバイスの別の例を示す。図１の部分に対応する参照番号を有する図中の部分は、４００大きい参照番号を有する。図１３は、線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに従って図１２のデバイスの階段状の断面を示す。

図１２および図１３に従う直列接続されるデバイスの例において、第１の導電層の各セグメント４２２ａ、．．．、４２２ｅは、第２の導電層４２４中の対応するセグメント４２４ａ、．．．、４２４ｅに接続されるアイランド４２２ａ１、．．．、４２２ｅ１を有する。この実施形態は、第２の導電層４３４に向かって孔を穿孔するときの許容差を大きくすることを可能にする。これらの孔は第２の導電層４３４まで延在すれば十分であるが、もし穿孔プロセスにおける許容差のために孔がスタック内にさらに伸びて、たとえば第１の導電層４２２まで伸びたとしても、これは問題ではない。なぜなら第２の導電層４２４のセグメント４２４ａ、．．．、４２４ｅは第１の導電層のアイランド４２２ａ１、．．．、４２２ｅ１となおも接続されているからである。したがって図１２および図１３に示されるとおり、第２の横断導電体４３４ｃ、４３４ｄ、４３４ｅは第２の導電層４２４まで延在してもよいが、図５に示されるものと同様、それらは代替的にスタック内にさらに伸びて、たとえば第１の導電層４２２まで伸びてもよい。この直列接続される変形物の実施形態においては、第２の導電層４２４を比較的薄くできるために透過性が良好になる。

図１４は、本発明に従う電子デバイスのさらなる実施形態を示す。図１に対応する図中の部分は、５００大きい参照番号を有する。このデバイスは、たとえば前の実施形態に対して上述したような有機材料の層または層のスタックなどの光学的機能構造５２６を含む。代替的に、光学的機能構造は、比較的厚い金属基板５２４に適用される無機材料の１つまたはそれ以上の層を含んでもよい。後者は第２の導電層の働きをする。光学的機能層５２６の反対側には、たとえば透過性金属またはＩＴＯなどの透過性金属酸化物などの第１の導電層５２２が適用される。第１の導電層５２２は、たとえば１０ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚さを有する。図１４に示されるデバイスは頂部発光（ｔｏｐ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ）ＬＥＤである。光学的機能層５２６によって形成された、機能構造内で生じた（可視）放射線は、第１の透過性導電層５２２を経由し、接着層５２８を経由し、基板５５２に導電構造５６６を有するカバー５５０を経由して伝達される。そのために、導電構造は幅が１０μｍから１００μｍの範囲の線を有するグリッドとして適用され、グリッドの線はカバーの表面の１０％以下を覆う。もし幅が１０μｍよりもかなり小さく、たとえば５μｍなどであれば、特に高出力ＬＥＤに対して電子デバイスに十分な電力を提供することが困難になる。もし幅が１００μｍよりもかなり大きく、たとえば２００μｍなどであれば、この構造が可視となって装飾用製品に対して不利益となる。線の厚さはたとえば１０μｍから５０μｍの範囲、たとえば２５μｍなどである。代替的に、図１４に示されるデバイスは（有機）光電池であってもよい。光学的機能構造５２６は無機の性質であってもよく、たとえばシリコン層などの単一の無機層を含んでもよいが、代替的にたとえばＣＩＳスタック（銅（ｃｏｐｐｅｒ）、インジウム（ｉｎｄｉｕｍ）、セレン（ｓｅｌｅｎｉｕｍ））などの層のスタックを含んでもよい。有機光起電性デバイスの場合、機能構造５２６は色素増感ＯＰＶ電池内と同様に配置されてもよいし、たとえばポリマーまたは低分子ＯＰＶスタックなどを含んでもよい。

例として、図１４のデバイスを製造する方法を図１５Ａから図１５Ｄに示す。

図１５Ａは第１の製造段階を示し、ここでは光学的機能層５２６が金属基板５２４に適用され、さらに光学的機能層５２６に第１の透過性の導電層が適用される。

図１５Ｂは第２の製造段階を示し、ここではリリースライナー５３６を設けた接着ホイル５２８が第１の導電層に適用される。リリースライナーは、たとえばＰＥＴホイルまたはＰＥＮホイルなどのポリマーホイルなどであり、約５μｍから約１００μｍの範囲、たとえば１２．５μｍなどの厚さを有する。リリースライナーは電気絶縁接着層に対するバックボーンとして機能する。

前の実施形態に対して示された方法とは異なり、リリースライナー５３６を有する接着ホイル５２８には、すでに孔５３３が調製されている。代替的に、接着ホイル５２８が層５２２に接着された後に孔５３３が適用されてもよいが、予め孔５３３を設けることによって、孔が正確に第１の導電層５２２まで延在することが確実にされる。接着ホイルを残りの機能スタックに適用する前に接着ホイルに孔を設けるこの方法は、たとえば図１、図５、図７、図９および図１２に示されるデバイスなど、他の実施形態の製造に対しても有用である。

図１５Ｃに示される次のステップにおいて、孔５３３に導電材料５３２が充填される。その後リリースライナーが取除かれる（図１５Ｄ）。

最後に、基板５５２に導電構造５６６を有するカバー５５０が、機能スタック５１０の絶縁接着層５２８の表面に接着されることによって、図１４の製品が得られる。

図１６はさらなる実施形態を示す。図１の部分に対応する図中の部分は、６００大きい参照番号を有する。図１６の実施形態において、光学的機能層６２６は光電池であり、そのドープ領域は第１の透過性の導電層６２２として機能する。第２の導電層６２４は、光学的機能層６２６に対するバック接点として配置された金属ホイルによって形成される。

図１６の電子デバイスは、図１４のデバイスに対する図１５Ａ〜Ｄに示された方法と類似のやり方で製造できる。前記方法に従うと、ドープ領域６２２を設けた光学的機能層６２６が金属ホイル６２４に適用される。その後、図１４の製品に対して図１５Ｂに示されるとおり、光学的機能層６２６のドープ領域６２２の表面に、リリースライナー（図示せず）を有する接着層６２８が適用される。図１５Ｃに示されるステップと同様に、接着層６２８の孔に導電材料が適用されて横断導体６３２が形成される。図１５Ｄに示されるステップと同様に、リリースライナーが取除かれた後に、導電構造を有するカバー６５０が適用されて図１６の製品が得られる。

本発明に従う電子デバイスを製造するために用いられるさまざまな部分は、任意の順序で製造されてもよいし、同時に製造されてもよい。たとえば図１の実施形態において、これらの部分は機能スタック１０およびカバー５０である。図１６の実施形態において、これらの部分は光学的機能層６２６を有する金属ホイル６２４、リリースライナーを有する接着層６２８、およびカバー６５０である。

本明細書に明確に記載されている層の間に、たとえば平坦化層、フィルタ層、保護層などの付加的な層が存在してもよい。

図１７に概略的に示されるとおり、複数の機能スタック５１０が共通のカバー５５０ａに積層されるか、または共通のカバー対５５０ａ、５５０ｂの間に積層されてもよい。これは本発明に従う他の電子デバイスにも同様に当てはまる。たとえば、複数の機能スタック６１０がこのやり方で積層されてもよい。

請求項において、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素またはステップを除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は複数形を除外しない。単一の構成要素またはその他のユニットが、請求項に述べられるいくつかの項目の機能を満たしてもよい。特定の方策が互いに異なる請求項に述べられているという事実だけでは、それらの方策を組合せて有利に用いることができないことは示されない。請求項中のあらゆる参照符号は、範囲を限定するものと解釈されるべきではない。

Claims (13)

1. 電子デバイスであって、機能スタック（１１０；２１０）と、絶縁接着層 （１２８；２２８）によって前記機能スタックに結合されるカバー（５０；１５０；２５０）とを含み、前記機能スタックは第１の透過性の導電層（１２２；２２２）と、第２の導電層（１２４；２２４）と、少なくとも１ つの光学的機能層を含みかつ前記第１および第２の導電層の間に挟まれた機能構造（１２６；２２６）とを含み、
   前記カバー（５０；１５０；２５０）は基板（５２；１５２；２５２）を含み、前記基板には、前記接着層（１２８；２２８）と前記基板（１５２；２５２）との間の第１の面に配置された少なくとも第１および第２の相互に絶縁された導電構造（６６；１６６；２６６）が設けられ、前記第１の面（１６１；２６１）を横断する第１および第２の横断導電体（１３２；２３２）が、前記第１の導電層（１２２；２２２）を前記第１の導電構造（６６；１６６；２６６）に、前記第２の導電層（１２４；２２４）を前記第２の導電構造（６８；１６８；２６８）に電気的に相互接続する電子デバイスにおいて、
   前記第１の導電層（１２２；２２２）は、互いに電気的に絶縁されかつ共通の第２の面に配置された第１および第２のセグメント（１２２ａ、１２２ｂ；２２２ａ、２２２ｂ）を有し、
   前記第１の導電層（１２２；２２２）の前記第１のセグメント（１２２ａ；２２２ａ）は前記第１の導電構造（６６；１６６；２６６）に電気的に接続され、
   前記第２の導電層（１２４；２１４）は、前記第２の導電体（１３４；２３４）および前記第１の導電層（１２２；２２２）の前記第２のセグメント（１２２ｂ；２２２ｂ）を介して前記第２の導電構造（６８；１６８；２６８）に電気的に相互接続される、
   ことを特徴とする電子デバイス。
   
2. 前記第２の導電層（１２４）には、内側部分（１３７ａ）および前記内側部分と分離したリング形の外側部分（１３７ｂ）を有する孔（１３７）が設けられ、前記第１の横断導体（１３８）は前記内側部分（１３７ａ）を通って延在する、請求項１に記載の電子デバイス。
   
3. 前記外側部分（１３７ｂ）に絶縁材料が充填される、請求項２に記載の電子デバイス。
   
4. 前記機能構造（２２６）および前記第２の導電層（２２４）には前記第１の横断導電体（２３２）に揃えた空間が設けられ、前記機能構造（２２６）の前記空間は前記第２の導電層（２２４）の前記空間よりも小さくてその内側に存在する、請求項１に記載の電子デバイス。
   
5. 前記第２の導電層（２２４）と前記接着層（２２８）との間に薄膜構造（２２５）をさらに含み、前記薄膜構造（２２５）はバリア構造を含む、請求項１に記載の電子デバイス。
   
6. 前記機能構造（２２６）および前記第２の導電層（２２４）には前記第１の横断導電体（２３２）に揃えた空間が設けられ、前記機能構造（２２６）の前記空間 は前記第２の導電層（２２４）の前記空間よりも小さくてその内側に存在し、前記デバイスは前記第２の導電層（２２４）と前記接着層（２２８）との間に薄膜 構造（２２５）をさらに含み、前記薄膜構造（２２５）は交互になった有機層および無機層を含み、前記薄膜構造（２２５）は前記機能構造（２２６）および前 記第２の導電層（２２４）に形成された前記空間を充たす、請求項１に記載の電子デバイス。
   
7. 機能スタック（１１０）と、絶縁接着層（１３０）によって前記機能スタックに結合されるリリースライナー（１３６）とを含む第１の構成要素であって、前記機能ス タック（１１０）は第１の透過性の導電層（１２２）と、第２の導電層（１２４）と、少なくとも１つの光学的機能層を含みかつ前記第１および第２の導電層の間に挟 まれた機能構造（１２６）とを含み、
   前記第１および前記第２の導電層（１２２、１２４）のそれぞれ一方に電気的に接続された少なくとも第１および第２の導電体（１３２、１３４）が前記リリースライナーの自由表面に延在するし、
   前記第１の導電層（１２２）は、互いに電気的に絶縁されかつ共通の第２の面に配置された第１および第２のセグメント（１２２ａ、１２２ｂ）を有し、
   前記第２の導電層（１２４；２１４）は、前記第１の導電層（１２２；２２２）の前記第２のセグメント（１２２ｂ；２２２ｂ）を介して前記第２の導電構造（６８；１６８；２６８）に電気的に相互接続される、
   ことを特徴とする電子デバイス。
   
8. 電子デバイスの製造方法であって、
   ａ） 互いに電気的に絶縁された、少なくとも１つの第１のセグメント（１２２ａ；２２２ａ）と第２のセグメント（１２２ｂ；２２２ｂ）を有する第１の透過性の導電層（１２２；２２２）を提供するステップと、
   ｂ） １つまたはそれ以上の機能層を含む機能構造（１２６；２２６）を提供するステップと、
   ｃ） 前記第１の導電層（１２２；２２２）の少なくとも１つのセグメント（１２２ａ；１２２ｂ）と電気接点を形成する第２の導電層（１２４；２２４）を提供するステップと、
   ｄ） 電気絶縁接着層（１２８；２２８）を提供するステップと、
   ｅ） 前記絶縁接着層（１２８；２２８）に第１および第２の孔（１３８；１４０；２３８；２４０）を形成するステップと、
   ｆ） 前記第１および第２の孔（１３８；１４０；２３８；２４０）に導電材料（１３２；１３４；２３２；２３４）を適用するステップとを含み、前記第１および第２の孔における前記材料は前記第１の導電層（１２２）の前記第１のセグメント（１２２ａ）と前記第２のセグメント（１２２ｂ）の各一方にそれぞれ延在し、前記方法はさらに
   ｇ） 前記接着層中の前記第１および第２の孔の開口において前記導電材料とそれぞれ接触される少なくとも第１および第２の導電構造（６６；１６６；１６８／６８；２６６；２６８）が設けられた基板（１５２；２５２）を含むカバー（５０；１５０；２５０）を適用するステップを含む、電子デバイスの製造方法。
   
9. ステップｅ）とステップｆ）との間に前記絶縁接着層の自由表面にリリースライナーを提供するステップと、ステップｇ）の前に前記リリースライナーを除去するステップとを付加的に含む、請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
   
10. 前記機能構造（２２６）には空間（２２６ｏ）が設けられ、前記第１の孔は前記空間に揃えて形成される、請求項８に記載の製造方法。
    
11. 前記第２の導電層（２２４）には前記機能構造中の前記空間（２２６ｏ）に揃えた空間（２２４ｏ）が設けられ、前記機能構造（２２６）の前記空間 （２２６ｏ）は前記第２の導電層（２２４）の前記空間（２２４ｏ）よりも小さくてその内側に存在する、請求項１０に記載の製造方法。
    
12. 前記第２の導電層（２２４）の適用後、前記接着層（２２８）の適用前に、バリア構造を含む薄膜構造（２２５）が適用される、請求項１０に記載の製造方法。
    
13. 前記第２の導電層（２２４）の適用後、前記接着層（２２８）の適用前に、バリア構造（２２５）が適用される、請求項８に記載の製造方法。