JP5580350B2 - ドライバ回路 - Google Patents

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Description

ドライバ回路に関する。
従来のドライバ回路は、スルーレートを調整するためにゲートのインピーダンスを高くすると、ドライバ回路のスイッチングが出力MOSトランジスタの寄生容量の影響を受けて、貫通電流が発生し得る。
特開2005−86380号公報
貫通電流を抑制することが可能なドライバ回路を提供する。
実施形態に従ったドライバ回路は、第1の電位が印加される第1の端子にソースが接続され、出力信号を出力する出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力pMOSトランジスタを備える。ドライバ回路は、前記第1の電位よりも低い第2の電位が印加される第2の端子にソースが接続され、前記出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力nMOSトランジスタを備える。ドライバ回路は、前記出力pMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第1のパルス信号が入力部に入力され、この第1のパルス信号を反転した第1のゲート信号を出力部から出力する第1のプリドライバ回路を備える。ドライバ回路は、前記出力nMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第2のパルス信号が入力部に入力され、この第2のパルス信号を反転した第2のゲート信号を出力部から出力する第2のプリドライバ回路を備える。ドライバ回路は、第1の電位線にソースが接続され、前記出力pMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助pMOSトランジスタを備える。ドライバ回路は、前記第1の電位線よりも電位が低い第2の電位線にソースが接続され、前記出力nMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助nMOSトランジスタを備える。ドライバ回路は、前記第1のパルス信号が入力され、前記第1のパルス信号の立ち上がりに同期して立ち上がり且つ前記第1のパルス信号の立ち下がりから遅延して立ち下がる第1の制御信号を前記補助pMOSトランジスタのゲートに出力する第1の制御回路を備える。ドライバ回路は、前記第2のパルス信号が入力され、前記第2のパルス信号の立ち上がりから遅延して立ち上がり且つ前記第2のパルス信号の立ち下がりに同期して立ち下がる第2の制御信号を前記補助nMOSトランジスタのゲートに出力する第2の制御回路を備える。
図1は、第1の実施形態に係るドライバ回路100の構成の一例を示す回路図である。 図2は、図1に示すドライバ回路100の各信号の波形の一例を示す波形図である。 図3は、第2の実施形態に係るドライバ回路200の構成の一例を示す回路図である。 図4は、図3に示すドライバ回路200の各信号の波形の一例を示す波形図である。 図5は、第3の実施形態に係るドライバ回路300の構成の一例を示す回路図である。 図6は、図5に示すドライバ回路300の各信号の波形の一例を示す波形図である。 図7は、第4の実施形態に係るドライバ回路400の構成の一例を示す回路図である。 図8は、図7に示すドライバ回路400の各信号の波形の一例を示す波形図である。
以下、実施形態について図面に基づいて説明する。
第1の実施形態
図1は、第1の実施形態に係るドライバ回路100の構成の一例を示す回路図である。
図1に示すように、ドライバ回路100は、第1の端子T1と、第2の端子T2と、出力端子TOUTと、第1ないし第4の電位線L1〜L4と、出力pMOSトランジスタMp0と、出力nMOSトランジスタMn0と、補助pMOSトランジスタSW1と、補助nMOSトランジスタSW2と、第1のプリドライバ回路PD1と、第2のプリドライバ回路PD2と、第1の制御回路101aと、第2の制御回路101bと、第1のインバータI1と、第2のインバータI2と、を備える。
第1の端子T1は、第1の電位(例えば、電源電位)が印加されるようになっている。
第2の端子T2は、第1の電位よりも低い第2の電位(例えば、接地電位)が印加されるようになっている。
第1の電位線L1は、例えば、第1の端子T1に接続されている。この場合、第1の電位線L1の電位は、電源電位である。
第2の電位線L2は、第1の電位線L1よりも電位が低く設定されている。この第2の電位線L2は、例えば、第2の端子T2に接続されている。この場合、第2の電位線L2の電位は、接地電位である。
第3の電位線L3は、第1の電位線L1よりも電位が低く設定されている。この第3の電位線L3は、例えば、第2の電位線L2に接続されている。この場合、第3の電位線L3の電位は、接地電位である。
第4の電位線L4は、第2の電位線L2よりも電位が高く設定されている。この第4の電位線L4は、例えば、第1の電位線L1に接続されている。この場合、第4の電位線L4の電位は、電源電位である。
出力端子TOUTは、出力信号SOUTを出力するようになっている。この出力端子TOUTと接地との間には、寄生容量Cp0が存在する。
第1のインバータI1は、第1の入力信号SINHが入力され、この第1の入力信号SINHを反転して得られた信号を第1のパルス信号PG1Aとして出力するようになっている。
第2のインバータI2は、第2の入力信号SINLが入力され、この第2の入力信号SINLを反転して得られた信号を第2のパルス信号NG1Aとして出力するようになっている。
出力pMOSトランジスタMp0は、第1の端子T1にソースが接続され、出力端子TOUTにドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続されている。
この出力pMOSトランジスタMp0のゲートとドレインとの間には、寄生容量Cp1が存在する。
出力nMOSトランジスタMn0は、第2の端子T2にソースが接続され、出力端子TOUTにドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続されている。
この出力nMOSトランジスタMn0のゲートとドレインとの間には、寄生容量Cp2が存在する。
第1のプリドライバ回路PD1は、出力pMOSトランジスタMp0のゲートに出力部PD1bが接続されている。この第1のプリドライバ回路PD1は、第1のパルス信号PG1Aが入力部PD1aに入力され、この第1のパルス信号PG1Aを反転した第1のゲート信号PGを出力部PD1bから出力するようになっている。
この第1のプリドライバ回路PD1は、図1に示すように、例えば、第1のpMOSトランジスタMp1と、第1のnMOSトランジスタMn1と、第1の抵抗R1と、第2の抵抗R2と、を有する。
第1のpMOSトランジスタMp1は、第1の電位線L1にソースが接続され、第1のプリドライバ回路PD1の入力部PD1aにゲートが接続されている。
第1の抵抗R1は、第1のpMOSトランジスタMp1のドレインと第1のプリドライバ回路PD1の出力部PD1bとの間に接続されている。
第1のnMOSトランジスタMn1は、第1の電位線L1よりも電位が低い第3の電位線L3にソースが接続され、第1のプリドライバ回路PD1の入力部PD1aにゲートが接続されている。
第2の抵抗R2は、第1のnMOSトランジスタMn1のドレインと第1のプリドライバ回路PD1の出力部PD1bとの間に接続されている。
また、第2のプリドライバ回路PD2は、出力nMOSトランジスタMn0のゲートに出力部PD2bが接続されている。この第2のプリドライバ回路PD2は、第2のパルス信号NG1Aが入力部PD2aに入力され、この第2のパルス信号NG1Aを反転した第2のゲート信号NGを出力部PD2bから出力するようになっている。
この第2のプリドライバ回路PD2は、図1に示すように、例えば、第2のpMOSトランジスタMp2と、第2のnMOSトランジスタMn2と、第3の抵抗R3と、第4の抵抗R4と、を有する。
第2のpMOSトランジスタMp2は、第2の電位線L2よりも電位が高い第4の電位線L4にソースが接続され、第2のプリドライバ回路PD2の入力部PD2aにゲートが接続されている。
第3の抵抗R3は、第2のpMOSトランジスタMp2のドレインと第2のプリドライバ回路PD2の出力部PD2bとの間に接続されている。
第2のnMOSトランジスタMn2は、第2の電位線L2にソースが接続され、第2のプリドライバ回路PD2の入力部PD2aにゲートが接続されている。
第4の抵抗R4は、第2のnMOSトランジスタMn2のドレインと第2のプリドライバ回路PD2の出力部PD2bとの間に接続されている。
なお、上述の第1のpMOSトランジスタMp1、第1のnMOSトランジスタMn1、第2のpMOSトランジスタMp2、および、第2のnMOSトランジスタMn2は、ソースとバックゲートとが接続されている。
また、第1のプリドライバ回路PD1、第2のプリドライバ回路PD2は、ドレイン側でなくソース側に抵抗を挿入する場合や、また、電流源で実現する場合もある。
また、図1に示すように、補助pMOSトランジスタSW1は、第1の電位線L1にソースが接続され、出力pMOSトランジスタMp0のゲート(言い換えれば、出力部PD1b)にドレインが接続されている。この補助pMOSトランジスタSW1は、ソースとバックゲートとが接続されている。
補助nMOSトランジスタSW2は、第2の電位線L2にソースが接続され、出力nMOSトランジスタMn0のゲート(言い換えれば、出力部PD2b)にドレインが接続されている。この補助nMOSトランジスタSW2は、ソースとバックゲートとが接続されている。
第1の制御回路101aは、第1のパルス信号PG1Aが入力されるようになっている。この第1の制御回路101aは、第1のパルス信号PG1Aの立ち上がりに同期して立ち上がり且つ第1のパルス信号PG1Aの立ち下がりから遅延して立ち下がる第1の制御信号PG1Bを、補助pMOSトランジスタSW1のゲートに出力するようになっている。
この第1の制御回路101aは、図1に示すように、例えば、OR回路101a1と、第1の遅延回路101a2と、を有する。
第1の遅延回路101a2は、第1のパルス信号PG1Aが入力されるようになっている。この第1の遅延回路101a2は、入力された第1のパルス信号PG1Aを第1の遅延時間td1だけ遅延させた第1の遅延信号sd1を出力するようになっている。
OR回路101a1は、第1のパルス信号PG1Aおよび第1の遅延信号sd1が入力されるようになっている。このOR回路101a1は、第1のパルス信号PG1Aと第1の遅延信号sd1を演算して得られた信号を第1の制御信号PG1Bとして出力するようになっている。
また、第2の制御回路101bは、第2のパルス信号NG1Aが入力され、第2のパルス信号NG1Aの立ち上がりから遅延して立ち上がり且つ第2のパルス信号NG1Aの立ち下がりに同期して立ち下がる第2の制御信号NG1Bを、補助nMOSトランジスタSW2のゲートに出力するようになっている。
この第2の制御回路101bは、図1に示すように、例えば、AND回路101b1と、第2の遅延回路101b2と、を有する。
第2の遅延回路101b2は、第2のパルス信号NG1Aが入力されるようになっている。この第2の遅延回路101b2は、入力された第2のパルス信号NG1Aを第2の遅延時間td2だけ遅延させた第2の遅延信号sd2を出力するようになっている。
AND回路101b1は、第2のパルス信号NG1Aおよび第2の遅延信号sd2が入力されるようになっている。このAND回路101b1は、第2のパルス信号NG1Aと第2の遅延信号sd2を演算して得られた信号を第2の制御信号NG1Bとして出力するようになっている。
ここで、以上のような構成を有する本実施形態に係るドライバ回路の特性について説明する。
図2は、図1に示すドライバ回路100の各信号の波形の一例を示す波形図である。
図2に示すように、第1の入力信号SINHは、第2の入力信号SINLが立ち下がってからデッドタイムXの経過後立ち下がるようになっている。また、第2の入力信号SINLは、第1の入力信号SINHが立ち上がってからデッドタイムXの経過後立ち上がるようになっている。
したがって、第1のパルス信号PG1Aは、第2のパルス信号NG1Aが立ち上がってからデッドタイムXの経過後立ち上がるようになっている。また、第2のパルス信号NG1Aは、第1のパルス信号PG1Aが立ち下がってからデッドタイムXの経過後立ち下がるようになっている。
例えば、時間aにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち上がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を下げ始める。
そして、第2の遅延時間td2の経過後、第2の制御回路101bが第2の制御信号NG1Bを立ち上げる(第4の電位線L4の電位、すなわち電源電位にする)。これにより、補助nMOSトランジスタSW2がオンして、第2のゲート信号NGが十分に立ち下がる(接地電位になる)。
一方、デッドタイムXが経過した時間bにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち上がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を下げ始める。これにより、出力pMOSトランジスタMp0がオンして、信号SOUTの電位が上昇する。
ここで、時間bにおいて、すでに補助nMOSトランジスタSW2がオンしているため、既述のように寄生容量Cp2が存在しても、第2のゲート信号NGの電位は上昇することなく接地電位に固定され、出力nMOSトランジスタMn0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
同様に、時間cにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち下がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を上げ始める。
そして、第1の遅延時間td1の経過後、第1の制御回路101aが第1の制御信号PG1Bを立ち下げる(第3の電位線L3の電位、すなわち、接地電位にする)。これにより、補助pMOSトランジスタSW1がオンして、第1のゲート信号PGが十分に立ち上がる(電源電位になる)。
一方、デッドタイムXが経過した時間dにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち下がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を上げ始める。これにより、出力nMOSトランジスタMn0がオンして、信号SOUTの電位が降下する。
ここで、時間dにおいて、すでに補助pMOSトランジスタSW1がオンしているため、既述のように寄生容量Cp1が存在しても、第1のゲート信号PGの電位は降下することなく電源電位に固定され、出力pMOSトランジスタMp0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
なお、上述のように、第1の遅延時間td1および第2の遅延時間td2の長さは、デッドタイムXの長さ以下である。また、例えば、第1の遅延時間td1の長さは、第2の遅延時間td2の長さと等しく設定される。
以上のように、本実施形態に係るドライバ回路によれば、寄生容量の影響を低減して貫通電流を抑制することができる。
なお、ハイサイドの補助pMOSトランジスタSW1とローサイドの補助nMOSトランジスタSW2の駆動電圧が異なる場合は、適宜レベルシフタを追加するようにしてもよい。
第2の実施形態
既述の第1の実施形態では、デッドタイムの生成後の信号から補助MOSトランジスタを制御する制御信号を生成する構成の一例について説明した。
この第2の実施形態では、デッドタイムを含む信号の生成とともに補助MOSトランジスタを制御する制御信号を生成する構成の一例について説明する。
図3は、第2の実施形態に係るドライバ回路200の構成の一例を示す回路図である。なお、図3において、図1の符号と同じ符号は、第1の実施形態と同様の構成を示す。
図3に示すように、ドライバ回路200は、第1の端子T1と、第2の端子T2と、出力端子TOUTと、第1ないし第4の電位線L1〜L4と、出力pMOSトランジスタMp0と、出力nMOSトランジスタMn0と、補助pMOSトランジスタSW1と、補助nMOSトランジスタSW2と、第1のプリドライバ回路PD1と、第2のプリドライバ回路PD2と、第1の制御回路201aと、第2の制御回路201bと、を備える。
このドライバ回路200は、第1の実施形態と比較して、第1の制御回路201aおよび第2の制御回路201bがデッドタイムを生成する点が異なる。
第1の制御回路201aは、入力信号SINが入力されるようになっている。
この第1の制御回路201aは、入力信号SINの立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ入力信号SINの立ち上がりに同期して立ち下がる第1のパルス信号PG1Aを、第1のプリドライバ回路PD1の入力部PD1aに出力するようになっている。
さらに、第1の制御回路201aは、入力信号SINの立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ入力信号SINの立ち上がりから遅延して立ち下がる第1の制御信号PG1Bを、補助pMOSトランジスタSW1のゲートに出力するようになっている。
この第1の制御回路201aは、例えば、図3に示すように、NOR回路201a1と、第1のインバータ201a2と、第1の遅延回路201a3と、を有する。
第1の遅延回路201a3は、入力信号SINが入力され、入力された入力信号SINを第1の遅延時間td1だけ遅延させた第1の遅延信号sd1を出力するようになっている。
NOR回路201a1は、入力信号SINおよび第1の遅延信号sd1が入力され、入力信号SINと第1の遅延信号sd1を演算して得られた信号を第1のパルス信号PG1Aとして出力するようになっている。
第1のインバータ201a2は、第1の遅延信号sd1が入力され、入力された第1の遅延信号sd1を反転した信号を第1の制御信号PG1Bとして出力するようになっている。
第2の制御回路201bは、入力信号SINが入力されるようになっている。
この第2の第2の制御回路201bは、入力信号SINの立ち下がりに同期して立ち上がり且つ入力信号SINの立ち上がりから遅延して立ち下がる第2のパルス信号NG1Aを第2のプリドライバ回路PD2の入力部PD2aに出力するようになっている。
さらに、第2の制御回路201bは、入力信号SINの立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ入力信号SINの立ち上がりから遅延して立ち下がる第2の制御信号NG1Bを、補助nMOSトランジスタSW2のゲートに出力するようになっている。
第2の制御回路201bは、NAND回路201b1と、第2のインバータ201b2と、第2の遅延回路201b3と、を有する。
第2の遅延回路201b3は、入力信号SINが入力され、入力された入力信号SINを第2の遅延時間td2だけ遅延させた第2の遅延信号sd2を出力するようになっている。
NAND回路201b1は、入力信号SINおよび第2の遅延信号sd2が入力され、入力信号SINと第2の遅延信号sd2を演算して得られた信号を第2のパルス信号NG1Aとして出力するようになっている。
第2のインバータ201b2は、第2の遅延信号sd2が入力され、入力された第2の遅延信号sd2を反転した信号を第2の制御信号NG1Bとして出力するようになっている。
なお、ドライバ回路200のその他の構成は、第1の実施形態のドライバ回路100と同様である。
ここで、以上のような構成を有する本実施形態に係るドライバ回路の特性について説明する。
図4は、図3に示すドライバ回路200の各信号の波形の一例を示す波形図である。
例えば、時間aにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち上がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を下げ始める。
そして、第2の遅延時間td2の経過後、第2の制御回路201bが第2の制御信号NG1Bを立ち上げる(第4の電位線L4の電位、すなわち、電源電位にする)。これにより、補助nMOSトランジスタSW2がオンして、第2のゲート信号NGが十分に立ち下がる(接地電位になる)。
一方、デッドタイムXが経過した時間bにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち上がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を下げ始める。これにより、出力pMOSトランジスタMp0がオンして、信号SOUTの電位が上昇する。
ここで、時間bにおいて、すでに補助nMOSトランジスタSW2がオンしているため、既述のように寄生容量Cp2が存在しても、第2のゲート信号NGの電位は上昇することなく接地電位に固定され、出力nMOSトランジスタMn0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
同様に、時間cにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち下がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を上げ始める。
そして、第1の遅延時間td1の経過後、第1の制御回路201aが第1の制御信号PG1Bを立ち下げる(第3の電位線L3の電位、すなわち、接地電位にする)。これにより、補助pMOSトランジスタSW1がオンして、第1のゲート信号PGが十分に立ち上がる(電源電位になる)。
一方、デッドタイムXが経過した時間dにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち下がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を上げ始める。これにより、出力nMOSトランジスタMn0がオンして、信号SOUTの電位が降下する。
ここで、時間dにおいて、すでに補助pMOSトランジスタSW1がオンしているため、既述のように寄生容量Cp1が存在しても、第1のゲート信号PGの電位は降下することなく電源電位に固定され、出力pMOSトランジスタMp0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
以上のように、本実施形態に係るドライバ回路によれば、寄生容量の影響を低減して貫通電流を抑制することができる。
なお、ハイサイドの補助pMOSトランジスタSW1とローサイドの補助nMOSトランジスタSW2の駆動電圧が異なる場合は、適宜レベルシフタを追加するようにしてもよい。
第3の実施形態
この第3の実施形態では、デッドタイムを含む信号の生成とともに補助MOSトランジスタを制御する制御信号を生成する構成の他の例について説明する。
図5は、第3の実施形態に係るドライバ回路300の構成の一例を示す回路図である。なお、図5において、図3の符号と同じ符号は、第2の実施形態と同様の構成を示す。
図5に示すように、ドライバ回路300は、第1の端子T1と、第2の端子T2と、出力端子TOUTと、第1ないし第4の電位線L1〜L4と、出力pMOSトランジスタMp0と、出力nMOSトランジスタMn0と、補助pMOSトランジスタSW1と、補助nMOSトランジスタSW2と、第1のプリドライバ回路PD1と、第2のプリドライバ回路PD2と、第1の制御回路301aと、第2の制御回路301bと、を備える。
ここで、第1の制御回路301aは、第2の実施形態の第1の制御回路201aと比較して、第3の遅延回路201a4をさらに有する。
この第3の遅延回路201a4は、第1の遅延信号sd1を、第3の遅延時間td3だけ遅延させてNOR回路201a1に出力(すなわち、第3の遅延信号sd3を出力)するようになっている。
また、第2の制御回路301bは、第2の実施形態の第2の制御回路201bと比較して、第4の遅延回路201b4をさらに有する。
この第4の遅延回路201b4は、第2の遅延信号sd2を、第4の遅延時間td4だけ遅延させてNAND回路201b1に出力(すなわち、第4の遅延信号sd4を出力)するようになっている。
なお、ドライバ回路300のその他の構成は、第2の実施形態のドライバ回路200と同様である。
ここで、以上のような構成を有する本実施形態に係るドライバ回路の特性について説明する。
図6は、図5に示すドライバ回路300の各信号の波形の一例を示す波形図である。
例えば、時間aにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち上がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を下げ始める。
そして、第2の遅延時間td2の経過後、第2の制御回路301bが第2の制御信号NG1Bを立ち上げる(第4の電位線L4の電位、すなわち、電源電位にする)。これにより、補助nMOSトランジスタSW2がオンして、第2のゲート信号NGが十分に立ち下がる(接地電位になる)。
一方、デッドタイムX(第1の遅延時間td1+第3の遅延時間td3)が経過した時間bにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち上がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を下げ始める。これにより、出力pMOSトランジスタMp0がオンして、信号SOUTの電位が上昇する。
ここで、時間bにおいて、すでに補助nMOSトランジスタSW2がオンしているため、既述のように寄生容量Cp2が存在しても、第2のゲート信号NGの電位は上昇することなく接地電位に固定され、出力nMOSトランジスタMn0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
同様に、時間cにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち下がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を上げ始める。
そして、第1の遅延時間td1の経過後、第1の制御回路301aが第1の制御信号PG1Bを立ち下げる(第3の電位線L3の電位、すなわち、接地電位にする)。これにより、補助pMOSトランジスタSW1がオンして、第1のゲート信号PGが十分に立ち上がる(電源電位になる)。
一方、デッドタイムX(第2の遅延時間td2+第4の遅延時間td4)が経過した時間dにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち下がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を上げ始める。これにより、出力nMOSトランジスタMn0がオンして、信号SOUTの電位が降下する。
ここで、時間dにおいて、すでに補助pMOSトランジスタSW1がオンしているため、既述のように寄生容量Cp1が存在しても、第1のゲート信号PGの電位は降下することなく電源電位に固定され、出力pMOSトランジスタMp0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
既述の第2の実施形態の場合、第1、第2の制御回路の遅延時間差により補助MOSトランジスタの動作タイミングが所望通りとならないことがある。
そこで、この第3の実施形態では、第3、第4の遅延回路を追加することにより、補助MOSトランジスタをオンさせるタイミングを出力MOSトランジスタがオンするタイミングよりも確実に速くなるようにしている。
なお、補助MOSトランジスタがオフするタイミングについては、第1、第4のMOSトランジスタがオフするタイミングより早くてもよい。
以上のように、本実施形態に係るドライバ回路によれば、寄生容量の影響を低減して貫通電流を抑制することができる。
なお、ハイサイドの補助pMOSトランジスタSW1とローサイドの補助nMOSトランジスタSW2の駆動電圧が異なる場合は、適宜レベルシフタを追加するようにしてもよい。
第4の実施形態
この第4の実施形態では、デッドタイムを含む信号の生成とともに補助MOSトランジスタを制御する制御信号を生成する構成のさらに他の例について説明する。
図7は、第4の実施形態に係るドライバ回路400の構成の一例を示す回路図である。なお、図7において、図5の符号と同じ符号は、第3の実施形態と同様の構成を示す。
図7に示すように、ドライバ回路400は、第1の端子T1と、第2の端子T2と、出力端子TOUTと、第1ないし第4の電位線L1〜L4と、出力pMOSトランジスタMp0と、出力nMOSトランジスタMn0と、補助pMOSトランジスタSW1と、補助nMOSトランジスタSW2と、第1のプリドライバ回路PD1と、第2のプリドライバ回路PD2と、第1の制御回路401aと、第2の制御回路401bと、を備える。
ここで、第1の制御回路401aは、第1の遅延回路201a3と、第3の遅延回路201a4と、第1のNOR回路201a1と、第2のNOR回路401a2と、を有する。
第1の遅延回路201a3は、入力信号SINが入力され、入力された入力信号SINを第1の遅延時間td1だけ遅延させた第1の遅延信号sd1を出力するようになっている。
第3の遅延回路201a4は、第1の遅延信号sd1が入力され、入力された第1の遅延信号sd1を第3の遅延時間td3だけ遅延させた第3の遅延信号sd3を出力するようになっている。
第1のNOR回路201a1は、入力信号SINおよび第3の遅延信号sd3が入力され、入力信号SINと第3の遅延信号sd3を演算して得られた信号を第1のパルス信号PG1Aとして出力するようになっている。
第2のNOR回路401a2は、第1の遅延信号sd1および第3の遅延信号sd3が入力され、第1の遅延信号sd1と第3の遅延信号sd3とを演算した信号を第1の制御信号PG1Bとして出力するようになっている。
また、第2の制御回路401bは、第2の遅延回路201b3と、第4の遅延回路201b4と、第1のNAND回路201b1と、第2のNAND回路401b2と、を有する。
第2の遅延回路201b3は、入力信号SINが入力され、入力された入力信号SINを第2の遅延時間td2だけ遅延させた第2の遅延信号sd2を出力するようになっている。
第4の遅延回路201b4は、第2の遅延信号sd2が入力され、入力された第2の遅延信号sd2を第4の遅延時間td4だけ遅延させた第4の遅延信号sd4を出力するようになっている。
第1のNAND回路201b1は、入力信号SINおよび第4の遅延信号sd4が入力され、入力信号SINと第4の遅延信号sd4を演算して得られた信号を第2のパルス信号NG1Aとして出力するようになっている。
第2のNAND回路401b2は、第2の遅延信号sd2および第4の遅延信号sd4が入力され、第2の遅延信号sd2と第4の遅延信号sd4とを演算した信号を第2の制御信号NG1Bとして出力するようになっている。
なお、ドライバ回路400のその他の構成は、第3の実施形態のドライバ回路300と同様である。
ここで、以上のような構成を有する本実施形態に係るドライバ回路の特性について説明する。
図8は、図7に示すドライバ回路400の各信号の波形の一例を示す波形図である。
例えば、時間aにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち上がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を下げ始める。
そして、第2の遅延時間td2の経過後、第2の制御回路401bが第2の制御信号NG1Bを立ち上げる(第4の電位線L4の電位、すなわち、電源電位にする)。これにより、補助nMOSトランジスタSW2がオンして、第2のゲート信号NGが十分に立ち下がる(接地電位になる)。
一方、デッドタイムX(第1の遅延時間td1+第3の遅延時間td3)が経過した時間bにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち上がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を下げ始める。これにより、出力pMOSトランジスタMp0がオンして、信号SOUTの電位が上昇する。
ここで、時間bにおいて、すでに補助nMOSトランジスタSW2がオンしているため、既述のように寄生容量Cp2が存在しても、第2のゲート信号NGの電位は上昇することなく接地電位に固定され、出力nMOSトランジスタMn0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
同様に、時間cにおいて、第1のパルス信号PG1Aの立ち下がりに応じて、第1のプリドライバ回路PD1が第1のゲート信号PGの電位を上げ始める。
そして、第1の遅延時間td1の経過後、第1の制御回路401aが第1の制御信号PG1Bを立ち下げる(第3の電位線L3の電位、すなわち、接地電位にする)。これにより、補助pMOSトランジスタSW1がオンして、第1のゲート信号PGが十分に立ち上がる(電源電位になる)。
一方、デッドタイムX(第2の遅延時間td2+第4の遅延時間td4)が経過した時間dにおいて、第2のパルス信号NG1Aの立ち下がりに応じて、第2のプリドライバ回路PD2が第2のゲート信号NGの電位を上げ始める。これにより、出力nMOSトランジスタMn0がオンして、信号SOUTの電位が降下する。
ここで、時間dにおいて、すでに補助pMOSトランジスタSW1がオンしているため、既述のように寄生容量Cp1が存在しても、第1のゲート信号PGの電位は降下することなく電源電位に固定され、出力pMOSトランジスタMp0はオフ状態を継続できる。すなわち、出力pMOSトランジスタMp0と出力nMOSトランジスタMn0との間に貫通電流が流れない。
なお、この図8に示す第1、第2のパルス信号PG1A、NG1A、および第1、第2の制御信号PG1B、NG1Bの信号波形は、図2に示す信号波形と同様である。
以上のように、本実施形態に係るドライバ回路によれば、寄生容量の影響を低減して貫通電流を抑制することができる。
なお、ハイサイドの補助pMOSトランジスタSW1とローサイドの補助nMOSトランジスタSW2の駆動電圧が異なる場合は、適宜レベルシフタを追加するようにしてもよい。
なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
100、200、300、400 ドライバ回路
T1 第1の端子
T2 第2の端子
TOUT 出力端子
L1〜L4 第1ないし第4の電位線
Mp0 出力pMOSトランジスタ
Mn0 出力nMOSトランジスタ
SW1 補助pMOSトランジスタ
SW2 補助nMOSトランジスタ
PD1 第1のプリドライバ回路
PD2 第2のプリドライバ回路
101a〜401a 第1の制御回路
101b〜401b 第2の制御回路

Claims (16)

  1. 第1の電位が印加される第1の端子にソースが接続され、出力信号を出力する出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力pMOSトランジスタと、
    前記第1の電位よりも低い第2の電位が印加される第2の端子にソースが接続され、前記出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力nMOSトランジスタと、
    前記出力pMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第1のパルス信号が入力部に入力され、この第1のパルス信号を反転した第1のゲート信号を出力部から出力する第1のプリドライバ回路と、
    前記出力nMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第2のパルス信号が入力部に入力され、この第2のパルス信号を反転した第2のゲート信号を出力部から出力する第2のプリドライバ回路と、
    第1の電位線にソースが接続され、前記出力pMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助pMOSトランジスタと、
    前記第1の電位線よりも電位が低い第2の電位線にソースが接続され、前記出力nMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助nMOSトランジスタと、
    前記第1のパルス信号の立ち上がりに同期して立ち上がり且つ前記第1のパルス信号の立ち下がりから遅延して立ち下がる第1の制御信号を前記補助pMOSトランジスタのゲートに出力する第1の制御回路と、
    前記第2のパルス信号の立ち上がりから遅延して立ち上がり且つ前記第2のパルス信号の立ち下がりに同期して立ち下がる第2の制御信号を前記補助nMOSトランジスタのゲートに出力する第2の制御回路と、を備える
    ことを特徴とするドライバ回路。
  2. 前記第1のパルス信号は、前記第2のパルス信号が立ち上がってからデッドタイム経過後立ち上がり、
    前記第2のパルス信号は、前記第1のパルス信号が立ち下がってから前記デッドタイム経過後立ち下がる
    ことを特徴とする請求項1に記載のドライバ回路。
  3. 第1の電位が印加される第1の端子にソースが接続され、出力信号を出力する出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力pMOSトランジスタと、
    前記第1の電位よりも低い第2の電位が印加される第2の端子にソースが接続され、前記出力端子にドレインが接続され、且つソースとバックゲートとが接続された出力nMOSトランジスタと、
    前記出力pMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第1のパルス信号が入力部に入力され、この第1のパルス信号を反転した第1のゲート信号を出力部から出力する第1のプリドライバ回路と、
    前記出力nMOSトランジスタのゲートに出力部が接続され、第2のパルス信号が入力部に入力され、この第2のパルス信号を反転した第2のゲート信号を出力部から出力する第2のプリドライバ回路と、
    第1の電位線にソースが接続され、前記出力pMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助pMOSトランジスタと、
    前記第1の電位線よりも電位が低い第2の電位線にソースが接続され、前記出力nMOSトランジスタのゲートにドレインが接続された補助nMOSトランジスタと、
    入力信号の立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ前記入力信号の立ち上がりに同期して立ち下がる第1のパルス信号を前記第1のプリドライバ回路の入力部に出力するとともに、前記入力信号の立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ前記入力信号の立ち上がりから遅延して立ち下がる第1の制御信号を前記補助pMOSトランジスタのゲートに出力する第1の制御回路と、
    前記入力信号の立ち下がりに同期して立ち上がり且つ前記入力信号の立ち上がりから遅延して立ち下がる第2のパルス信号を前記第2のプリドライバ回路の入力部に出力するとともに、前記入力信号の立ち下がりから遅延して立ち上がり且つ前記入力信号の立ち上がりから遅延して立ち下がる第2の制御信号を前記補助nMOSトランジスタのゲートに出力する第2の制御回路と、を備えることを特徴とするドライバ回路。
  4. 前記第1のプリドライバ回路は、
    前記第1の電位線にソースが接続され、前記第1のプリドライバ回路の前記入力部にゲートが接続された第1のpMOSトランジスタと、
    前記第1のpMOSトランジスタのドレインと前記第1のプリドライバ回路の前記出力部との間に接続された第1の抵抗と、
    前記第1の電位線よりも電位が低い第3の電位線にソースが接続され、前記第1のプリドライバ回路の前記入力部にゲートが接続された第1のnMOSトランジスタと、
    前記第1のnMOSトランジスタのドレインと前記第1のプリドライバ回路の前記出力部との間に接続された第2の抵抗と、を有し、
    前記第2のプリドライバ回路は、
    前記第2の電位線よりも電位が高い第4の電位線にソースが接続され、前記第2のプリドライバ回路の前記入力部にゲートが接続された第2のpMOSトランジスタと、
    前記第2のpMOSトランジスタのドレインと前記第2のプリドライバ回路の前記出力部との間に接続された第3の抵抗と、
    前記第2の電位線にソースが接続され、前記第2のプリドライバ回路の前記入力部にゲートが接続された第2のnMOSトランジスタと、
    前記第2のnMOSトランジスタのドレインと前記第2のプリドライバ回路の前記出力部との間に接続された第4の抵抗と、を有する
    ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載のドライバ回路。
  5. 前記第1の制御回路は、
    前記第1のパルス信号が入力され、入力された前記第1のパルス信号を第1の遅延時間だけ遅延させた第1の遅延信号を出力する第1の遅延回路と、
    前記第1のパルス信号および前記第1の遅延信号が入力され、前記第1のパルス信号と前記第1の遅延信号を演算して得られた信号を前記第1の制御信号として出力するOR回路と、を有し、
    前記第2の制御回路は、
    前記第2のパルス信号が入力され、入力された前記第2のパルス信号を第2の遅延時間だけ遅延させた第2の遅延信号を出力する第2の遅延回路と、
    前記第2のパルス信号および前記第2の遅延信号が入力され、前記第2のパルス信号と前記第2の遅延信号を演算して得られた信号を前記第2の制御信号として出力するAND回路と、を有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のドライバ回路。
  6. 前記第1の制御回路は、
    前記入力信号が入力され、入力された前記入力信号を第1の遅延時間だけ遅延させた第1の遅延信号を出力する第1の遅延回路と、
    前記入力信号および前記第1の遅延信号が入力され、前記入力信号と前記第1の遅延信号を演算して得られた信号を前記第1のパルス信号として出力するNOR回路と、
    前記第1の遅延信号が入力され、入力された前記第1の遅延信号を反転した信号を前記第1の制御信号として出力する第1のインバータと、を有し、
    前記第2の制御回路は、
    前記入力信号が入力され、入力された前記入力信号を第2の遅延時間だけ遅延させた第2の遅延信号を出力する第2の遅延回路と、
    前記入力信号および前記第2の遅延信号が入力され、前記入力信号と前記第2の遅延信号を演算して得られた信号を前記第2のパルス信号として出力するNAND回路と、
    前記第2の遅延信号が入力され、入力された前記第2の遅延信号を反転した信号を前記第2の制御信号として出力する第2のインバータと、を有する
    ことを特徴とする請求項3に記載のドライバ回路。
  7. 前記第1の制御回路は、
    前記第1の遅延信号を、第3の遅延時間だけ遅延させて前記NOR回路に出力する第3の遅延回路をさらに有し、
    前記第2の制御回路は、
    前記第2の遅延信号を、第4の遅延時間だけ遅延させて前記NAND回路に出力する第4の遅延回路、をさらに有する
    ことを特徴とする請求項6に記載のドライバ回路。
  8. 前記第1の制御回路は、
    前記入力信号が入力され、入力された前記入力信号を第1の遅延時間だけ遅延させた第1の遅延信号を出力する第1の遅延回路と、
    前記第1の遅延信号が入力され、入力された前記第1の遅延信号を第2の遅延時間だけ遅延させた第2の遅延信号を出力する第2の遅延回路と、
    前記入力信号および前記第2の遅延信号が入力され、前記入力信号と前記第2の遅延信号を演算して得られた信号を前記第1のパルス信号として出力する第1のNOR回路と、
    前記第1の遅延信号および前記第2の遅延信号が入力され、前記第1の遅延信号と前記第2の遅延信号とを演算した信号を前記第1の制御信号として出力する第2のNOR回路と、を有し、
    前記第2の制御回路は、
    前記入力信号が入力され、入力された前記入力信号を第3の遅延時間だけ遅延させた第3の遅延信号を出力する第3の遅延回路と、
    前記第3の遅延信号が入力され、入力された前記第3の遅延信号を第4の遅延時間だけ遅延させた第4の遅延信号を出力する第4の遅延回路と、
    前記入力信号および前記第4の遅延信号が入力され、前記入力信号と前記第4の遅延信号を演算して得られた信号を前記第2のパルス信号として出力する第1のNAND回路と、
    前記第3の遅延信号および前記第4の遅延信号が入力され、前記第3の遅延信号と前記第4の遅延信号とを演算した信号を前記第2の制御信号として出力する第2のNAND回路と、を有する
    ことを特徴とする請求項3に記載のドライバ回路。
  9. 前記補助pMOSトランジスタは、ソースとバックゲートとが接続され、
    前記補助nMOSトランジスタは、ソースとバックゲートとが接続されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載のドライバ回路。
  10. 前記第1の遅延時間および前記第2の遅延時間の長さは、前記デッドタイムの長さ以下のであることを特徴とする請求項1または2に記載のドライバ回路。
  11. 前記第1の遅延時間の長さは、前記第2の遅延時間の長さと等しいことを特徴とする請求項5に記載のドライバ回路。
  12. 前記第3の電位線は、前記第2の電位線に接続され、
    前記第4の電位線は、前記第1の電位線に接続されていることを特徴とする請求項4に記載のドライバ回路。
  13. 前記第1の電位線は、前記第1の端子に接続され、
    前記第2の電位線は、前記第2の端子に接続されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか一項に記載のドライバ回路。
  14. 前記第1のpMOSトランジスタ、第1のnMOSトランジスタ、第2のpMOSトランジスタ、および、第2のnMOSトランジスタは、ソースとバックゲートとが接続されている
    ことを特徴とする請求項1ないし13のいずれか一項に記載のドライバ回路。
  15. 前記第1の電位は、電源電位であり、
    前記第2の電位は、接地電位であることを特徴とする請求項4に記載のドライバ回路。
  16. 第1の入力信号が入力され、前記第1の入力信号を反転して得られた信号を前記第1のパルス信号として出力する第1のインバータと、
    第2の入力信号が入力され、前記第2の入力信号を反転して得られた信号を前記第2のパルス信号として出力する第2のインバータと、をさらに備える
    ことを特徴とする請求項1または2に記載のドライバ回路。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111764B2 (en) 2012-07-13 2015-08-18 Infineon Technologies Ag Integrated semiconductor device and a bridge circuit with the integrated semiconductor device
US9859732B2 (en) 2014-09-16 2018-01-02 Navitas Semiconductor, Inc. Half bridge power conversion circuits using GaN devices
US9571093B2 (en) 2014-09-16 2017-02-14 Navitas Semiconductor, Inc. Half bridge driver circuits
US9831867B1 (en) 2016-02-22 2017-11-28 Navitas Semiconductor, Inc. Half bridge driver circuits
US10128835B2 (en) * 2017-02-20 2018-11-13 Stmicroelectronics International N.V. Aging tolerant I/O driver
US10425000B2 (en) 2017-08-21 2019-09-24 Texas Instruments Incorporated Increasing efficiency of a switched mode power converter
JP6963951B2 (ja) * 2017-09-25 2021-11-10 ローム株式会社 ゲートドライバ駆動回路および液晶表示装置
JP7208754B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-19 ローム株式会社 モータドライバ装置及び半導体装置
JP7422083B2 (ja) * 2018-10-24 2024-01-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体回路および半導体システム
US10931201B2 (en) * 2019-02-04 2021-02-23 Analog Devices International Unlimited Company Dead-time supply voltage compensation
US10637348B1 (en) * 2019-06-10 2020-04-28 Diodes Incorporated Dead-time control for half-bridge driver circuit

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0296428A (ja) * 1988-09-30 1990-04-09 Fujitsu Ltd 出力回路
US5321319A (en) * 1992-06-08 1994-06-14 Advanced Micro Devices, Inc. High speed CMOS bus driver circuit that provides minimum output signal oscillation
JPH06152374A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Toshiba Corp 出力回路
JP3369384B2 (ja) * 1995-07-12 2003-01-20 三菱電機株式会社 出力バッファ回路
KR100480596B1 (ko) * 2002-04-03 2005-04-06 삼성전자주식회사 업-슬루율 및 다운-슬루율, 업-드라이빙 세기 및다운-드라이빙 세기가 상호 독립적으로 조절되는 출력드라이버 회로
JP2003304151A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 出力ドライバー回路
JP4079856B2 (ja) 2003-09-08 2008-04-23 松下電器産業株式会社 プリドライバ回路
KR100631941B1 (ko) * 2003-12-15 2006-10-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치용 출력 드라이버
JP4014048B2 (ja) * 2004-06-02 2007-11-28 ローム株式会社 コイル負荷駆動出力回路
JP2008098920A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Rohm Co Ltd ドライバ回路
US7449913B1 (en) 2007-06-20 2008-11-11 Smartech Worldwide Limited Pre-driver having slew-rate and crowbar-current controls for a CMOS output buffer
US7626423B1 (en) 2007-12-03 2009-12-01 Xilinx, Inc. Slew rate control for output signals
KR100942972B1 (ko) * 2008-06-04 2010-02-17 주식회사 하이닉스반도체 출력 드라이버
JP5537270B2 (ja) * 2009-07-13 2014-07-02 ローム株式会社 出力回路
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