JP5580126B2 - 不揮発性記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 306
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 128
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 43
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 30
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- QOQXJCPZNAIESJ-UHFFFAOYSA-N strontium oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Sr++].[Zr+4] QOQXJCPZNAIESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置を例示する斜視図であり、
図2(a)及び(b)は、本実施形態におけるメモリセルを例示する断面図であり、相互に直交する断面を示し、
図3は、本実施形態におけるメモリセルを例示する平面図であり、
図4は、本実施形態におけるナノマテリアル集合層を例示する断面図である。
本実施形態に係る不揮発性記憶装置は、ReRAM(Resistance Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)である。
本実施形態に係る不揮発性記憶装置においては、ビット線とワード線との間にピラーが設けられており、これがメモリセルとなっている。各ピラーにおいては、記録層としてのナノマテリアル集合層が設けられている。ナノマテリアル集合層は、微小導電体であるカーボンナノチューブ(Carbon nanotube:CNT)が隙間を介して緩く集合した中空構造層であり、各CNTは微小な範囲で移動することができる。例えば、あるCNTは、周囲のCNTに囲まれた空間内で、位置及び姿勢を変えることができる。CNT同士が離隔していると、下部電極層と上部電極層との間の電気抵抗は高くなる。一方、下部電極層と上部電極層との間に電圧が印加されると、隣り合うCNT同士がクーロン力によって接触し、電流経路が形成されるため、下部電極層と上部電極層との間の電気抵抗は低くなる。この状態は電圧をオフにしても持続する。そして、本実施形態においては、上方から見て、ビット線及びワード線の幅をナノマテリアル集合層の幅よりも大きくしている。これにより、ナノマテリアル集合層においては電流密度を確保しつつ、ビット線及びワード線の配線抵抗を低減することができる。
本実施形態においては、配線(例えば、ワード線)上に下部電極層及びダミー層を積層させた後、ドライエッチングによってピラーに加工する。ピラーの上部にはダミー層が設けられている。そして、ピラーの周囲を層間絶縁膜によって埋め込んだ後、平坦化処理を施し、層間絶縁膜の上面においてピラーの上面を露出させる。次に、ダミー層を除去する。これにより、層間絶縁膜の上面に凹部が形成される。次に、CNTが分散されたナノマテリアル材料を塗布し、乾燥させることにより、凹部内にナノマテリアル集合層を形成する。その後、ナノマテリアル集合層上に導電膜を形成し、この導電膜をナノマテリアル集合層を覆うようにパターニングすることにより、配線(例えば、ビット線)を形成する。これにより、ナノマテリアル集合層の側面がドライエッチングに曝されることがなく、ダメージを受けることがない。また、ナノマテリアル集合層の厚さをダミー層の厚さによって規定することができるため、厚さのばらつきが小さい。これにより、信頼性が高い不揮発性記憶装置を製造することができる。
図1に示すように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置1においては、シリコン基板11が設けられており、シリコン基板11の上層部分及び上面上には、不揮発性記憶装置1の駆動回路(図示せず)が形成されている。シリコン基板11上には、駆動回路を埋め込むように、例えばシリコン酸化物からなる層間絶縁膜12が設けられており、層間絶縁膜12上にはメモリセル部13が設けられている。
図2(a)及び(b)に示すように、ピラー16の形状は上下方向に延びる柱状であり、例えば円柱状である。ピラー16の直径は例えば20〜100nmである。各ピラー16においては、下方から上方に向かって、バリアメタル層21、シリコンダイオード層22、下部電極層23及びナノマテリアル集合層24がこの順に積層されている。以下、下方にワード線WLが配置され、上方にビット線BLが配置されたピラー16を例に挙げて説明する。
図5〜図10は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程断面図であり、各図の(a)及び(b)は、相互に直交する断面を示している。
先ず、図1に示すように、シリコン基板11を用意する。シリコン基板11は、例えば、シリコンウェーハの一部である。次に、シリコン基板11の上面に、メモリセル部13を駆動するための駆動回路を形成する。次に、シリコン基板11上に層間絶縁膜12を形成する。
本実施形態に係る不揮発性記憶装置1において、ナノマテリアル集合層24は、「高抵抗状態」と「低抵抗状態」の2つの状態を持つことができる。そのメカニズムは完全には解明されていないが、例えば、以下のように考えられる。
本実施形態によれば、カーボンナノチューブ(CNT)によって抵抗変化層が形成されており、これにより、ReRAMが実現されている。従来の金属酸化物を用いた抵抗変化層は、金属酸化物が本来絶縁体であるため、動作が不安定であるという問題点があった。これに対して、本実施形態によれば、導電体であるCNTを用いて抵抗変化層を形成しているため、低い電圧で駆動することができ、動作が安定する。これにより、信頼性が高い不揮発性記憶装置を実現することができる。
図11(a)及び(b)は、本実施形態におけるメモリセルを例示する断面図であり、相互に直交する断面を示す。
図11(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置2は、前述の第1の実施形態に係る不揮発性記憶装置1(図2参照)と比較して、ナノマテリアル集合層24の上部24bが設けられていない点が異なっている。すなわち、不揮発性記憶装置2においては、ナノマテリアル集合層24全体が層間絶縁膜30内に埋め込まれており、ピラー16の一部となっている。
図12(a)及び(b)は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程断面図である。
先ず、前述の第1の実施形態において説明した方法のうち、図9に示す工程までを実施する。すなわち、図9(a)及び(b)に示すように、凹部43内及び層間絶縁膜30の上面上に、ナノマテリアル集合層24を形成する。
図13(a)〜(c)は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態は、前述の第1の実施形態と比較して、ダミー層41(図5〜図7参照)を形成した後にピラーに加工するのではなく、ピラー加工後に下層電極層23の上部を酸化することによってダミー層を形成する点が異なっている。
本実施形態によっても、前述の第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
図14は、本実施形態におけるメモリセルを例示する断面図である。
図14に示すように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置4においては、前述の第1の実施形態に係る不揮発性記憶装置1(図2参照)と比較して、ナノマテリアル集合層24の上部24bの上部に、高密度層24cが形成されている点が異なっている。高密度層24cの密度は、例えば、2.0g/cm3以上であり、例えば、2.0〜2.2g/cm3である。一方、ナノマテリアル集合層24における高密度層24c以外の部分の密度は、例えば1.8g/cm3以下であり、例えば、1.5〜1.8g/cm3である。高密度層24cにおける単位体積当たりのCNT31の合計長さは、ナノマテリアル集合層24における高密度層24c以外の部分における単位体積当たりのCNT31の合計長さよりも長い。
図15は、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程断面図である。
図15に示すように、本実施形態においては、前述の第1の実施形態の図9に示す工程において、先ず、相対的に密度が低い低密度層55aを成膜し、次に、相対的に密度が高い高密度層55bを成膜する。例えば、低密度層55aは、塗布工程1回当たりの塗布厚さを厚くし、塗布及び乾燥の回数を少なくすることによって、形成することができる。一方、高密度層55bは、塗布工程1回当たりの塗布厚さを薄くし、塗布及び乾燥の回数を多くすることによって、形成することができる。低密度層55aがナノマテリアル集合層24の下部24a及び上部24bの下部となり、高密度層55bがナノマテリアル集合層24の高密度層24cとなる。
Claims (7)
- 第1配線と、
前記第1配線上に設けられ、炭素を含む複数の微小導電体が集合したナノマテリアル集合層と、
前記ナノマテリアル集合層上に設けられた第2配線と、
を備え、
前記ナノマテリアル集合層は、
下層と、
密度が前記下層の密度よりも高い上層と、
を有し、
上方から見て、前記ナノマテリアル集合層の少なくとも下部は、前記第2配線の内側に配置されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 上方から見て、前記ナノマテリアル集合層の全体が、前記第2配線の内側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記ナノマテリアル集合層にはボイドが形成されていないことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記微小導電体はカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。
- 前記第2配線が延びる方向は、前記第1配線が延びる方向に対して交差しており、
複数本の前記第1配線によって構成された第1配線層と、複数本の前記第2配線によって構成された第2配線層とが交互に積層されており、
前記ナノマテリアル集合層の少なくとも一部は、各前記第1配線と各前記第2配線との間に設けられたピラーを構成していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。 - 前記ピラー内における前記第1配線と前記ナノマテリアル集合層との間に設けられ、電流を流すか否かを選択する選択素子層と、
前記選択素子層と前記ナノマテリアル集合層との間に設けられた電極層と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載の不揮発性記憶装置。 - 第1配線上に、少なくとも上部にダミー層が設けられたピラー、及び前記ピラーの側面を覆い上面を露出させる層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミー層を除去することにより、前記層間絶縁膜の上面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に炭素を含む複数の微小導電体が隙間を介して集合したナノマテリアル集合層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記ナノマテリアル集合層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を、前記ナノマテリアル集合層を覆うようにパターニングすることにより、第2配線を形成する工程と、
を備え、
前記ナノマテリアル集合層を形成する工程は、
複数の前記微小導電体を含有するナノマテリアル材料を第1の厚さに塗布する工程と、
前記第1の厚さに塗布された前記ナノマテリアル材料を乾燥させる工程と、
前記ナノマテリアル材料を前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さに塗布する工程と、
前記第2の厚さに塗布された前記ナノマテリアル材料を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010159642A JP5580126B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US12/956,548 US20120012805A1 (en) | 2010-07-14 | 2010-11-30 | Nonvolatile memory device and method for manufacturing same |
KR1020110023743A KR20120007438A (ko) | 2010-07-14 | 2011-03-17 | 불휘발성 기억 장치 및 그 제조 방법 |
CN2011100663491A CN102339950A (zh) | 2010-07-14 | 2011-03-18 | 非易失性存储器装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010159642A JP5580126B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012023187A JP2012023187A (ja) | 2012-02-02 |
JP5580126B2 true JP5580126B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=45466211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010159642A Expired - Fee Related JP5580126B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120012805A1 (ja) |
JP (1) | JP5580126B2 (ja) |
KR (1) | KR20120007438A (ja) |
CN (1) | CN102339950A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130032772A (ko) * | 2011-09-23 | 2013-04-02 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 메모리 장치, 이를 포함하는 컴퓨터 시스템, 및 하이브리드 메모리장치의 데이터 기입 및 독출 방법 |
US8877586B2 (en) | 2013-01-31 | 2014-11-04 | Sandisk 3D Llc | Process for forming resistive switching memory cells using nano-particles |
US9111611B2 (en) | 2013-09-05 | 2015-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
US10305704B1 (en) * | 2018-06-07 | 2019-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Decision feedback equalization with independent data and edge feedback loops |
CN110797455B (zh) * | 2018-08-02 | 2023-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器件及其形成方法 |
CN110875426B (zh) * | 2018-08-29 | 2023-07-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纳米管随机存储器及其形成方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4207398B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2009-01-14 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
US7462890B1 (en) * | 2004-09-16 | 2008-12-09 | Atomate Corporation | Nanotube transistor integrated circuit layout |
US7812404B2 (en) * | 2005-05-09 | 2010-10-12 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material |
JP4939324B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子及びその製造方法 |
KR100881055B1 (ko) * | 2007-06-20 | 2009-01-30 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
CN102027610B (zh) * | 2008-04-11 | 2012-12-05 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 包括碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法 |
US8466044B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-06-18 | Sandisk 3D Llc | Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods forming the same |
JP2010080518A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US7915637B2 (en) * | 2008-11-19 | 2011-03-29 | Nantero, Inc. | Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same |
-
2010
- 2010-07-14 JP JP2010159642A patent/JP5580126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-30 US US12/956,548 patent/US20120012805A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-17 KR KR1020110023743A patent/KR20120007438A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-18 CN CN2011100663491A patent/CN102339950A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120012805A1 (en) | 2012-01-19 |
JP2012023187A (ja) | 2012-02-02 |
CN102339950A (zh) | 2012-02-01 |
KR20120007438A (ko) | 2012-01-20 |
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