JP5575766B2 - 階層化構造物の製造方法 - Google Patents
階層化構造物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5575766B2 JP5575766B2 JP2011522015A JP2011522015A JP5575766B2 JP 5575766 B2 JP5575766 B2 JP 5575766B2 JP 2011522015 A JP2011522015 A JP 2011522015A JP 2011522015 A JP2011522015 A JP 2011522015A JP 5575766 B2 JP5575766 B2 JP 5575766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- hierarchical structure
- block
- pattern
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K17/00—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves
- F16K17/02—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves opening on surplus pressure on one side; closing on insufficient pressure on one side
- F16K17/04—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves opening on surplus pressure on one side; closing on insufficient pressure on one side spring-loaded
- F16K17/0406—Safety valves; Equalising valves, e.g. pressure relief valves opening on surplus pressure on one side; closing on insufficient pressure on one side spring-loaded in the form of balls
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00095—Interconnects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
- F16K27/06—Construction of housing; Use of materials therefor of taps or cocks
- F16K27/067—Construction of housing; Use of materials therefor of taps or cocks with spherical plugs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/05—Arrays
- B81B2207/056—Arrays of static structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/07—Interconnects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Safety Valves (AREA)
- Taps Or Cocks (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
Description
ナノ測定技術の発展により、ナノスケール領域では既存の巨視的なスケール領域とは異なる自然現象が発生するという事実が明らかになり、現在までもナノスケール領域における新たな自然現象が持続して報告されている。
さらに、Lijimaの1991年度の論文によって炭素ナノチューブが本格的に注目され始めて以来、現在では各種金属と半導体から構成された多様なナノ素材、すなわちナノワイヤー(Nano Wire)、ナノロッド(Nano Rod)、ナノストライプ、または量子ドット(Quantum Dot)などを実生活に応用するナノ素材技術が活発に研究されている。
一方、現在水準の半導体工程技術において、半導体工程の特性領域(Critical Dimension)は一部素子の場合には既に100nm以下に進入した。このような半導体工程技術はナノスケールの構造物をより自由かつ低廉に製造することができる方法を提供し、これによってナノ技術の結果物を実生活に適用することができる無限の可能性が到来した。
前記特性長さは1nm〜100nmの範囲に属してもよい。
前記ナノオブジェクトは、量子ドット(quantum dot)、ナノスフェア(nano sphere)、ナノ粒子(nano particle)、ナノチューブ(nano tube)、ナノワイヤー(nano wire)、およびナノスケール領域の線パターン(line pattern)のうちより選択されたいずれか1つであってもよい。
一方、本発明の他の実施形態に係る階層化構造物の製造方法は、(a)第1母材(substrate)上に第1基地(matrix)を形成する段階と、(b)前記第1基地上にナノ(nano)スケール領域の特性長さを有する少なくとも1つ以上のナノオブジェクト(object)を第1パターンで配列する段階と、(c)前記(b)段階の第1パターン上に第2基地を形成する段階と、(d)前記第1母材を分離して第1ブロックを形成する段階と、(e)第2母材上に少なくとも1つ以上の前記第1ブロックを第2パターンで配列する段階と、(f)前記(e)段階の第2パターン上に第3基地を形成する段階と、(g)前記第2母材を分離して第2ブロックを形成する段階とを含む。
前記特性長さは1nm〜100nmの範囲に属してもよい。
前記ナノオブジェクトは、量子ドット(quantum dot)、ナノスフェア(nano sphere)、ナノ粒子(nano particle)、ナノチューブ(nano tube)、ナノワイヤー(nano wire)、およびナノスケール領域の線パターン(line pattern)のうちより選択されたいずれか1つであってもよい。
前記(d)段階は、(d1)前記第2基地上にフォトレジストパターンまたは無機物パターンを形成した後にエッチングする段階と、(d2)前記フォトレジストパターンまたは無機物パターンを除去する段階とを含んでもよい。
前記フォトレジストパターンまたは無機物パターンは光学リソグラフィまたはインプリントリソグラフィ方法を用いて形成してもよい。
前記(e)段階は、前記第1ブロックをチャック(chuck)を用いて前記第2母材上に付着する段階を含んでもよい。
前記(e)段階は、前記第1ブロックを配列する前に前記第2母材上に粘着強化層を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第2ブロックの大きさは前記第1ブロックの大きさよりも5倍〜100倍大きく形成されてもよい。
前記(B)段階は、前記第4ブロックまたは第3ブロックをチャック(chuck)を用いて前記第3母材または第4ブロック上に付着する段階を含んでもよい。
前記(B)段階は、前記第4ブロックを付着する前に前記第3母材上に粘着強化層を形成する段階を含んでもよい。
前記粘着強化層は自己組織化単分子層(Self−Assembled Monolayer)またはポリマー接着剤層が適用されてもよい。
第1に、ナノスケール領域で発生する優れた特性を巨視的なスケール領域の構造物でも活用することができる方法を提供する。第2に、スケールの大きさが互いに異なる構造物を相違したスケールの大きさに関係なく容易に連係(Interconnect or Interface)することができる方法を提供する。第3に、従来技術では製造することが困難であった3次元的な形状を含む部品を容易に製造することができる方法を提供する。
また、本明細書および特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、発明者が自身の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に立脚し、本発明の技術的な思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
図1は、人間の腱で観察される階層構造の例を示す模式図である。
図1に示すような階層構造により、人間の腱(tendon)は優れた強度を示しながらも、外部から印加される極めて大きい変形率を支えることができる。人間の腱だけではなく動物の骨からもこれと類似した階層構造が観察され、これによって動物の骨も極めて優れた破壊靭性を示す。
3次元部品を製造する方式は大きく、Additive方式とSubtractive方式に分類してもよい。Additive方式は基本ブロックを積層したり組み立てて3次元部品を製造する方式であって、ステレオリソグラフィ(stereo lithography)またはレーザ焼結(sintering)などを例示してもよい。この反面、Subtractive方式は巨大構造物を段階的に切削して所望する形状を実現する方式であって、ミリング加工、ダイ加工、放電加工、または光学リソグラフィなどを例示してもよい。
図4を参照すれば、レベル1工程では、母材(substrate)12上に基地(matrix)14と共にナノスケール領域の特性長さ(例えば、Wl)を有するナノオブジェクト(object)16を配列する。
本発明の第2実施形態に係る階層化構造物は、図6に示すように、最もスケールが大きいレベル(図6ではレベル4)のブロックを先ず組み立て、次第にスケールが小さいレベルのブロックを組み立てる方式によって製造してもよい。図6において、レベル4は1個のレベル4ブロック140で構成され、レベル3は4個のレベル3ブロック130で構成され、レベル2は12個のレベル2ブロック120で構成され、レベル1は48個のレベル1ブロック110で構成されることが確認される。もちろん、本発明がこのような個数に限定されるものではない。
先ず、母材12に犠牲層13を蒸着する(S11)。段階S11の犠牲層13の機能は、完成したレベル1ブロック10が以後にエッチング(etching)によって母材12から円滑に分離するようにするものである。犠牲層13の素材は、エッチング感度(selectivity)が基地14であるポリマーよりも大きい素材であることが好ましい。
一方、図11は、本発明の第3実施形態に係る階層化構造物の製造方法のうちのレベル1工程を示す工程図である。
図8を参照すれば、先ずレベル1工程で製作されたパターンを準備し(S21)、前記パターンにフォトレジスト(photoresist、PR)51コーティングを行った後(S22)、リソグラフィ工程を行う(S23)。段階S23のリソグラフィは通常の光学リソグラフィまたはインプリントリソグラフィなどであってもよい。
図12では、レベル1ブロック11の基地15としてポリマーの代わりに異種金属を用いることを示しており、基地15がナノオブジェクト17とは異種の金属であるという点を除いては図8に示す工程と全体的に類似している。
図9を参照すれば、先ずダミー(dummy)母材22上に製造されたレベル1ブロック10を準備し(S31)、チャック(chuck)45を用いて前記レベル1ブロック10を一括的に引き離す(S32)。前記チャック45としては半導体関連工程で通常用いる静電チャック(electrostatic chuck)またはポリマーチャックなどを用いることができる。
このとき、チャック45とレベル1ブロック10の間の粘着力は能動的に制御することが好ましい。すなわち、レベル1ブロック10をダミー母材22から引き離すときには、チャック45とレベル1ブロック10の間の粘着力が増加しなければならず、レベル1ブロック10を目標母材32上に移送するときには、チャック45とレベル1ブロック10の間の粘着力が減少することが好ましい。
図13では、レベル1ブロック11の基地25としてポリマーの代わりに異種金属を用いることを示しており、基地25が異種金属であるという点を除いては図9に示す工程と全体的に類似している。
その後、段階S42〜段階S44と類似するように、それよりも小さい大きさのブロック110、120を目標母材235上に移送して付着させる(S45、S46)。必要に応じて同じレベルのブロックを積層する段階を何度か反復して進行してもよい。
12: 母材
13: 犠牲層
14、15、25: 基地
16、17、160、161、162: ナノオブジェクト
20、120: レベル2ブロック
24: ポリマー層
30、130: レベル3ブロック
45: チャック
51: フォトレジスト
140: レベル4ブロック
22、210、220、230: ダミー母材
Claims (12)
- 階層化構造物の製造方法において、
(a)第1母材(substrate)上に第1基地(matrix)を形成する段階;(b)前記第1基地上にナノ(nano)スケール領域の特性長さを有する少なくとも1つ以上のナノオブジェクト(object)を第1パターンで配列する段階;
(c)前記(b)段階の第1パターン上に第2基地を形成する段階;
(d)前記第1母材を分離して第1ブロックを形成する段階;
(e)第2母材上に少なくとも1つ以上の前記第1ブロックを第2パターンで配列する段階;
(f)前記(e)段階の第2パターン上に第3基地を形成する段階;および
(g)前記第2母材を分離して第2ブロックを形成する段階を含む階層化構造物の製造方法。 - 前記第1基地または第2基地はポリマー(polymer)または金属であることを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記特性長さは1nm〜100nmの範囲に属することを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記ナノオブジェクトは、量子ドット(quantum dot)、ナノスフェア(nano sphere)、ナノ粒子(nano particle)、ナノチューブ(nano tube)、ナノワイヤー(nano wire)、およびナノスケール領域の線パターン(line pattern)のうちのいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記第1パターンは、光学リソグラフィ(lithography)、ソフトリソグラフィ、ホログラフィック(holographic)リソグラフィ、ナノインプリント(nanoimprint)、シャドーマスク(shadow mask)、および金属トランスファプリンティング(transfer printing)方法のうちのいずれか1つの方法によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記(a)段階は、
(a1)前記第1基地を形成する前に前記第1母材上に犠牲層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。 - 前記(d)段階は、
(d1)前記第2基地上にフォトレジストパターンまたは無機物パターンを形成した後にエッチングする段階;および
(d2)前記フォトレジストパターンまたは無機物パターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。 - 前記フォトレジストパターンまたは無機物パターンは光学リソグラフィまたはインプリントリソグラフィ方法を用いて形成することを特徴とする請求項7に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記(e)段階は、
前記第1ブロックをチャック(chuck)を用いて前記第2母材上に付着する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。 - 前記(e)段階は、
前記第1ブロックを配列する前に前記第2母材上に粘着強化層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。 - 前記粘着強化層は自己組織化単分子層(self−assembled monolayer)またはポリマー接着剤層であることを特徴とする請求項10に記載の階層化構造物の製造方法。
- 前記第2ブロックの大きさは前記第1ブロックの大きさよりも5倍〜100倍大きいことを特徴とする請求項1に記載の階層化構造物の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080081026A KR101002683B1 (ko) | 2008-08-19 | 2008-08-19 | 이중시트링과 릴리프밸브를 내장하는 고압력 볼밸브 |
PCT/KR2009/004702 WO2010021528A2 (ko) | 2008-08-19 | 2009-08-24 | 계층화 구조물 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011530416A JP2011530416A (ja) | 2011-12-22 |
JP5575766B2 true JP5575766B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=41707581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011522015A Expired - Fee Related JP5575766B2 (ja) | 2008-08-19 | 2009-08-24 | 階層化構造物の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8551353B2 (ja) |
JP (1) | JP5575766B2 (ja) |
KR (1) | KR101002683B1 (ja) |
CN (1) | CN102105391B (ja) |
WO (1) | WO2010021528A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8945970B2 (en) * | 2006-09-22 | 2015-02-03 | Carnegie Mellon University | Assembling and applying nano-electro-mechanical systems |
WO2009117456A2 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Avery Dennison Corporation | Functional micro-and/or nano-structure bearing constructions and/or methods for fabricating same |
WO2012012441A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-26 | President And Fellows Of Harvard College | Hierarchically structured surfaces to control wetting characteristics |
KR101822500B1 (ko) * | 2011-09-06 | 2018-01-29 | 삼성전자주식회사 | 양자점층 제조 방법 및 양자점층을 포함한 양자점 광전자소자 |
KR101338234B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2013-12-10 | 주식회사 신정기공 | 볼 밸브의 이중 실링 메탈시트 |
DE102013105803A1 (de) * | 2013-06-05 | 2014-08-07 | Cascade Microtech, Inc. | Träger zur Halterung von Halbleitersubstraten und Prober zu deren Testung |
KR20170083554A (ko) * | 2014-11-11 | 2017-07-18 | 더 차레스 스타크 드레이퍼 래보레이토리, 인코포레이티드 | 2차원 및 3차원 구조체에 있어서의 나노스케일 및 마이크로스케일 물체의 조립 방법 |
KR101871582B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2018-06-27 | 국방과학연구소 | 회전형 밸브와 노즐 조립체 |
KR102492533B1 (ko) * | 2017-09-21 | 2023-01-30 | 삼성전자주식회사 | 지지 기판, 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법 |
CN112969594B (zh) * | 2018-10-31 | 2023-03-24 | 韩国机械研究院 | 结构着色基板、制造结构着色基板的方法及使用由此制造的结构着色基板的安全验证系统 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56155164U (ja) * | 1980-04-21 | 1981-11-19 | ||
JPS59147172A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-23 | Kobe Steel Ltd | バルブ |
CN1212652C (zh) * | 2002-07-19 | 2005-07-27 | 上海华虹(集团)有限公司 | 一种基于自组织的纳米颗粒图案的光刻方法 |
JP2004314238A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
US7557367B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-07-07 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable semiconductor elements and stretchable electrical circuits |
KR101169426B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2012-07-27 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 나노임프린트 리소그래피에 의한 계층형 나노패턴 형성방법 |
US7826336B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-11-02 | Qunano Ab | Data storage nanostructures |
US7826174B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-11-02 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording method and apparatus using plasmonic transmission along line of ferromagnetic nano-particles with reproducing method using fade-in memory |
ATE426184T1 (de) * | 2006-05-31 | 2009-04-15 | Suisse Electronique Microtech | Nanostrukturierter diffraktionsfilter nullter ordnung |
CN101100282B (zh) | 2006-07-06 | 2010-08-04 | 中国科学院化学研究所 | 一种制备ttf-tcnq纳米材料的方法 |
KR100814730B1 (ko) | 2006-10-27 | 2008-03-19 | 한국기계연구원 | 나노-매크로 사이즈의 계층적 기공구조를 가지는 다공성 생체활성유리 및 이의 합성방법 |
JP2008200793A (ja) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 二段の階層を有する柱状構造体の製造方法 |
CN101024482A (zh) * | 2007-03-27 | 2007-08-29 | 吉林大学 | 一种构筑三维微结构的方法 |
CN101117730B (zh) | 2007-06-28 | 2011-08-31 | 复旦大学 | 一种多级有序排列的zsm-5纳米棒束及其制备方法 |
DE112008003510T5 (de) | 2007-12-05 | 2010-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P., Houston | Im Mikro- und/oder Nanobereich liegende Neuromorphe integrierte Hybridschaltung |
KR101022016B1 (ko) | 2008-08-25 | 2011-03-16 | 한국기계연구원 | 계층화 구조물 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-08-19 KR KR1020080081026A patent/KR101002683B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-08-24 CN CN200980129153.3A patent/CN102105391B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-24 WO PCT/KR2009/004702 patent/WO2010021528A2/ko active Application Filing
- 2009-08-24 US US12/995,204 patent/US8551353B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-24 JP JP2011522015A patent/JP5575766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010021528A2 (ko) | 2010-02-25 |
CN102105391B (zh) | 2014-08-20 |
US8551353B2 (en) | 2013-10-08 |
WO2010021528A3 (ko) | 2010-06-24 |
KR101002683B1 (ko) | 2010-12-20 |
CN102105391A (zh) | 2011-06-22 |
JP2011530416A (ja) | 2011-12-22 |
KR20100022379A (ko) | 2010-03-02 |
US20110081521A1 (en) | 2011-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5575766B2 (ja) | 階層化構造物の製造方法 | |
KR102043920B1 (ko) | 나노엘리먼트들의 직접 어셈블리 및 전사를 위한 다마신 템플레이트 | |
US7713753B2 (en) | Dual-level self-assembled patterning method and apparatus fabricated using the method | |
US20050191419A1 (en) | Fabrication of nanostructures | |
JP2010123239A (ja) | 直接アドレス指定可能アレイへの自己集合化材料を用いた化学的ピニング | |
Farrell et al. | Surface-directed dewetting of a block copolymer for fabricating highly uniform nanostructured microdroplets and concentric nanorings | |
Chong et al. | Combinational template-assisted fabrication of hierarchically ordered nanowire arrays on substrates for device applications | |
JP2013503057A (ja) | 機能ナノ粒子 | |
Maury et al. | Assembly of nanoparticles on patterned surfaces by noncovalent interactions | |
Deng et al. | Micropatterning of block copolymer solutions | |
JP4796569B2 (ja) | 超格子の製造及び使用 | |
Lu et al. | Self-assembly for semiconductor industry | |
US11081335B2 (en) | Methods for forming electronic devices from nanomaterials | |
KR101022016B1 (ko) | 계층화 구조물 및 그 제조 방법 | |
KR101448870B1 (ko) | 나노/마이크로 하이브리드 구조물 제조방법 | |
Wu et al. | Large-area sub-wavelength optical patterning via long-range ordered polymer lens array | |
KR101356010B1 (ko) | 2차원 전사층 및 블록공중합체를 이용한 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노구조체 및 그 응용소자 | |
KR100563855B1 (ko) | 나노패턴 구조물 | |
KR101029995B1 (ko) | 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 | |
CN103523736A (zh) | 分级结构及其制备方法 | |
Chen et al. | Advanced Fabrication of Mechanical Metamaterials Based on Micro/Nanoscale Technology | |
JP7026120B2 (ja) | 化学機械的平坦化なしで製作されたナノ要素プリンティング用のダマシンテンプレート | |
WO2018085371A1 (en) | Lift-off embedded micro and structures | |
TWI602499B (zh) | 使用奈米材料的複合式導熱片及其製作方法 | |
Cui et al. | Nanofabrication by Self-Assembly |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130509 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5575766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |