JP5572129B2 - セラミックヒータの製造方法 - Google Patents
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タングステン(W)の珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を92%以上95%以下減少させることを特徴とする。
Claims (4)
- 絶縁性セラミックからなる基体と、
タングステンの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を92%以上95%以下減少させることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を220℃以上320℃以下としたことを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を450℃以上650℃以下としたことを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミックヒータの製造方法。
- 前記絶縁成形体の肉厚が0.2mm以上1.5mm以下とされることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセラミックヒータの製造方法。
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