JP5569279B2 - 異物検出用パターン及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、異物を検出するために用いられる異物検出用パターン及び異物検出用パターンを有する半導体装置に関する。

半導体装置、フォトマスク、実装回路基板等の製造工程では、使用する材料や薬液、それらの反応生成物、その他の外的要因等によって処理面に異物が発生し、後の製造工程においてショートや断線等の欠陥を引き起こす原因となることがある。

プロセス中に発生する異物の検出方法としては、例えば、複数の電気配線を所定間隔で配置したモニターパターンを処理基板上に形成し、モニターパターン上における異物の有無を電気的に検出する方法が提案されている。

特開２００６−０１３２２５号公報 特開２００８−０７８５７２号公報 特開平０５−１０２００２号公報

しかしながら、上記方法は、モニターパターン上に存在する異物を効率よく検出できるが、パターン形状が一般的なデバイスパターンと同様で特異性がなく、半導体装置の製造工程で一般的に使用される欠陥検査の代替に使用することは困難であった。また、異物の有無を電気的に検出する方法であるため、モニターパターンが導電性を有し、且つ、検出対象の異物も導電性を有する場合に限って、検出が可能であった。

本発明の目的は、異物の種類によらずに高効率で異物の存在を検査しうる異物検出用パターンを提供することにある。また、本発明の他の目的は、このような異物検出用パターンを有する半導体装置を提供することにある。

実施形態の一観点によれば、基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンが提供される。

また、実施形態の他の観点によれば、基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンと、前記基板上に形成され、前記異物検出用パターンと同じ材料で形成されたデバイスパターンとを有する半導体装置が提供される。

また、実施形態の更に他の観点によれば、基板と、前記基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンとを有する欠陥検査用基板が提供される。

また、実施形態の更に他の観点によれば、複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンが形成された基板を用いて異物を検出する異物検出方法が提供される。

開示の異物検出用パターンによれば、デバイス中に存在する種々のパターンよりも効率的に異物を捕獲することができるため、異物検出用パターンの検査によって基板の処理面の全体に発生する異物を簡便且つ短時間で予測することができる。

図１は、第１実施形態による異物検出用パターンの構造を示す平面図である。 図２は、角部を除いたＬ字型パターンの構造を示す平面図である。 図３は、ウェット処理プロセスの一例を示す概略図である。 図４は、異物検出用パターン内における処理液の流れを示す平面図である。 図５は、異物検出用パターンの効果を検証するために用いた半導体装置の構造を示す概略図である。 図６は、第２実施形態による異物検出用パターンの構造を示す平面図である。

［第１実施形態］
第１実施形態による異物検出用パターンについて図１乃至図５を用いて説明する。

図１は、本実施形態による異物検出用パターンの構造を示す平面図である。図２は、角部を除いたＬ字型パターンの構造を示す平面図である。図３は、ウェット処理プロセスの一例を示す概略図である。図４は、異物検出用パターン内における処理液の流れを示す平面図である。図５は、異物検出用パターンの効果を検証するために用いた半導体装置の構造を示す概略図である。

はじめに、本実施形態による異物検出用パターンの構造について図１及び図２を用いて説明する。

本実施形態による異物検出用パターン１０は、図１に示すように、複数の角部を除いたＬ字型パターンを有している。ここで、本願明細書において角部を除いたＬ字型パターンとは、例えば図２に示すような、第１の方向に延在する矩形状の第１のパターン１２と、第１の方向と交差する第２の方向に延在し、第１のパターン１２から分離した矩形状の第２のパターン１４とを含むものである。第１のパターン１２及び第２のパターン１４を延伸したときに形成される仮想的な交差部（図中、点線部分）が角部１６である。第１のパターン１２及び第２のパターン１４は、角部１６の内側の角１８から距離Ｃの位置に、端部１２ａ及び端部１４ａを有している。

異物検出用パターン１０は、パターン形成領域中に、領域２０ａ、領域２０ｂ、領域２０ｃ、領域２０ｄを有している。各領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄに形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンは、Ｌ字型パターンの角部が直線（図中、一点鎖線で表す）上に並ぶように、同じ向きに配置されている。すなわち、異物検出用パターン１０の右上の領域２０ａでは、Ｌ字型の角部が左下側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の右下の領域２０ｂでは、Ｌ字型の角部が左上側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の左上の領域２０ｃでは、Ｌ字型の角部が右下側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の左下の領域２０ｄでは、Ｌ字型の角部が右上側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。

領域２０ａに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｄに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。また、領域２０ｂに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｃに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。この２つの直線は、異物検出用パターン１０の中心点において互いに９０度の角度をなして交差（直交）している。

このように、本実施形態による異物検出用パターンでは、右上の領域２０ａ、右下の領域２０ｂ、左上の領域２０ｃ、及び左下の領域３０ｄにおいて、Ｌ字型の角部が異なる場所に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンの向きを９０度ずつずらして各領域に配置している。

本願発明者等が検討を行ったところ、角部を除いたＬ字型パターンは、異物を捕獲しやすいパターン形状であることが判明した。角部を除いたＬ字型パターンは、特に、角部の外側から来る異物を捕獲するのに適していることが判った。図２を例にして説明すると、角部を除いたＬ字型パターンの左下側から右上側に流れてくる異物を、効率よく捕獲することができる。角部を除いたＬ字型パターンの向きを変えて配置することにより、様々な方向から来る異物を捕獲することが可能となる。

本実施形態による異物検出用パターン１０は、主に、デバイスの製造プロセス中に発生する異物を検出するためのパターンであり、製品基板の一部分に配置することができる。例えば、半導体ウェーハでは、異物検出用パターン１０を、アライメントマークなどの他のプロセスモニタパターンと共にスクライブライン上に配置することができる。異物検出用パターン１０の配置場所はスクライブライン上に限定されるものではなく、チップ領域の内部でもよい。また、製品基板とは別に、プロセスモニタ専用の基板を用意し、この基板上に異物検出用パターン１０を配置してもよい。

本実施形態による異物検出用パターン１０による検出対象の異物は、主に、ウェット処理プロセスにおいて発生する異物である。ウェット処理プロセスとは、液状の物質を用いて処理を行うプロセスであり、特に限定されるものではないが、例えば、リソグラフィ工程、めっき工程、ウェットエッチング工程、洗浄工程等が挙げられる。

ウェット処理プロセスでは、所定の処理を行った後、処理液中から基板を引き上げ、乾燥させる。基板を引き上げた後、スピナー等を用いて処理液を除去することもある。この際、基板表面に異物が付着し或いは処理液中に異物が混入していると、この異物が基板に残存し、欠陥の原因となることがある。

ここで、図３に示すように、半導体ウェーハ３０の周囲の４箇所に、本実施形態の異物検出用パターン１０が配置されている場合を考える。ウェット処理プロセスの後、スピナーを用いて処理液を除去する場合、処理液は、図３中に矢印で示すように、半導体ウェーハ３０の中心から周囲に向けて異物とともに流れていく。

この場合、処理液は、右上の異物検出用パターン１０に対しては、例えば図４に示すように、異物検出用パターン１０の左下側から右上側に向けて流れることになる。異物検出用パターン１０に流れ込んだ処理液は、領域２０ｄに形成されたＬ字型パターンのパターン間隙に沿って流れ、領域２０ａに形成された角部を除いたＬ字型パターンの角部に集中する。これにより、処理薬に含まれる異物を、領域２０ａに形成された角部を除いたＬ字型パターンによって効率的に捕獲することができる。角部を除いたＬ字型パターンは、Ｌ字型パターンの角部が一直線上に並ぶように配置されているため、最初のＬ字型パターンによって捕獲されなかった異物も、次段以降のＬ字型パターンによって捕獲されることがある。これにより、異物の捕獲効率を更に高めることができる。他の領域に配置された異物検出用パターン１０についても同様である。

なお、角部を除いたＬ字型パターンの配置としては、角部を異物検出用パターン１０の中心に向ける配置と、角部を異物検出用パターン１０の外側に向ける配置とが考えられる。これらのうち、角部を異物検出用パターン１０の外側に向ける後者の配置は、Ｌ字型パターンの長辺部分が異物検出用パターン１０の外周部に位置し、処理液の浸入する入口が少なくなるため、角部を異物検出用パターン１０の中心に向ける前者の配置が望ましい。

異物検出用パターン１０により捕獲される異物の大きさは、除去した角部のサイズに依存する。本願発明者等が検討した結果では、Ｌ字型パターンの切り取り部分の長さ（角部１６の内側の角１８からパターンの端部までの距離）をＣとして、０．８Ｃ〜４．０Ｃ程度の大きさの異物を効果的に捕獲できることが判った。したがって、除去する角部の大きさを適宜設定することにより、任意サイズの異物を捕獲することができる。Ｌ字型パターンの切り取り部分の長さＣの異なる複数の異物検出用パターン１０を基板上に配置すれば、異なる大きさの異物を、それぞれ独立して検出することもできる。

また、Ｌ字型パターン同士の間隔は、特に限定されるものではないが、少なくとも捕獲しようとする異物の大きさよりも広くすることが望ましい。一方、間隔を広げすぎると異物を捕獲する確率が減少するため、Ｌ字型パターン同士の間隔は、Ｌ字型パターンの切り取り部分の長さをＣとして１０Ｃ程度以下に設定することが望ましい。

各領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄに形成する角部を除いたＬ字型パターンの数は、特に限定されるものではなく、任意に選択することができる。

このように、本実施形態による異物検出用パターン１０を基板上に配置しておくことにより、異物を含む処理液が基板表面を流れる際に、異物を捕獲することができる。本実施形態による異物検出用パターン１０には異物の捕獲に適したパターンを採用しているため、デバイス領域に残存する単位面積当たりの異物の数は、異物検出用パターン１０に捕獲される単位面積当たりの異物の数と比較して、少なくなると考えられる。例えば、異物検出用パターン１０に異物が捕獲されていなければ、デバイス領域に残存する異物はないものと予測することができる。これにより、異物検出用パターン１０を用いた欠陥検査は、基板の全面を観察する欠陥検査の代替とすることができ、検査工数を大幅に簡略化することが可能となる。また、異物検出用パターン１０に捕獲される異物の検査を行うことにより、デバイス領域に存在する異物の数を予測することができ、ひいては処理液中に混入している異物の量の変動を間接的に知ることも可能である。

また、基板上に本実施形態による異物検出用パターンを配置しておくことにより、異物を含む処理液が基板表面を流れる際に、異物検出用パターンによって異物を効率よく捕獲することができる。この結果、デバイス領域に異物が移動する確率を低減することができる。これにより、デバイスパターン上に発生する欠陥自体を抑制することができ、製品歩留まりを向上することも期待できる。この場合には、異物検出用パターン１０を複数配置することが効果的である。

本実施形態による異物検出用パターン１０を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、導電材料であってもよいし、絶縁材料であってもよい。

通常は、異物検出用パターン１０は、検査対象の工程で基板上に存在するデバイスパターンを形成するための材料と同一の材料により形成される。例えば、リソグラフィ工程であればレジスト材料が、エッチング工程であれば絶縁材料や金属材料等の被エッチング膜が、めっき工程であれば金属材料が、それぞれ用いられる。

異物検出用パターン１０が有する表面凹凸の観点から言えば、角部を除いたＬ字型パターンの部分が凸部（残しパターン部）であり、その周りの領域が凹部（抜きパターン部）である。

異物検出用パターン１０を用いた異物の検出方法は、特に限定されるものではないが、例えば、光学顕微鏡や電子顕微鏡による観察、電気的な検出等が挙げられる。顕微鏡による観察では、モニターパターンや異物の電気的性質に関わらず、異物を検出することができる。

次に、図１に示す本実施形態の異物検出用パターン１０を用いた異物検出結果の一例について、図５を用いて説明する。

図５に示すように、３００ｍｍφの半導体ウェーハ４０に、チップサイズが２０ｍｍ×１５ｍｍのＴＥＧチップ４２を複数形成した。各ＴＥＧチップ４２には、プロセスモニタ形成領域４４を設け、このプロセスモニタ形成領域４４内に、図１に示す異物検出用パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを配置した。

異物検出用パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄは、９０ｎｍノードＬＳＩの配線形成工程を想定し、以下に示すサイズで作成した。すなわち、異物検出用パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの形成領域の広さは、１１０μｍ×１１０μｍとした。角部を除いたＬ字型パターンの線幅は、２００ｎｍとした。角部を除いたＬ字型パターンの配置間隔は、１μｍとした。角部を除いたＬ字型パターンの配置本数は、５０本とした（上下左右対称で計２００本）。Ｌ字型パターンの角部の切り取りサイズＣをパラメータとし、切り取りサイズＣを１００ｎｍ、４００ｎｍ、７００ｎｍ、１０００ｎｍとしたパターンをそれぞれ形成した（それぞれ、異物検出用パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに対応）。また、比較例として、角部を切り取らなかった異物検出用パターン４８も形成した（切り取りサイズＣ＝０）。

上記モニターパターンを含む９０ｎｍノードのロジック配線パターン（ハーフピッチ：１３０ｎｍ）を電子線露光装置でウェーハ上のレジスト膜に露光し、レジスト現像後に欠陥検査装置による欠陥検査と電子顕微鏡によるモニターパターンの観察を行った。３種類の電子線レジスト材料を用いて評価を行い、下記結果を得た。

レジストＡ、レジストＢでは、異物検出用パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの何れにも異物が検出されたが、異物検出用パターン４８には異物が存在しなかった。また、レジストＢの欠陥の９割は異物検出用パターン内で発生しており、本実施形態の異物検出用パターンがデバイスパターンの代表点、すなわち欠陥検査装置の代用となることが確認された。

このように、本実施形態によれば、デバイス中に存在する種々のパターンよりも異物を捕獲しやすいパターン形状を有する異物検出用パターンを基板上に配置するので、基板の処理面内に発生する異物を簡便且つ短時間で予測することができる。また、捕獲される異物のサイズは、パターンのサイズによって制御することができ、任意サイズの異物を検出することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態による異物検出用パターンについて図６を用いて説明する。図１乃至図５に示す第１実施形態による異物検出用パターンと同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。

図６は、本実施形態による異物検出用パターンの構造を示す平面図である。

本実施形態による異物検出用パターン１０は、図６に示すように、複数の角部を除いたＬ字型パターンを有する点で、第１実施形態による異物検出用パターン１０と同様である。

本実施形態による異物検出用パターン１０は、パターン形成領域中に、領域２０ａ、領域２０ｂ、領域２０ｃ、領域２０ｄ、領域２０ｅ、領域２０ｆ、領域２０ｇ、領域２０ｈを有している。各領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈに形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンは、Ｌ字型パターンの角部が直線（図中、一点鎖線で表す）上に並ぶように、同じ向きに配置されている。すなわち、異物検出用パターン１０の右上の領域２０ａでは、Ｌ字型の角部が左下側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の右側中央の領域２０ｂでは、Ｌ字型の角部が左側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の右下の領域２０ｃでは、Ｌ字型の角部が左上側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の下側中央の領域２０ｄでは、Ｌ字型の角部が上側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の左下の領域２０ｅでは、Ｌ字型の角部が右上側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の左側中央の領域２０ｆでは、Ｌ字型の角部が右側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の左上の領域２０ｇでは、Ｌ字型の角部が右下側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。また、異物検出用パターン１０の上側中央の領域２０ｈでは、Ｌ字型の角部が下側に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンが配置されている。

領域２０ａに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｅに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。また、領域２０ｂに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｆに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。また、領域２０ｃに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｇに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。また、領域２０ｄに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線と領域２０ｈに形成されたＬ字型パターンの角部を結ぶ直線とは、一直線上に配置されている。これら４つの直線は、異物検出用パターン１０の中心部において互いに４５度の角度をなして交差している。

このように、本実施形態による異物検出用パターンでは、領域２０ａ、領域２０ｂ、領域２０ｃ、領域２０ｄ、領域２０ｅ、領域２０ｆ、領域２０ｇ、及び領域２０ｈにおいて、Ｌ字型の角部が異なる場所に位置するように、角部を除いた複数のＬ字型パターンの向きを４５度ずつずらして各領域に配置している。

角部を除いたＬ字型パターンの向きを変えて配置することにより、様々な方向から来る異物を捕獲することが可能となる。特に、本実施形態による異物検出用パターンでは、角部を除いた複数のＬ字型パターンの向きを、第１実施形態の場合よりも小さい４５度ずつずらして配置しており、異物が流れてくる方向に対する捕獲能力の依存性を更に低減することができる。これにより、異物の捕獲効率を更に高めることができる。

なお、図６に示す異物検出用パターン１０では、隣接する領域に形成されたＬ字型パターンを繋げているが、領域の境目でＬ字型パターン同士を分離するようにしてもよい。

また、各領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈに形成する角部を除いたＬ字型パターンの数は、特に限定されるものではなく、任意に選択することができる。

このように、本実施形態によれば、デバイス中に存在する種々のパターンよりも異物を捕獲しやすいパターン形状を有する異物検出用パターンを基板上に配置するので、基板の処理面内に発生する異物を簡便且つ短時間で予測することができる。また、捕獲される異物のサイズは、パターンのサイズによって制御することができ、任意サイズの異物を検出することができる。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、パターン１２の延在方向とパターン１４の延在方向とのなす角度が９０度であるＬ字型パターンを用いた場合を示したが、パターン１２の延在方向とパターン１４の延在方向とのなす角度は、必ずしも９０度である必要はない。本願発明者等が検討を行ったところでは、パターン１２の延在方向とパターン１４の延在方向とのなす角度を４５度〜１３５度の範囲に設定することにより、異物を効率的に捕獲することができる。

また、上記実施形態では、異物検出用パターンの形成領域の全体に角部を除いたＬ字型パターンを配置したが、異物検出用パターンの形成領域の一部の領域だけに角部を除いたＬ字型パターンを配置するようにしてもよい。この場合の領域は、図１及び図６に示す領域２０ａ〜２０ｈに限定されるものではなく、異物検出用パターンの形成領域内に任意の場所に任意の形状で配置することができる。

また、上記実施形態では、一つの異物検出用パターン内に形成する角部を除いたＬ字型パターンを、４方向或いは８方向に向きを変えて配置したが、向きを変える方向は４方向或いは８方向に限定されるものではない。例えば、２方向や１６方向であってもよい。また、必ずしも向きを変えて配置する必要はない。

少なくとも、角部を除いたＬ字型パターンを一つ設ければ、角部の外側方向から流れてくる異物を捕獲することができる。角部が直線上に並ぶように同じ向きのＬ字型パターンを複数設ければ、異物の捕獲効率を高めることができる。角部が反対方向を向いたＬ字型パターンを、これらの角部が直線上に並ぶように設ければ、流れてくる異物を一方の角部に集中して捕獲効率を更に高めることができる。交差する複数の直線上に並ぶようにＬ字型パターンを並べれば、様々な方向から来る異物を捕獲することができる。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１） 基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、
前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記２） 付記１記載の異物検出用パターンにおいて、
前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、同じ向きに並べられている
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記３） 付記１記載の異物検出用パターンにおいて、
前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、互いに反対方向を向いた前記角部を除いたＬ字型パターンを含む
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記４） 付記３記載の異物検出用パターンにおいて、
互いに反対方向を向いた前記角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部が向き合うように配置されている
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記５） 付記１乃至４のいずれか１項に記載の異物検出用パターンにおいて、
複数の前記直線上に並ぶように配置された前記複数の角部を除いたＬ字型パターンを含む
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記６） 付記５記載の異物検出用パターンにおいて、
複数の前記直線は、１点で交差している
ことを特徴とする異物検出用パターン。

（付記７） 付記６記載の異物検出用パターンにおいて、
複数の前記直線は、直交している
ことを特徴とする異物検出用パターン
（付記８） 付記７記載の異物検出用パターンにおいて、
複数の前記直線は、４５度の角度で交差している
ことを特徴とする異物検出用パターン
（付記９） 基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンと、
前記基板上に形成され、前記異物検出用パターンと同じ材料で形成されたデバイスパターンと
を有することを特徴とする半導体装置。

（付記１０） 基板と、
前記基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンと
を有することを特徴とする欠陥検査用基板。

（付記１１）複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンが形成された基板を用いて異物を検出する
ことを特徴とする異物検出方法。

１０…異物検出用パターン
１２、１４…パターン
１２ａ，１４ａ…パターンの端部
１６…角部
１８…角
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ…領域
３０，４０…半導体ウェーハ
４２…ＴＥＧチップ
４４…プロセスモニタ形成領域
４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ，４８…異物検出用パターン

Claims (8)

1. 基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、
   前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている
   ことを特徴とする異物検出用パターン。
2. 請求項１記載の異物検出用パターンにおいて、
   前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、同じ向きに並べられている
   ことを特徴とする異物検出用パターン。
3. 請求項１記載の異物検出用パターンにおいて、
   前記複数の角部を除いたＬ字型パターンは、互いに反対方向を向いた前記角部を除いたＬ字型パターンを含む
   ことを特徴とする異物検出用パターン。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の異物検出用パターンにおいて、
   複数の直線上に並ぶように配置された前記複数の角部を除いたＬ字型パターンを含む
   ことを特徴とする異物検出用パターン。
5. 請求項４記載の異物検出用パターンにおいて、
   複数の前記直線は、１点で交差している
   ことを特徴とする異物検出用パターン。
6. 基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンと、
   前記基板上に形成され、前記異物検出用パターンと同じ材料で形成されたデバイスパターンと
   を有することを特徴とする半導体装置。
7. 基板と、
   前記基板上に形成された複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンと
   を有することを特徴とする欠陥検査用基板。
8. 複数の角部を除いたＬ字型パターンを有し、前記複数の角部を除いたＬ字型パターンが、除いた前記角部の位置が直線上に並ぶように離間して配置されている異物検出用パターンが形成された基板を用いて異物を検出する
   ことを特徴とする異物検出方法。
   

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