JP5561199B2 - Adhesive composition, circuit connection material, connection body, method for manufacturing the same, and semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、接着剤組成物、回路接続材料、接続体及びその製造方法、並びに半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive composition, a circuit connection material, a connection body, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device.

半導体や液晶ディスプレイ等の分野で、電子部品の固定や回路接続の用途に各種の接着剤が使用されている。例えば、液晶ディスプレイとTCPとの接続、FPCとTCPとの接続、及び、FPCとプリント配線板との接続には、回路接続材料として接着剤組成物中に導電粒子を分散させた異方導電性接着剤が使用されている。最近では、半導体シリコンチップを基板に実装する場合でも、従来のワイヤーボンドではなく、半導体シリコンチップを基板に直接実装するいわゆるCOGが行われており、ここでも異方導電性接着剤などが適用されている。これらの分野では、電子回路の高密度化・高精細化に伴い、接着剤にも高い接着力や信頼性が求められている。   In the fields of semiconductors and liquid crystal displays, various adhesives are used for fixing electronic components and connecting circuits. For example, for the connection between the liquid crystal display and the TCP, the connection between the FPC and the TCP, and the connection between the FPC and the printed wiring board, anisotropic conductivity in which conductive particles are dispersed in an adhesive composition as a circuit connection material. Adhesive is used. Recently, even when a semiconductor silicon chip is mounted on a substrate, so-called COG is performed in which the semiconductor silicon chip is directly mounted on the substrate instead of the conventional wire bond, and an anisotropic conductive adhesive or the like is also applied here. ing. In these fields, along with the increase in density and definition of electronic circuits, high adhesive strength and reliability are required for adhesives.

近年、精密電子機器の分野では、回路の更なる高密度化が進んでおり、電極幅及び電極間隔が極めて狭くなっている。このため、従来のエポキシ樹脂系を用いた回路接続材料の接続条件(170℃以上)では、配線の脱落・剥離・位置ずれが生じる等の問題点があり、COGでは更にチップと基板との熱膨張差に起因する反り、更に、反りに起因するチップと基板の剥離が顕著に発生する問題があった。そのため、低温且つ短時間の接続条件であって、更に高接着力が得られる接着剤が要求されている。   In recent years, in the field of precision electronic equipment, the density of circuits has been further increased, and the electrode width and the electrode interval have become extremely narrow. For this reason, the connection conditions (170 ° C. or higher) of circuit connection materials using conventional epoxy resin systems have problems such as wiring dropping, peeling, and misalignment. In COG, the heat generated between the chip and the substrate is further increased. There has been a problem that warpage due to expansion difference, and chip and substrate peeling due to warpage remarkably occur. Therefore, there is a demand for an adhesive that can be connected at a low temperature for a short time and that can provide a higher adhesive force.

高接着力化を達成するための手段として、カチオン重合型ではグリシジルエーテル型エポキシよりも硬化収縮が少ないオキセタン化合物と、熱潜在カチオン発生剤を組み合わせた接着剤組成物が用いられている(例えば、特許文献1を参照)。   As a means for achieving high adhesion strength, an adhesive composition in which a cationic polymerization type is combined with an oxetane compound that has less curing shrinkage than a glycidyl ether type epoxy and a thermal latent cation generator is used (for example, (See Patent Document 1).

特開2001−072957号公報JP 2001-072957 A

しかしながら、特許文献1に開示されるオキセタン化合物を使用した系では、接着剤組成物の低温短時間硬化性と保存安定性との両立が十分ではなかった。   However, in the system using the oxetane compound disclosed in Patent Document 1, the low-temperature short-time curability and storage stability of the adhesive composition are not sufficient.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、低温短時間硬化性と保存安定性とを両立することができ、接続信頼性に優れた回路接続材料の実現を可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続材料、接続体及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and can achieve both a low-temperature short-time curability and storage stability, and can realize a circuit connection material excellent in connection reliability. It is an object to provide an object, a circuit connection material using the same, a connection body, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device.

上記課題を解決するために本発明者らは種々検討を行い、オキセタン化合物とエポキシ化合物とを併用し、特定の熱潜在性カチオン発生剤を組み合わせた接着剤組成物が、低温短時間硬化と保存安定性とを両立し、良好な接続信頼性及び良好な接着力を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have made various studies, and an adhesive composition comprising a combination of an oxetane compound and an epoxy compound and a specific heat-latent cation generator has been cured and stored at a low temperature for a short time. The inventors have found that it is possible to achieve both stability and good connection reliability and good adhesive force, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、オキセタン化合物と、エポキシ化合物と、下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤と、を含有する接着剤組成物を提供する。   That is, this invention provides the adhesive composition containing an oxetane compound, an epoxy compound, and the sulfonium salt type | mold thermal latent cation generator shown by following General formula (1).

Figure 0005561199


一般式(1)中、R及びRはそれぞれ独立に、炭素数が1〜4の炭化水素基を示し、R及びRは互いに結合して環を形成していてもよく、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が1〜10の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示し、Xは、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。
Figure 0005561199


In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring; 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group, and X represents a tetrafluoroborate ion or a hexafluorophosphate ion. , Hexafluoroantimonate ion or tetrakispentafluorophenylborate ion.

本発明の接着剤組成物は、上記構成を有することにより、低温短時間硬化性と保存安定性とを両立する接続信頼性に優れた回路接続材料の実現が可能となる。   Since the adhesive composition of the present invention has the above-described configuration, it is possible to realize a circuit connection material excellent in connection reliability that achieves both low-temperature short-time curability and storage stability.

本発明の接着剤組成物は、導電粒子を接着剤組成物全量に対して0.1〜30体積%の割合で含むことができる。この場合、接着剤組成物を回路接続材料として用いたときに、回路の短絡を防止しつつ回路電極同士を低い接続抵抗で接続することが容易となる。   The adhesive composition of the present invention can contain conductive particles in a proportion of 0.1 to 30% by volume with respect to the total amount of the adhesive composition. In this case, when the adhesive composition is used as a circuit connection material, it becomes easy to connect the circuit electrodes with a low connection resistance while preventing a short circuit of the circuit.

本発明はまた、本発明の接着剤組成物からなり、相対向する回路電極間に介在され、該回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続するために用いられる回路接続材料を提供する。   The present invention also comprises a circuit connecting material comprising the adhesive composition of the present invention, interposed between opposing circuit electrodes, and used for pressurizing the circuit electrodes and electrically connecting the electrodes in the pressurizing direction. I will provide a.

本発明の回路接続材料は、十分な保存安定性を有しながらも低温短時間の接続条件で十分な接着力を発現することができる。これにより、接続信頼性に優れた接続体を得ることができる。   The circuit connection material of the present invention can exhibit sufficient adhesive force under low temperature and short time connection conditions while having sufficient storage stability. Thereby, the connection body excellent in connection reliability can be obtained.

本発明はまた、対向配置された一対の回路部材と、本発明の回路接続材料の硬化物からなり、一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように回路部材同士を接着する接続部とを備える接続体を提供する。   The present invention also includes a pair of circuit members arranged opposite to each other and a cured product of the circuit connection material of the present invention, and the circuit electrodes interposed between the pair of circuit members are electrically connected to each other. A connection body including a connection portion for bonding circuit members together is provided.

本発明はまた、対向配置された一対の回路部材の間に本発明の回路接続材料を介在させ、全体を加熱及び加圧して、上記回路接続材料の硬化物からなり、一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように回路部材同士を接着する接続部を形成することにより、一対の回路部材及び接続部を備える接続体を得る接続体の製造方法を提供する。   The present invention also includes a circuit connection material of the present invention interposed between a pair of circuit members arranged opposite to each other, and the whole is heated and pressurized to form a cured product of the circuit connection material. A connection body that obtains a connection body having a pair of circuit members and a connection portion by forming a connection portion that bonds the circuit members to each other so that circuit electrodes of each circuit member are electrically connected to each other. A manufacturing method is provided.

本発明はまた、半導体素子と、半導体素子を搭載する基板と、半導体素子及び基板が電気的に接続されるように半導体素子及び基板を接着する半導体素子接続部材とを備え、上記半導体素子接続部材が本発明の回路接続材料の硬化物である半導体装置を提供する。   The present invention also includes a semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, and a semiconductor element connection member that bonds the semiconductor element and the substrate so that the semiconductor element and the substrate are electrically connected to each other. Provides a semiconductor device which is a cured product of the circuit connection material of the present invention.

本発明によれば、低温短時間硬化性と保存安定性とを両立することができ、接続信頼性に優れた回路接続材料の実現を可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続材料、接続体及びその製造方法並びに半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, an adhesive composition that can achieve both low-temperature short-time curability and storage stability, and can realize a circuit connection material having excellent connection reliability, and a circuit connection material using the same A connection body, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device can be provided.

本発明に係る接続体の一実施形態を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing one embodiment of a connection object concerning the present invention. (a)〜(c)はそれぞれ回路部材を接続して接続体を得る一連の工程図である。(A)-(c) is a series of process drawing which connects a circuit member and obtains a connection body, respectively. 本発明の半導体装置の一実施形態を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention.

本発明の接着剤組成物は、(A)オキセタン化合物と、(B)エポキシ化合物と、(C)下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤とを含有する。   The adhesive composition of the present invention contains (A) an oxetane compound, (B) an epoxy compound, and (C) a sulfonium salt type heat latent cation generator represented by the following general formula (1).

Figure 0005561199


一般式(1)中、R及びRはそれぞれ独立に、炭素数が1〜4の炭化水素基を示し、R及びRは互いに結合して環を形成していてもよく、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が1〜10の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示し、Xは、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。
Figure 0005561199


In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring; 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group, and X represents a tetrafluoroborate ion or a hexafluorophosphate ion. , Hexafluoroantimonate ion or tetrakispentafluorophenylborate ion.

(A)オキセタン化合物は、(C)カチオン発生剤から加熱によって発生したカチオン種によって硬化するものであればよい。本発明の接着剤組成物は、硬化後にひび割れが起こりにくい点から、分子中に1〜4個のオキセタン環を有しているオキセタン化合物を含むことが好ましい。   (A) The oxetane compound should just be hardened | cured by the cation seed | species generate | occur | produced by heating from the (C) cation generator. The adhesive composition of the present invention preferably contains an oxetane compound having 1 to 4 oxetane rings in the molecule from the viewpoint that cracks are unlikely to occur after curing.

1個のオキセタン環を有するオキセタン化合物としては、下記一般式(2)で示される化合物が挙げられる。   Examples of the oxetane compound having one oxetane ring include a compound represented by the following general formula (2).

Figure 0005561199
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一般式(2)において、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数1〜6個のアルキル基、炭素数1〜6個のフルオロアルキル基、アリル基、アリール基、フリル基又はチエニル基である。Rは、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数1〜6個のアルキル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−2−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基或いは3−ブテニル基等の炭素数2〜6個のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基、フルオロベンジル基、メトキシベンジル基或いはフェノキシエチル基等の芳香環を有する基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基或いはブチルカルボニル基等の炭素数2〜6個のアルキルカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基或いはブトキシカルボニル基等の炭素数2〜6個のアルコキシカルボニル基、又はエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基或いはペンチルカルバモイル基等の炭素数2〜6個のN−アルキルカルバモイル基等である。 In the general formula (2), R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, such as an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an allyl group. An aryl group, a furyl group or a thienyl group. R 6 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group or butyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl- Such as 2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group or 3-butenyl group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, phenyl group, benzyl group, fluorobenzyl group, methoxybenzyl group, phenoxyethyl group, etc. A group having an aromatic ring, an alkylcarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms such as an ethylcarbonyl group, a propylcarbonyl group or a butylcarbonyl group, an alkylcarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms such as an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group or a butoxycarbonyl group; Alkoxycarbonyl group, ethylcarbamoyl group, propylcarbamoyl group, butylcarbamoyl group or Is an N-alkylcarbamoyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a pentylcarbamoyl group.

2個のオキセタン環を有する化合物としては、下記一般式(3)で示される化合物等が挙げられる。   Examples of the compound having two oxetane rings include a compound represented by the following general formula (3).

Figure 0005561199
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一般式(3)において、Rは、上記一般式(2)におけるものと同様の基である。Rは、例えば、エチレン基、プロピレン基或いはブチレン基等の線状或いは分枝状アルキレン基、ポリ(エチレンオキシ)基或いはポリ(プロピレンオキシ)基等の線状或いは分枝状ポリ(アルキレンオキシ)基、プロペニレン基、メチルプロペニレン基或いはブテニレン基等の線状或いは分枝状不飽和炭化水素基、カルボニル基、カルボニル基を含むアルキレン基、カルボキシル基を含むアルキレン基又はカルバモイル基を含むアルキレン基等である。 In General Formula (3), R 5 is the same group as that in General Formula (2). R 7 is, for example, a linear or branched alkylene group such as an ethylene group, a propylene group or a butylene group, or a linear or branched poly (alkyleneoxy) such as a poly (ethyleneoxy) group or a poly (propyleneoxy) group. ) Group, propenylene group, methylpropenylene group or butenylene group or other linear or branched unsaturated hydrocarbon group, carbonyl group, alkylene group containing carbonyl group, alkylene group containing carboxyl group or alkylene group containing carbamoyl group Etc.

また、Rは、下記一般式(4)〜(16)で示される基から選択される多価基であってもよい。この中でも、硬化性、はく離抑制の観点から式(11)で示される基が好ましい。 R 7 may be a polyvalent group selected from the groups represented by the following general formulas (4) to (16). Among these, the group represented by the formula (11) is preferable from the viewpoint of curability and peeling prevention.

Figure 0005561199
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一般式(4)において、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数1〜4個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数1〜4個のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基である。 In the general formula (4), R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group or a butoxy group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a nitro group, a cyano group, a mercapto group, a lower alkyl carboxyl group, a carboxyl group, or a carbamoyl group.

Figure 0005561199
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一般式(5)において、Rは、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、アミノ基、スルホニル基、ビス(トリフルオロメチル)メチレン基、又はジメチルメチレン基である。 In the general formula (5), R 9 is an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group, an amino group, a sulfonyl group, a bis (trifluoromethyl) methylene group, or a dimethylmethylene group.

Figure 0005561199
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一般式(6)において、R10は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数1〜4個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数1〜4個のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基である。 In the general formula (6), R 10 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group or the like, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, or a butoxy group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a nitro group, a cyano group, a mercapto group, a lower alkyl carboxyl group, a carboxyl group, or a carbamoyl group.

Figure 0005561199
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一般式(7)において、R11は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、アミノ基、スルホニル基、ビス(トリフルオロメチル)メチレン基、ジメチルメチレン基、フェニルメチルメチレン基、又はビフェニルメチレン基である。 In the general formula (7), R 11 is an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group, an amino group, a sulfonyl group, a bis (trifluoromethyl) methylene group, a dimethylmethylene group, a phenylmethylmethylene group, or a biphenylmethylene group. .

Figure 0005561199
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一般式(8)及び一般式(9)において、R12は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数1〜4個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数1〜4個のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基又はカルバモイル基である。さらに、R12は、ナフタレン環の2〜4箇所に置換していてもよい。 In General Formula (8) and General Formula (9), R 12 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, or a propoxy group. Or a C 1-4 alkoxy group such as a butoxy group, a halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a nitro group, a cyano group, a mercapto group, a lower alkyl carboxyl group, a carboxyl group or a carbamoyl group. Further, R 12 may be substituted at 2 to 4 positions of the naphthalene ring.

Figure 0005561199
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2個のオキセタン環を有する化合物について上記した化合物以外の好ましい例としては、下記一般式(17)で示される化合物が挙げられる。なお、一般式(17)において、Rは、上記一般式(2)におけるものと同様の基である。 Preferred examples of the compound having two oxetane rings other than the compounds described above include compounds represented by the following general formula (17). In the general formula (17), R 5 is the same group as that in the general formula (2).

Figure 0005561199
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3〜4個のオキセタン環を有する化合物としては、下記一般式(18)で示される化合物等が挙げられる。   Examples of the compound having 3 to 4 oxetane rings include a compound represented by the following general formula (18).

Figure 0005561199
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一般式(18)において、Rは、上記一般式(2)におけるものと同様の基であり、mは3又は4である。R13は、例えば、下記一般式(19)、式(20)及び式(21)で示される基等の炭素数1〜12の分枝状アルキレン基、下記一般式(22)で示される基等の分枝状ポリ(アルキレンオキシ)基が挙げられる。 In the general formula (18), R 5 is the same group as in the general formula (2), and m is 3 or 4. R 13 is, for example, a branched alkylene group having 1 to 12 carbon atoms such as groups represented by the following general formula (19), formula (20) and formula (21), or a group represented by the following general formula (22). Branched poly (alkyleneoxy) groups such as

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一般式(19)において、R14はメチル基、エチル基又はプロピル基等の低級アルキル基である。
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In the general formula (19), R 14 is a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.

Figure 0005561199
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一般式(22)において、nは1〜10の整数である。
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In General formula (22), n is an integer of 1-10.

本発明で使用するオキセタン化合物の好ましい具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。   Preferable specific examples of the oxetane compound used in the present invention include the following compounds.

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また、これら以外にも、分子量1,000〜5,000程度の比較的高分子量の1〜4個のオキセタン環を有する化合物も挙げられる。さらにオキセタンを含むポリマーとして、側鎖にオキセタン環を有するポリマー等も同様に用いることができる。なお、本発明においてオキセタン化合物は、1種を単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   In addition to these, compounds having 1 to 4 oxetane rings having a relatively high molecular weight of about 1,000 to 5,000 are also included. Furthermore, as a polymer containing oxetane, a polymer having an oxetane ring in the side chain can be used similarly. In the present invention, one oxetane compound can be used alone, or two or more oxetane compounds can be used in combination.

(A)オキセタン化合物のオキセタン当量は、43〜1000が好ましく、50〜800がより好ましく、73〜600が特に好ましい。オキセタン当量が43未満又は1000を超えると、後に説明する電極の接続時に、電極間の接着強度が低下する傾向がある。これらのオキセタン化合物は、不純物イオン(Na、Cl等)や、加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることが、腐食防止の観点から好ましい。 (A) The oxetane equivalent of the oxetane compound is preferably 43 to 1000, more preferably 50 to 800, and particularly preferably 73 to 600. When the oxetane equivalent is less than 43 or more than 1000, the adhesion strength between the electrodes tends to be reduced when the electrodes described later are connected. For these oxetane compounds, it is preferable to use a high-purity product in which impurity ions (Na + , Cl − and the like), hydrolyzable chlorine and the like are reduced to 300 ppm or less, from the viewpoint of corrosion prevention.

(A)オキセタン化合物の含有量は、接着剤組成物全体に対して10〜90質量%とするのが好ましく、25〜75質量%とするのがより好ましい。含有量が10質量%未満の場合、接着剤組成物の硬化物の物性(ガラス転移温度、弾性率等)が低下する傾向にあり、一方、含有量が90質量%を超えると、硬化収縮が大きくなりすぎて接着力が低下する傾向にある。   (A) It is preferable to set it as 10-90 mass% with respect to the whole adhesive composition, and, as for content of an oxetane compound, it is more preferable to set it as 25-75 mass%. When the content is less than 10% by mass, the physical properties (glass transition temperature, elastic modulus, etc.) of the cured product of the adhesive composition tend to decrease. On the other hand, when the content exceeds 90% by mass, curing shrinkage occurs. It tends to be too large and the adhesive strength tends to decrease.

(B)エポキシ化合物としては、低温硬化性と高接着性を得るために、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、又は脂環式エポキシ樹脂を用いることができる。   (B) As an epoxy compound, in order to obtain low-temperature curability and high adhesiveness, a glycidyl ether type epoxy resin or an alicyclic epoxy resin can be used.

グリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、カチオン発生剤から加熱によって発生したカチオン種によって硬化するものであればよい。例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノールAやビスフェノールF等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂や、ポリグリシジルエーテル、ビフェニルジグリシジルエーテルが挙げられる。さらに、これらの樹脂にカルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、スルホニル基、ハロゲンなどの各種官能基が置換されている樹脂も適用可能である。これらは所望の特性を有する接着剤組成物を得るために、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。特に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が高接着力化の観点から好ましい。   The glycidyl ether type epoxy resin only needs to be cured by a cation species generated by heating from a cation generator. Examples thereof include bisphenol type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenol A, bisphenol F, and the like, polyglycidyl ether, and biphenyl diglycidyl ether. Furthermore, resins in which various functional groups such as a carbonyl group, a carboxyl group, an amino group, a nitro group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, and a halogen are substituted for these resins are also applicable. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type in order to obtain the adhesive composition which has a desired characteristic. In particular, a bisphenol A type epoxy resin is preferable from the viewpoint of increasing adhesive strength.

脂環式エポキシ樹脂は、カチオン発生剤から加熱によって発生したカチオン種によって硬化するものであればよい。中でも、エポキシ基を2個以上有する脂環式エポキシ樹脂は、硬化させた際の架橋密度が高くなるので好ましい。更に、分子中にエポキシ基を2〜6個有する脂環式エポキシ樹脂は、硬化性に優れており特に好ましい。   The alicyclic epoxy resin only needs to be cured by a cation species generated by heating from a cation generator. Among these, alicyclic epoxy resins having two or more epoxy groups are preferable because the crosslink density when cured is increased. Furthermore, the alicyclic epoxy resin which has 2-6 epoxy groups in a molecule | numerator is excellent in sclerosis | hardenability, and is especially preferable.

脂環式エポキシ樹脂としては、シクロヘキセンやシクロペンテン環含有化合物を酸化して得られるシクロヘキセンオキシドやシクロペンテンオキシド含有化合物が挙げられ、より具体的には、例えば、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−スピロ−3,4−エポキシ)シクロヘキサン−メタジオキサン、3,4−エポキシ−1−メチルシクロヘキシル−3,4−エポキシ−1−メチルヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−3−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−3−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−5−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシ−5−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロエキシルカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、6−メチル−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−6−メチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、エチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、ジシクロペンタジエンジエポキシド、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、メチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサン)等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   Examples of alicyclic epoxy resins include cyclohexene oxide and cyclopentene oxide-containing compounds obtained by oxidizing cyclohexene and cyclopentene ring-containing compounds. More specifically, for example, 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5 , 5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-metadioxane, 3,4-epoxy-1-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-1-methylhexanecarboxylate, 3,4-epoxy-3-methylcyclohexyl Methyl-3,4-epoxy-3-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-5-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-6-methylsilane Chloexyl carboxylate, 3, -Epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 6-methyl-3,4-epoxycyclohexylmethyl-6-methyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, ethylenebis (3,4-epoxycyclohexanecarboxylate ), Dicyclopentadiene diepoxide, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, methylene bis (3,4-epoxycyclohexane) and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

(B)エポキシ化合物の含有量は、接着剤組成物全体に対して1〜50質量%とするのが好ましく、5〜30質量%とするのがより好ましい。含有量が5質量%未満の場合、接着剤組成物の保存安定性が不十分になる傾向にあり、一方、含有量が50質量%を超えると、硬化反応が不十分となり、接続体の抵抗値が高くなる。   (B) The content of the epoxy compound is preferably 1 to 50% by mass, and more preferably 5 to 30% by mass with respect to the entire adhesive composition. When the content is less than 5% by mass, the storage stability of the adhesive composition tends to be insufficient. On the other hand, when the content exceeds 50% by mass, the curing reaction becomes insufficient, and the resistance of the connection body. The value becomes higher.

(C)カチオン発生剤は、下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤が用いられる。   (C) As the cation generator, a sulfonium salt type heat latent cation generator represented by the following general formula (1) is used.

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一般式(1)中、R及びRはそれぞれ独立に、炭素数が1〜4の炭化水素基を示し、R及びRは互いに結合して環を形成していてもよい。炭素数1〜4個の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等が挙げられる。R及びRは互いに結合して環を形成する場合、硫黄原子と環状化合物を形成できるテトラメチレン基などの炭素数4〜6の炭化水素基が挙げられる。保存安定性を付与する観点から、R及びRはメチル基、又は、R及びRは、互いに結合して硫黄原子と環を形成するテトラメチレン基であることが好ましい。 In General Formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. When R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring, examples thereof include a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms such as a tetramethylene group capable of forming a cyclic compound with a sulfur atom. From the viewpoint of imparting storage stability, R 1 and R 2 are preferably a methyl group, or R 1 and R 2 are preferably a tetramethylene group that is bonded to each other to form a ring with a sulfur atom.

また、一般式(1)中、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が1〜10の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示す。芳香族炭化水素基としては、フェニル基やその誘導体などが挙げられる。保存安定性を付与する観点から、Rは水素原子あるいはメチル基、Rはメチル基あるいはフェニル基が好ましい。 In general formula (1), R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group. Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group and derivatives thereof. From the viewpoint of imparting storage stability, R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 is preferably a methyl group or a phenyl group.

また、一般式(1)中、Xは、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。これらのイオンは、スルホニウムカチオンの対アニオンであり、式(1)のスルホニウム塩を形成する。 Further, in the general formula (1), X - represents a tetrafluoroborate ion, hexafluorophosphate ion, hexafluoroantimonate ion, or tetrakis pentafluorophenyl borate ion. These ions are the counter anions of the sulfonium cation and form the sulfonium salt of formula (1).

具体的なカチオン発生剤の例としては、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、シンナミルテトラメチレンスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−メチル−2−ブテニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−メチル−2−ブテニルテトラメチレンスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを好ましく使用することができる。上記ではヘキサフルオロアンチモネート塩を例に挙げたが、その他のヘキサフルオロホスフェート塩、テトラフルオロボレート塩、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート塩も使用できる。   Specific examples of the cation generator include cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, cinnamyltetramethylenesulfonium hexafluoroantimonate, 3-methyl-2-butenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, and 3-methyl-2. -Butenyltetramethylenesulfonium hexafluoroantimonate can be preferably used. In the above, hexafluoroantimonate salt is taken as an example, but other hexafluorophosphate salts, tetrafluoroborate salts and tetrakispentafluorophenylborate salts can also be used.

(C)カチオン発生剤の含有量は、(A)オキセタン化合物100質量部に対して0.05〜30質量部とすることが好ましく、0.1〜15質量部とすることがより好ましい。この含有量が、0.05質量部未満では、硬化が不十分となる傾向があり、30質量部を超えると相溶性が低下する傾向がある。   (C) The content of the cation generator is preferably 0.05 to 30 parts by mass and more preferably 0.1 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) oxetane compound. If this content is less than 0.05 parts by mass, curing tends to be insufficient, and if it exceeds 30 parts by mass, the compatibility tends to decrease.

本発明の接着剤組成物には、(A)オキセタン化合物の硬化挙動を制御する目的で添加剤を添加することができる。この添加剤は、カチオン発生剤から発生されるカチオンを効率的に捕捉するものであり、具体的には、メチル硫酸イオンを有するスルホニウム塩、クラウンエーテル、スルフィド類が挙げられる。   Additives can be added to the adhesive composition of the present invention for the purpose of controlling the curing behavior of the (A) oxetane compound. This additive efficiently captures cations generated from the cation generator, and specific examples include sulfonium salts having methyl sulfate ions, crown ethers, and sulfides.

メチル硫酸イオンをもつスルホニウム塩としては、例えば、ベンジル−p−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムメチルスルフェート、ベンジル−p−ヒドロキシフェニルエチルスルホニウムスルフェート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムメチルスルフェート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムスルフェート、o−メチルベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムスルフェート、m−メチルベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムスルフェート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムスルフェート、ベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムスエウフェート、ベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェニルメチルスルホニウムスルフェート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムスルフェート、α−ナフチルメチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムスルフェート、4−ヒドロキシフェニルジメチルメチルスルフェート等が挙げられる。この中でも硬化調節能の観点から4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムスルフェートが好ましい。   Examples of the sulfonium salt having methyl sulfate ion include benzyl-p-hydroxyphenylmethylsulfonium methylsulfate, benzyl-p-hydroxyphenylethylsulfonium sulfate, p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium methylsulfate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium sulfate, o-methylbenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium sulfate, m-methylbenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium sulfate, benzyl-4-methoxyphenylmethylsulfonium Sulfate, benzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium sulfate, benzyl-3-methyl-4-hydroxy 5-tert-butylphenyl methyl sulfonium sulfate, dibenzyl-4-hydroxyphenyl sulfonium sulfate, alpha-naphthylmethyl-4-hydroxyphenyl methyl sulfonium sulfate, 4-hydroxyphenyl dimethyl methyl sulfate and the like. Among these, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium sulfate is preferable from the viewpoint of curing control ability.

クラウンエーテルとしては、例えば、12−クラウン−4−エーテル、14−クラウン−4−エーテル、15−クラウン−5−エーテル、18−クラウン−6−エーテル、21−クラウン−7−エーテル、24−クラウン−8−エーテル、30−クラウン−7−エーテル、ベンゾ−18−クラウン−6−エーテル、ジベンゾ−18−クラウン−6−エーテル、トリベンゾ−18−クラウン−6−エーテルなどが挙げられる。   Examples of the crown ether include 12-crown-4-ether, 14-crown-4-ether, 15-crown-5-ether, 18-crown-6-ether, 21-crown-7-ether, and 24-crown. -8-ether, 30-crown-7-ether, benzo-18-crown-6-ether, dibenzo-18-crown-6-ether, tribenzo-18-crown-6-ether and the like.

スルフィド類としては、1つ以上のスルフィド構造が含まれるアルキルスルフィドあるいはアリールスルフィドであればいかなる有機化合物でも可能であり、具体的には、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィドなどの炭素数2〜40の鎖状アルキルスルフィド化合物、テトラヒドロチオフェン、チオモルホリン、フェニルメチルスルフィド、4−ヒドロキシフェニルスルフィド、4−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、ジアセチルスルフィド、ベンジルメチルスルフィド、ベンジルスルフィド、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)スルフィド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(ベンゾイルメチル)スルフィド、ジ(α−フェニルエチル)スルフィド、ジフェニレンスルフィド、ジフルフリルスルフィド、フルフリルメチルスルフィド、メトキシメチルフェニルスルフィドなどが挙げられる。   As the sulfides, any organic compound can be used as long as it is an alkyl sulfide or aryl sulfide containing one or more sulfide structures, and specifically, a chain having 2 to 40 carbon atoms such as dimethyl sulfide or diethyl sulfide. Alkyl sulfide compounds, tetrahydrothiophene, thiomorpholine, phenylmethyl sulfide, 4-hydroxyphenyl sulfide, 4-methoxycarbonyloxyphenyl methyl sulfide, diphenyl sulfide, diacetyl sulfide, benzyl methyl sulfide, benzyl sulfide, bis (4-hydroxy-3- Methylphenyl) sulfide, bis (4-hydroxyphenyl) sulfide, bis (benzoylmethyl) sulfide, di (α-phenylethyl) sulfide, diphenyle Sulfide, difurfuryl sulfide, furfuryl methyl sulfide, and the like methoxymethyl phenyl sulfide is.

添加剤の使用割合は、(C)カチオン発生剤に対して0.01〜20質量部とすることが好ましく、特に好ましくは0.1〜10質量部である。添加剤の使用量が多いと、硬化時に停止反応を起こし低架橋密度となり、満足のいく硬化物が得られない恐れがある。また、添加剤の使用量が少ないと、添加剤としての効果が得られず、優れたポットライフを有する回路接続材料が得られない。   The use ratio of the additive is preferably 0.01 to 20 parts by mass, particularly preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to (C) the cation generator. When the amount of the additive used is large, a termination reaction is caused at the time of curing, resulting in a low crosslinking density, and there is a possibility that a satisfactory cured product cannot be obtained. Moreover, when there are few usage-amounts of an additive, the effect as an additive will not be acquired and the circuit connection material which has the outstanding pot life will not be obtained.

本発明の接着剤組成物においては、カチオン発生剤のカチオン発生効率及びオキセタン化合物の反応率を高めるために、連鎖移動剤を適宜組合せて使用することもできる。連鎖移動剤としては、プロトン性化合物であれば特に制限されるものではなく、公知の化合物を使用することができ、具体的には、シクロヘキセンジオール、2,3−ブタンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のアルコール類及びこれらの誘導体を用いることができる。   In the adhesive composition of the present invention, a chain transfer agent can be used in appropriate combination in order to increase the cation generation efficiency of the cation generator and the reaction rate of the oxetane compound. The chain transfer agent is not particularly limited as long as it is a protic compound, and a known compound can be used. Specifically, cyclohexenediol, 2,3-butanediol, ethylene glycol, diethylene glycol, Alcohols such as triethylene glycol and derivatives thereof can be used.

本発明の接着剤組成物は、加熱処理を行うことで硬化させることができるものであると好ましい。ここでいう硬化とは、オキセタン基の転化率が70%以上となることを意味する。加熱の処理の温度は、好ましくは40℃〜180℃、更に好ましくは50℃〜160℃であり、加熱時間は、好ましくは0.1秒〜10時間、更に好ましくは1秒〜1時間である。加熱温度が40℃未満であると硬化速度が遅く、180℃を超えると望まない副反応が進行しやすい。加熱時間が0.1秒未満では硬化反応が十分に進行せず、10時間を超えると硬化物の生産性が低下し、更に望まない副反応も進みやすい。   The adhesive composition of the present invention is preferably one that can be cured by heat treatment. Curing here means that the conversion of the oxetane group is 70% or more. The temperature of the heating treatment is preferably 40 ° C. to 180 ° C., more preferably 50 ° C. to 160 ° C., and the heating time is preferably 0.1 second to 10 hours, more preferably 1 second to 1 hour. . When the heating temperature is less than 40 ° C, the curing rate is slow, and when it exceeds 180 ° C, unwanted side reactions tend to proceed. When the heating time is less than 0.1 seconds, the curing reaction does not proceed sufficiently, and when it exceeds 10 hours, the productivity of the cured product is lowered, and undesired side reactions are likely to proceed.

本発明の接着剤組成物は、導電粒子を更に含有することができる。導電粒子としては、例えば、Au、Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン粒子等が挙げられる。また、導電粒子は、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核とし、この核に上記金属、金属粒子、カーボン等を被覆したものであってもよい。導電粒子が、プラスチックを核とし、この核に上記金属、金属粒子、カーボン等を被覆したもの、又は、熱溶融金属粒子である場合、加熱加圧により変形性を有するので回路部材同士を接続する際に導電粒子と電極との接触面積が増加して信頼性が向上することから好ましい。   The adhesive composition of the present invention can further contain conductive particles. Examples of the conductive particles include metal particles such as Au, Ag, Ni, Cu, and solder, and carbon particles. Further, the conductive particles may have non-conductive glass, ceramic, plastic, or the like as a core, and the core is coated with the metal, metal particles, carbon, or the like. When the conductive particles are made of plastic as a core and the core is coated with the above metal, metal particles, carbon, or the like, or a hot-melt metal particle, the circuit members are connected to each other because they are deformable by heating and pressing. In this case, the contact area between the conductive particles and the electrode is increased, which is preferable because the reliability is improved.

また、上記の導電粒子の表面を更に高分子樹脂等で被覆した微粒子は、導電粒子の配合量を増加した場合の粒子同士の接触による短絡を抑制し、回路電極間の絶縁性を向上させることができることから、好ましく用いられる。導電粒子の表面を高分子樹脂等で被覆した粒子は、それ単独で又は他の導電粒子と混合して用いることができる。   In addition, fine particles with the surface of the conductive particles further coated with a polymer resin or the like suppress short-circuiting due to contact between particles when the amount of conductive particles is increased, and improve insulation between circuit electrodes. Can be preferably used. The particle | grains which coat | covered the surface of the electroconductive particle with polymeric resin etc. can be used individually or in mixture with another electroconductive particle.

導電粒子の平均粒径は、分散性、導電性の点から1〜18μmであることが好ましい。導電粒子の配合量は、接着剤組成物全体を基準として0.1〜30体積%とすることが好ましく、0.1〜10体積%とすることがより好ましい。導電粒子の配合量が、0.1体積%未満であると導電性が劣る傾向があり、30体積%を超えると回路の短絡が起こる傾向がある。なお、体積%は23℃の硬化前の各成分の体積をもとに決定されるが、各成分の体積は、比重を利用して重量から体積に換算することができる。また、メスシリンダー等にその成分を溶解したり膨潤させたりせず、その成分をよくぬらす適当な溶媒(水、アルコール等)を入れたものに、その成分を投入し増加した体積をその体積として求めることもできる。   The average particle size of the conductive particles is preferably 1 to 18 μm from the viewpoint of dispersibility and conductivity. The blending amount of the conductive particles is preferably 0.1 to 30% by volume, and more preferably 0.1 to 10% by volume based on the entire adhesive composition. When the blending amount of the conductive particles is less than 0.1% by volume, the conductivity tends to be inferior, and when it exceeds 30% by volume, a short circuit tends to occur. In addition, although volume% is determined based on the volume of each component before 23 degreeC hardening, the volume of each component can be converted into a volume from a weight using specific gravity. In addition, do not dissolve or swell the component in a graduated cylinder, etc., but put in a suitable solvent (water, alcohol, etc.) that wets the component well. You can ask for it.

本発明の接着剤組成物には、被着体の腐食を防止することを目的として、金属水酸化物又は酸化金属を添加、混合することができる。金属水酸化物又は酸化金属は、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化錫、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムから選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。また、これらの粒径は、接着剤組成物への分散、被着体への高接着化、被着体の腐食防止能の観点から10μm以下であることが好ましい。   For the purpose of preventing corrosion of the adherend, a metal hydroxide or a metal oxide can be added to and mixed with the adhesive composition of the present invention. Specifically, the metal hydroxide or metal oxide includes aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, antimony oxide, tin oxide, titanium oxide, manganese oxide, and zirconium oxide. It is preferably at least one selected. Further, these particle diameters are preferably 10 μm or less from the viewpoint of dispersion in the adhesive composition, high adhesion to the adherend and ability to prevent corrosion of the adherend.

本実施形態の接着剤組成物における金属水酸化物又は酸化金属の配合量は、(A)オキセタン化合物100質量部に対して0.1〜60質量部とすることが好ましく、1〜30質量部とすることがより好ましい。この配合量が0.1質量部未満では、十分な腐食防止効果が得られず、60質量部を超えると分散性が悪化する傾向がある。   It is preferable that the compounding quantity of the metal hydroxide or metal oxide in the adhesive composition of this embodiment shall be 0.1-60 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) oxetane compounds, and 1-30 mass parts. More preferably. If the blending amount is less than 0.1 parts by mass, a sufficient corrosion prevention effect cannot be obtained, and if it exceeds 60 parts by mass, the dispersibility tends to deteriorate.

本発明の接着剤組成物には、発明の効果を損なわない範囲内であれば、公知の各種添加剤、例えば、無機充填剤、強化材、着色剤、安定剤(熱安定剤、耐候性改良剤等)、増量剤、粘度調節剤、テルペンフェノール共重合体、テルペン樹脂、ロジン誘導体、脂環族系炭化水素樹脂等に代表される粘着付与剤、難燃剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、変色防止剤、抗菌剤、防黴剤、老化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、滑剤、発泡剤、離型剤等を添加・混合することができる。上記着色剤としては、直接染料、酸性染料、塩基性染料、金属錯塩染料等の染料、カーボンブラック、マイカ等の無機顔料及びカップリングアゾ系、縮合アゾ系、アンスラキノン系、チオインジゴ系、ジオキサゾン系、フタロシアニン系等の有機顔料等が挙げられる。また、上記安定剤としては、ヒンダードフェノール系、ヒドラジン系、リン系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、オキザリックアシッドアニリド系等の化合物が挙げられる。更にまた、上記無機充填剤としては、ガラス繊維、アスベスト繊維、炭素繊維、シリカ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化珪素繊維、塩基性硫酸マグネシウム繊維、ホウ素繊維、ステンレス鋼繊維、アルミニウム、チタン、銅、真鍮、マグネシウム等の無機質及び金属繊維、銅、鉄、ニッケル、亜鉛、錫、鉛、ステンレス鋼、アルミニウム、金及び銀等の金属粉末、木粉、珪酸アルミニウム、タルク、クレイ、炭酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、ホウ珪酸塩、アルミノ珪酸塩、チタン酸塩、塩基性硫酸塩、塩基性炭酸塩及びその他の塩基性塩、ガラス中空球、ガラスフレーク等のガラス材料、炭化珪素、窒化アルミ、ムライト、コージェライト等が挙げられる。   In the adhesive composition of the present invention, various known additives such as inorganic fillers, reinforcing materials, colorants, stabilizers (thermal stabilizers, weather resistance improvement) are within the range that does not impair the effects of the invention. Agents), extenders, viscosity modifiers, terpene phenol copolymers, terpene resins, rosin derivatives, alicyclic hydrocarbon resins, tackifiers, flame retardants, ultraviolet absorbers, antioxidants, Anti-discoloring agents, antibacterial agents, antifungal agents, anti-aging agents, antistatic agents, plasticizers, lubricants, foaming agents, release agents and the like can be added and mixed. Examples of the colorant include direct dyes, acid dyes, basic dyes, metal complex dyes, inorganic pigments such as carbon black and mica, and coupling azo, condensed azo, anthraquinone, thioindigo, and dioxazone. And organic pigments such as phthalocyanine. Examples of the stabilizer include hindered phenol-based, hydrazine-based, phosphorus-based, benzophenone-based, benzotriazole-based, and oxalic acid anilide-based compounds. Furthermore, as the inorganic filler, glass fiber, asbestos fiber, carbon fiber, silica fiber, alumina fiber, zirconia fiber, boron nitride fiber, silicon nitride fiber, basic magnesium sulfate fiber, boron fiber, stainless steel fiber, aluminum Inorganic and metal fibers such as titanium, copper, brass, magnesium, etc., metal powders such as copper, iron, nickel, zinc, tin, lead, stainless steel, aluminum, gold and silver, wood powder, aluminum silicate, talc, clay, Carbonates, sulfates, phosphates, borates, borosilicates, aluminosilicates, titanates, basic sulfates, basic carbonates and other basic salts, glass hollow spheres, glass flakes, etc. Examples thereof include glass materials, silicon carbide, aluminum nitride, mullite, cordierite and the like.

本発明の接着剤組成物は、増粘化や後述するフィルム化を目的として、種々のポリマーを適宜添加してもよい。使用するポリマーは、(A)オキセタン化合物および(B)エポキシ化合物の硬化を阻害しないものであれば特に制限なく公知のポリマーを使用することができる。このようなポリマーとしては、ポリイミド、ポリアミド、フェノキシ樹脂類、ポリメタクリレート類、ポリアクリレート類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリエステル類、ポリエステルウレタン類、ポリビニルブチラール類、SBS及びそのエポキシ変性体、SEBS及びその変性体、NBR及びその水素化体、等を用いることができる。これらは単独あるいは2種類以上を混合して用いることができる。更に、これらポリマー中にはシロキサン結合やフッ素置換基が含まれていてもよい。これらは、混合する樹脂同士が完全に相溶するか、もしくはミクロ相分離が生じて白濁する状態であれば接着剤組成物としては好適に用いることができる。   The adhesive composition of the present invention may be appropriately added with various polymers for the purpose of thickening and film formation described later. The polymer to be used can use a well-known polymer without a restriction | limiting especially if it does not inhibit hardening of (A) oxetane compound and (B) epoxy compound. Examples of such polymers include polyimide, polyamide, phenoxy resins, polymethacrylates, polyacrylates, polyimides, polyurethanes, polyesters, polyester urethanes, polyvinyl butyrals, SBS and its epoxy modified products, SEBS and its A modified body, NBR and its hydrogenated body, etc. can be used. These can be used alone or in admixture of two or more. Furthermore, these polymers may contain siloxane bonds and fluorine substituents. These can be suitably used as the adhesive composition as long as the resins to be mixed are completely compatible with each other or microphase separation occurs and the mixture becomes cloudy.

上記ポリマーの分子量は大きいほどフィルム形成性が容易に得られ、また接着剤としての流動性に影響する溶融粘度を広範囲に設定できる。上記ポリマーの重量平均分子量としては、5,000〜150,000が好ましく、10,000〜80,000が特に好ましい。ポリマーの重量平均分子量が5,000未満では、フィルム形成性が劣る傾向があり、150,000を超えると、他の成分との相溶性が悪くなる傾向がある。上記ポリマーの配合量としては、(A)オキセタン化合物100質量部に対して20〜320質量部とすることが好ましい。上記ポリマーの配合量が、20質量部未満又は320質量部を超える場合は、流動性や接着性が低下する傾向がある。   The higher the molecular weight of the polymer, the easier it is to form a film, and the melt viscosity that affects the fluidity as an adhesive can be set over a wide range. The weight average molecular weight of the polymer is preferably from 5,000 to 150,000, particularly preferably from 10,000 to 80,000. If the weight average molecular weight of the polymer is less than 5,000, the film formability tends to be inferior, and if it exceeds 150,000, the compatibility with other components tends to be poor. As a compounding quantity of the said polymer, it is preferable to set it as 20-320 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) oxetane compounds. When the blending amount of the polymer is less than 20 parts by mass or more than 320 parts by mass, fluidity and adhesiveness tend to decrease.

本発明の接着剤組成物は、常温で液状である場合にはペースト状で使用することができる。室温で固体の場合には、加熱して使用する他、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用できる溶剤としては、接着剤組成物及び添加剤と反応性がなく、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制限は受けないが、常圧での沸点が50〜150℃であるものが好ましい。沸点が50℃未満の場合、室温で放置すると揮発する恐れがあり、開放系での使用が制限される。一方、沸点が150℃を超えると、溶剤を揮発させることが難しく、接着後の信頼性に悪影響を及ぼす恐れがある。   The adhesive composition of the present invention can be used in the form of a paste when it is liquid at room temperature. In the case of a solid at room temperature, it may be heated and used, or may be made into a paste using a solvent. The solvent that can be used is not particularly limited as long as it is not reactive with the adhesive composition and additives, and exhibits sufficient solubility, but has a boiling point of 50 to 150 ° C. at normal pressure. Those are preferred. If the boiling point is less than 50 ° C., it may volatilize if left at room temperature, which limits the use in an open system. On the other hand, if the boiling point exceeds 150 ° C., it is difficult to volatilize the solvent, which may adversely affect the reliability after bonding.

本発明の接着剤組成物は、加熱及び加圧を併用して被着体の接着を行うことができる。加熱温度は、50〜190℃の温度が好ましい。圧力は、被着体に損傷を与えない範囲であれば、特に制限は受けないが、一般的には0.1〜30MPaが好ましい。これらの加熱及び加圧は、0.5秒〜120秒間の範囲で行うことが好ましい。   The adhesive composition of this invention can adhere | attach an adherend using heating and pressurization together. The heating temperature is preferably 50 to 190 ° C. The pressure is not particularly limited as long as it does not damage the adherend, but is generally preferably 0.1 to 30 MPa. These heating and pressurization are preferably performed in the range of 0.5 seconds to 120 seconds.

本発明の接着剤組成物は、フィルム状にしてから用いることも可能である。このフィルム状接着剤は、接着剤組成物に溶剤等を加えた混合液を、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型紙等の剥離性基材上に塗布し、又は不織布等の基材に上記混合液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去することによって得ることができる。このように接着剤組成物をフィルム状とすると、取扱性に優れ一層便利である。   The adhesive composition of the present invention can be used after it is formed into a film. This film adhesive is obtained by applying a mixed solution obtained by adding a solvent or the like to an adhesive composition on a peelable substrate such as a fluororesin film, a polyethylene terephthalate film, a release paper, or the like on a substrate such as a nonwoven fabric. It can be obtained by impregnating the mixed solution and placing it on a peelable substrate and removing the solvent and the like. Thus, when the adhesive composition is in the form of a film, the handleability is excellent and it is more convenient.

また、導電粒子を含有する本発明の接着剤組成物からフィルムを作製すると、異方導電性フィルムを得ることができる。この異方導電性フィルムは、例えば、基板上の対抗する電極間に載置し、加熱加圧することにより両電極を接着することができるとともに、電気的に接続することができる。ここで電極を形成する基板としては、半導体、ガラス、セラミック等の無機質、ポリイミド、ポリカーボネート等の有機物、ガラス/エポキシ等のこれら複合の各組み合わせが適用できる。   Moreover, when a film is produced from the adhesive composition of the present invention containing conductive particles, an anisotropic conductive film can be obtained. For example, the anisotropic conductive film can be placed between opposing electrodes on the substrate and bonded to each other by heating and pressing, and can be electrically connected. Here, as the substrate on which the electrode is formed, an inorganic material such as a semiconductor, glass or ceramic, an organic material such as polyimide or polycarbonate, or a combination of these composites such as glass / epoxy can be applied.

本発明の接着剤組成物は、熱膨張係数の異なる異種の被着体の接着剤として使用することができる。具体的には、異方導電接着剤、銀ペースト、銀フィルム等に代表される回路接続材料、CSP用エラストマー、CSP用アンダーフィル材、LOCテープ等に代表される半導体素子接着材料として使用することができる。   The adhesive composition of the present invention can be used as an adhesive for different types of adherends having different thermal expansion coefficients. Specifically, it is used as a semiconductor element adhesive material typified by anisotropic conductive adhesive, silver paste, silver film, etc., circuit connection material, CSP elastomer, CSP underfill material, LOC tape, etc. Can do.

本発明に係る接着剤組成物、及び、例えば、異方導電性フィルムなどの導電粒子を含有する本発明に係る接着剤組成物は、基板上の相対向する電極間に存在させ、これらを加熱加圧することにより両電極の接触と基板間の接着を得、電極との接続を行う回路接続材料として用いることができる。電極を形成する基板としては、半導体、ガラス、セラミック等の無機質、TCPやFPC、COFに代表されるポリイミド基材、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテルスルホン等のフィルム上に電極を形成した基材、プリント配線板等のこれら複合の各組み合わせを適用することができる。   The adhesive composition according to the present invention and, for example, the adhesive composition according to the present invention containing conductive particles such as an anisotropic conductive film are present between opposing electrodes on a substrate and heated. By applying pressure, contact between both electrodes and adhesion between the substrates can be obtained and used as a circuit connection material for connection with the electrodes. Substrates for forming electrodes include inorganic materials such as semiconductors, glass and ceramics, polyimide substrates represented by TCP, FPC and COF, substrates having electrodes formed on films such as polycarbonate, polyester and polyethersulfone, and prints. Each combination of these composites such as a wiring board can be applied.

次に、本発明の接続体及びその製造方法の好適な実施形態について説明する。   Next, preferred embodiments of the connection body and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described.

図1は、本発明に係る接続体の一実施形態を示す概略断面図である。図1に示すように、本実施形態の接続体1は、相互に対向する第1の回路部材20及び第2の回路部材30を備えており、第1の回路部材20と第2の回路部材30との間には、これらを電気的に接続する接続部10が設けられている。第1の回路部材20は、第1の回路基板21と、回路基板21の主面21a上に形成される第1の回路電極22とを備えている。なお、回路基板21の主面21a上には、場合により絶縁層(図示せず)が形成されていてもよい。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a connection body according to the present invention. As shown in FIG. 1, the connection body 1 of the present embodiment includes a first circuit member 20 and a second circuit member 30 that face each other, and the first circuit member 20 and the second circuit member. A connecting portion 10 for electrically connecting them to 30 is provided. The first circuit member 20 includes a first circuit board 21 and a first circuit electrode 22 formed on the main surface 21 a of the circuit board 21. Note that an insulating layer (not shown) may be formed on the main surface 21a of the circuit board 21 in some cases.

一方、第2の回路部材30は、第2の回路基板31と、第2の回路基板31の主面31a上に形成される第2の回路電極32とを備えている。また、回路基板31の主面31a上にも、場合により絶縁層(図示せず)が形成されていてもよい。   On the other hand, the second circuit member 30 includes a second circuit board 31 and a second circuit electrode 32 formed on the main surface 31 a of the second circuit board 31. In addition, an insulating layer (not shown) may be formed on the main surface 31a of the circuit board 31 according to circumstances.

第1の回路部材20及び第2の回路部材30としては、電気的接続を必要とする電極が形成されているものであれば特に制限されない。具体的には、液晶ディスプレイに用いられているITO(酸化インジウム錫)等で電極が形成されているガラス又はプラスチック基板、プリント配線板、セラミック配線板、フレキシブル配線板、半導体シリコンチップ等が挙げられ、これらは必要に応じて組み合わせて用いることができる。このように、本実施形態では、プリント配線板やポリイミド等の有機物からなる材質をはじめ、銅、アルミニウム等の金属やITO、窒化ケイ素(SiN)、二酸化ケイ素(SiO)等の無機材質のように多種多様な表面状態を有する回路部材を用いることができる。 The first circuit member 20 and the second circuit member 30 are not particularly limited as long as electrodes that require electrical connection are formed. Specifically, glass or plastic substrates, printed wiring boards, ceramic wiring boards, flexible wiring boards, semiconductor silicon chips, etc., on which electrodes are formed of ITO (indium tin oxide) used for liquid crystal displays, etc. These can be used in combination as required. As described above, in this embodiment, a material made of an organic material such as a printed wiring board or polyimide, a metal such as copper or aluminum, or an inorganic material such as ITO, silicon nitride (SiN x ), or silicon dioxide (SiO 2 ) is used. As described above, circuit members having various surface states can be used.

接続部10は、上記本発明に係る接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により形成され、絶縁性物質11及び導電粒子7を含有している。導電粒子7は、対向する第1の回路電極22と第2の回路電極32との間のみならず、主面21aと31aとの間にも配置されている。本実施形態の接続体1においては、第1の回路電極22と第2の回路電極32とが、導電粒子7を介して電気的に接続されている。このため、第1の回路電極22及び第2の回路電極32の間の接続抵抗が十分に低減される。したがって、第1の回路電極22及び第2の回路電極32の間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。また、この導電粒子7を上述した配合割合とすることによって電気的な接続の異方性を示すことも可能である。   The connection portion 10 is formed of a cured product of a circuit connection material made of the adhesive composition according to the present invention, and contains an insulating substance 11 and conductive particles 7. The conductive particles 7 are disposed not only between the first circuit electrode 22 and the second circuit electrode 32 facing each other, but also between the main surfaces 21a and 31a. In the connection body 1 of the present embodiment, the first circuit electrode 22 and the second circuit electrode 32 are electrically connected via the conductive particles 7. For this reason, the connection resistance between the first circuit electrode 22 and the second circuit electrode 32 is sufficiently reduced. Therefore, the flow of current between the first circuit electrode 22 and the second circuit electrode 32 can be made smooth, and the functions of the circuit can be sufficiently exhibited. Moreover, it is also possible to show the anisotropy of electrical connection by setting the conductive particles 7 to the above-described mixing ratio.

なお、接続部10が導電粒子7を含有していない場合には、第1の回路電極22及び第2の回路電極32の間に所望の量の電流が流れるように、それらを直接接触させるか若しくは十分に近づけることで電気的に接続される。   In addition, when the connection part 10 does not contain the electrically-conductive particle 7, they are made to contact directly so that a desired amount of electric current may flow between the 1st circuit electrode 22 and the 2nd circuit electrode 32? Alternatively, it is electrically connected by being close enough.

接続部10は、上記本発明に係る接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により構成されていることから、第1の回路部材20又は第2の回路部材30に対する接続部10の接着強度が十分に高くなり、かつ、接続抵抗が十分低くなり、しかもこの状態を長期間にわたって持続させることができる。また、そのような接続を低温短時間での加熱処理によって達成することができる。したがって、第1の回路電極22及び第2の回路電極32間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることが可能となる。   Since the connection part 10 is comprised by the hardened | cured material of the circuit connection material which consists of the adhesive composition which concerns on the said invention, the adhesive strength of the connection part 10 with respect to the 1st circuit member 20 or the 2nd circuit member 30 Is sufficiently high, the connection resistance is sufficiently low, and this state can be maintained for a long period of time. Further, such connection can be achieved by heat treatment at a low temperature in a short time. Therefore, the long-term reliability of the electrical characteristics between the first circuit electrode 22 and the second circuit electrode 32 can be sufficiently increased.

次に、上述した接続体の製造方法について、その工程図である図2を参照しつつ、説明する。   Next, the manufacturing method of the connection body mentioned above is demonstrated, referring FIG. 2 which is the process drawing.

先ず、上述した第一の回路部材20と、フィルム状回路接続材料40を用意する(図2(a)参照)。フィルム状回路接続材料40は、上述したように本発明に係る回路接続材料をフィルム状に成形してなるものである。回路接続材料は、接着剤成分5と、導電粒子7とを含有する。ここで、接着剤成分5には上述した本発明に係る接着剤成分が用いられる。   First, the first circuit member 20 and the film-like circuit connecting material 40 described above are prepared (see FIG. 2A). The film-like circuit connection material 40 is formed by forming the circuit connection material according to the present invention into a film shape as described above. The circuit connection material contains an adhesive component 5 and conductive particles 7. Here, the adhesive component according to the present invention described above is used for the adhesive component 5.

フィルム状回路接続材料40の厚さは、10〜50μmであることが好ましい。フィルム状回路接続材料40の厚さが10μm未満では、回路電極22、32間に回路接続材料が充填不足となる傾向がある。他方、50μmを超えると、回路電極22、32間の接着剤組成物を十分に排除しきれなくなり、回路電極22、32間の導通の確保が困難となる傾向がある。   The thickness of the film-like circuit connecting material 40 is preferably 10 to 50 μm. If the thickness of the film-like circuit connecting material 40 is less than 10 μm, the circuit connecting material tends to be insufficiently filled between the circuit electrodes 22 and 32. On the other hand, when the thickness exceeds 50 μm, the adhesive composition between the circuit electrodes 22 and 32 cannot be sufficiently removed, and it tends to be difficult to ensure conduction between the circuit electrodes 22 and 32.

次に、フィルム状回路接続材料40を第一の回路部材20の回路電極22が形成されている面上に載せる。なお、フィルム状回路接続材料40が支持体(図示せず)上に付着している場合には、フィルム状回路接続材料40側を第一の回路部材20に向けるようにして、第一の回路部材20上に載せる。このとき、フィルム状回路接続材料40はフィルム状であり、取り扱いが容易である。このため、第一の回路部材20と第二の回路部材30との間にフィルム状回路接続材料40を容易に介在させることができ、第一の回路部材20と第二の回路部材30との接続作業を容易に行うことができる。   Next, the film-like circuit connecting material 40 is placed on the surface of the first circuit member 20 on which the circuit electrodes 22 are formed. When the film-like circuit connecting material 40 is attached on a support (not shown), the film-like circuit connecting material 40 side is directed to the first circuit member 20 so that the first circuit is connected. Place on member 20. At this time, the film-like circuit connecting material 40 is film-like and easy to handle. For this reason, the film-like circuit connecting material 40 can be easily interposed between the first circuit member 20 and the second circuit member 30, and the first circuit member 20 and the second circuit member 30 Connection work can be performed easily.

そして、フィルム状回路接続材料40を、図2(a)の矢印A及びB方向に加圧し、フィルム状回路接続材料40を第一の回路部材20に仮接続する(図2(b)参照)。このとき、加熱しながら加圧してもよい。但し、加熱温度はフィルム状回路接続材料40中の接着剤組成物が硬化しない温度よりも低い温度とする。   And the film-form circuit connection material 40 is pressurized to the arrow A and B direction of Fig.2 (a), and the film-form circuit connection material 40 is temporarily connected to the 1st circuit member 20 (refer FIG.2 (b)). . At this time, you may pressurize, heating. However, the heating temperature is lower than the temperature at which the adhesive composition in the film-like circuit connecting material 40 is not cured.

続いて、図2(c)に示すように、第二の回路部材30を、第二の回路電極を第一の回路部材20に向けるようにしてフィルム状回路接続材料40上に載せる。なお、フィルム状回路接続材料40が支持体(図示せず)上に付着している場合には、支持体を剥離してから第二の回路部材30をフィルム状回路接続材料40上に載せる。   Subsequently, as shown in FIG. 2 (c), the second circuit member 30 is placed on the film-like circuit connection material 40 with the second circuit electrode facing the first circuit member 20. In addition, when the film-form circuit connection material 40 has adhered on the support body (not shown), after peeling a support body, the 2nd circuit member 30 is mounted on the film-form circuit connection material 40. FIG.

そして、フィルム状回路接続材料40を加熱しながら、図2(c)の矢印A及びB方向に第一及び第二の回路部材20、30を介して加圧する。このときの加熱温度は、本発明に係るカチオン発生剤がカチオン種を発生可能な温度とする。これにより、カチオン発生剤においてカチオン種が発生し、脂環式エポキシ化合物の重合が開始される。こうして、フィルム状回路接続材料40が硬化処理され、本接続が行われ、図1に示すような回路部材の接続体が得られる。   And it heats through the 1st and 2nd circuit members 20 and 30 to the arrow A and B direction of FIG.2 (c), heating the film-form circuit connection material 40. FIG. The heating temperature at this time is a temperature at which the cation generator according to the present invention can generate cation species. Thereby, cation species are generated in the cation generator, and polymerization of the alicyclic epoxy compound is started. In this way, the film-like circuit connection material 40 is cured and the main connection is performed, and a circuit member connection body as shown in FIG. 1 is obtained.

加熱温度は、好ましくは40℃〜180℃、更に好ましくは50℃〜150℃であり、加熱時間は、好ましくは0.1秒〜10時間、更に好ましくは1秒〜1時間である。加熱温度が40℃未満であると硬化速度が遅く、180℃を超えると望まない副反応が進行しやすい。加熱時間が0.1秒未満では硬化反応が進行せず、10時間を超えると硬化物の生産性が低下し、更に望まない副反応も進みやすい。   The heating temperature is preferably 40 ° C to 180 ° C, more preferably 50 ° C to 150 ° C, and the heating time is preferably 0.1 second to 10 hours, more preferably 1 second to 1 hour. When the heating temperature is less than 40 ° C, the curing rate is slow, and when it exceeds 180 ° C, unwanted side reactions tend to proceed. When the heating time is less than 0.1 seconds, the curing reaction does not proceed, and when it exceeds 10 hours, the productivity of the cured product is lowered, and undesired side reactions are likely to proceed.

上記のようにして、回路部材の接続体を製造すると、得られる回路部材の接続体において、導電粒子7を対向する回路電極22、32の双方に接触させることが可能となり、回路電極22、32間の接続抵抗を十分に低減することができる。また、低温短時間での加熱により接続部を形成することができるため、回路部材への影響を小さくすることができる。   When the circuit member connection body is manufactured as described above, in the obtained circuit member connection body, the conductive particles 7 can be brought into contact with both the circuit electrodes 22 and 32 facing each other. The connection resistance between them can be sufficiently reduced. Further, since the connection portion can be formed by heating in a short time at a low temperature, the influence on the circuit member can be reduced.

また、フィルム状回路接続材料40の加熱により、回路電極22と回路電極32との間の距離を十分に小さくした状態で接着剤成分5が硬化して絶縁性物質11となり、第一の回路部材20と第二の回路部材30とが接続部10を介して強固に接続される。即ち、得られる回路部材の接続体においては、接続部10は上記接着剤組成物を含む回路接続材料の硬化物により構成されていることから、回路部材20又は30に対する接続部10の接着強度が十分に高くなり、かつ、回路電極22、32間の接続抵抗を十分に低減することができる。また、この回路部材の接続体は、そのような状態を長期間にわたって持続することができる。したがって、得られる回路部材の接続体は、回路電極22、32間の距離の経時的変化が十分に防止され、回路電極22、32間の電気特性の長期信頼性に優れる。   Further, by heating the film-like circuit connecting material 40, the adhesive component 5 is cured to become the insulating substance 11 in a state where the distance between the circuit electrode 22 and the circuit electrode 32 is sufficiently small, and the first circuit member is obtained. 20 and the second circuit member 30 are firmly connected via the connection portion 10. That is, in the obtained connection member of the circuit member, since the connection part 10 is composed of a cured product of the circuit connection material containing the adhesive composition, the adhesion strength of the connection part 10 to the circuit member 20 or 30 is high. It becomes sufficiently high and the connection resistance between the circuit electrodes 22 and 32 can be sufficiently reduced. Moreover, the connection body of this circuit member can maintain such a state over a long period of time. Therefore, the obtained connection member of the circuit members is sufficiently prevented from changing with time in the distance between the circuit electrodes 22 and 32 and is excellent in long-term reliability of the electrical characteristics between the circuit electrodes 22 and 32.

また、上記実施形態では、フィルム状回路接続材料40を用いて回路部材の接続体を製造しているが、フィルム状回路接続材料40に代えて、フィルム状に形成されていない回路接続材料を用いてもよい。この場合でも、回路接続材料を溶媒に溶解させ、その溶液を、第一の回路部材20又は第二の回路部材30のいずれかに塗布し乾燥させれば、第一及び第二の回路部材20、30間に回路接続材料を介在させることができる。   Moreover, in the said embodiment, although the connection body of a circuit member is manufactured using the film-form circuit connection material 40, it replaces with the film-form circuit connection material 40, and uses the circuit connection material which is not formed in the film form. May be. Even in this case, if the circuit connection material is dissolved in a solvent and the solution is applied to either the first circuit member 20 or the second circuit member 30 and dried, the first and second circuit members 20 are used. , 30 can interpose a circuit connecting material.

また、導電粒子7の代わりに、他の導電材料を用いてもよい。他の導電材料としては、粒子状、又は短繊維状のカーボン、AuめっきNi線等の金属線条等が挙げられる。   Further, instead of the conductive particles 7, other conductive materials may be used. Other conductive materials include particulate or short fiber carbon, metal wires such as Au-plated Ni wire, and the like.

次に、本発明に係る半導体装置の実施形態について説明する。図3は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。図3に示すように、本実施形態の半導体装置2は、半導体素子50と、半導体の支持部材となる基板60とを備えており、半導体素子50及び基板60の間には、これらを電気的に接続する半導体素子接続部材80が設けられている。また、半導体素子接続部材80は基板60の主面60a上に積層され、半導体素子50は更にその半導体素子接続部材80上に積層されている。   Next, an embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention. As shown in FIG. 3, the semiconductor device 2 of this embodiment includes a semiconductor element 50 and a substrate 60 that serves as a semiconductor support member, and these are electrically connected between the semiconductor element 50 and the substrate 60. A semiconductor element connection member 80 is provided to connect to the semiconductor device. The semiconductor element connection member 80 is stacked on the main surface 60 a of the substrate 60, and the semiconductor element 50 is further stacked on the semiconductor element connection member 80.

基板60は回路パターン61を備えており、回路パターン61は、基板60の主面60a上で半導体接続部材80を介して又は直接に半導体素子50と電気的に接続されている。そして、これらが封止材70により封止され、半導体装置2が形成される。   The substrate 60 includes a circuit pattern 61, and the circuit pattern 61 is electrically connected to the semiconductor element 50 via the semiconductor connection member 80 on the main surface 60 a of the substrate 60 or directly. And these are sealed with the sealing material 70, and the semiconductor device 2 is formed.

半導体素子50の材料としては特に制限されないが、シリコン、ゲルマニウムの4族の半導体素子、GaAs、InP、GaP、InGaAs、InGaAsP、AlGaAs、InAs、GaInP、AlInP、AlGaInP、GaNAs、GaNP、GaInNAs、GaInNP、GaSb、InSb、GaN、AlN、InGaN、InNAsP等のIII−V族化合物半導体素子、HgTe、HgCdTe、CdMnTe、CdS、CdSe、MgSe、MgS、ZnSe、ZeTe等のII−VI族化合物半導体素子、そして、CuInSe(ClS)等の種々のものを用いることができる。   The material of the semiconductor element 50 is not particularly limited, but silicon, germanium group 4 semiconductor element, GaAs, InP, GaP, InGaAs, InGaAsP, AlGaAs, InAs, GaInP, AlInP, AlGaInP, GaNAs, GaNP, GaInNAs, GaInNP, III-V group compound semiconductor elements such as GaSb, InSb, GaN, AlN, InGaN, InNAsP, II-VI group compound semiconductor elements such as HgTe, HgCdTe, CdMnTe, CdS, CdSe, MgSe, MgS, ZnSe, and ZeTe, and Various materials such as CuInSe (ClS) can be used.

半導体素子接続部材80は、上記本発明に係る接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により形成され、絶縁性物質11及び導電粒子7を含有している。導電粒子7は、半導体素子50と回路パターン61との間のみならず、半導体素子50と主面60aとの間にも配置されている。本実施形態の半導体装置2においては、半導体素子50と回路パターン61とが、導電粒子7を介して電気的に接続されている。このため、半導体素子50及び回路パターン61間の接続抵抗が十分に低減される。したがって、半導体素子50及び回路パターン61間の電流の流れを円滑にすることができ、半導体の有する機能を十分に発揮することができる。また、この導電粒子7を上述した配合割合とすることによって電気的な接続の異方性を示すことも可能である。   The semiconductor element connection member 80 is formed of a cured product of the circuit connection material made of the adhesive composition according to the present invention, and contains the insulating substance 11 and the conductive particles 7. The conductive particles 7 are disposed not only between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 but also between the semiconductor element 50 and the main surface 60a. In the semiconductor device 2 of the present embodiment, the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 are electrically connected via the conductive particles 7. For this reason, the connection resistance between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 is sufficiently reduced. Therefore, the current flow between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 can be made smooth, and the functions of the semiconductor can be fully exhibited. Moreover, it is also possible to show the anisotropy of electrical connection by setting the conductive particles 7 to the above-described mixing ratio.

なお、半導体素子接続部材80が導電粒子7を含有していない場合には、半導体素子50と回路パターン61とを所望の量の電流が流れるように直接接触させるか若しくは十分に近づけることで電気的に接続される。   In the case where the semiconductor element connecting member 80 does not contain the conductive particles 7, the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 are brought into direct contact with each other so that a desired amount of current flows or sufficiently close thereto. Connected to.

半導体素子接続部材80は上記本発明に係る接着剤組成物からなる回路接続材料の硬化物により構成されている。このことから、半導体素子50及び基板60に対する半導体素子接続部材40の接着強度が十分に高くなり、かつ、半導体素子50及び回路パターン61間の接続抵抗を十分に低減することができる。そして、この状態を長期間にわたって持続させることができる。また、低温短時間での加熱により半導体素子接続部材を形成できるため、半導体素子などへの影響を小さくすることができる。したがって、半導体素子50及び基板60間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることが可能となる。   The semiconductor element connection member 80 is made of a cured product of a circuit connection material made of the adhesive composition according to the present invention. From this, the adhesive strength of the semiconductor element connection member 40 to the semiconductor element 50 and the substrate 60 is sufficiently high, and the connection resistance between the semiconductor element 50 and the circuit pattern 61 can be sufficiently reduced. And this state can be maintained over a long period of time. In addition, since the semiconductor element connecting member can be formed by heating in a short time at a low temperature, the influence on the semiconductor element or the like can be reduced. Therefore, the long-term reliability of the electrical characteristics between the semiconductor element 50 and the substrate 60 can be sufficiently increased.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。   The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment.

以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited to a following example.

<スルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤の合成>
(合成例1)
スクリューバイアル瓶に、シンナミルブロミド(11.8g、60.0mmol)とジメチルスルフィド(3.0g、63.0mmol)を加え、密封し無溶媒下室温にて一晩攪拌した。その後、未反応のジメチルスルフィドを減圧下にて留去し、無色固体のシンナミルジメチルスルホニウムブロミドを得た(15.6g、収率100%)。シンナミルジメチルスルホニウムブロミド(3.1g、12.0mmol)を三角フラスコに入れ、さらに酢酸エチル(24mL)を加えて溶解させた。そして、ヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム(3.4g、13.2mmol)を水(26mL)に溶解させ、系中にゆっくり滴下した。室温にて2時間攪拌後、酢酸エチル(50mL)で有機層を抽出し、さらに水で洗浄(50mL×3)、減圧乾燥を行い、淡黄色固体のシンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを得た(2.9g、収率58%)。
<Synthesis of sulfonium salt type heat latent cation generator>
(Synthesis Example 1)
Cinnamyl bromide (11.8 g, 60.0 mmol) and dimethyl sulfide (3.0 g, 63.0 mmol) were added to the screw vial, sealed, and stirred overnight at room temperature without solvent. Thereafter, unreacted dimethyl sulfide was distilled off under reduced pressure to obtain colorless solid cinnamyldimethylsulfonium bromide (15.6 g, yield 100%). Cinnamyldimethylsulfonium bromide (3.1 g, 12.0 mmol) was placed in an Erlenmeyer flask, and further ethyl acetate (24 mL) was added and dissolved. Then, sodium hexafluoroantimonate (3.4 g, 13.2 mmol) was dissolved in water (26 mL) and slowly dropped into the system. After stirring at room temperature for 2 hours, the organic layer was extracted with ethyl acetate (50 mL), further washed with water (50 mL × 3), and dried under reduced pressure to obtain cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a pale yellow solid. (2.9 g, yield 58%).

<フィルム状回路接続材料の作製>
(実施例1)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)35質量部、エポキシ化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(製品名:エピコート828、三菱化学社製)10質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
<Production of film-like circuit connection material>
Example 1
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) Kosan Co., Ltd.) 35 parts by mass, bisphenol A type epoxy resin (product name: Epicoat 828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an epoxy compound, 10 parts by mass, cinnamyl dimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a thermal latent cation generator 5 parts by mass The resin solution was prepared by mixing 35 parts by mass of Ni-plated polystyrene particles (average particle size: 3 μm) as conductive particles, and this resin solution was applied to a PET film having one surface treated with a thickness of 50 μm using a coating apparatus, Dry with hot air at 70 ° C for 5 minutes As a result, a film-like circuit connecting material having an adhesive layer thickness of 20 μm was obtained, and the content of the conductive particles in the obtained film-like circuit connecting material was 5% by volume.

(実施例2)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)35質量部、エポキシ化合物として3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(製品名:セロキサイド2021P、ダイセル化学社製)10質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、添加剤として、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニムメチルスルフェート0.15質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Example 2)
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) Kosan Co., Ltd.) 35 parts by mass, epoxy compound 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexenecarboxylate (product name: Celoxide 2021P, manufactured by Daicel Chemical Industries), 10 parts by mass, thermal latent cation 5 parts by mass of cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a generator, 0.15 parts by mass of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium methylsulfate as an additive, Ni-plated polystyrene particles (average particle size as conductive particles) (μm) 35 parts by mass was mixed to obtain a resin solution, which was applied to a PET film having a 50 μm-thick surface treated with a coating apparatus and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to form an adhesive. A film-like circuit connecting material having a layer thickness of 20 μm was obtained, and the content of conductive particles in the obtained film-like circuit connecting material was 5% by volume.

(実施例3)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)35質量部、エポキシ化合物として3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(製品名:セロキサイド2021P、ダイセル化学社製)10質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、添加剤として、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニムメチルスルフェート0.15質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Example 3)
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) Kosan Co., Ltd.) 35 parts by mass, epoxy compound 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexenecarboxylate (product name: Celoxide 2021P, manufactured by Daicel Chemical Industries), 10 parts by mass, thermal latent cation 5 parts by mass of cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a generator, 0.15 parts by mass of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium methylsulfate as an additive, Ni-plated polystyrene particles (average particle size as conductive particles) (μm) 35 parts by mass was mixed to obtain a resin solution, which was applied to a PET film having a 50 μm-thick surface treated with a coating apparatus and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to form an adhesive. A film-like circuit connecting material having a layer thickness of 20 μm was obtained, and the content of conductive particles in the obtained film-like circuit connecting material was 5% by volume.

(比較例1)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)35質量部、エポキシ化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(製品名:エピコート828、三菱化学社製)10質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Comparative Example 1)
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) Kosan Co., Ltd.) 35 parts by mass, epoxy compound as bisphenol A type epoxy resin (product name: Epicoat 828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 10 parts by mass, as thermal latent cation generator, 4-hydroxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimony 5 parts by weight of Nate and 35 parts by weight of Ni-plated polystyrene particles (average particle size: 3 μm) as conductive particles were mixed to obtain a resin solution, which was applied to a PET film having a surface treated on one side having a thickness of 50 μm using a coating apparatus. Apply and 5 minutes at 70 ° C The film-like circuit connecting material having an adhesive layer thickness of 20 μm was obtained by hot air drying, and the content of the conductive particles in the obtained film-like circuit connecting material was 5% by volume.

(比較例2)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)35質量部、エポキシ化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(製品名:エピコート828、三菱化学社製)10質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、添加剤として、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニムメチルスルフェート0.15質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Comparative Example 2)
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) Kosan Co., Ltd.) 35 parts by mass, epoxy compound bisphenol A type epoxy resin (product name: Epicoat 828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 10 parts by mass, thermal latent cation generator, 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthyl 5 parts by mass of methylsulfonium hexafluoroantimonate, 0.15 parts by mass of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium methylsulfate as an additive, and 35 parts by mass of Ni-plated polystyrene particles (average particle size 3 μm) as conductive particles With solution The resin solution was applied to a PET film having a surface of 50 μm on one surface using a coating apparatus and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes, whereby a film-like circuit connecting material having an adhesive layer thickness of 20 μm. In addition, the content of the conductive particles in the obtained film-like circuit connecting material was 5% by volume.

(比較例3)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、オキセタン化合物としてビフェニレンビスオキセタン(製品名:OXBP、宇部興産社製)45質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Comparative Example 3)
As a polymer, a bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), a solution of 50 parts by mass (polymer component), and an oxetane compound of biphenylenebisoxetane (product name: OXBP, Ube) (Made by Kosan Co., Ltd.) 45 parts by mass, 5 parts by mass of cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a thermal latent cation generator, and 35 parts by mass of Ni-plated polystyrene particles (average particle size 3 μm) as conductive particles This resin solution was applied to a PET film having a surface of 50 μm on one surface using a coating apparatus and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes, whereby a film-like circuit connecting material having an adhesive layer thickness of 20 μm. The film-like circuit connecting material obtained was The content of Rushirubeden particles was 5% by volume.

(比較例4)
ポリマーとして、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(製品名:PKHC、InChem社製(PKHC/メチルエチルケトン=40/60質量部)溶液50質量部(ポリマー分)、エポキシ化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(製品名:エピコート828、三菱化学社製)45質量部、熱潜在性カチオン発生剤として、シンナミルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート5質量部、導電粒子としてNiめっきポリスチレン粒子(平均粒径3μm)35質量部を混合し樹脂溶液とした。この樹脂溶液を厚み50μmの片面を表面処理したPETフィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、接着剤層の厚みが20μmのフィルム状回路接続材料を得た。なお、得られたフィルム状回路接続材料における導電粒子の含有量は5体積%であった。
(Comparative Example 4)
As a polymer, bisphenol A type phenoxy resin (product name: PKHC, manufactured by InChem (PKHC / methyl ethyl ketone = 40/60 parts by mass), 50 parts by mass (polymer component), as an epoxy compound, bisphenol A type epoxy resin (product name: Epicoat) 828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 45 parts by mass, 5 parts by mass of cinnamyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate as a heat-latent cation generator, and 35 parts by mass of Ni-plated polystyrene particles (average particle size 3 μm) as conductive particles. The resin solution was applied to a PET film having a surface of 50 μm on one surface using a coating apparatus and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes, whereby a film with an adhesive layer thickness of 20 μm was obtained. A circuit connection material was obtained, and the film-like circuit connection obtained was obtained. The content of the conductive particles in the material was 5% by volume.

<反応率の測定>
実施例1〜3、並びに比較例1〜4のフィルム状回路接続材料を、160℃で5秒間加熱した。その後、それぞれのフィルム状回路接続材料の赤外吸収スペクトルを測定し、環状エーテルの転化率を算出した。結果は、環状エーテルの転化率が80%以上の場合を○、転化率が80%未満の場合を×として表1に示した。
<Measurement of reaction rate>
The film-like circuit connecting materials of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 were heated at 160 ° C. for 5 seconds. Then, the infrared absorption spectrum of each film-form circuit connection material was measured, and the conversion rate of cyclic ether was computed. The results are shown in Table 1 as ◯ when the conversion rate of the cyclic ether is 80% or more and x when the conversion rate is less than 80%.

<保存安定性の測定>
実施例1〜3、並びに比較例1〜4のフィルム状回路接続材料を、40℃の恒温装置に5日間放置した。放置後それぞれのフィルム状回路接続材料の赤外吸収スペクトルを測定し、環状エーテルの転化率を算出した。結果は、環状エーテルの転化率が5%未満を◎、5%以上10%未満を○、10%以上を×として表1に示した。
<Measurement of storage stability>
The film-like circuit connecting materials of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 were left in a thermostatic device at 40 ° C. for 5 days. After standing, the infrared absorption spectrum of each film-like circuit connecting material was measured, and the conversion rate of the cyclic ether was calculated. The results are shown in Table 1, where the conversion rate of the cyclic ether is less than 5%, ◯ is 5% or more and less than 10%, and ◯ is 10% or more.

(接続体の作製)
実施例1〜3、並びに比較例1〜4のフィルム状回路接続材料をそれぞれ、ガラス基板(コーニング#1737、外形38mm×28mm、厚さ0.5mm、表面にITO配線パターン(パターン幅50μm、ピッチ50μm)を有するもの)に2×20mmの大きさでPET樹脂フィルムから転写した。次いで、ICチップ(外形1.7mm×17.2mm、厚さ0.55mm、バンプの大きさ50μm×50μm、バンプのピッチ50μm)を160℃5秒、80MPa(バンプ面積換算)の荷重をかけて加熱加圧して実装した。
(Production of connected body)
Each of the film-like circuit connecting materials of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 is a glass substrate (Corning # 1737, outer shape 38 mm × 28 mm, thickness 0.5 mm, and ITO wiring pattern (pattern width 50 μm, pitch) on the surface. Having a size of 2 × 20 mm from a PET resin film. Next, an IC chip (outer shape 1.7 mm × 17.2 mm, thickness 0.55 mm, bump size 50 μm × 50 μm, bump pitch 50 μm) was loaded at 160 ° C. for 5 seconds and 80 MPa (bump area conversion). It was mounted by heating and pressing.

(接着力の測定)
実施例1〜3、並びに比較例1〜4のフィルム状回路接続材料を用いて接続した接続体について、ダイシェア強度試験を行った。結果を表1に示す。
(Measurement of adhesive strength)
The die shear strength test was done about the connection body connected using Examples 1-3 and the film-form circuit connection material of Comparative Examples 1-4. The results are shown in Table 1.

(接続抵抗の測定)
実施例1〜3、並びに比較例1〜4のフィルム状回路接続材料を用いて接続した接続体について、隣接回路間の抵抗値(14端子測定した中の最大値)を測定した。また、500時間、85℃、85%RHの条件で500時間負荷を掛けた高温高湿試験後の抵抗値(14端子測定した中の最大値)も測定した。結果は、抵抗値が1Ω未満を◎、15Ω未満を○、15Ω以上を×、接続不良を××として表1に示した。
(Measurement of connection resistance)
About the connection body connected using Examples 1-3 and the film-form circuit connection material of Comparative Examples 1-4, the resistance value between adjacent circuits (The maximum value in 14 terminal measurement) was measured. In addition, the resistance value (maximum value among 14 terminals measured) after a high temperature and high humidity test in which a load was applied for 500 hours under the conditions of 500 hours, 85 ° C., and 85% RH was also measured. The results are shown in Table 1 where the resistance value is less than 1Ω, 未 満, less than 15Ω is ◯, 15Ω or more is x, and poor connection is xx.

Figure 0005561199
Figure 0005561199

表1に示すように実施例1〜3で得られたフィルム状回路接続材料は、低温速硬化性と保存安定性を両立し、さらに、ダイシェア強度、接続信頼性も良好であり、高温高湿試験後も良好な接続信頼性が得られた。   As shown in Table 1, the film-like circuit connecting materials obtained in Examples 1 to 3 have both low temperature rapid curability and storage stability, and also have good die shear strength and connection reliability, and high temperature and high humidity. Good connection reliability was obtained even after the test.

カチオン発生剤として、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを配合した比較例1のフィルム状回路接続材料は、保存安定性は良好なものの160℃5秒では硬化せず、カチオン発生剤として、4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを配合した比較例2のフィルム状回路接続材料は、硬化性は高いものの保存安定性が悪化し、硬化性と保存安定性を両立することが困難であった。   As a cation generator, the film-like circuit connecting material of Comparative Example 1 blended with 4-hydroxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate has good storage stability but does not cure at 160 ° C. for 5 seconds, and as a cation generator. The film-like circuit connecting material of Comparative Example 2 containing 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium hexafluoroantimonate has high curability but deteriorates storage stability, and exhibits both curability and storage stability. It was difficult to achieve both.

一方、オキセタン化合物のみをモノマとして用いた比較例3のフィルム状回路接続材料は、硬化性は良好なものの保存安定性が悪化し、エポキシ化合物のみをモノマとして用いた比較例4のフィルム状回路接続材料は、硬化性および保存安定性は良好なものの、高温高湿試験後の接続信頼性が悪化した。   On the other hand, the film-like circuit connection material of Comparative Example 3 using only the oxetane compound as a monomer deteriorates the storage stability although the curability is good, and the film-like circuit connection of Comparative Example 4 using only an epoxy compound as the monomer. Although the material had good curability and storage stability, the connection reliability after the high-temperature and high-humidity test deteriorated.

本発明によれば、オキセタン化合物とエポキシ化合物を併用し、特定の構造のカチオン発生剤を用いることにより、低温速硬化性、保存安定性、接続信頼性が良好であり、さらに、高いダイシェア強度を発現できるフィルム状回路接続材料が得られることが確認された。   According to the present invention, by using a combination of an oxetane compound and an epoxy compound and using a cation generator having a specific structure, low-temperature fast curability, storage stability and connection reliability are good, and further, high die shear strength is achieved. It was confirmed that a film-like circuit connecting material that can be expressed was obtained.

1…接続体、2…半導体装置、5…接着剤成分、7…導電粒子、10…接続部、11…絶縁性物質、20…第1の回路部材、21…第1の回路基板、22…第1の回路電極、30…第2の回路部材、31…第2の回路基板、32…第2の回路電極、40…フィルム状回路接続材料、50…半導体素子、60…基板、61…回路パターン、70…封止材、80…半導体素子接続部材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection body, 2 ... Semiconductor device, 5 ... Adhesive component, 7 ... Conductive particle, 10 ... Connection part, 11 ... Insulating substance, 20 ... 1st circuit member, 21 ... 1st circuit board, 22 ... 1st circuit electrode, 30 ... 2nd circuit member, 31 ... 2nd circuit board, 32 ... 2nd circuit electrode, 40 ... film-like circuit connection material, 50 ... semiconductor element, 60 ... substrate, 61 ... circuit Pattern, 70... Sealing material, 80... Semiconductor element connecting member.

Claims (6)

オキセタン化合物と、
エポキシ化合物と、
下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩型熱潜在性カチオン発生剤と、
を含有する接着剤組成物。
Figure 0005561199


[一般式(1)中、R及びRはそれぞれ独立に、炭素数が1〜4の炭化水素基を示し、R及びRは互いに結合して環を形成していてもよく、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数が1〜10の脂肪族炭化水素基、又は、芳香族炭化水素基を示し、Xは、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、又は、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンを示す。]
An oxetane compound,
An epoxy compound,
A sulfonium salt type heat latent cation generator represented by the following general formula (1);
An adhesive composition containing
Figure 0005561199


[In General Formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group, and X represents a tetrafluoroborate ion, a hexafluorophosphate. An ion, a hexafluoroantimonate ion, or a tetrakispentafluorophenylborate ion; ]
導電粒子を、接着剤組成物全量に対して0.1〜30体積%の割合で含む、請求項1に記載の接着剤組成物。   The adhesive composition according to claim 1, comprising conductive particles in a proportion of 0.1 to 30% by volume with respect to the total amount of the adhesive composition. 請求項1又は2に記載の接着剤組成物からなり、相対向する回路電極間に介在され、該回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続するために用いられる、回路接続材料。   A circuit connection comprising the adhesive composition according to claim 1, which is interposed between circuit electrodes facing each other, and is used to pressurize the circuit electrodes and electrically connect the electrodes in the pressurizing direction. material. 対向配置された一対の回路部材と、
請求項3に記載の回路接続材料の硬化物からなり、前記一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように前記回路部材同士を接着する接続部と、
を備える、接続体。
A pair of circuit members disposed opposite to each other;
It consists of the hardened | cured material of the circuit connection material of Claim 3, and the said circuit members are adhere | attached so that it may interpose between said pair of circuit members and the circuit electrodes which each circuit member has may be electrically connected. A connection,
A connection body comprising:
対向配置された一対の回路部材の間に請求項3に記載の回路接続材料を介在させ、全体を加熱及び加圧して、前記回路接続材料の硬化物からなり、前記一対の回路部材の間に介在しそれぞれの回路部材が有する回路電極同士が電気的に接続されるように前記回路部材同士を接着する接続部を形成することにより、前記一対の回路部材及び前記接続部を備える接続体を得る、接続体の製造方法。   The circuit connection material according to claim 3 is interposed between a pair of circuit members arranged opposite to each other, and the whole is heated and pressurized to be made of a cured product of the circuit connection material, between the pair of circuit members. A connection body including the pair of circuit members and the connection portion is obtained by forming a connection portion that bonds the circuit members so that the circuit electrodes of the respective circuit members that are interposed are electrically connected to each other. The manufacturing method of a connection body. 半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する基板と、
前記半導体素子及び前記基板が電気的に接続されるように前記半導体素子及び前記基板を接着する半導体素子接続部材と、を備え、
前記半導体素子接続部材は、請求項3に記載の回路接続材料の硬化物である、半導体装置。
A semiconductor element;
A substrate on which the semiconductor element is mounted;
A semiconductor element connecting member for bonding the semiconductor element and the substrate so that the semiconductor element and the substrate are electrically connected;
The said semiconductor element connection member is a semiconductor device which is the hardened | cured material of the circuit connection material of Claim 3.
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