JP5551123B2 - 高周波スイッチ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4と、
前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6と、
前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7とを備え、
前記膜抵抗における前記入力基板の伝送ラインと前記グランド面の一部との間の長さ、及び前記膜抵抗における前記2組の出力基板の伝送ラインとワイヤを含む電極との間の長さが電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下であることを特徴とする。
前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4を配置するステップと、
前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6を配置するステップと、
前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7を配置するステップと、
前記膜抵抗における前記入力基板の伝送ラインと前記グランド面の一部との間の長さ、及び前記膜抵抗における前記2組の出力基板の伝送ラインとワイヤを含む電極との間の長さを電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下にするステップとを含むことを特徴とする。
2 入力基板
2a 伝送ライン
2b グランド面
3 第1の出力基板
3a 伝送ライン
3b グランド面
4 第2の出力基板
4a 伝送ライン
4b グランド面
5 第1のコンデンサ
6 第2のコンデンサ
7 ピンダイオードスイッチ
7a,7b ダイオード
11 ビアホール
12,14,16 膜抵抗
13,15 電極
Claims (2)
- 信号が入力される線状の伝送ライン(2a)が表面に形成され、裏面全体にグランド面(2b)が形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール(11)を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗(12)により接続された入力基板(2)と、
前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン(3a),(4a)が表面に形成され、裏面全体にグランド面(3b),(4b)が形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極(13),(15)が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗(14),(16)により接続された2組の出力基板(3),(4)と、
前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ(5),(6)と、
前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ(7)とを備え、
前記膜抵抗における前記入力基板の伝送ラインと前記グランド面の一部との間の長さ、及び前記膜抵抗における前記2組の出力基板の伝送ラインとワイヤを含む電極との間の長さが電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下であることを特徴とする高周波スイッチ。 - 信号が入力される線状の伝送ライン(2a)が表面に形成され、裏面全体にグランド面(2b)が形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール(11)を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗(12)により接続された入力基板(2)を配置するステップと、
前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン(3a),(4a)が表面に形成され、裏面全体にグランド面(3b),(4b)が形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極(13),(15)が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗(14),(16)により接続された2組の出力基板(3),(4)を配置するステップと、
前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ(5),(6)を配置するステップと、
前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ(7)を配置するステップと、
前記膜抵抗における前記入力基板の伝送ラインと前記グランド面の一部との間の長さ、及び前記膜抵抗における前記2組の出力基板の伝送ラインとワイヤを含む電極との間の長さを電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下にするステップとを含むことを特徴とする高周波スイッチの製造方法。
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