JP5550540B2 - 染料感応太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 62
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- -1 electrode Substances 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003182 Surlyn® Polymers 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YYXZQUOJBJOARI-UHFFFAOYSA-M 1-hexyl-2,3-dimethylimidazol-3-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCCCCN1C=C[N+](C)=C1C YYXZQUOJBJOARI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole;hydroiodide Chemical compound [I-].[NH2+]1C=CN=C1 JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXWBZNOXADEHRQ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 TXWBZNOXADEHRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- LJEBXLIGJSSJOF-UHFFFAOYSA-M CO[Cr](=O)(=O)O Chemical compound CO[Cr](=O)(=O)O LJEBXLIGJSSJOF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PZXRCGGBZOBKKH-UHFFFAOYSA-N OC1=CC=C(O)C(=O)C1=O Chemical class OC1=CC=C(O)C(=O)C1=O PZXRCGGBZOBKKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 150000002019 disulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;iodide Chemical compound I.C1=CC=NC=C1 BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- XRFHCHCLSRSSPQ-UHFFFAOYSA-N strontium;oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2] XRFHCHCLSRSSPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Description
実施例の説明において、各基板、膜、電極または層などが各基板、膜、電極または層などの“上(on)”にまたは“下(under)”に形成されることで記載される場合において、“上(on)”と“下(under)”は “直接(directly)”または“異なる構成要素を介在して(indirectly)”形成されることを含む。
(1) 二酸化チタニウム有機―ゾル(TiO2 organic-sol)の合成方法
チタニウムテトラブトキシド (titanium tetrabutoxide)136mLとジエタノールアミン (diethanolamine)をエタノールに溶かして約1時間の間、激烈に攪拌させた後、水(7mL)とエタノール(200mL)を混合した溶液をゆっくり滴加した後、一日の間に攪拌して二酸化チタニウム有機−ゾルを製造する。前記結果で生成された二酸化チタニウム有機―ゾル溶液を回転蒸留器(rotary evaporator)を使用して約100mL量になるように溶液に濃縮させた後、密閉容器に入れて低温(約5℃)で保管する。
作業電極と相対電極に使用するFTOガラス(電導ガラスでコーティングされたフローリンドーピングされたスズオキサイド、 Pilkington, TEC8)を10cm × 10cm大きさの二基板に切られて、その切られたFTOガラス基板などに対してガラス洗浄剤で超音波洗滌を10分間した後、蒸留水を使用してFTOガラス基板などから石鹸水を完全に除去した。その後、FTOガラス基板などに対してエタノールを利用したで超音波洗滌を15分間二回繰り返した。その後にFTOガラス基板などを無水エタノールで完全に洗った後に100℃オーブンで乾燥させた。このように準備したFTOガラス基板などの各々のFTO膜を太陽電池モジュールパターンにつれてファイバーレーザ( fiber laser)蝕刻器 (1064 nm)を利用して各セルの間の境界に該当する60μm線幅で蝕刻する。この際、レーザ移動速度は800 mm/sであり、 出力は12.5Wを使用した。その後、モジュールでセル間の陰極と陽極電極など(即ち、第1及び第2電極200,400)を連結する連結者(interconnecter)である厚さ約14 μm、幅0.5 mmの銀(Ag)電導線形成のために銀(Ag)ペイスト(paste)をスクリーン印刷法を利用して陽極及び陰極基板に使用されるFTOガラス基板などの各々に印刷する。このようにFTOガラス基板などの各々に印刷された銀(Ag)ペイストは450℃で30分間熱処理して銀(Ag)電導線を形成する。
銀(Ag)電導線が印刷されて、レザー蝕刻されたFTOガラス基板などの中のいずれか一つ(以下、“陰極基板”という)の表面(即ち、第1電極(または透明な陰極電極)で使用される残りのFTO膜)に二酸化チタニウムナノ粒子との接触力を向上させる二酸化チタニウム遮断膜(blocking-layer)形成のために、70℃の 40 mM チタニウムクロライド(IV)溶液に40分間浸み込んで、蒸留水で洗浄した後、100℃オーブンで水分を完全に乾燥させる。以後に、CCIC社の二酸化チタニウム(TiO2)ペースト(18-NRT)を透明陰極電極の上にスクリーンプリンタで10cm × 10cm印刷領域にセルパターンなどが配列されたマスク(200メッシュ)を利用して印刷する。印刷された陰極基板を100℃オーブンで20分間乾燥した後、この過程を3回繰り返す。続いて、480度で30分間塑性することで約10μm厚さの二酸化チタニウムナノ粒子が配列された陰極基板が得られる。この約10μm厚さの二酸化チタニウムナノ粒子層は作業電極に使用されることができる。
二酸化チタニウム遮断膜と銀(Ag)電導線がパターンされた陰極基板をスクリーン印刷機を利用して、400メッシュ(mesh)のステンレススチール材質のスクリーンに二酸化チタニウムペースト使用際と同一のパターンを有するスクリーンを使用して、予め準備した有機―ゾル溶液を使用して1回印刷した後、450℃オーブンで90分間焼結させて、厚さ10nm以内の二酸化チタニウムフィルムをナノ粒子層に均等に成膜する。
前記で洗浄、レーザ蝕刻、銀(Ag)電導線プリンティング過程を経た10cm × 10cm大きさのFTOガラス基板(即ち、透明電極基板)などの中の異なる一つ(以下、“陽極基板”という)に直径0.5 mmのダイアモンドドリル(Dremel multipro 395)を利用して各セル毎に電解質が注入される貫通穴の二つがあけられる。その後、蒸留水を利用して洗浄した後、100℃で30分間乾燥させる。以後に、ハイドロゲンヘキサクロロプラチネート(hydrogen hexachloroplatinate, H2PtCl6)と2-プロパノル(2-propanol)溶液を1:2大きさ比で30分間攪拌して高粘度の透明な混合溶液が得られる。この混合溶液を前記で二酸化チタニウムフィルムを印刷する時と同じパターンを有するステインレススチルスクリーン(325メッシュ)を使用して前記陽極基板に印刷する。100℃オーブンで前記陽極基板を乾燥して前記印刷された混合溶液から有機溶媒が除去した後、陽極基板を400℃オーブンで30分間焼結して触媒電極410に使用される相対電極が前記陽極基板上に形成されるようにする。
1乃至2mm厚さで切ったSurlyn(Solaronix, SX1170-25)帯を陰極基板の外郭及び銀(Ag)電導線の周りに置いた後、ヒーティングプレス(heating press)を使用して陰極基板及び陽極基板(即ち、二つの透明電極基板など)を合着する。この合着過程は作業電極と相対電極が向かい合うようにした状態で前記二基板に対して遂行される。陰極基板にある二つの小さな穴を通して合着になった基板などの間に電解質を注入した後、Surlynストリップとカバーガラスでシールしてモジュールを制作する。電解質溶液としては0.1 M LiI, 0.05 M I2, 0.6 M 1-ヘッシル-2,3-ディメチルイミダゾリウムヨード(1-hexyl-2,3-dimethylimidazolium iodide) 及び0.5 M 4―ターシャリーブチルピリジン(4-tert-butylpyridine)を3-メトキシプロピオニトリル(3-metoxypropionitrile)となった溶媒で溶解して製造した。
前記で制作したサンドイッチセル(sandwich cell)でAM 1.5 ソーラーシミュレーティングフィルタ(solar simulating filter)を装着した後、Xe ランプ(Yamashita Denso, 300 W Xe アークランプ)で光を照射すると、2400ソースユニット(source measure unit)(SMU, Keithley)を使用して電流―電圧曲線が得られた。電位の範囲は-6.0 Vから0.0 Vまでであり、光の強さは100 mW/cm2とした。AM 1.5 光源下で電流保定はNRELで検証されたフォトダイオード(photodiode)を使用した。
比較例は作業電極製作過程で二酸化チタニウム有機―ゾルを利用した二酸化チタニウムフィルムのプリンティング及び熱処理過程を省略しては前記実施例1のような過程を使用した。
300:光吸収層、 310:染料、 320:ナノ粒子
350:フィルム、 330:電解質、 400:第2電極
410:触媒電極、 420:透明電極、 500:第2基板
600:シーラント、 700:金属電導線
Claims (12)
- 第1基板;
前記第1基板上に配置される第1電極;
前記第1電極上に配置される遮断膜;
前記遮断膜上に配置されるナノ粒子;
前記ナノ粒子の各々を囲むフィルム;
前記ナノ粒子の上に配置される第2電極を含む第2基板;
前記第1電極と前記第2電極の間に介在される電解質;及び
前記第1電極と前記第2電極を連結する金属電導線を含み、
前記フィルムは、二酸化チタニウム有機−ゾル溶液で作られ、
前記二酸化チタニウム有機−ゾル溶液は、3乃至5cP(Centi Poise)の粘度範囲を有する
ことを特徴とする染料感応太陽電池モジュール。 - 前記フィルムは前記ナノ粒子の表面の中の一部だけに配置されることを特徴とする請求項1記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 前記遮断膜、前記ナノ粒子及び前記フィルムは金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項1記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 前記金属酸化物は二酸化チタニウムであることを特徴とする請求項3記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 前記金属電導線と前記第1電極は直接に接触することを特徴とする請求項1記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 前記金属電導線は銀(Ag)を含むことを特徴とする請求項1記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 前記二酸化チタニウム有機−ゾル溶液は、エタノール中ジエタノールアミン及びチタニウムテトラブトキシドの混合物であることを特徴とする請求項1記載の染料感応太陽電池モジュール。
- 第1基板上に第1電極を形成する段階;
前記第1電極上に金属電導線を形成する段階;
前記第1電極上に遮断膜を形成する段階;
前記遮断膜上にナノ粒子を形成する段階;
前記ナノ粒子の各々を囲むフィルムを形成する段階;
前記ナノ粒子上に配置される第2電極を含む第2基板を形成する段階;及び
前記第1電極と前記第2電極の間に電解質を注入する段階を含んで、
前記フィルムは粘性を有する二酸化チタニウム有機―ゾル溶液の存在下で形成され、
前記二酸化チタニウム有機−ゾル溶液は、3乃至5cP(Centi Poise)の粘度範囲を有する
ことを特徴とする染料感応太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記フィルムは前記ナノ粒子の表面の中の一部だけに形成されることを特徴とする請求項8記載の染料感応太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記ナノ粒子に前記フィルムをコーティングした後に、追加的に前記フィルムコーティング過程をもう一回行うことを特徴とする請求項8記載の染料感応太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記フィルムを形成する段階は、スクリーン印刷方法(screen-printing)、インクジェット(ink-jet)法、スリットコーティング(slit coating)及びドクターブレード(doctor-blade)方法によって遂行される特徴とする請求項8記載の染料感応太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記二酸化チタニウム有機−ゾル溶液を作製する方法は、
エタノールにジエタノールアミン及びチタニウムテトラブトキシドを溶解し、
前記溶解した溶液を撹拌し、
前記溶解撹拌した溶液へ水とエタノールの混合溶液を滴下し、及び、
前記滴下溶液を濃縮することを特徴とする請求項8記載の染料感応太陽電池モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090127437A KR101373503B1 (ko) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 염료 감응 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 |
KR10-2009-0127437 | 2009-12-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129526A JP2011129526A (ja) | 2011-06-30 |
JP5550540B2 true JP5550540B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=43901192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010281621A Expired - Fee Related JP5550540B2 (ja) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | 染料感応太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8952248B2 (ja) |
EP (1) | EP2337041B1 (ja) |
JP (1) | JP5550540B2 (ja) |
KR (1) | KR101373503B1 (ja) |
CN (1) | CN102103929B (ja) |
TW (1) | TWI433376B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101219330B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2013-01-22 | 현대자동차주식회사 | 박판 유리 기판을 이용한 염료감응 태양전지 모듈 및 그 제조방법 |
KR101352330B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2014-01-17 | 한국광기술원 | 염료감응형 태양전지의 금속 나노 구조체 제조방법 |
KR101177716B1 (ko) * | 2012-05-15 | 2012-08-28 | 주식회사 상보 | 이중 코팅 금속 기판을 이용한 금속 플렉시블 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101192981B1 (ko) * | 2012-05-15 | 2012-10-19 | 주식회사 상보 | 금속 플렉시블 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
CN102842438A (zh) * | 2012-08-07 | 2012-12-26 | 浙江大学 | 一种染料敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN104515102B (zh) * | 2014-12-16 | 2017-11-14 | 苏州佳亿达电器有限公司 | 一种光感应节能路灯 |
WO2016186317A1 (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | 고려대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 태양 전지 모듈 |
KR101666748B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2016-10-17 | 고려대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 태양 전지 모듈 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996029716A1 (de) * | 1995-03-23 | 1996-09-26 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Verfahren zum aufbringen einer vorgegebenen menge eines sensibilisators auf eine oberfläche |
ES2155941T5 (es) * | 1995-09-15 | 2012-04-30 | Rhodia Chimie | Sustrato con revestimiento fotocatalítico a base de dióxido de titanio y dispersiones orgánicas a base de dióxido de titanio |
ATE324662T1 (de) * | 1999-08-04 | 2006-05-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Elektrolytzusammensetzung und photolektrochemische zelle |
JP4169140B2 (ja) * | 2000-10-02 | 2008-10-22 | 日揮触媒化成株式会社 | 新規な金属酸化物粒子およびその用途 |
JP4392741B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2010-01-06 | 日揮触媒化成株式会社 | 光電気セル |
KR101056440B1 (ko) | 2003-09-26 | 2011-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료감응 태양전지 |
JP4197637B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2008-12-17 | 株式会社東芝 | 光増感型太陽電池及びその製造方法 |
US7781672B2 (en) * | 2004-06-01 | 2010-08-24 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module architecture |
CN1728407A (zh) * | 2004-06-01 | 2006-02-01 | 科纳卡技术股份有限公司 | 光电模块构造 |
ES2475730T3 (es) * | 2006-07-06 | 2014-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Módulo de células solares sensibilizadas por colorante y método para fabricar el mismo |
JP2010534394A (ja) | 2007-07-25 | 2010-11-04 | ポリマーズ シーアールシー リミテッド | 太陽電池、及びその製造方法 |
JP5217337B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-06-19 | 大日本印刷株式会社 | 酸化物半導体電極用積層体、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池、酸化物半導体電極用積層体の製造方法、および、酸化物半導体電極の製造方法 |
CN101567274B (zh) | 2009-05-21 | 2011-09-14 | 长兴化学工业股份有限公司 | 使用复合半导体材料的染敏太阳能电池 |
-
2009
- 2009-12-18 KR KR1020090127437A patent/KR101373503B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-12-06 EP EP10193815.7A patent/EP2337041B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-07 US US12/962,199 patent/US8952248B2/en active Active
- 2010-12-15 TW TW099144104A patent/TWI433376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-15 CN CN2010105904574A patent/CN102103929B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-17 JP JP2010281621A patent/JP5550540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102103929B (zh) | 2013-07-17 |
US20110146783A1 (en) | 2011-06-23 |
JP2011129526A (ja) | 2011-06-30 |
CN102103929A (zh) | 2011-06-22 |
TWI433376B (zh) | 2014-04-01 |
TW201133987A (en) | 2011-10-01 |
EP2337041A2 (en) | 2011-06-22 |
US8952248B2 (en) | 2015-02-10 |
KR101373503B1 (ko) | 2014-03-14 |
EP2337041B1 (en) | 2017-07-19 |
KR20110070578A (ko) | 2011-06-24 |
EP2337041A3 (en) | 2012-10-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120710 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5550540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |