JP5534986B2 - Wafer processing tape - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハ用のウエハ加工用テープに関する。 The present invention relates to a wafer processing tape for a semiconductor wafer.
半導体ウエハを個々のチップに切断する際に、半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断されたチップを基板等に接着するためのダイボンディングフィルムの双方の機能を併せ持つウエハ加工用テープが開発されている。ウエハ加工用テープは、剥離フィルムと、ダイシングテープとして機能する粘着テープと、ダイボンディングフィルムとして機能する接着剤層とを備えている。
近年、携帯機器向けのメモリ等の電子デバイスは、より一層の薄型化と高容量化が求められている。そのため、厚さ５０μｍ以下の半導体チップを多段積層する実装技術に対する要請は年々高まっている。このような要請に応えるべく、薄膜化を図ることができ、半導体チップの回路表面の凹凸を埋め込むことができるような柔軟性を有する接着剤層を有するウエハ加工用テープが開発され、開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。
Developed a wafer processing tape that combines the functions of a dicing tape for fixing a semiconductor wafer and a die bonding film for bonding the cut chip to a substrate, etc., when the semiconductor wafer is cut into individual chips. Has been. The wafer processing tape includes a release film, an adhesive tape that functions as a dicing tape, and an adhesive layer that functions as a die bonding film.
In recent years, electronic devices such as memories for portable devices have been required to be thinner and higher capacity. For this reason, there is an increasing demand for a mounting technique in which semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less are stacked in multiple stages. In order to meet such demands, a wafer processing tape having a flexible adhesive layer that can be thinned and can embed irregularities on the circuit surface of a semiconductor chip has been developed and disclosed. (For example, see Patent Documents 1 and 2).
回路表面の凹凸を埋め込むことができなければ、半導体チップと接着剤層の間に空隙が生じ、接着強度が著しく低下してしまう。一般的に、厚さ５０μｍ以下の半導体チップを多段積層する工程に求められる接着剤層の厚みは２５μｍ以下であり、そのような接着剤層は６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０６Ｐａ未満であることが、半導体チップの回路表面の凹凸を十分に埋め込む観点から望ましい。
半導体チップ用の接着剤層を粘着テープに積層したウエハ加工用テープ、いわゆるダイシング・ダイボンディングシートは半導体ウエハをチップに分断する工程と、分断後の半導体チップを基板等に接着する工程の両方に利用でき、半導体実装工程の作業性改善に非常に有用である。特に、接着剤層が半導体ウエハに対応して円形のラベル形状にプリカットされ、粘着テープが、半導体ウエハ加工時の取扱性をよくするために粘着テープに取り付けられるリングフレームに対応して接着剤層より大きい円形のラベル形状にプリカットされたダイシング・ダイボンディングシートは作業性に著しく優れている。このようなダイシング・ダイボンディングシートは、図１１に示すように、長尺の剥離フィルム２０１上に所定間隔で複数の接着剤層２０２が設けられ、各接着剤層２０２を同心円状に覆うと共に外縁部が剥離フィルム２０１に接するように粘着テープ２０３が積層されて構成されている（例えば、特許文献３，４参照）。
If the irregularities on the circuit surface cannot be embedded, voids are generated between the semiconductor chip and the adhesive layer, and the adhesive strength is significantly reduced. In general, the thickness of an adhesive layer required for the step of laminating semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less is 25 μm or less, and such an adhesive layer has a storage elastic modulus before heat curing at 60 ° C. of 2 ×. It is desirable that it is less than 10 6 Pa from the viewpoint of sufficiently embedding irregularities on the circuit surface of the semiconductor chip.
Wafer processing tape, in which a semiconductor chip adhesive layer is laminated on an adhesive tape, the so-called dicing die bonding sheet is used for both the process of dividing a semiconductor wafer into chips and the process of bonding the divided semiconductor chip to a substrate, etc. It can be used and is very useful for improving the workability of the semiconductor mounting process. In particular, the adhesive layer is pre-cut into a circular label shape corresponding to the semiconductor wafer, and the adhesive tape corresponds to the ring frame attached to the adhesive tape in order to improve the handleability when processing the semiconductor wafer. The dicing die bonding sheet precut into a larger circular label shape is remarkably excellent in workability. In such a dicing die bonding sheet, as shown in FIG. 11, a plurality of adhesive layers 202 are provided on a long release film 201 at predetermined intervals, and each adhesive layer 202 is concentrically covered and has an outer edge. The adhesive tape 203 is laminated so that the portion is in contact with the release film 201 (see, for example, Patent Documents 3 and 4).
近年、薄膜化によって脆くなった半導体チップを、破損させることなく接着剤層ごとピックアップするためには、ダイシング・ダイボンディングシートの粘着テープにはより低い粘着力が求められている。
しかし、粘着力の低い粘着テープに、薄くて柔軟性の高い接着剤層を積層してダイシング・ダイボンディングシート（ウエハ加工用テープ）を形成した場合、その様なダイシング・ダイボンディングシートを、剥離フィルムを剥がして半導体ウエハにマウントする際に、接着剤層が剥離フィルムに引きずられて粘着テープから捲れ上がり、半導体ウエハに貼合できないという貼合不良が発生することがある。
この貼合不良は粘着テープと接着剤層の積層体を半導体ウエハにマウントする際の、貼合開始点に最も近い接着剤層の外周部、すなわち一般的にはラベルの円周部において、最初に半導体ウエハに接近する一端から生じることが多い（図１２参照）。
こうした貼合不良の原因は、粘着テープの粘着力を低くした為に、剥離フィルムと接着剤層との間の剥離力と、接着剤層と粘着テープとの間の剥離力の差が小さいことと、接着剤層が薄くて柔軟な為に剥離フィルムに追随し易くなったことが挙げられる。さらに、従来の円形の接着剤ラベル形状では、接着剤層の外周の一点に剥離の応力が集中するため、貼合不良の問題を解決することが困難であった。
In recent years, in order to pick up a semiconductor chip that has become brittle due to a thin film, together with the adhesive layer without damaging it, the adhesive tape of the dicing die bonding sheet is required to have a lower adhesive force.
However, when a dicing die bonding sheet (wafer processing tape) is formed by laminating a thin and highly flexible adhesive layer on an adhesive tape with low adhesive strength, such a dicing die bonding sheet is peeled off. When the film is peeled off and mounted on the semiconductor wafer, the adhesive layer may be dragged by the release film and rolled up from the pressure-sensitive adhesive tape, resulting in a bonding failure in which it cannot be bonded to the semiconductor wafer.
This poor bonding is first observed at the outer periphery of the adhesive layer closest to the bonding start point when mounting the laminate of the adhesive tape and the adhesive layer on the semiconductor wafer, that is, generally at the circumferential portion of the label. It often occurs from one end approaching the semiconductor wafer (see FIG. 12).
The cause of such poor bonding is that the adhesive force of the adhesive tape is lowered, so the difference between the peel force between the release film and the adhesive layer and the peel force between the adhesive layer and the adhesive tape is small. And, since the adhesive layer is thin and flexible, it is easy to follow the release film. Further, in the conventional circular adhesive label shape, the peeling stress is concentrated at one point on the outer periphery of the adhesive layer, so it is difficult to solve the problem of poor bonding.
そこで、本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、ウエハ加工用テープから剥離フィルムを剥離する際に、粘着テープから接着剤層が剥離することを抑制することができるウエハ加工用テープを提供することを目的とする。 Then, this invention was made | formed in order to solve said subject, and when peeling a peeling film from the tape for wafer processing, the wafer which can suppress that an adhesive bond layer peels from an adhesive tape. The object is to provide a processing tape.
上記の課題を解決するため、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
剥離フィルムと、前記剥離フィルムの上に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を上方から覆い、前記接着剤層の外側で当該接着剤層の周囲全域で外縁が前記剥離フィルムに接するように設けられた粘着テープとを有するウエハ加工用テープであって、
前記接着剤層は平面視で円形であってその外縁を切り欠くように直線状に形成された直線部を有し、
前記直線部は、長さが５０ｍｍ以上であり、かつ、前記剥離フィルム幅方向に対してなす角度が３°未満となっている。
In order to solve the above problems, in the wafer processing tape according to the present invention,
A release film, an adhesive layer provided on the release film, and the adhesive layer are covered from above , and an outer edge is in contact with the release film around the adhesive layer outside the adhesive layer. A wafer processing tape having an adhesive tape provided on
The adhesive layer is circular in plan view and has a linear portion formed linearly so as to cut out its outer edge ,
The straight portion has a length of 50 mm or more, and an angle formed with respect to the width direction of the release film is less than 3 °.
そして、
前記剥離フィルムは、長手方向に沿ってロール状に巻きつけられており、
前記直線部は、前記接着剤層における、前記剥離フィルムをロールから引き出す方向とは逆方向となる引き剥がし方向の最も上流側となる位置に存在することを特徴とする。
And
The release film is wound in a roll shape along the longitudinal direction,
The straight line portion is present at a position on the most upstream side in the peeling direction which is opposite to the direction in which the release film is pulled out from the roll in the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
前記接着剤層は、厚さが２５μｍ以下であり、かつ、６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０6Ｐａ未満であることを特徴とする。
In the wafer processing tape according to the present invention,
The adhesive layer has a thickness of 25 μm or less, and a storage elastic modulus at 60 ° C. before thermosetting is less than 2 × 10 6 Pa.
また、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
前記接着剤層と前記粘着テープの剥離強度は、前記剥離フィルムと前記接着剤層の剥離強度よりも大きいことを特徴とする。
In the wafer processing tape according to the present invention,
The peel strength between the adhesive layer and the adhesive tape is greater than the peel strength between the release film and the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
前記粘着テープと前記接着剤層の剥離強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ未満であることを特徴とする。
In the wafer processing tape according to the present invention,
The peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape and the adhesive layer is less than 1.0 N / 25 mm.
また、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
前記粘着テープは、放射線の照射により前記接着剤層との間の粘着力が低下する材料から形成され、
前記放射線照射前の前記接着剤層と前記粘着テープの剥離強度は、前記剥離フィルムと前記接着剤層の剥離強度よりも大きいことを特徴とする。
In the wafer processing tape according to the present invention,
The pressure-sensitive adhesive tape is formed of a material whose adhesive force with the adhesive layer is reduced by irradiation with radiation,
The peel strength between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive tape before radiation irradiation is greater than the peel strength between the release film and the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用テープでは、
放射線照射による粘着力低下前の前記粘着テープと前記接着剤層の剥離強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ未満であることを特徴とする。
In the wafer processing tape according to the present invention,
The peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape and the adhesive layer before the pressure-sensitive adhesive strength is reduced by radiation irradiation is less than 1.0 N / 25 mm.
本発明に係るウエハ加工用テープによれば、接着剤層の外縁は、平面視した際に直線状に形成された直線部を有し、直線部は、長さが５０ｍｍ以上であり、かつ、剥離フィルムの引き剥がし方向に直交する直線に対してなす角度が３°未満である。
これにより、直線部に剥離力が集中しても、その剥離力は直線部で分散される。
よって、ウエハ加工用テープから剥離フィルムを剥離する際に、粘着テープから接着剤層が剥離することを抑制することができる。
According to the wafer processing tape according to the present invention, the outer edge of the adhesive layer has a straight portion formed in a straight line when viewed in plan, the straight portion has a length of 50 mm or more, and The angle formed with respect to the straight line perpendicular to the peeling direction of the release film is less than 3 °.
Thereby, even if peeling force concentrates on a straight part, the peeling force is disperse | distributed by a straight part.
Therefore, when peeling a peeling film from the tape for wafer processing, it can suppress that an adhesive bond layer peels from an adhesive tape.
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、ウエハ加工用テープの概要を示す図である。
図１に示すように、ウエハ加工用テープ１は、芯材となるコア１０にロール状に巻かれている。ウエハ加工用テープ１は、剥離フィルム２と、接着剤層３と、粘着テープ４とを有している。
なお、接着剤層３と粘着テープ４が積層されてダイシングダイボンドテープが構成される。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a view showing an outline of a wafer processing tape.
As shown in FIG. 1, the wafer processing tape 1 is wound around a core 10 serving as a core material in a roll shape. The wafer processing tape 1 has a release film 2, an adhesive layer 3, and an adhesive tape 4.
The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 are laminated to form a dicing die bond tape.
（剥離フィルム）
剥離フィルム２は、矩形の帯状に形成され、一方向が十分に長くなるように形成されている。剥離フィルム２は、製造時及び使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。剥離フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。剥離フィルム２の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。
(Peeling film)
The release film 2 is formed in a rectangular belt shape and is formed so that one direction is sufficiently long. The release film 2 serves as a carrier film at the time of manufacture and use. As the release film 2, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used. The thickness of the release film 2 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.
（接着剤層）
接着剤層３は、剥離フィルム２の表面２ａ（図１の紙面の表側）上に形成されている。ここで、剥離フィルム２の表面２ａとは、接着剤層３や粘着テープ４が形成される面のことをいい、図１において図示されている面である。接着剤層３は、半導体ウエハＷ（図３参照）等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップの裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用される。
接着剤層３は、その厚さが２５μｍ以下となるように形成されている。接着剤層３は、６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０6Ｐａ未満となる材料から形成されている。ここで、貯蔵弾性率とは、弾性、粘性を併せ持つ高分子の力学的特性を分析する動的粘弾性測定において、弾性に相当するものである。
接着剤層３としては、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜２５μｍ程度が好ましい。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 3 is formed on the surface 2a of the release film 2 (the front side of the paper surface of FIG. 1). Here, the surface 2a of the release film 2 refers to the surface on which the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive tape 4 are formed, and is the surface illustrated in FIG. The adhesive layer 3 is attached to the back surface of the chip when the chip is picked up after the semiconductor wafer W (see FIG. 3) or the like is bonded and diced, and when the chip is fixed to the substrate or the lead frame. Used as an adhesive.
The adhesive layer 3 is formed to have a thickness of 25 μm or less. The adhesive layer 3 is formed of a material having a storage elastic modulus before thermosetting at 60 ° C. of less than 2 × 10 6 Pa. Here, the storage elastic modulus corresponds to elasticity in dynamic viscoelasticity measurement for analyzing the mechanical properties of a polymer having both elasticity and viscosity.
Although it does not specifically limit as the adhesive bond layer 3, What is necessary is just a film-like adhesive generally used for a dicing die-bonding tape, and an acrylic adhesive, epoxy resin / phenol resin / acrylic resin Of these, a blend-based adhesive is preferred. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 25 μm.
接着剤層３は、剥離フィルム２上に接着剤のワニスを塗工し乾燥させてフィルム化したものを、基材フィルム上に形成された粘着剤層にラミネートして形成するとよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍの線圧をかけることが好ましい。また、接着剤層３は予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層３を積層する。この場合、ダイシングダイボンドテープの使用時において、ウエハが貼合される部分には接着剤層３が有り、ダイシング用のリングフレーム５が貼合される部分には接着剤層３がなく、粘着テープ４のみがあり、リングフレームは接着テープ４に貼合されて使用される。一般に、接着剤層３は被着体と剥離しにくいため、リングフレーム５等に糊残りを生じやすい。プリカットされた接着剤剤層３を使用することで、リングフレーム５は粘着テープ４に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム５への糊残りを生じにくいという効果が得られる。 The adhesive layer 3 may be formed by laminating an adhesive varnish applied on the release film 2 and drying to form a film on a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film. It is preferable to apply a linear pressure of 0.1 to 100 kgf / cm at a laminating temperature of 10 to 100 ° C. Moreover, the adhesive bond layer 3 laminates | stacks the adhesive bond layer 3 cut | disconnected (pre-cut) in the shape according to the wafer previously bonded. In this case, when the dicing die-bonding tape is used, the adhesive layer 3 is present at the portion where the wafer is bonded, and the adhesive layer 3 is not present at the portion where the ring frame 5 for dicing is bonded. 4, and the ring frame is used by being bonded to the adhesive tape 4. Generally, since the adhesive layer 3 is difficult to peel off from the adherend, adhesive residue is likely to occur on the ring frame 5 and the like. By using the pre-cut adhesive layer 3, the ring frame 5 can be bonded to the adhesive tape 4, and an effect that adhesive residue on the ring frame 5 hardly occurs at the time of tape peeling after use is obtained. .
図１、図２に示すように、接着剤層３は、ウエハＷ（図３参照）の形状に対応する円形状に形成されている。接着剤層３は、上方から粘着テープ４によって覆われている。すなわち、接着剤層３は、剥離フィルム２と粘着テープ４とに挟まれた状態となっている。
図１、図４に示すように、接着剤層３の形状は、円形状の一部の外縁を切り欠いた形状に形成されている。具体的には、接着剤層３は、平面視した際に外縁の一部が直線状に形成された直線部３ａを有している。
直線部３ａは、その長さｄが５０ｍｍ以上となるように形成されている。
直線部３ａは、剥離フィルム２を引き剥がす際の引き剥がし方向Ｂに直交する方向（剥離フィルム２の幅方向）に沿った直線Ｌ１に対してなす角度θが３°未満となるように形成されている。
直線部３ａは、接着剤層３における剥離フィルム２の引き出し方向Ａの最も上流側となる位置、すなわち剥離フィルム２の引き剥がし方向Ｂの最も上流側となる位置に存在するように形成されている。
なお、剥離フィルム２をロール体から引き出す引き出し方向Ａと剥離フィルム２の引き剥がし方向Ｂは逆方向の関係にあるが、剥離フィルム２は、図５に示すように、引き出し方向Ａに引き出された後、所定位置で折り返して引き剥がし方向Ｂに引っ張って粘着シート４および接着剤層３から引き剥がされるため、直線部３aは、両方向Ａ，Ｂにおいて最も上流側に位置することになる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the adhesive layer 3 is formed in a circular shape corresponding to the shape of the wafer W (see FIG. 3). The adhesive layer 3 is covered with an adhesive tape 4 from above. That is, the adhesive layer 3 is sandwiched between the release film 2 and the adhesive tape 4.
As shown in FIGS. 1 and 4, the shape of the adhesive layer 3 is formed by cutting out a part of the outer edge of a circular shape. Specifically, the adhesive layer 3 has a straight portion 3a in which a part of the outer edge is formed in a straight line when viewed in plan.
The straight line portion 3a is formed so that its length d is 50 mm or more.
The straight portion 3a is formed so that the angle θ formed with respect to the straight line L1 along the direction orthogonal to the peeling direction B (the width direction of the peeling film 2) when peeling the peeling film 2 is less than 3 °. ing.
The straight line portion 3a is formed so as to be present at a position on the most upstream side in the pulling direction A of the release film 2 in the adhesive layer 3, that is, a position on the most upstream side in the peeling direction B of the release film 2. .
In addition, although the pulling-out direction A which pulls out peeling film 2 from a roll body, and the peeling direction B of peeling film 2 have a reverse relationship, peeling film 2 was pulled out in drawing-out direction A, as shown in FIG. After that, since it is folded at a predetermined position and pulled in the peeling direction B to be peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet 4 and the adhesive layer 3, the straight line portion 3a is located on the most upstream side in both directions A and B.
（粘着テープ）
粘着テープ４は、接着剤層３の上に設けられている。図１に示すように、粘着テープ４は、接着剤層３を覆うと共に、接着剤層３の周囲全域で剥離フィルム２に接触し、ダイシング用のリングフレーム５（図３参照）の形状に対応するラベル部４ａと、ラベル部４ａの外周を囲むように形成された周辺部４ｂとを有する。このような粘着テープ４は、プリカット加工により、フィルム状粘着剤からラベル部４ａの周辺領域を除去することで形成することができる。
粘着テープ４としては、特に制限はなく、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層３から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。
粘着テープ４と接着剤層３との剥離強度は、剥離フィルム２と接着剤層３の剥離強度よりも大きくなるように粘着剤が選定される。また、粘着テープ４と接着剤層３の剥離強度は、１．０Ｎ／２５ｍｍ未満である。
(Adhesive tape)
The adhesive tape 4 is provided on the adhesive layer 3. As shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive tape 4 covers the adhesive layer 3 and contacts the release film 2 around the adhesive layer 3 to correspond to the shape of the ring frame 5 for dicing (see FIG. 3). And a peripheral portion 4b formed so as to surround the outer periphery of the label portion 4a. Such an adhesive tape 4 can be formed by removing the peripheral region of the label part 4a from the film-like adhesive by pre-cut processing.
The pressure-sensitive adhesive tape 4 is not particularly limited and has a sufficient pressure-sensitive adhesive force so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and can be easily peeled from the adhesive layer 3 when picking up a chip after dicing. Any material having such a low adhesive strength may be used.
The pressure-sensitive adhesive is selected so that the peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 is greater than the peel strength between the release film 2 and the adhesive layer 3. The peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 is less than 1.0 N / 25 mm.
粘着テープ４は基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造してよい。基材フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。 The adhesive tape 4 may be manufactured by applying an adhesive on the base film. As the base film, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.
なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを用いると効果的である。 In order to increase the gap between elements, it is preferable that necking (occurrence of partial elongation due to poor propagation of force that occurs when the base film is stretched radially) is as small as possible. Polyurethane, molecular weight and styrene content Styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, etc., which are limited to the above, can be exemplified, and it is effective to use a cross-linked base film in order to prevent elongation or deflection during dicing.
基材フィルムは、粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合にはその粘着剤が硬化する波長での放射線透過性のよいものを選択することが必要とされる。 In the case of using a radiation curable pressure sensitive adhesive for the pressure sensitive adhesive layer, it is necessary to select a base film having good radiation transparency at a wavelength at which the pressure sensitive adhesive is cured.
さらに、基材フィルムの表面には、粘着剤との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。 Further, the surface of the base film may be appropriately subjected to a treatment such as a corona treatment or a primer layer in order to improve the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive. The thickness of the substrate film is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency.
ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤は放射線硬化性のものが好ましく、放射線照射前の接着剤層３と粘着テープ４の剥離強度は、剥離フィルム２と接着剤層３の剥離強度よりも大きく、放射線照射による粘着力低下前の粘着テープ４と接着剤層３の剥離強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ未満である。 In order to improve the pick-up property after dicing, the pressure-sensitive adhesive is preferably radiation curable, and the peel strength between the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive tape 4 before irradiation is the peel strength between the release film 2 and the adhesive layer 3. The peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 before the decrease in the pressure-sensitive adhesive strength due to irradiation is less than 1.0 N / 25 mm.
例えば、粘着剤においては、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。 For example, the pressure-sensitive adhesive is selected from a compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, a polyisocyanate, a melamine / formaldehyde resin, and an epoxy resin. It is also preferable to contain a polymer obtained by addition reaction of at least one compound (B).
粘着剤に含有されるポリマーの主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。 The compound (A) which is one of the main components of the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive will be described. A preferable introduction amount of the radiation curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the fluidity of the adhesive after irradiation is sufficient and after stretching. Therefore, the problem that the image recognition of each element becomes difficult at the time of pick-up can be suppressed. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇと言う。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（１）と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（２）とを反応させて得たものが用いられる。
The compound (A) preferably has a glass transition point of −70 ° C. to 0 ° C., more preferably −66 ° C. to −28 ° C. If the glass transition point (hereinafter referred to as Tg) is −70 ° C. or higher, the heat resistance against heat accompanying radiation irradiation is sufficient, and if it is 0 ° C. or lower, the element after dicing on a wafer having a rough surface state A sufficient scattering prevention effect can be obtained.
The compound (A) may be produced by any method, and has, for example, a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer, and a functional group. A compound obtained by reacting a compound (1) having a functional group with a compound (2) having a functional group capable of reacting with the functional group is used.
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（１）は、アクリル酸アルキルエステルやメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総重量の５重量％以下の範囲内で可能である。
Among these, the compound (1) having the radiation curable carbon-carbon double bond and the functional group is a monomer having a radiation curable carbon-carbon double bond such as an alkyl acrylate ester or an alkyl methacrylate ester. It can be obtained by copolymerizing ((1) -1) and a monomer ((1) -2) having a functional group.
As a monomer ((1) -1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a single quantity of 5 or less carbon atoms The pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these can be listed.
Since a glass transition point becomes so low that a monomer with a large carbon number is used as a monomer ((1) -1), the thing of a desired glass transition point can be produced. In addition to the glass transition point, a monomer ((1) -1) may be blended with a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. ) In the range of 5% by weight or less of the total weight.
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。 Examples of the functional group of the monomer ((1) -2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. The monomer ((1)- Specific examples of 2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates. N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, Phthalic anhydride, glycidyl acrylic And glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and those obtained by urethanizing a part of the isocyanate group of a polyisocyanate compound with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation curable carbon-carbon double bond. it can.
化合物（２）において用いられる官能基としては、（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
Examples of the functional group used in the compound (2) include a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group when the functional group of ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group. In the case of a hydroxyl group, a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, and the like can be exemplified. In the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group, and the like can be exemplified. , A carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, and the like. Specific examples thereof include those similar to those listed in the specific examples of the monomer ((1) -2). .
By leaving an unreacted functional group in the reaction between the compound (1) and the compound (2), it is possible to produce those specified in the present invention with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value.
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。 In the synthesis of the above compound (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, ethyl acetate , Isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, etc., are generally good solvents for acrylic polymers and preferably have a boiling point of 60-120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azobisisobutyl. A radical generator such as an azobis type such as nitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as necessary, and the compound (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本実施形態における分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
また、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
Although the compound (A) can be obtained as described above, the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to radiation irradiation becomes small, and when the wafer is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent the deviation of the element as much as possible, the molecular weight is preferably 400,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 1,000,000, there is a possibility of gelation at the time of synthesis and coating.
In addition, the molecular weight in this embodiment is the weight average molecular weight of polystyrene conversion.
Moreover, it is preferable that the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after irradiation. Moreover, it is preferable that a compound (A) has a COOH group used as the acid value of 0.5-30.
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
次に、粘着剤のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または剥離フィルム２と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
Here, if the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
Next, the compound (B) which is another main component of the pressure-sensitive adhesive will be described. The compound (B) is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) works as a cross-linking agent, and the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) is obtained by the cross-linking structure formed as a result of reaction with the compound (A) or the release film 2. It can be improved after application.
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。 The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, as a commercial product, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used.
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．４〜３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれるからである。
Further, as the melamine / formaldehyde resin, specifically, Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), etc. can be used as commercial products. .
Furthermore, as the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) or the like can be used.
In this embodiment, it is particularly preferable to use polyisocyanates.
The amount of (B) added is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.4 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the compound (A). If the amount is less than 0.1 parts by weight, the effect of improving the cohesive force tends to be insufficient. If the amount exceeds 10 parts by weight, the curing reaction proceeds rapidly during the formulation and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability is impaired.
また、本実施形態において、粘着剤には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤に含まれる光重合開始剤（Ｃ）には、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 Moreover, in this embodiment, it is preferable that the photoinitiator (C) is contained in the adhesive. There is no restriction | limiting in particular in the photoinitiator (C) contained in an adhesive, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), and acridine compounds. These can be used alone or in combination of two or more.
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．５〜５重量部とすることがより好ましい。
さらに、本実施形態に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤および慣用成分を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層の厚さは、通常のウエハダイシング加工と併用して処理を行うことがある場合には少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。また、レーザーダイシング加工のみ行う場合には少なくとも５μｍ以下、より好ましくはチップ保持力を失わない範囲でできる限り薄くすることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
The amount of (C) added is preferably 0.1 to 10 parts by weight and more preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound (A).
Furthermore, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present embodiment can be blended with a tackifier, a tackiness modifier, a surfactant, etc., or other modifiers and conventional ingredients as required. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably at least 5 μm, more preferably 10 μm or more when processing is performed in combination with normal wafer dicing. Further, when only laser dicing is performed, it is preferably at least 5 μm or less, more preferably as thin as possible within a range not losing the chip holding power. The pressure-sensitive adhesive layer may have a structure in which a plurality of layers are laminated.
＜ウエハ加工用テープの使用方法＞
半導体ウエハのダイシングを行う前に、ウエハ加工用テープ１を半導体ウエハ及びリングフレームに貼りつける。
図５に示すように、ウエハ加工用テープ１のロール体から巻き取りローラ１００によりウエハ加工用テープ１を引き出す。その引き出し経路には、剥離用くさび１０１が設けられており、この剥離用くさび１０１の先端部を折り返し点として、剥離フィルム２のみが引き剥がされ、巻き取りローラ１００に巻き取られる。
剥離用くさび１０１の先端部の下方には、吸着ステージ１０２が設けられており、この吸着ステージ１０２の上面には、リングフレーム５及びウエハＷが設けられている。
剥離用くさび１０１により剥離フィルム２が引き剥がされた接着剤層３及び粘着テープ４は、ウエハＷ上に導かれ、貼合ローラ１０３によってウエハＷに貼合される。
図６は、接着剤層３及び粘着テープ４をリングフレーム５及びウエハＷに貼りつけたときの状態を示している。
<How to use wafer processing tape>
Before dicing the semiconductor wafer, the wafer processing tape 1 is attached to the semiconductor wafer and the ring frame.
As shown in FIG. 5, the wafer processing tape 1 is pulled out by the take-up roller 100 from the roll body of the wafer processing tape 1. The pulling path is provided with a peeling wedge 101, and only the peeling film 2 is peeled off with the tip of the peeling wedge 101 as a turning point, and is wound around the winding roller 100.
A suction stage 102 is provided below the tip of the peeling wedge 101, and a ring frame 5 and a wafer W are provided on the top surface of the suction stage 102.
The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 from which the peeling film 2 has been peeled off by the peeling wedge 101 are guided onto the wafer W and bonded to the wafer W by the bonding roller 103.
FIG. 6 shows a state where the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 are attached to the ring frame 5 and the wafer W.
この状態でウエハＷをダイシングし、その後、粘着テープ４に放射線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着テープ４は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層３から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層３が付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層３は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。 In this state, the wafer W is diced, and then the adhesive tape 4 is subjected to a curing process such as radiation irradiation to pick up a semiconductor chip. At this time, since the adhesive strength of the adhesive tape 4 is reduced by the curing process, the adhesive tape 4 is easily peeled off from the adhesive layer 3, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 3 attached to the back surface. The adhesive layer 3 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.
＜作用・効果＞
以上のように、ウエハ加工用テープ１によれば、接着剤層３の外縁は、平面視した際に直線状に形成された直線部３ａを有し、直線部３ａは、長さが５０ｍｍ以上であり、かつ、剥離フィルム２の引き剥がし方向Ｂに直交する直線Ｌ１に対してなす角度が３°未満である。
これにより、直線部３ａに剥離力が集中しても、その剥離力は直線部３ａでその長さにわたって分散される。
よって、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２を剥離する際に、粘着テープ４から接着剤層３が剥離することを抑制することができる。
また、直線部３ａは、接着剤層３における剥離フィルム２の引き剥がし方向Ｂの最も上流側となる位置に存在しているので、剥離フィルム２を引き剥がす際に最も剥離力が作用する部分を直線部３ａにおいて分散させることができる。これにより、剥離フィルム２を剥離する際に剥離フィルム２とともに接着剤層３が粘着テープ４から剥離するのを抑制することができる。
また、接着剤層３は、厚さが２５μｍ以下であり、かつ、６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０6Ｐａ未満であるため、半導体チップの回路表面の凹凸を十分に埋め込むことができ、半導体チップとウエハ加工用テープの間の接着強度の低下を防止することができる。
また、接着剤層３と粘着テープ４の剥離強度は、剥離フィルム２と接着剤層３の剥離強度よりも大きいので、剥離フィルム２を剥離する際に剥離フィルム２とともに接着剤層３が粘着テープ４から剥離するのを抑制することができる。これは、粘着テープ４が放射線の照射により接着剤層３との間の粘着力が低下するような材料で形成されていても同様である。
粘着テープ４と接着剤層３の剥離強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ未満であるため、ダイシング後の半導体チップのピックアップが容易となる。
<Action and effect>
As described above, according to the wafer processing tape 1, the outer edge of the adhesive layer 3 has the straight portion 3a formed in a straight line when viewed in plan, and the straight portion 3a has a length of 50 mm or more. And the angle formed with respect to the straight line L1 perpendicular to the peeling direction B of the release film 2 is less than 3 °.
Thereby, even if peeling force concentrates on the straight part 3a, the peeling force is disperse | distributed over the length in the straight part 3a.
Therefore, when the release film 2 is peeled from the wafer processing tape 1, it is possible to prevent the adhesive layer 3 from being peeled from the pressure-sensitive adhesive tape 4.
Moreover, since the linear part 3a exists in the position which becomes the most upstream side of the peeling direction B of the peeling film 2 in the adhesive bond layer 3, when peeling the peeling film 2, the part where peeling force acts most It can disperse | distribute in the linear part 3a. Thereby, when peeling the release film 2, it can suppress that the adhesive bond layer 3 peels from the adhesive tape 4 with the release film 2. FIG.
Moreover, since the adhesive layer 3 has a thickness of 25 μm or less and a storage elastic modulus before thermosetting at 60 ° C. of less than 2 × 10 6 Pa, it sufficiently embeds irregularities on the circuit surface of the semiconductor chip. It is possible to prevent a decrease in adhesive strength between the semiconductor chip and the wafer processing tape.
Moreover, since the peeling strength of the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 is larger than the peeling strength of the release film 2 and the adhesive layer 3, the adhesive layer 3 is used together with the release film 2 when the release film 2 is peeled off. Peeling from 4 can be suppressed. This is the same even if the pressure-sensitive adhesive tape 4 is formed of a material whose adhesive force with the adhesive layer 3 is reduced by irradiation of radiation.
Since the peel strength between the pressure-sensitive adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 is less than 1.0 N / 25 mm, the semiconductor chip can be easily picked up after dicing.
なお、接着剤層３および粘着テープ４の形状は、図４に限定されず、図７や図８のような形状でもよい。 In addition, the shape of the adhesive bond layer 3 and the adhesive tape 4 is not limited to FIG. 4, A shape like FIG. 7 and FIG. 8 may be sufficient.
次に、本発明に係るウエハ加工用テープを上記実施形態に基づいて具体的に実施した実施例について説明する。また、本発明に係るウエハ加工用テープの優れている点を示すため、比較例として異なる構成の接着剤層を備えるウエハ加工用テープの例を挙げ、評価項目について比較した。 Next, examples in which the wafer processing tape according to the present invention is specifically implemented based on the above embodiment will be described. Moreover, in order to show the superior point of the wafer processing tape according to the present invention, an example of a wafer processing tape having an adhesive layer having a different configuration was given as a comparative example, and evaluation items were compared.
＜サンプルの作製＞
（１）粘着剤Ａ１
イソノニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−３０℃、のアクリル系共重合体化合物を作成した。その後、この共重合体化合物１００重量部に対し、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）９重量部を加えて、粘着剤Ａ１を得た。
<Preparation of sample>
(1) Adhesive A1
An acrylic copolymer compound consisting of isononyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of −30 ° C. was prepared. Thereafter, 9 parts by weight of a polyisocyanate compound coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) was added as a curing agent to 100 parts by weight of the copolymer compound to obtain an adhesive A1.
（２）粘着剤Ａ２
イソオクチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−３０℃、のアクリル系共重合体化合物を作成した。その後、この共重合体化合物１００重量部に対し、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）３重量部を加えて、粘着剤Ａ２を得た。
(2) Adhesive A2
An acrylic copolymer compound composed of isooctyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of -30 ° C. was prepared. Thereafter, 3 parts by weight of a polyisocyanate compound coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) was added as a curing agent to 100 parts by weight of the copolymer compound to obtain an adhesive A2.
（３）粘着剤Ｂ
イソオクチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−３０℃のアクリル系共重合体化合物を作製した。
その後、この共重合体化合物１００重量部に対し、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、トリメチロールプロパントリメタクリレートを２０重量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）7重量部、さらに光重合開始剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）５重量部を加えて、放射線硬化性の粘着剤Ｂを得た。
(3) Adhesive B
An acrylic copolymer compound consisting of isooctyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of -30 ° C was produced.
Thereafter, 20 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate as a compound having a radiation curable carbon-carbon double bond and 100 parts by weight of this copolymer compound, polyisocyanate compound Coronate L (Nippon Polyurethane Co., Ltd.) Product, trade name) 7 parts by weight and further 5 parts by weight of Irgacure 184 (manufactured by Ciba Geigy Japan Ltd., trade name) as a photopolymerization initiator were added to obtain radiation curable pressure-sensitive adhesive B.
（４）基材フィルム
ポリプロピレン樹脂と水素化スチレン−ブタジエン共重合体からなる樹脂組成物を溶融混練して成形し、厚さ１００μｍの基材フィルムを得た。
その後、基材フィルムに対し、粘着剤を塗工し、熱風乾燥炉で乾燥し、乾燥後の厚さが１０μｍの粘着剤層と基材フィルムとの積層体である粘着テープを得た。
(4) Base film A resin composition comprising a polypropylene resin and a hydrogenated styrene-butadiene copolymer was melt-kneaded and molded to obtain a base film having a thickness of 100 μm.
Thereafter, an adhesive was applied to the base film and dried in a hot air drying oven to obtain an adhesive tape that was a laminate of the adhesive layer having a thickness of 10 μm after drying and the base film.
（５）接着剤層Ｃ１
接着剤層（ダイボンドフィルム）は種々あり、どのように製造されたものでも構わないが、ここではアクリル系共重合体（グリシジルアクリレート系共重合体）１００重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１００重量部、キシレンノボラック型フェノール樹脂１０重量部に、エポキシ硬化剤として２−フェニルイミダゾール５重量部とキシレンジアミン０．５重量部を配合して、平均粒径：０．０１２μｍのナノシリカフィラー２０重量部を加え、接着剤Ｃ１を得た。それを剥離フィルムに塗布し、その後１１０℃で２分間乾燥させ、厚さ１０μｍの接着剤層を作製した。その後、接着剤層を図４，７，８に示す所定の形状に切り抜き、連続して並ぶ島状のラベルを残し、該接着剤層の島状以外の部分を剥離フィルム上から除去した。
(5) Adhesive layer C1
There are various types of adhesive layers (die bond films), which may be manufactured in any way. Here, 100 parts by weight of an acrylic copolymer (glycidyl acrylate copolymer), 100 parts by weight of a cresol novolac type epoxy resin are used. , 5 parts by weight of 2-phenylimidazole and 0.5 parts by weight of xylenediamine as an epoxy curing agent were added to 10 parts by weight of xylene novolac type phenol resin, and 20 parts by weight of nanosilica filler having an average particle size of 0.012 μm was added. The adhesive C1 was obtained. It was applied to a release film and then dried at 110 ° C. for 2 minutes to produce an adhesive layer having a thickness of 10 μm. Thereafter, the adhesive layer was cut into a predetermined shape shown in FIGS. 4, 7, and 8, leaving island-like labels that were continuously arranged, and portions other than the island-like portions of the adhesive layer were removed from the release film.
（６）接着剤層Ｃ２
アクリル系共重合体（グリシジルアクリレート系共重合体）１００重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１００重量部、キシレンノボラック型フェノール樹脂１０重量部に、エポキシ硬化剤として２−フェニルイミダゾール５重量部とキシレンジアミン０．５重量部を配合して、平均粒径：０．０１２μｍのナノシリカフィラー６０重量部を加え、接着剤Ｃ２を得た。それを剥離フィルムに塗布し、その後１１０℃で２分間乾燥させ、厚さ１０μｍの接着剤層を作製した。
その後、接着剤層を図４，７，８に示す所定の形状に切り抜き、連続して並ぶ島状のラベルを残し、該接着剤層の島状以外の部分を剥離フィルム上から除去した。
(6) Adhesive layer C2
100 parts by weight of acrylic copolymer (glycidyl acrylate copolymer), 100 parts by weight of cresol novolac type epoxy resin, 10 parts by weight of xylene novolac type phenol resin, 5 parts by weight of 2-phenylimidazole as an epoxy curing agent and xylenediamine 0.5 parts by weight was blended, and 60 parts by weight of nano silica filler having an average particle size of 0.012 μm was added to obtain an adhesive C2. It was applied to a release film and then dried at 110 ° C. for 2 minutes to produce an adhesive layer having a thickness of 10 μm.
Thereafter, the adhesive layer was cut into a predetermined shape shown in FIGS. 4, 7, and 8, leaving island-like labels that were continuously arranged, and portions other than the island-like portions of the adhesive layer were removed from the release film.
＜実施例１＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは０°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Example 1>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 0 °. The width c of the film was 290 mm.
＜実施例２＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ｂを塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは０°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Example 2>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive B are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 0 °. The width c of the film was 290 mm.
＜実施例３＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは２°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Example 3>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the pressure-sensitive adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 2 °. The width c of the film was 290 mm.
＜実施例４＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ｂを塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは２°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Example 4>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive B are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the pressure-sensitive adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 2 °. The width c of the film was 290 mm.
＜実施例５＞
剥離フィルム上に、図７に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図７に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは０°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
図７に示すように、接着剤層Ｃ１からなる接着剤層３１は、正方形の４つの角部を面取りして、その面取り部分を円弧状に湾曲形成した形状である。このような形状とした場合、接着剤層Ｃ１の一辺（円弧状部分を除く）が直線部３１ａとして機能する。
<Example 5>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 7 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 0 °. The width c of the film was 290 mm.
As shown in FIG. 7, the adhesive layer 31 made of the adhesive layer C1 has a shape in which four corners of a square are chamfered and the chamfered portions are curved and formed in an arc shape. In the case of such a shape, one side (excluding the arc-shaped portion) of the adhesive layer C1 functions as the straight portion 31a.
＜実施例６＞
剥離フィルム上に、図８に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図８に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２８０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは０°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは３００ｍｍとした。
図８に示すように、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープ４２は、円形状の４つの円弧を切り落として、その切り落とし部分を直線状にした形状である。ここで、円弧を切り落とす部分は、粘着テープ４２の中心からみて９０°ごとにずらした位置にある。
なお、接着剤層は、図４の接着剤層と同じ形状である。
<Example 6>
On the release film, the adhesive layer C1 cut into the label shape shown in FIG. 8 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out into the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the pressure-sensitive adhesive tape has a diameter φb of 280 mm, the length d of the straight line portion is 50 mm, and the inclination θ of the straight line portion with respect to the straight line L1 is 0 °. The width c of the film was 300 mm.
As shown in FIG. 8, the pressure-sensitive adhesive tape 42 coated with the pressure-sensitive adhesive A1 has a shape in which four circular arcs are cut off and the cut-off portion is linear. Here, the portion where the arc is cut off is at a position shifted from the center of the adhesive tape 42 every 90 °.
The adhesive layer has the same shape as the adhesive layer in FIG.
＜比較例１＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 1>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例２＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ２を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative example 2>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive A2 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例３＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ｂを塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 3>
On the release film, the adhesive layer C1 cut into the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive B are laminated, and the adhesive tape is cut out into the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例４＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ２と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative example 4>
On the release film, the adhesive layer C2 cut into the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out into the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例５＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ２と、粘着剤Ａ２を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 5>
On the release film, the adhesive layer C2 cut out in the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive A2 are laminated, and the adhesive tape is cut out into the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例６＞
剥離フィルム上に、図１１に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ２と、粘着剤Ｂを塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図１１に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍの積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 6>
On the release film, the adhesive layer C2 cut into the label shape shown in FIG. 11 and the adhesive tape coated with the adhesive B are laminated, and the adhesive tape is cut out into the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer had a diameter φa of 220 mm and the pressure-sensitive adhesive tape had a diameter φb of 270 mm. The width c of the release film provided with the laminate was 290 mm.
＜比較例７＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは５０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは３°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 7>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the pressure-sensitive adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 50 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 3 °. The width c of the film was 290 mm.
＜比較例８＞
剥離フィルム上に、図４に示すラベル形状に切り抜かれた接着剤層Ｃ１と、粘着剤Ａ１を塗工した粘着テープとをラミネートし、粘着テープを図４に示すラベル形状に切り抜き、不要な部分を除去した。接着剤層の直径φａは２２０ｍｍ、粘着テープの直径φｂは２７０ｍｍ、直線部の長さｄは４０ｍｍ、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθは０°の積層体であり、この積層体が設けられる剥離フィルムの幅ｃは２９０ｍｍとした。
<Comparative Example 8>
On the release film, the adhesive layer C1 cut out in the label shape shown in FIG. 4 and the adhesive tape coated with the adhesive A1 are laminated, and the adhesive tape is cut out in the label shape shown in FIG. Was removed. The adhesive layer has a diameter φa of 220 mm, the pressure-sensitive adhesive tape has a diameter φb of 270 mm, the length d of the straight portion is 40 mm, and the slope θ of the straight portion with respect to the straight line L1 is 0 °. The width c of the film was 290 mm.
＜評価試験＞
以下に示す方法で実施例および比較例を評価した。
（剥離力測定）
実施例および比較例を７０℃に加熱された直径２００ｍｍのシリコンウエハに２０秒間で貼合し、ＪＩＳ−０２３７に準拠し剥離力を測定した（９０°剥離、剥離速度５０ｍｍ/ｍｉｎ）。実施例２と４及び比較例３と６に関しては、メタルハライドランプを用いて、２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射する作業の前後について、剥離力を測定した。
<Evaluation test>
Examples and comparative examples were evaluated by the following methods.
(Peeling force measurement)
The examples and comparative examples were bonded to a silicon wafer having a diameter of 200 mm heated to 70 ° C. for 20 seconds, and the peeling force was measured according to JIS-0237 (90 ° peeling, peeling speed 50 mm / min). For Examples 2 and 4 and Comparative Examples 3 and 6, the peeling force was measured before and after the operation of irradiating 200 mJ / cm 2 of ultraviolet rays using a metal halide lamp.
（貼合試験）
実施例及び比較例に、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウエハを図５に示す方法により、加熱温度７０℃，貼合速度１２ｍｍ／ｓで貼合した。上記貼合作業を１０回試行し、接着剤層が粘着テープから一部捲れ上がった状態でシリコンウエハに貼合された場合を、貼合不良と見做してカウントした。
(Bonding test)
A silicon wafer having a thickness of 50 μm and a diameter of 200 mm was bonded to the examples and comparative examples at a heating temperature of 70 ° C. and a bonding speed of 12 mm / s by the method shown in FIG. The above bonding operation was tried 10 times, and the case where the adhesive layer was bonded to a silicon wafer in a state where the adhesive layer was partially lifted from the pressure-sensitive adhesive tape was counted as a bonding failure.
（ピックアップ試験）
実施例および比較例を貼合したサンプルを、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製 ＤＦＤ６３４０）を用いて半導体ウエハ及び接着剤層を５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングした。
ダイシングしたサンプルに、実施例２と４及び比較例３と６に関してはメタルハライドランプを用いて、２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。その後、各サンプルに対して、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製 ＣＡＰ−３００II）を用いて、１００チップに対してピックアップを試行し、その内、ピックアップ成功チップ数を数えた。その際、チップが破損した場合はピックアップ失敗とみなした。
(Pickup test)
The sample which bonded the Example and the comparative example was diced into the 5 mm x 5 mm size of the semiconductor wafer and the adhesive bond layer using the dicing apparatus (DFD6340 by Disco).
With respect to Examples 2 and 4 and Comparative Examples 3 and 6, the dicing sample was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 using a metal halide lamp. Thereafter, for each sample, a pickup device (CAP-300II manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) was used to try to pick up 100 chips, and among them, the number of successful pickup chips was counted. At that time, if the chip was damaged, it was regarded as a pickup failure.
（接着力の測定）
ピックアップしたチップを、別途用意した１２ｍｍ×１２ｍｍのシリコンチップ上に、１５０℃−１００ｇｆ−３秒の条件でマウントし、その後１８０℃で１時間過熱して接着剤層を硬化させ、測定サンプルを得た。得られた測定サンプルを、せん断接着力試験機（アークテック製 シリーズ４０００）を用いてせん断接着力を測定した。
(Measurement of adhesive strength)
The picked-up chip is mounted on a separately prepared 12 mm × 12 mm silicon chip under conditions of 150 ° C.-100 gf-3 seconds, and then heated at 180 ° C. for 1 hour to cure the adhesive layer, thereby obtaining a measurement sample. It was. The shear strength of the obtained measurement sample was measured using a shear strength tester (Arctec series 4000).
＜試験結果＞
上記評価試験の結果を図９、図１０に示す。
比較例１では、粘着テープの剥離力が低いため、ピックアップ性はよいものの、マウント時に接着剤層が粘着テープから剥離してマウント不良がすべてのサンプルで生じた。
比較例２では、粘着テープの剥離力が高いため、マウント性はよいものの、ピックアップ不良がすべてのサンプルで生じた。
比較例３では、紫外線硬化型の粘着テープを用い、硬化後に十分に剥離力が低下するようにしたため、ピックアップ性はよいものの、硬化前の剥離力が不十分であるため、マウント不良が発生した。
比較例４〜６では、接着剤層の接着力を低くすることにより、マウント不良は抑えることができたが、実装時のせん断接着力も低くなるため実用に適さない。
比較例７では、直線Ｌ１に対する直線部の傾きθが３°と大きかったため、剥離力を十分に分散できず、マウント不良が発生した。
比較例８では、直線部の長さが４０ｍｍと短く、やはり剥離力を十分に分散できず、マウント不良が発生した。
これに対して、実施例１〜６では、十分なせん断接着力を確保した上で、良好なマウント性、ピックアップ性を得ることができた。
<Test results>
The results of the evaluation test are shown in FIGS.
In Comparative Example 1, although the peelability of the adhesive tape was low, the pick-up property was good, but the adhesive layer was peeled off from the adhesive tape at the time of mounting, and mounting failure occurred in all samples.
In Comparative Example 2, since the peel strength of the adhesive tape was high, mountability was good, but pickup failure occurred in all samples.
In Comparative Example 3, an ultraviolet curable adhesive tape was used, and the peeling force was sufficiently lowered after curing. Therefore, the pick-up property was good, but the peeling force before curing was insufficient, resulting in mounting failure. .
In Comparative Examples 4 to 6, mounting failure could be suppressed by lowering the adhesive strength of the adhesive layer, but the shear adhesive strength at the time of mounting is also low, which is not suitable for practical use.
In Comparative Example 7, since the inclination θ of the straight line portion with respect to the straight line L1 was as large as 3 °, the peeling force could not be sufficiently dispersed, resulting in mounting failure.
In Comparative Example 8, the length of the straight portion was as short as 40 mm, and the peeling force could not be sufficiently dispersed, resulting in a mounting failure.
On the other hand, in Examples 1-6, it was possible to obtain good mountability and pick-up properties while securing a sufficient shear adhesive force.
１ ウエハ加工用テープ
２ 剥離フィルム
３ 接着剤層
３ａ 直線部
４ 粘着テープ
Ａ ウエハ加工用テープの引き出し方向
Ｂ 剥離フィルムの引き剥がし方向
Ｌ１ 剥離フィルムの引き剥がし方向に直交する直線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer processing tape 2 Release film 3 Adhesive layer 3a Straight line part 4 Adhesive tape A Wafer processing tape drawing direction B Release film peeling direction L1 Straight line orthogonal to peeling film peeling direction
Claims (6)
前記剥離フィルムは、長手方向に沿ってロール状に巻きつけられており、
前記接着剤層は平面視で円形であってその外縁を切り欠くように直線状に形成された直線部を有し、
前記直線部は、長さが５０ｍｍ以上であり、かつ、前記剥離フィルムの幅方向に対してなす角度が３°未満であって、
前記直線部は、前記接着剤層における、前記剥離フィルムをロールから引き出す方向とは逆方向となる引き剥がし方向の最も上流側となる位置に存在することを特徴とするウエハ加工用テープ。 A release film, an adhesive layer provided on the release film, and the adhesive layer are covered from above , and an outer edge is in contact with the release film around the adhesive layer outside the adhesive layer. A wafer processing tape having an adhesive tape provided on
The release film is wound in a roll shape along the longitudinal direction,
The adhesive layer is circular in plan view and has a linear portion formed linearly so as to cut out its outer edge ,
The straight portion has a length of 50 mm or more, and an angle formed with respect to the width direction of the release film is less than 3 °,
The wafer processing tape according to claim 1, wherein the linear portion is present at a position on the most upstream side in a peeling direction that is opposite to a direction in which the peeling film is pulled out from the roll in the adhesive layer.
前記放射線照射前の前記接着剤層と前記粘着テープの剥離強度は、前記剥離フィルムと前記接着剤層の剥離強度よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ加工用テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape is formed of a material whose adhesive force with the adhesive layer is reduced by irradiation with radiation,
3. The wafer processing tape according to claim 1 , wherein a peel strength between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive tape before irradiation is greater than a peel strength between the release film and the adhesive layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010156288A JP5534986B2 (en) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | Wafer processing tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010156288A JP5534986B2 (en) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | Wafer processing tape |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012019115A JP2012019115A (en) | 2012-01-26 |
| JP5534986B2 true JP5534986B2 (en) | 2014-07-02 |
Family
ID=45604131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010156288A Active JP5534986B2 (en) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | Wafer processing tape |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5534986B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014017357A (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nitto Denko Corp | Adhesive tape, pasting method of adhesive tape and pasting device of adhesive tape |
| US20220216114A1 (en) * | 2019-05-10 | 2022-07-07 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Method for evaluating pickup performance, integrated dicing/die-bonding film, method for evaluating and selecting integrated dicing/die-bonding film, and method for manufacturing semiconductor device |
| SG11202112361PA (en) * | 2019-05-10 | 2021-12-30 | Showa Denko Materials Co Ltd | Method for evaluating pickability, film for combined dicing and die bonding, method for evaluating and method for classifying film for combined dicing and die bonding, and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005162818A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | Dicing die bond sheet |
| JP2005255909A (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet, manufacturing method of semiconductor device using the same, and semiconductor device |
| JP4443962B2 (en) * | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | Dicing die bond film |
| JP4816871B2 (en) * | 2004-04-20 | 2011-11-16 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP4876451B2 (en) * | 2005-06-27 | 2012-02-15 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive sheet |
| JP4801127B2 (en) * | 2008-09-01 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | Manufacturing method of dicing die-bonding film |
-
2010
- 2010-07-09 JP JP2010156288A patent/JP5534986B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012019115A (en) | 2012-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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|
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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