KR101820964B1 - Wafer processing tape - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 219
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 144
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 45
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 58
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 42
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 9
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 9
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)C=C DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- XBTRYWRVOBZSGM-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)methanediamine Chemical compound CC1=CC=C(C(N)N)C=C1 XBTRYWRVOBZSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)(C)C BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNDOBZLRZOCGAS-JTQLQIEISA-N 2-isocyanatoethyl (2s)-2,6-diisocyanatohexanoate Chemical compound O=C=NCCCC[C@H](N=C=O)C(=O)OCCN=C=O GNDOBZLRZOCGAS-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dichlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUXGDKOCSSIRKK-UHFFFAOYSA-N 7-methyloctyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C=C CUXGDKOCSSIRKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N [cyclohexyl(diisocyanato)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C(N=C=O)(N=C=O)C1CCCCC1 KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N bis[4-(ethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(NCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(NCC)C=C1 QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXTBYXIZCDULQI-UHFFFAOYSA-N bis[4-(methylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(NC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(NC)C=C1 HXTBYXIZCDULQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical class C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Natural products C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical class CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N methyl (2s)-2,6-diisocyanatohexanoate Chemical compound COC(=O)[C@@H](N=C=O)CCCCN=C=O AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N octyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C=C ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- IOUVKUPGCMBWBT-QNDFHXLGSA-N phlorizin Chemical class O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 IOUVKUPGCMBWBT-QNDFHXLGSA-N 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
본 발명의 과제는, 웨이퍼 가공용 테이프로부터 박리 필름을 박리할 때에 점착 테이프로부터 접착제층이 박리되는 것을 억제하는 것이다.
웨이퍼 가공용 테이프에서는, 박리 필름(2)은 길이 방향을 따라 롤 형상으로 권취되고, 접착제층(3)은, 평면에서 보았을 때에, 주요부(3a)와, 주요부(3a)에 접속한 하나 이상의 돌출부(3b)를 갖고, 돌출부(3b) 중 하나 이상의 돌출 길이(d)가 4㎜ 이상이며, 돌출부(3b)의 선단 각도(θ)가 80° 이상 120° 미만이고, 돌출부(3b)의 선단의 곡률 반경(r)이 4㎜ 미만이고, 돌출부(3b)의 선단과 점착 테이프(4)의 외측 테두리 사이의 거리(l)가 5㎜ 이상이며, 돌출부(3b)가 접착제층(3)에 있어서 박리 필름(2)의 박리 방향의 상류측에 형성되어 있다.An object of the present invention is to inhibit peeling of an adhesive layer from an adhesive tape when peeling off a release film from a wafer for processing a wafer.
In the tape for wafer processing, the release film 2 is wound in a roll shape along the longitudinal direction, and the adhesive layer 3 has a main portion 3a and at least one projecting portion connected to the main portion 3a Wherein a protruding length d of at least one of the protruding portions 3b is 4 mm or more and a tip angle of the protruding portion 3b is 80 or more and less than 120 占 and a curvature The radius r is less than 4 mm and the distance 1 between the tip of the projecting portion 3b and the outer edge of the adhesive tape 4 is 5 mm or more and the projecting portion 3b is peeled off in the adhesive layer 3 On the upstream side in the peeling direction of the film (2).
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼용 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing tape for semiconductor wafers.
반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단할 때에, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 칩을 기판 등에 접착하기 위한 다이 본딩 필름의 양쪽의 기능을 겸비하는 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되고 있다. 웨이퍼 가공용 테이프는, 박리 필름과, 다이싱 테이프로서 기능하는 점착 테이프와, 다이 본딩 필름으로서 기능하는 접착제층을 구비하고 있다.BACKGROUND ART [0002] Wafer processing tapes having both functions of a dicing tape for fixing a semiconductor wafer and a die bonding film for adhering a cut chip to a substrate or the like are developed at the time of cutting a semiconductor wafer into individual chips. The wafer processing tape has a release film, an adhesive tape serving as a dicing tape, and an adhesive layer functioning as a die bonding film.
최근, 휴대 기기에 적합한 메모리 등의 전자 디바이스는, 더한층 박형화와 고용량화가 요구되고 있다. 그로 인해, 두께 50㎛ 이하의 반도체 칩을 다단 적층하는 실장 기술에 대한 요청은 해마다 높아지고 있다. 이와 같은 요청에 부응하기 위하여, 박막화를 도모할 수 있고, 반도체 칩의 회로 표면의 요철을 매립할 수 있는 유연성을 갖는 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되고 개시되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1, 2 참조).In recent years, electronic devices such as memories suitable for portable devices have been required to be further reduced in thickness and capacity. As a result, the demand for a mounting technique for stacking semiconductor chips having a thickness of 50 탆 or less in layers is increasing every year. In order to meet such a request, a wafer processing tape having an adhesive layer capable of being thinned and having flexibility capable of embedding irregularities on the circuit surface of a semiconductor chip has been developed and disclosed (see, for example, 1 and 2).
회로 표면의 요철을 매립할 수 없으면, 반도체 칩과 접착제층 사이에 공극이 발생하여, 접착 강도가 현저하게 저하되어 버린다. 일반적으로, 두께 50㎛ 이하의 반도체 칩을 다단 적층하는 공정에 요구되는 접착제층의 두께는 25㎛ 이하이고, 그와 같은 접착제층은 60℃에서의 열경화 전의 저장 탄성률이 2×106Pa 미만인 것이, 반도체 칩의 회로 표면의 요철을 충분히 매립하는 관점에서 바람직하다.If the irregularities on the circuit surface can not be embedded, voids are generated between the semiconductor chip and the adhesive layer, and the adhesive strength is remarkably lowered. Generally, the thickness of the adhesive layer required for the step of laminating semiconductor chips of 50 占 퐉 or less in thickness is 25 占 퐉 or less, and such adhesive layer has a storage elastic modulus before thermal curing at 60 占 폚 of less than 2 占06 Pa Is preferable from the viewpoint of sufficiently filling the unevenness of the circuit surface of the semiconductor chip.
반도체 칩용 접착제층을 점착 테이프에 적층한 웨이퍼 가공용 테이프, 소위 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 반도체 웨이퍼를 칩으로 분단하는 공정과, 분단 후의 반도체 칩을 기판 등에 접착하는 공정의 양쪽에 이용할 수 있어, 반도체 실장 공정의 작업성 개선에 매우 유용하다. 특히, 접착제층이 반도체 웨이퍼에 대응하여 원형의 라벨 형상으로 프리컷되고, 점착 테이프가, 반도체 웨이퍼 가공시의 취급성을 좋게 하기 위하여 점착 테이프에 설치되는 링 프레임에 대응하여 접착제층보다 큰 원형의 라벨 형상으로 프리컷된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 작업성이 현저히 우수하다. 이와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는, 도 9에 도시한 바와 같이, 긴 박리 필름(201) 상에 소정 간격으로 복수의 접착제층(202)이 형성되고, 각 접착제층(202)을 동심원 형상으로 덮음과 함께 외측 테두리부가 박리 필름(201)에 접하도록 점착 테이프(203)가 적층되어 구성되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 3, 4 참조).A wafer processing tape in which an adhesive layer for a semiconductor chip is laminated on an adhesive tape, a so-called dicing and die bonding sheet, can be used for both a step of dividing a semiconductor wafer into chips and a step of bonding the semiconductor chip after the dividing step to a substrate, This is very useful for improving the workability of the mounting process. Particularly, the adhesive layer is pre-cut in the form of a circular label corresponding to the semiconductor wafer, and the adhesive tape has a circular shape larger than the adhesive layer corresponding to the ring frame provided on the adhesive tape, The dicing / die bonding sheet pre-cut in the form of a label has remarkably excellent workability. 9, a plurality of
최근, 박막화에 의해 부서지기 쉽게 된 반도체 칩을 파손시키지 않고 접착제층째 픽업하기 위해서는, 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 점착 테이프에는 보다 낮은 점착력이 요구되고 있다.In recent years, in order to pick up an adhesive layer without damaging a semiconductor chip which is easily broken by thinning, a lower adhesive force is required for the adhesive tape of the dicing / die bonding sheet.
그러나, 점착력이 낮은 점착 테이프에, 얇고 유연성이 높은 접착제층을 적층하여 다이싱ㆍ다이 본딩 시트(웨이퍼 가공용 테이프)를 형성한 경우, 그와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를, 박리 필름으로부터 벗겨 반도체 웨이퍼에 마운트할 때에 접착제층이 박리 필름에 끌려가 점착 테이프로부터 말려 올라가, 반도체 웨이퍼에 접합할 수 없다는 접합 불량이 발생하는 경우가 있다.However, in the case of forming a dicing / die bonding sheet (wafer processing tape) by laminating a thin and highly flexible adhesive layer on a low adhesive force adhesive tape, such a dicing / die bonding sheet is peeled off from the release film, The adhesive layer is pulled by the peeling film and dried up from the adhesive tape when mounting on the wafer, so that a bonding failure may occur that the semiconductor wafer can not be bonded to the semiconductor wafer.
이 접합 불량은 점착 테이프와 접착제층의 적층체를 반도체 웨이퍼에 마운트할 때의, 접합 개시점에 가장 가까운 접착제층의 외주부, 즉 일반적으로는 라벨의 원주부에 있어서, 처음에 반도체 웨이퍼에 접근하는 일단부로부터 발생하는 경우가 많다(도 10 참조).This bonding failure is caused by the fact that, when the laminate of the adhesive tape and the adhesive layer is mounted on the semiconductor wafer, the peripheral portion of the adhesive layer closest to the starting point of bonding, that is, (See Fig. 10).
이러한 접합 불량의 원인은, 접착제층의 펀칭 가공시에, 박리 필름 형상으로 도포 시공한 접착제층을, 칼날이 박리 필름을 가압하여 절단하므로, 접착제층이 외측 테두리부에서 박리 필름에 유착하고 있어, 마운트시에 접착 필름의 선단이 유착 부분에서 박리 필름에 끌려감으로써, 점착 테이프와의 박리의 단초가 발생하기 때문이다. 나아가, 이 점착 테이프의 점착력을 낮게 하였기 때문에, 박리 필름-접착제층 사이의 박리력과, 접착제층-점착 테이프 사이의 박리력의 차가 작은 것과, 접착제층이 얇고 유연하므로 박리 필름에 추종하기 쉬워진 것으로, 일단 접착제층과 점착 테이프 사이에 박리의 단초가 발생하면, 그것이 용이하게 확대되어 버리는 것을 들 수 있다.This bonding failure is caused by the fact that the adhesive layer is applied to the adhesive layer at the time of punching the adhesive layer and the blade is pressed to cut the release film so that the adhesive layer is adhered to the release film at the outer edge portion, This is because the tip of the adhesive film is attracted to the peeling film at the time of mounting so that peeling of the peeling with the adhesive tape occurs. Further, since the adhesive force of the adhesive tape is lowered, the difference between the peeling force between the peeling film-adhesive layer and the peeling force between the adhesive layer and the adhesive tape is small, and since the adhesive layer is thin and flexible, And once the peeling of the peeling occurs between the adhesive layer and the adhesive tape, it is easily enlarged.
따라서, 본 발명의 주 목적은, 웨이퍼 가공용 테이프로부터 박리 필름을 박리할 때에 점착 테이프로부터 접착제층이 박리되는 것을 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것에 있다.Accordingly, it is a main object of the present invention to provide a wafer processing tape capable of suppressing peeling of an adhesive layer from an adhesive tape when peeling a release film from a wafer processing tape.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따르면, In order to solve the above problems, according to the present invention,
박리 필름과, A peeling film,
상기 박리 필름 상에 설치된 접착제층과, An adhesive layer provided on the release film,
상기 접착제층을 상방으로부터 덮고 상기 접착제층의 외측에서 외측 테두리가 상기 박리 필름에 접하도록 설치된 점착 테이프를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며, And an adhesive tape covering the adhesive layer from above and provided on the outer side of the adhesive layer so that an outer edge thereof comes into contact with the release film,
상기 박리 필름은 길이 방향을 따라 롤 형상으로 권취되어 있고, The peeling film is wound in a roll shape along the longitudinal direction,
상기 접착제층은, 평면에서 보았을 때에, 주요부와, 상기 주요부에 접속한 하나 이상의 돌출부를 갖고, Wherein the adhesive layer has a main portion and at least one protrusion connected to the main portion when viewed in plan,
상기 돌출부 중 하나 이상의 돌출 길이가 4㎜ 이상이며, Wherein at least one protruding length of the protrusions is 4 mm or more,
상기 돌출부의 선단 각도가 80° 이상 120° 미만이고, Wherein a tip angle of the projection is not less than 80 degrees and less than 120 degrees,
상기 돌출부의 선단의 곡률 반경이 4㎜ 미만이고, Wherein a radius of curvature of the tip of the protrusion is less than 4 mm,
상기 돌출부의 선단과 상기 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리가 5㎜ 이상이며, The distance between the tip of the projecting portion and the outer edge of the adhesive tape is 5 mm or more,
상기 돌출부가 상기 접착제층에 있어서 상기 박리 필름의 박리 방향의 상류측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.And the projecting portion is formed on the adhesive layer on the upstream side in the peeling direction of the peeling film.
본 발명에 관한 웨이퍼 가공용 테이프에 따르면, 접착제층은, 평면에서 보았을 때에, 주요부와, 상기 주요부에 접속한 돌출부를 갖고, 상기 돌출부의 면적이 상기 주요부의 면적보다 작고, 상기 돌출부의 돌출 길이가 4㎜ 이상이며, 상기 돌출부의 선단 각도가 80° 이상 120° 미만이고, 상기 돌출부의 선단의 곡률 반경이 4㎜ 미만이다. 이에 의해, 박리 필름과 접착제층이 유착하고 있었다고 해도, 접착제층과 점착 테이프 사이의 박리의 단초가 될 수 있는 선단부가 최소화되어 있으므로, 박리의 기점이 발생하기 어렵고, 웨이퍼 가공용 테이프로부터 박리 필름을 박리할 때에, 점착 테이프로부터 접착제층이 박리되는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 접착제층의 돌출부의 최선단과 박리 필름 사이가 분리되면, 이후에는 그것에 추종하여 나머지 접착제층도 박리 필름과 분리되므로, 돌출부의 최선단 이외의 장소에서도, 점착 테이프와의 사이에서 박리가 발생하는 일은 없다.According to the wafer processing tape of the present invention, the adhesive layer has a main portion and a protruded portion connected to the main portion when viewed in plan, the area of the protruded portion is smaller than the area of the main portion, and the protruded length of the protruded portion is 4 Mm, a tip angle of the protrusion is at least 80 degrees and less than 120 degrees, and a radius of curvature at the tip of the protrusion is less than 4 mm. As a result, even if the peeling film and the adhesive layer are adhered to each other, the leading edge of the peeling between the adhesive layer and the adhesive tape is minimized, so that the starting point of peeling is unlikely to occur and the peeling film is peeled off from the wafer for processing tape It is possible to prevent the adhesive layer from peeling off from the adhesive tape. Then, when the leading end of the protruding portion of the adhesive layer and the peeling film are separated, the remaining adhesive layer is also separated from the peeling film, so that peeling occurs with the peeling film even at a position other than the outermost end of the protruding portion There is no work.
도 1은 웨이퍼 가공용 테이프의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 접착제층 및 점착 테이프의 개략적인 형상을 도시하는 평면도.
도 3은 박리 필름, 접착제층 및 점착 테이프의 개략적인 적층 구조를 도시하는 종단면도.
도 4는 웨이퍼 가공용 테이프를 웨이퍼 및 링 프레임에 접합한 개략적인 상태를 도시하는 종단면도.
도 5는 웨이퍼 가공용 테이프를 웨이퍼 및 링 프레임에 접합하는 장치ㆍ방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 2의 변형예 (1)을 도시하는 평면도.
도 7은 도 2의 변형예 (2)를 도시하는 평면도.
도 8은 도 2의 변형예 (3)을 도시하는 평면도.
도 9는 종래 기술 및 비교예 1 내지 6의 접착제층의 형상을 나타내는 접착제층으로부터 본 평면도.
도 10은 종래 기술에 있어서, 점착 테이프로부터의 접착제층의 벗겨짐을 나타내는 사진.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a schematic configuration of a wafer processing tape. Fig.
2 is a plan view showing a schematic shape of an adhesive layer and an adhesive tape;
3 is a longitudinal sectional view showing a schematic laminated structure of a release film, an adhesive layer and an adhesive tape.
4 is a longitudinal sectional view showing a schematic state in which a wafer processing tape is bonded to a wafer and a ring frame;
5 is a schematic view for explaining an apparatus and a method for bonding a wafer processing tape to a wafer and a ring frame;
6 is a plan view showing a modification (1) of Fig. 2;
7 is a plan view showing a modification (2) of Fig. 2;
8 is a plan view showing a modification (3) of Fig. 2;
9 is a plan view of an adhesive layer showing the shape of the adhesive layer of the prior art and Comparative Examples 1 to 6;
10 is a photograph showing peeling of the adhesive layer from the adhesive tape in the prior art.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 웨이퍼 가공용 테이프의 개요를 도시하는 도면이다.1 is a diagram showing an outline of a wafer processing tape.
도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)는 코어재가 되는 코어(10)에 롤 형상으로 감겨 있다. 웨이퍼 가공용 테이프(1)는, 박리 필름(2)과, 접착제층(3)과, 점착 테이프(4)를 갖고 있다.As shown in Fig. 1, the
또한, 접착제층(3)과 점착 테이프(4)가 적층되어 다이싱 다이 본드 테이프가 구성된다.Further, the
[박리 필름(2)] [Release film (2)]
박리 필름(2)은, 직사각형의 띠 형상으로 형성되고, 일방향이 충분히 길어지도록 형성되어 있다. 박리 필름(2)은 제조시 및 사용시에 캐리어 필름으로서의 역할을 하는 것이다.The
박리 필름(2)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 외, 이형 처리가 된 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다. 박리 필름(2)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 적절하게 설정하면 되지만, 바람직하게는 25 내지 50㎛이다.As the
[접착제층(3)] [Adhesive Layer (3)]
접착제층(3)은 박리 필름(2)의 표면(2a)(도 1의 지면의 표면측) 상에 형성되어 있다. 「박리 필름(2)의 표면(2a)」이라 함은, 접착제층(3)이나 점착 테이프(4)가 형성되는 면을 말하고, 도 1에 도시되어 있는 면이다.The
접착제층(3)은, 반도체 웨이퍼(W)(도 4 참조) 등이 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에, 칩의 이면에 부착되어 그 칩이 기판이나 리드 프레임에 고정될 때의 접착제로서 사용된다.The
접착제층(3)은 그의 두께가 25㎛ 이하로 되도록 형성되어 있다.The
접착제층(3)은, 60℃에서의 열경화 전의 저장 탄성률이 2×106Pa 미만이 되는 재료로 형성되어 있다. 「저장 탄성률」이라 함은, 탄성, 점성을 겸비하는 고분자의 역학적 특성을 분석하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 탄성에 상당하는 것이다.The
접착제층(3)으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 다이싱 다이 본드 테이프에 일반적으로 사용되는 필름 형상 접착제이면 되고, 바람직하게는 아크릴계 점접착제, 에폭시 수지/페놀 수지/아크릴 수지의 블렌드계 점접착제 등이다. 접착제층(3)의 두께는 적절하게 설정하면 되지만, 바람직하게는 5 내지 25㎛ 정도이다.The
접착제층(3)은, 박리 필름(2) 상에 접착제의 바니시를 도포 시공하여 건조시켜 필름화한 것을, 기재 필름 상에 형성된 점착제층에 라미네이트하여 형성하면 된다. 라미네이트시의 온도는 10 내지 100℃의 범위이고, 0.1 내지 100kgf/㎝의 선압을 가하는 것이 바람직하다.The
접착제층(3)은 웨이퍼(W)에 따른 형상으로 절단된(프리컷된) 형상을 갖는다. 절단은 소정의 형상의 칼날로 접착제층(3)을 박리 필름(2)에 가압함으로써 행하는 것이 좋다. 그 때, 접착 필름을 완전히 절단하기 위하여, 박리 필름(2)도 적어도 1㎛ 혹은 그 이상 절입할 필요가 있고, 박리 필름(2)에는 접착제층(3)의 외측 테두리를 따르는 적어도 1㎛ 이상의 절입이 형성되어 있다. 절단 후, 접착제층(3)의 불필요 부분은 제거된다.The
이 경우, 다이싱 다이 본드 테이프의 사용시에 있어서, 웨이퍼(W)가 접합되는 부분에는 접착제층(3)이 있고, 다이싱용 링 프레임(5)이 접합되는 부분에는 접착제층(3)이 없고 점착 테이프(4)만이 있어, 링 프레임(5)은 점착 테이프(4)에 접합되어 사용된다. 일반적으로, 접착제층(3)은 피착체와 박리하기 어렵기 때문에, 링 프레임(5) 등에 풀 남음을 발생시키기 쉽다. 프리컷된 접착제층(3)을 사용함으로써, 링 프레임(5)은 점착 테이프(4)에 접합할 수 있고, 사용 후의 테이프 박리시에 링 프레임(5)에의 풀 남음을 발생시키기 어렵다는 효과가 얻어진다.In this case, at the time of using the dicing die-bonding tape, the
도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 웨이퍼(W)(도 4 참조)의 형상에 대응하는 원 형상의 주요부(3a)를 갖고 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 상방으로부터 점착 테이프(4)에 의해 덮여 있다. 즉, 접착제층(3)은 박리 필름(2)과 점착 테이프(4)에 끼인 상태로 되어 있다.As shown in Figs. 1 and 2, the
접착제층(3)은 원형의 주요부(3a)를 갖고 있고, 주요부(3a)에는 돌출부(3b)가 일체로 형성되어 있다. 돌출부(3b)의 면적은 주요부(3a)의 면적보다 작다. 돌출부(3b)는 접착제층(3)의 주요부(3a)를 제외한 부분이다. 또한, 주요부(3a)의 형상은 원형에 한정되는 것은 아니며, 다각형 등도 포함된다.The
돌출부(3b)는, 접착제층(3)에 있어서의 박리 필름(2)의 인출 방향(A)(도 1 참조)의 상류측이며, 박리 필름(2)의 박리 방향(B)(도 1 참조)의 상류측에 배치ㆍ형성되어 있다. 돌출부(3b)는 박리 필름(2)의 인출 방향(A)의 하류측으로부터 상류측에 걸쳐서 서서히 폭이 좁아지고 있다.The protruding
또한, 박리 필름(2)의 인출 방향(A), 박리 방향(B)은, 박리 필름(2)의 길이 방향과 일치하고 있다(평행함).The pulling direction A and the peeling direction B of the
또한, 박리 필름(2)을 코어(10)로부터 인출하는 인출 방향(A)과 박리 필름(2)의 박리 방향(B)은 역방향의 관계에 있지만, 박리 필름(2)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 인출 방향(A)으로 인출된 후, 소정 위치에서 되접혀 박리 방향(B)으로 인장되고, 점착 시트(4) 및 접착제층(3)으로부터 박리된다. 그로 인해, 접착제층(3)의 돌출부(3b)는, 박리 필름(2)의 인출 방향(A)에 있어서 상류측에 위치하고, 박리 필름(2)의 박리 방향(B)의 상류측에 위치하게 된다. 박리 필름(2)의 인출 방향(A) 또는 박리 방향(B)의 상류측은, 접착제층(3)의 각 부위 중, 먼저 박리 필름(2)으로부터 벗겨지는 측이다.The pull-out direction A for pulling the
도 2에 도시한 바와 같이, 박리 필름(2)의 길이 방향에 있어서의 돌출부(3b)는, 돌출 길이(d)가 4㎜ 이상이 되도록 형성되어 있다.As shown in Fig. 2, the protruding
돌출부(3b)의 선단부(3c)는 원호 형상을 나타내고 있다.The
돌출부(3b)의 선단부(3c)의 선단 각도(θ)는 80° 이상 120° 미만의 범위에 들어가 있고, 선단부(3c)의 곡률 반경(r)은 4㎜ 미만으로 되어 있다.The
돌출부(3b)의 선단부(3c)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리 사이에는 5㎜ 이상의 간격(거리(l))이 확보되어 있고, 접착제층(3)이 다이싱용 링 프레임(5)에 접촉하여(도 4 참조) 링 프레임(5)을 오염시켜 버리는 일이 없도록 형성되어 있다.An interval of 5 mm or more is secured between the
[점착 테이프(4)] [Adhesive tape (4)]
점착 테이프(4)는 접착제층(3) 상에 설치되어 있다.The adhesive tape (4) is provided on the adhesive layer (3).
도 1, 도 3에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)는, 접착제층(3)을 덮음과 함께, 접착제층(3)의 주위 전역에서 박리 필름(2)에 접촉하고, 다이싱용 링 프레임(5)의 형상에 대응하는 라벨부(4a)와, 라벨부(4a)의 외주를 둘러싸도록 형성된 주변부(4b)를 갖는다. 이와 같은 점착 테이프(4)는, 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 라벨부(4a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.As shown in Figs. 1 and 3, the
점착 테이프(4)로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼(W)를 다이싱할 때에는 웨이퍼(W)가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(3)으로부터 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다.The
점착 테이프(4)와 접착제층(3)의 박리 강도는, 박리 필름(2)과 접착제층(3)의 박리 강도보다 커지도록 점착제가 선정된다. 또한, 점착 테이프(4)와 접착제층(3)의 박리 강도는 1.0N/25㎜ 미만이다.The peeling strength between the
점착 테이프(4)는 기재 필름 상에 점착제를 도포 시공하여 제조된다.The
기재 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 이들을 복층으로 한 것을 사용해도 된다.Examples of the base film include polyethylene, polypropylene, an ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as ethylene-acrylic acid copolymers and ionomers or mixtures thereof, thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene-based copolymer, polyamide- Can be enumerated. It is also possible to use a multilayer of these layers.
또한, 소자 간극을 크게 하기 위해서는, 네킹(기재 필름을 방사상으로 연신하였을 때에 일어나는 힘의 전파성 불량에 의한 부분적인 신장의 발생)이 최대한 적은 것이 바람직하고, 폴리우레탄, 분자량 및 스티렌 함유량을 한정한 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체 등을 예시할 수 있고, 다이싱시의 신장 혹은 휨을 방지하기 위해서는 가교한 기재 필름을 사용하면 효과적이다.In order to increase device clearance, it is preferable that the necking (partial elongation due to defective propagation of force generated when the base film is stretched in the radial direction) is minimized, and polyurethane, styrene -Ethylene-butene, and pentene-based copolymer. In order to prevent elongation or warpage during dicing, it is effective to use a crosslinked base film.
기재 필름은, 점착제층으로서 방사선 경화성의 점착제를 사용하는 경우에는, 그 점착제가 경화되는 파장에서의 방사선 투과성이 좋은 것을 선택하는 것이 필요하게 된다.When a radiation-curing pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to select a base film having good radiation transmittance at a wavelength at which the pressure-sensitive adhesive is cured.
또한, 기재 필름의 표면에는, 점착제와의 접착성을 향상시키기 위하여 코로나 처리, 혹은 프라이머층을 형성하는 등의 처리를 적절히 실시해도 된다. 기재 필름의 두께는, 강신도 특성, 방사선 투과성의 관점에서 통상 30 내지 300㎛가 적당하다.Further, on the surface of the substrate film, a treatment such as corona treatment or formation of a primer layer may be appropriately performed to improve adhesion with the pressure-sensitive adhesive. The thickness of the base film is usually 30 to 300 mu m in view of the strength and radiation transmittance.
다이싱 후의 픽업성을 향상시키기 위하여, 점착제는 방사선 경화성인 것이 바람직하다. 점착 테이프(4)의 점착제는, 방사선의 조사에 의해 접착제층(3)과의 사이의 점착력이 저하되는 재료로 구성된다. 방사선의 조사 전의 접착제층(3)과 점착 테이프(4)의 박리 강도는, 박리 필름(2)과 접착제층(3)의 박리 강도보다 크고, 방사선의 조사에 의해 점착력이 저하되기 전의 점착 테이프(4)와 접착제층(3)의 박리 강도가 1.0N/25㎜ 미만이다.In order to improve pick-up properties after dicing, the pressure-sensitive adhesive is preferably radiation-curable. The pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape (4) is composed of a material whose adhesive strength to the adhesive layer (3) is lowered by irradiation of radiation. The peeling strength between the
예를 들어, 점착제에 있어서는, 분자 중에 요오드가가 0.5 내지 20인 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 (A)와, 폴리이소시아네이트류, 멜라민ㆍ포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지로부터 선택된 1종 이상의 화합물 (B)를 부가 반응시켜 이루어지는 중합체를 함유하고 있는 것이 바람직하다.For example, in the case of a pressure-sensitive adhesive, a compound (A) having a radiation-curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in a molecule and at least one selected from a polyisocyanate, a melamine formaldehyde resin, and an epoxy resin It is preferable to contain a polymer obtained by subjecting the compound (B) to an addition reaction.
[점착제(화합물 (A))] [Pressure sensitive adhesive (Compound (A)]]
점착제에 함유되는 중합체의 주성분의 하나인 화합물 (A)에 대하여 설명한다.The compound (A) which is one of the main components of the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive will be described.
화합물 (A)의 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 바람직한 도입량은 요오드가로 0.5 내지 20, 보다 바람직하게는 0.8 내지 10이다. 요오드가가 0.5 이상이면, 방사선 조사 후의 점착력의 저감 효과를 얻을 수 있고, 요오드가가 20 이하이면, 방사선 조사 후의 점착제의 유동성이 충분하여, 연신 후의 소자 간극을 충분히 얻을 수 있으므로, 픽업시에 각 소자의 화상 인식이 곤란해지는 문제를 억제할 수 있다. 또한, 화합물 (A) 그 자체로 안정성이 있어, 제조가 용이해진다.The preferable amount of the radiation-curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10, in terms of iodine value. When the iodine value is not less than 0.5, an effect of reducing the adhesive force after irradiation is obtained. When the iodine value is not more than 20, the flowability of the pressure-sensitive adhesive after irradiation is sufficient and sufficient device gap after stretching can be sufficiently obtained. It is possible to suppress the problem that the image recognition of the element becomes difficult. Further, the compound (A) itself has stability and is easy to manufacture.
상기 화합물 (A)는, 유리 전이점이 -70℃ 내지 0℃인 것이 바람직하고, -66℃ 내지 -28℃인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이점(이하 「Tg」라고 함)이 -70℃ 이상이면, 방사선 조사에 수반하는 열에 대한 내열성이 충분하고, 0℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼(W)에 있어서 다이싱 후의 소자의 비산 방지 효과를 충분히 얻을 수 있다.The compound (A) preferably has a glass transition point of -70 째 C to 0 째 C, more preferably -66 째 C to -28 째 C. When the glass transition point (hereinafter referred to as " Tg ") is -70 DEG C or more, heat resistance to heat accompanying irradiation is sufficient, and if it is 0 DEG C or less, It is possible to sufficiently obtain a scattering prevention effect.
상기 화합물 (A)는 어떻게 제조된 것이라도 좋지만, 예를 들어, 아크릴계 공중합체 또는 메타크릴계 공중합체 등의 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 관능기를 갖는 화합물 (1)과, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 화합물 (2)를 반응시켜 얻은 것이 사용된다.The compound (A) may be prepared as described above. For example, the compound (1) having a radiation-curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer and having a functional group, And a compound (2) having a functional group capable of reacting with the compound (2).
이 중, 상기한 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물 (1)은, 아크릴산알킬에스테르나 메타크릴산알킬에스테르 등의 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체 ((1)-1)과, 관능기를 갖는 단량체 ((1)-2)를 공중합하여 얻을 수 있다.Among them, the compound (1) having a radiation-curable carbon-carbon double bond and a functional group is a monomer having a radiation-curable carbon-carbon double bond ((1) -1) such as an alkyl acrylate or an alkyl methacrylate, And a monomer having a functional group ((1) -2).
단량체 ((1)-1)로서는, 탄소수 6 내지 12의 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 또는 탄소수 5 이하의 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트 또는 이들과 마찬가지의 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.Examples of the monomer ((1) -1) include hexyl acrylate having 6 to 12 carbon atoms, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, N-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or similar methacrylates as the monomers of the above-mentioned monomers.
단량체 ((1)-1)로서, 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이점은 낮아지므로, 원하는 유리 전이점의 것을 제작할 수 있다. 또한, 유리 전이점 외에, 상용성과 각종 성능을 향상시킬 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 단량체 ((1)-1)의 총중량의 5중량％ 이하의 범위 내에서 가능하다.As the monomer ((1) -1), the glass transition point becomes lower as the monomer having a larger carbon number is used, so that a desired glass transition point can be produced. In addition to the glass transition point, blending of a low molecular weight compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile or the like for the purpose of improving compatibility and various performances is also advantageous in that the total weight of the monomer ((1) 5% by weight or less.
단량체 ((1)-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체 ((1)-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화된 것 등을 열거할 수 있다.Examples of the functional group of the monomer ((1) -2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group and an isocyanate group. Specific examples of the monomer (1) -2 include acrylic acid, methacrylic acid 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylol acrylamide, N-methylol acrylamide, Acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, maleic anhydride, maleic anhydride, maleic anhydride, A part of isocyanate groups of phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and polyisocyanate compound is reacted with a hydroxyl or carboxyl group and a radiation curable Small - a monomer having a carbon-carbon double bond can be exemplified such that the urethanization.
화합물 (2)에 있어서 사용되는 관능기로서는, ((1)-2)가 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 단량체 ((1)-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다.Examples of the functional group used in the compound (2) include a hydroxyl group, an epoxy group and an isocyanate group when the functional group possessed by ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, An amino group, an epoxy group, an isocyanate group and the like. In the case of an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group and an amino group can be exemplified. Specific examples thereof include monomers ( 1) -2) described above can be enumerated.
화합물 (1)과 화합물 (2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 본 발명에서 규정하는 것을 제조할 수 있다.In the reaction between the compound (1) and the compound (2), by leaving the unreacted functional groups, those specified in the present invention can be produced with respect to properties such as acid value or hydroxyl group.
상기한 화합물 (A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 중합체의 양용매에서, 비점 60 내지 120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 화합물 (A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것이 아니라, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이라도 상관없다.In the synthesis of the above-mentioned compound (A), ketones, esters, alcohols and aromatics may be used as the organic solvent in the case of carrying out the reaction by solution polymerization. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol , Benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone and the like, preferably a solvent having a boiling point of 60 to 120 캜, and as the polymerization initiator, α, α'-azo Azo-bis-based compounds such as bis-isobutylnitrile, and organic peroxide-based radical generators such as benzoyl peroxide. At this time, the catalyst and the polymerization inhibitor can be used in combination as needed, and the compound (A) having the desired molecular weight can be obtained by controlling the polymerization temperature and the polymerization time. As for controlling the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or a carbon tetrachloride-based solvent. Further, this reaction is not limited to solution polymerization, but may be other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization.
이상과 같이 하여, 화합물 (A)를 얻을 수 있지만, 화합물 (A)의 분자량은 30만 내지 100만 정도가 바람직하다. 30만 미만에서는, 방사선 조사에 의한 응집력이 작아져, 웨이퍼(W)를 다이싱할 때에, 소자의 어긋남이 발생하기 쉬워져, 화상 인식이 곤란해지는 경우가 있다. 이 소자의 어긋남을 최대한 방지하기 위해서는, 분자량이 40만 이상인 쪽이 바람직하다. 또한, 분자량이 100만을 초과하면, 합성시 및 도포 시공시에 겔화될 가능성이 있다.As described above, the compound (A) can be obtained, but the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to the irradiation of radiation becomes small, so that when the wafer W is diced, deviations of the elements are liable to occur and image recognition may become difficult. In order to prevent the deviation of the device as much as possible, it is preferable that the molecular weight is 400,000 or more. If the molecular weight exceeds 1 million, gelation may occur during synthesis and application.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 「분자량」이라 함은, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The term " molecular weight " in the present embodiment means a weight average molecular weight in terms of polystyrene.
또한, 화합물 (A)가, 수산기가가 5 내지 100이 되는 OH기를 가지면, 방사선 조사 후의 점착력을 감소시킴으로써 픽업 실수의 위험성을 더욱 저감시킬 수 있으므로 바람직하다. 또한, 화합물 (A)가, 산가가 0.5 내지 30이 되는 COOH기를 갖는 것이 바람직하다.When the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100, it is preferable since the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive force after irradiation with radiation. It is also preferable that the compound (A) has a COOH group having an acid value of 0.5 to 30.
여기서, 화합물 (A)의 수산기가가 지나치게 낮으면, 방사선 조사 후의 점착력의 저감 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면, 방사선 조사 후의 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다. 또한 산가가 지나치게 낮으면, 테이프 복원성의 개선 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다.If the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive force after irradiation with radiation is not sufficient. If the hydroxyl value is too high, the flowability of the pressure sensitive adhesive after irradiation with radiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape stability property is not sufficient. If the acid value is too high, the flowability of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
[점착제(화합물 (B))] [Pressure sensitive adhesive (Compound (B))]
다음에, 점착제의 다른 하나의 주성분인 화합물 (B)에 대하여 설명한다.Next, the compound (B) which is the other main component of the pressure-sensitive adhesive will be described.
화합물 (B)는, 폴리이소시아네이트류, 멜라민ㆍ포름알데히드 수지 및 에폭시 수지로부터 선택되는 화합물이며, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물 (B)는 가교제로서 작용하고, 화합물 (A) 또는 박리 필름(2)과 반응한 결과 생기는 가교 구조에 의해, 화합물 (A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을, 점착제 도포 후에 향상시킬 수 있다.The compound (B) is a compound selected from a polyisocyanate, a melamine formaldehyde resin and an epoxy resin, and may be used alone or in combination of two or more. The compound (B) acts as a crosslinking agent and the cohesive force of the pressure sensitive adhesive containing the compounds (A) and (B) as a main component is imparted by a crosslinking structure resulting from the reaction with the compound (A) Can be improved later.
폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한이 없고, 예를 들어, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있다.The polyisocyanates are not particularly limited and include, for example, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, Aromatic isocyanates such as 2,2-bis (4-phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, Dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, and lysine triisocyanate.
폴리이소시아네이트류로서는, 구체적으로는, 시판품으로서, 콜로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시끼가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다.Specific examples of the polyisocyanate include commercially available products such as Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.).
멜라민ㆍ포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 시판품으로서, 니카락 MX-45(산와 케미컬 가부시끼가이샤제, 상품명), 멜란(히따찌 가세이 고교 가부시끼가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다.Specific examples of commercially available melamine formaldehyde resins include NIKARAK MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤제, 상품명) 등을 사용할 수 있다.As the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) can be used.
본 실시 형태에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, it is particularly preferable to use a polyisocyanate.
(B)의 첨가량은, 화합물 (A) 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부로 하는 것이 바람직하고, 0.4 내지 3중량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 그의 양이 0.1중량부 미만에서는 응집력 향상 효과가 충분하지 않은 경향이 있고, 10중량부를 초과하면 점착제의 배합 및 도포 작업 중에 경화 반응이 급속하게 진행하여, 가교 구조가 형성되므로, 작업성이 손상되기 때문이다.(B) is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.4 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the compound (A). If the amount is less than 0.1 parts by weight, the cohesive force improving effect tends to be insufficient. If the amount is more than 10 parts by weight, the curing reaction proceeds rapidly during the compounding of the pressure-sensitive adhesive and during the coating operation to form a crosslinked structure, Because.
[점착제(광중합 개시제(C))] [Pressure sensitive adhesive (photopolymerization initiator (C))]
본 실시 형태에 있어서, 점착제에는 광중합 개시제(C)가 포함되어 있는 것이 바람직하다.In the present embodiment, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator (C).
점착제에 포함되는 광중합 개시제(C)에는, 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The photopolymerization initiator (C) contained in the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited and conventionally known ones can be used. Examples thereof include benzophenones such as benzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone and 4,4'-dichlorobenzophenone, acetophenone, diethoxyacetophenone and the like Anthraquinones such as acetophenone, 2-ethyl anthraquinone and t-butyl anthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triaryl An imidazole dimer (lopin dimer), an acridine compound, etc. These may be used alone or in combination of two or more.
(C)의 첨가량은, 화합물 (A) 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부로 하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5중량부로 하는 것이 보다 바람직하다.(C) is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the compound (A).
[점착제(기타)] [Adhesive (Other)]
또한, 본 실시 형태에 사용되는 방사선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 및 관용 성분을 배합할 수 있다. 또한, 점착제에는 무기 화합물 충전제를 적절히 첨가해도 된다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present embodiment may further contain a tackifier, a pressure-sensitive adhesive agent, a surfactant or the like, and other modifiers and tolerant components, if necessary. An inorganic compound filler may be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive.
점착제층의 두께는, 통상의 웨이퍼 다이싱 가공과 병용하여 처리를 행하는 경우에는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 레이저 다이싱 가공만 행하는 경우에는 적어도 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 칩 유지력을 상실하지 않는 범위에서 가능한 한 얇게 하는 것이 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 占 퐉 or more, and more preferably 10 占 퐉 or more, when the treatment is performed in combination with conventional wafer dicing. In the case of performing laser dicing only, it is preferable to make the thickness as small as possible within a range of not more than 5 mu m, more preferably not losing the chip holding force.
또한, 점착제층은 복수의 층이 적층된 구성이어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer may have a structure in which a plurality of layers are laminated.
[웨이퍼 가공용 테이프(1)의 사용 방법] [Method of Using Wafer Processing Tape (1)] [
반도체 웨이퍼(W)의 다이싱을 행하기 전에, 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 부착한다.The
상세하게는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)의 롤체로부터 권취 롤러(100)에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 인출한다. 그 인출 경로에는, 박리용 쐐기(101)가 설치되어 있고, 이 박리용 쐐기(101)의 선단부를 되접힘점으로 하여, 박리 필름(2)만이 박리되어, 권취 롤러(100)에 권취된다. 박리용 쐐기(101)의 선단부의 하방에는, 흡착 스테이지(102)가 설치되어 있고, 이 흡착 스테이지(102)의 상면에는, 링 프레임(5) 및 웨이퍼(W)가 설치되어 있다. 박리용 쐐기(101)에 의해 박리 필름(2)이 박리된 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)는, 웨이퍼(W) 상으로 유도되어, 접합 롤러(103)에 의해 웨이퍼(W)에 접합된다.More specifically, as shown in Fig. 5, the
그 후, 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)를 링 프레임(5) 및 웨이퍼(W)에 부착한 상태에서, 웨이퍼(W)를 다이싱한다.Thereafter, the wafer W is diced in a state in which the
그 후, 점착 테이프(4)에 방사선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 테이프(4)는, 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(3)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(3)이 부착된 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(3)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.Thereafter, the
[작용ㆍ효과] [Action / Effect]
이상의 웨이퍼 가공용 테이프(1)에 따르면, 접착제층(3)은 주요부(3a)와, 주요부(3a)에 접속한 돌출부(3b)를 갖고, 주요부(3a)보다 돌출부(3b) 쪽이 작은 면적을 갖고, 돌출부(3b)의 돌출 길이(d)가 4㎜ 이상이며, 돌출부(3b)의 선단 각도(θ)가 80° 이상 120° 미만이고, 돌출부(3b)의 선단부(3c)의 곡률 반경(r)이 4㎜ 미만이므로, 박리 필름(2)과 접착제층(3)이 유착하고 있어도, 접착제층(3)과 점착 테이프(4) 사이의 박리의 단초가 될 수 있는 선단부가 최소화되어 있으므로, 박리의 기점이 발생하기 어렵다. 접착제층(3)의 선단부의 돌출부(3b)와 박리 필름(2) 사이가 분리되면, 나머지는 그것에 추종하여 나머지의 접착제층(3)도 박리 필름(2)과 분리되므로, 돌출부(3b) 이외의 장소에서도, 점착 테이프(4)와의 사이에서 박리가 발생하는 일은 없다.According to the
돌출부(3b)의 선단 각도(θ)가 120° 이상, 혹은 선단부(3c)의 곡률 반경(r)이 4㎜ 이상이면, 접착제층(3)과 점착 테이프(4) 사이의 박리의 단초가 발생하기 쉬워, 점착 테이프(4)와 접착제층(3)이 박리되는 실수를 억제할 수 없다.If the
돌출부(3b)의 선단 각도(θ)가 80° 미만, 혹은 돌출부(3b)의 돌출 길이(d)가 4㎜ 미만인 경우에는, 점착 테이프(4)와 접착 필름(3)이 접하는 면적이 지나치게 작아, 유지력이 부족하므로, 역시 상기 실수를 억제할 수 없다.The contact area between the
따라서, 돌출부(3b)의 돌출 길이(d)나 선단 각도(θ), 선단부(3c)의 곡률 반경(r) 등을 최적화함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(1)로부터 박리 필름(2)을 박리할 때에, 점착 테이프(4)로부터 접착제층(3)이 박리되는 것을 억제할 수 있다.Therefore, when the
또한, 돌출부(3b)는, 접착제층(3)에 있어서 박리 필름(2)의 박리 방향(B)의 상류측이 되는 위치에 존재하고 있으므로, 접착제층(3)과 점착 테이프(4) 사이의 박리의 단초가 될 수 있는 선단부가 최소화되어 있으므로, 박리 필름(2)을 박리할 때에 박리 필름(2)과 함께 접착제층(3)이 점착 테이프(4)로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.The protruding
또한, 접착제층(3)은, 두께가 25㎛ 이하이며, 또한 60℃에서의 열경화 전의 저장 탄성률이 2×106Pa 미만이기 때문에, 반도체 칩의 회로 표면의 요철을 충분히 매립할 수 있고, 반도체 칩과 웨이퍼 가공용 테이프(1) 사이의 접착 강도의 저하를 방지할 수 있다.Since the
또한, 접착제층(3)과 점착 테이프(4)의 박리 강도는, 박리 필름(2)과 접착제층(3)의 박리 강도보다 크기 때문에, 박리 필름(2)을 박리할 때에 박리 필름(2)과 함께 접착제층(3)이 점착 테이프(4)로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 이것은, 점착 테이프(4)가 방사선의 조사에 의해 접착제층(3)과의 사이의 점착력이 저하되는 재료로 형성되어 있어도 마찬가지이다.The peel strength between the
점착 테이프(4)와 접착제층(3)의 박리 강도가 1.0N/25㎜ 미만이기 때문에, 다이싱 후의 반도체 칩의 픽업이 용이해진다.Since the peel strength between the
또한, 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)의 형상은, 도 2의 형상에 한정되지 않고, 도 6 내지 도 8과 같은 형상이어도 된다(변형예 1 내지 3 참조).The shape of the
[변형예 1] [Modified Example 1]
접착제층(3)에는 복수의 돌출부(3b)를 형성해도 된다.A plurality of projecting
예를 들어, 도 6에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)에 2개의 돌출부(3b1, 3b2)를 형성하는 경우에는, 주요부(3a)의 면적을, 2개의 돌출부(3b1, 3b2)를 더한 총 면적보다 크게 한다.6, when the two projections 3b1 and 3b2 are formed on the
돌출부(3b1)의 돌출 길이(d1)와 돌출부(3b2)의 돌출 길이(d2) 중, 어느 한쪽을 4㎜ 이상으로 하고, 바람직하게는 양쪽을 4㎜ 이상으로 한다.Either the protruding length d1 of the protruding portion 3b1 and the protruding length d2 of the protruding portion 3b2 should be 4 mm or more and preferably both sides should be 4 mm or more.
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)의 선단 각도(θ1)와 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)의 선단 각도(θ2)를，모두 80° 이상 120° 미만의 범위에 들어가게 한다.The
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)의 곡률 반경(r1)과 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)의 곡률 반경(r2)을，모두 4㎜ 미만으로 한다.The radius of curvature r1 of the tip end 3c1 of the protrusion 3b1 and the radius of curvature r2 of the tip end 3c2 of the protrusion 3b2 are all less than 4 mm.
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리의 거리(l1)와, 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리의 거리(l2)를, 모두 5㎜ 이상 확보한다.The distance l1 between the distal end 3c1 of the protruding portion 3b1 and the outer rim of the
[변형예 2] [Modified example 2]
접착제층(3)에 있어서의 박리 필름(2)의 박리 방향(B)의 하류측에도, 돌출부(3b)와 같은 돌출부를 형성해도 된다.A projecting portion like the projecting
예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)에 있어서 박리 필름(2)의 박리 방향(B)의 상류측과 하류측에 각각 돌출부(3b1, 3b2)를 하나씩 형성하는 경우에는, 주요부(3a)의 면적을, 2개의 돌출부(3b1, 3b2)를 더한 총 면적보다 크게 한다.For example, as shown in Fig. 7, when one projecting portion 3b1 and one projecting portion 3b2 are formed on the upstream side and the downstream side of the peeling direction B of the
돌출부(3b1)의 돌출 길이(d1)와 돌출부(3b2)의 돌출 길이(d2) 중, 어느 한쪽을 4㎜ 이상으로 하고, 바람직하게는 돌출 길이(d1)를 4㎜ 이상으로 하고, 더욱 바람직하게는 양쪽을 4㎜ 이상으로 한다.It is preferable that either the protruding length d1 of the protruding portion 3b1 and the protruding length d2 of the protruding portion 3b2 is 4 mm or more and preferably the protruding length d1 is 4 mm or more, Should be 4 mm or more on both sides.
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)의 선단 각도(θ1)와 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)의 선단 각도(θ2) 중, 바람직하게는 선단 각도(θ1)를 80° 이상 120° 미만의 범위에 들어가게 하고, 더욱 바람직하게는 양쪽을 80° 이상 120° 미만의 범위에 들어가게 한다.2 of the distal end 3c1 of the protruding portion 3b1 and the
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)의 곡률 반경(r1)과 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)의 곡률 반경(r2) 중, 바람직하게는 곡률 반경(r1)을 4㎜ 미만으로 하고, 더욱 바람직하게는 양쪽을 4㎜ 미만으로 한다.The curvature radius r1 of the curvature radius r1 of the tip end portion 3c1 of the protruding portion 3b1 and the curvature radius r2 of the tip end portion 3c2 of the protruding portion 3b2 are preferably set to less than 4 mm , Both sides shall be less than 4 mm.
돌출부(3b1)의 선단부(3c1)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리의 거리(l1)와, 돌출부(3b2)의 선단부(3c2)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리의 거리(l2)를, 모두 5㎜ 이상 확보한다.The distance l1 between the distal end 3c1 of the protruding portion 3b1 and the outer rim of the
[변형예 3] [Modification 3]
돌출부(3b)의 형상을 4각형 이상의 다각형 형상으로 해도 된다.The shape of the projecting
예를 들어, 도 8에 도시한 바와 같이, 돌출부(3b)의 형상을 5각형 형상을 나타내는 돌출부(3d)로 하는 경우에는, 주요부(3a)의 면적을 돌출부(3d)의 면적보다 크게 한다. 「돌출부(3d)의 면적」이라 함은, 주요부(3a)로부터 돌출된 5각형 형상 부분의 면적이며, 주요부(3a)와의 접속 부분에서 주요부(3a)와 일부 중복되는 부분의 면적을 포함한다.For example, as shown in Fig. 8, when the projecting
돌출부(3d)의 돌출 길이(d)를 4㎜ 이상으로 한다.The protruding length d of the protruding
돌출부(3d)의 선단부(3e)의 선단 각도(θ)를 80° 이상 120° 미만의 범위에 들어가게 한다.So that the
돌출부(3d)의 선단부(3e)의 곡률 반경(r)을 4㎜ 미만으로 한다.The radius of curvature r of the
돌출부(3d)의 선단부(3e)와 점착 테이프(4)의 외측 테두리의 거리(l)를, 5㎜ 이상 확보한다.The distance l between the
<실시예> <Examples>
다음에, 본 발명에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 상기 실시 형태에 기초하여 구체적으로 실시한 실시예에 대하여 설명한다.Next, an example in which the wafer processing tape according to the present invention is specifically described based on the above embodiment will be described.
본 발명에 관한 웨이퍼 가공용 테이프의 우수한 점을 나타내기 위하여, 비교예로서 다른 구성의 접착제층을 구비하는 웨이퍼 가공용 테이프의 예를 들어, 평가 항목에 대하여 비교하였다.In order to illustrate the superior merits of the wafer processing tape according to the present invention, comparative examples of wafer processing tapes having adhesive layers of different compositions were compared with respect to evaluation items.
(1) 샘플의 소재 (1) The material of the sample
(1.1) 점착제 A1 (1.1) Pressure-sensitive adhesive A1
이소노닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트를 포함하고, 질량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도 -30℃의 아크릴계 공중합체 화합물을 제작하였다. 그 후, 이 공중합체 화합물 100중량부에 대하여, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물 콜로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시끼가이샤제, 상품명) 9중량부를 첨가하여, 점착제 A1을 얻었다.An acrylic copolymer compound containing isononyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 880,000 and a glass transition temperature of -30 ° C was prepared. Thereafter, 9 parts by weight of a polyisocyanate compound colonnate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a curing agent was added to 100 parts by weight of the copolymer compound to obtain a pressure-sensitive adhesive A1.
(1.2) 점착제 A2 (1.2) Adhesive A2
이소옥틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트를 포함하고, 질량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도 -30℃의 아크릴계 공중합체 화합물을 제작하였다. 그 후, 이 공중합체 화합물 100중량부에 대하여, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물 콜로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시끼가이샤제, 상품명) 3중량부를 첨가하여, 점착제 A2를 얻었다.An acrylic copolymer compound containing isooctyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of -30 ° C was prepared. Subsequently, 3 parts by weight of a polyisocyanate compound colonnate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a curing agent was added to 100 parts by weight of the copolymer compound to obtain a pressure-sensitive adhesive A2.
(1.3) 점착제 B (1.3) Adhesive B
이소옥틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트를 포함하고, 질량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도 -30℃의 아크릴계 공중합체 화합물을 제작하였다.An acrylic copolymer compound containing isooctyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of -30 ° C was prepared.
그 후, 이 공중합체 화합물 100중량부에 대하여, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트를 20중량부, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물 콜로네이트 L(닛본 폴리우레탄 가부시끼가이샤제, 상품명) 7중량부, 또한 광중합 개시제로서 이르가큐어 184(닛본 시바 가이기 가부시끼가이샤제, 상품명) 5중량부를 첨가하여, 방사선 경화성의 점착제 B를 얻었다.Thereafter, 20 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate as a compound having a radiation-curable carbon-carbon double bond, 100 parts by weight of a polyisocyanate compound Kolonate L (Nippon Polyurethane Adhesive 7 parts by weight), and 5 parts by weight of Irgacure 184 (trade name, manufactured by NIPPON SHIBA CHEMICAL CO., LTD.) As a photopolymerization initiator were added to obtain a radiation-curable pressure-sensitive adhesive B.
(1.4) 기재 필름 (1.4)
폴리프로필렌 수지와 수소화스티렌-부타디엔 공중합체를 포함하는 수지 조성물을 용융 혼련하여 성형하여, 두께 100㎛의 기재 필름을 얻었다.A resin composition comprising a polypropylene resin and a hydrogenated styrene-butadiene copolymer was melt-kneaded and molded to obtain a base film having a thickness of 100 mu m.
그 후, 기재 필름에 대하여, 점착제를 도포 시공하고, 열풍 건조로에서 건조하고, 건조 후의 두께가 10㎛인 점착제층과 기재 필름의 적층체인 점착 테이프를 얻었다.Thereafter, a pressure-sensitive adhesive was applied to the substrate film and dried in a hot-air drying furnace to obtain a pressure-sensitive adhesive tape as a laminate of a pressure-sensitive adhesive layer and a substrate film having a thickness of 10 mu m after drying.
(1.5) 접착제층 C1 (1.5) Adhesive layer C1
접착제층(다이 본드 필름)은 여러 가지가 있고, 어떻게 제조된 것이라도 상관없지만, 여기서는 아크릴계 공중합체(글리시딜아크릴레이트계 공중합체) 100중량부, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 100중량부, 크실렌 노볼락형 페놀 수지 10중량부에, 에폭시 경화제로서 2-페닐이미다졸 5중량부와 크실렌디아민 0.5중량부를 배합하여, 평균 입경: 0.012㎛의 나노실리카 충전제 20중량부를 첨가하여, 접착제 C1을 얻었다. 그것을 박리 필름에 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜, 두께 10㎛의 접착제층을 제작하였다.100 parts by weight of an acrylic copolymer (glycidyl acrylate copolymer), 100 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin, 100 parts by weight of
그 후, 후술하는 샘플의 형상에 따라서, 접착제층을 도 2, 도 6 내지 도 9에 나타내는 소정의 형상으로 잘라내어, 연속해서 배열되는 섬 형상의 라벨을 남기고, 상기 접착제층의 섬 형상 이외의 부분을 박리 필름 상으로부터 제거하였다.Thereafter, according to the shape of a sample to be described later, the adhesive layer is cut out in a predetermined shape shown in Figs. 2 and 6 to 9 to leave a continuously arranged island-shaped label, Was removed from the peeled film.
(1.6) 접착제층 C2 (1.6) Adhesive layer C2
아크릴계 공중합체(글리시딜아크릴레이트계 공중합체) 100중량부, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 100중량부, 크실렌 노볼락형 페놀 수지 10중량부에, 에폭시 경화제로서 2-페닐이미다졸 5중량부와 크실렌디아민 0.5중량부를 배합하고, 평균 입경: 0.012㎛의 나노실리카 충전제 60중량부를 첨가하여, 접착제 C2를 얻었다. 그것을 박리 필름에 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜, 두께 10㎛의 접착제층을 제작하였다.100 parts by weight of an acrylic copolymer (glycidyl acrylate copolymer), 100 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin and 10 parts by weight of a xylene novolak type phenolic resin were added 5 parts by weight of 2-phenylimidazole as an epoxy curing agent And 0.5 parts by weight of xylenediamine, and 60 parts by weight of a nanosilica filler having an average particle diameter of 0.012 mu m were added to obtain an adhesive C2. And then dried at 110 DEG C for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 mu m.
그 후, 후술하는 샘플의 형상에 따라서, 접착제층을 도 9에 나타내는 소정의 형상으로 잘라내어, 연속해서 배열되는 섬 형상의 라벨을 남기고, 상기 접착제층의 섬 형상 이외의 부분을 박리 필름 상으로부터 제거하였다.Thereafter, according to the shape of a sample to be described later, the adhesive layer is cut out in a predetermined shape shown in Fig. 9 to leave an island shape label continuously arranged, and a portion other than the island shape of the adhesive layer is removed Respectively.
(2) 샘플의 제작 (2) Production of sample
(2.1) 실시예 1 (2.1) Example 1
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 4㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 21㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 4 mm and the tip angle of the protrusion is 110 deg. The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer edge of the adhesive tape is 21 mm and the width of the peeling film provided with the adhesive layer, c) was 290 mm.
(2.2) 실시예 2 (2.2) Example 2
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 4㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 80°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 21㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 4 mm and the tip angle of the protrusion is 80 DEG, The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer edge of the adhesive tape is 21 mm and the width of the peeling film provided with the adhesive layer, c) was 290 mm.
(2.3) 실시예 3 (2.3) Example 3
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 10㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 3㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 15㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 10 mm, the tip angle of the protrusion is 110, and the diameter d of the protrusion is 10 mm. The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 3 mm and the
(2.4) 실시예 4 (2.4) Example 4
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 B를 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.On the release film, an adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive B were laminated, and the adhesive tape was cut out into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 10㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 3㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 15㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 10 mm, the tip angle of the protrusion is 110, and the diameter d of the protrusion is 10 mm. The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 3 mm and the
(2.5) 실시예 5 (2.5) Example 5
박리 필름 상에, 도 6에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 6에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.An adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 6 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 6 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d1 및 d2)는 10㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ1 및 θ2)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r1 및 r2)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l1 및 l2)는 15㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter d of the main part of the adhesive layer is 220 mm, the diameter of the adhesive tape is 270 mm, the lengths d1 and d2 of the protruding parts are 10 mm and the tip angles? 1 and? 2 of the protruding parts are 110 The curvature radii r1 and r2 of the tips of the projections were 1 mm and the distances l1 and l2 between the protruding portions of the adhesive layer and the outer rims of the adhesive tape were 15 mm and the adhesive layer, The width (c) of the release film on which the sieve was provided was 290 mm.
(2.6) 실시예 6 (2.6) Example 6
박리 필름 상에, 도 7에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 7에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.On the release film, the adhesive layer C1 cut in a label shape shown in Fig. 7 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 7 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 한쪽의 돌출부의 길이(d1)는 10㎜로, 한쪽의 돌출부의 선단 각도(θ1)는 110°로, 한쪽의 돌출부의 선단의 곡률 반경(r1)은 1㎜로, 다른 쪽의 돌출부의 길이(d2)는 10㎜로, 다른 쪽의 돌출부의 선단 각도(θ2)는 120°로, 다른 쪽의 돌출부의 선단의 곡률 반경(r2)은 5㎜로, 접착제층의 한쪽의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l1)는 15㎜로, 접착제층의 다른 쪽의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l2)는 15㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter d of the one projecting portion is 10 mm and the tip angle of the one projecting portion is? 1 is 110 mm. The diameter? B of the main portion of the adhesive layer is 220 mm, the diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, °, the curvature radius r1 of the tip of one projecting portion is 1 mm, the length d2 of the other projecting portion is 10 mm, the
(2.7) 실시예 7 (2.7) Example 7
박리 필름 상에, 도 8에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 8에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 8 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 8 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 20㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 5㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 20 mm and the tip angle of the protrusion is 110 °. The diameter d of the main portion of the adhesive layer is 220 mm, The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the
(2.8) 비교예 1 (2.8) Comparative Example 1
박리 필름 상에, 도 9에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 9에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다. 접착제층에는 돌출부를 형성하지 않았다.An adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 9 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 9 to remove unnecessary portions . No protrusions were formed on the adhesive layer.
접착제층의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter (? A) of the adhesive layer was 220 mm, the diameter (? B) of the adhesive tape was 270 mm, and the width (c) of the release film on which the adhesive layer and the laminate with the adhesive tape were provided was 290 mm.
(2.9) 비교예 2 (2.9) Comparative Example 2
비교예 1의 샘플에 있어서 점착제 A1을 점착제 A2로 변경하였다.In the sample of Comparative Example 1, the pressure-sensitive adhesive A1 was changed to the pressure-sensitive adhesive A2.
그 이외는, 비교예 1의 샘플과 마찬가지의 구성으로 하였다.Other than that, the same structure as the sample of Comparative Example 1 was used.
(2.10) 비교예 3 (2.10) Comparative Example 3
비교예 1의 샘플에 있어서 점착제 A1을 점착제 B로 변경하였다.In the sample of Comparative Example 1, the pressure-sensitive adhesive A1 was changed to pressure-sensitive adhesive B.
그 이외는, 비교예 1의 샘플과 마찬가지의 구성으로 하였다.Other than that, the same structure as the sample of Comparative Example 1 was used.
(2.11) 비교예 4 (2.11) Comparative Example 4
비교예 1의 샘플에 있어서 접착제층 C1을 접착제층 C2로 변경하였다.In the sample of Comparative Example 1, the adhesive layer C1 was changed to the adhesive layer C2.
그 이외는, 비교예 1의 샘플과 마찬가지의 구성으로 하였다.Other than that, the same structure as the sample of Comparative Example 1 was used.
(2.12) 비교예 5 (2.12) Comparative Example 5
비교예 1의 샘플에 있어서, 접착제층 C1을 접착제층 C2로, 점착제 A1을 점착제 A2로, 각각 변경하였다.In the sample of Comparative Example 1, the adhesive layer C1 was changed to the adhesive layer C2 and the pressure-sensitive adhesive A1 was changed to the pressure-sensitive adhesive A2.
그 이외는, 비교예 1의 샘플과 마찬가지의 구성으로 하였다.Other than that, the same structure as the sample of Comparative Example 1 was used.
(2.13) 비교예 6 (2.13) Comparative Example 6
비교예 1의 샘플에 있어서, 접착제층 C1을 접착제층 C2로, 점착제 A1을 점착제 B로, 각각 변경하였다.In the sample of Comparative Example 1, the adhesive layer C1 was changed to the adhesive layer C2 and the pressure-sensitive adhesive A1 was changed to the pressure-sensitive adhesive B, respectively.
그 이외는, 비교예 1의 샘플과 마찬가지의 구성으로 하였다.Other than that, the same structure as the sample of Comparative Example 1 was used.
(2.14) 비교예 7 (2.14) Comparative Example 7
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 3㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 22㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 3 mm, the tip angle of the protrusion is 110, The radius of curvature r of the tip was 1 mm and the
(2.15) 비교예 8 (2.15) Comparative Example 8
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 4㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 120°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 21㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 4 mm and the tip angle of the protrusion is 120 deg. The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer edge of the adhesive tape is 21 mm and the width of the peeling film provided with the adhesive layer, c) was 290 mm.
(2.16) 비교예 9 (2.16) Comparative Example 9
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 4㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 90°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 4㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 21㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 4 mm, the tip angle of the protrusion is 90, The distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer rim of the adhesive tape is 21 mm and the radius of curvature r of the tip of the adhesive layer and the width of the peeling film provided with the adhesive layer c) was 290 mm.
(2.17) 비교예 10 (2.17) Comparative Example 10
박리 필름 상에, 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 2에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 2 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 2 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 4㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 70°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 21㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 4 mm, the tip angle of the protrusion is 70, The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer edge of the adhesive tape is 21 mm and the width of the peeling film provided with the adhesive layer, c) was 290 mm.
(2.18) 비교예 11(2.18) Comparative Example 11
박리 필름 상에, 도 8에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어진 접착제층 C1과, 점착제 A1을 도포 시공한 점착 테이프를 라미네이트하고, 점착 테이프를 도 8에 도시하는 라벨 형상으로 잘라내어, 불필요한 부분을 제거하였다.The adhesive layer C1 cut in the form of a label shown in Fig. 8 and an adhesive tape coated with the adhesive A1 were laminated on the release film, and the adhesive tape was cut into a label shape shown in Fig. 8 to remove unnecessary portions .
접착제층의 주요부의 직경(φa)은 220㎜로, 점착 테이프의 직경(φb)은 270㎜로, 돌출부의 길이(d)는 21㎜로, 돌출부의 선단 각도(θ)는 110°로, 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)은 1㎜로, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)는 4㎜로, 접착제층, 점착 테이프에 의한 적층체가 설치되는 박리 필름의 폭(c)은 290㎜로 하였다.The diameter? B of the adhesive tape is 270 mm, the length d of the protrusion is 21 mm, the tip angle of the protrusion is 110, The radius of curvature r of the tip of the adhesive layer is 1 mm and the distance l between the protruding portion of the adhesive layer and the outer edge of the adhesive tape is 4 mm and the width of the peeling film provided with the adhesive layer, c) was 290 mm.
(3) 평가 시험 (3) Evaluation test
이하에 나타내는 방법으로 실시예 및 비교예의 각 샘플을 평가하였다.Each sample of the example and the comparative example was evaluated by the following method.
(3.1) 박리력 측정 (3.1) Peeling force measurement
실시예 및 비교예의 각 샘플을, 70℃로 가열된 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼에 20초간 접합하고, JIS-0237에 준거하여 접착제층과 점착 테이프의 박리력을 측정하였다(90° 박리, 박리 속도 50㎜/min).Each sample of the examples and comparative examples was bonded to a silicon wafer having a diameter of 200 mm heated to 70 占 폚 for 20 seconds and the peeling force of the adhesive layer and the adhesive tape was measured according to JIS-0237 (90 占 peeling, peeling speed 50 mm / min).
점착제 B를 사용한 실시예 4 및 비교예 3, 6의 샘플에 대해서는, 메탈 할라이드 램프를 사용하여 200mJ/㎠의 자외선을 조사하고, 그 작업의 전후에서 박리력을 측정하였다. 측정 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.The samples of Example 4 and Comparative Examples 3 and 6 using the pressure-sensitive adhesive B were irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ /
(3.2) 접합 시험, 다이싱 프레임 오염의 확인 (3.2) Confirmation of bonding test, dicing frame contamination
실시예 및 비교예의 각 샘플에 대하여, 두께 50㎛, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼를, 도 5에 나타내는 장치ㆍ방법에 의해, 가열 온도 70℃, 접합 속도 12㎜/s로 접합하였다.Silicon wafers each having a thickness of 50 탆 and a diameter of 200 mm were bonded to each sample of the examples and comparative examples at a heating temperature of 70 캜 and a bonding speed of 12 mm / s by the apparatus and method shown in Fig.
상기 접합 작업을 10회 시행하고, 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 말려 올라간 상태에서 실리콘 웨이퍼에 접합되어 있지 않은지 여부를 확인하였다. 10회의 접합 작업에 있어서, 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 말려 올라간 횟수를 측정하였다. 측정 결과를 표 1 내지 3에 나타낸다.The bonding operation was carried out ten times, and it was confirmed whether or not the adhesive layer was partially bonded to the silicon wafer in a state where the adhesive layer was partially rolled up from the adhesive tape. In ten bonding operations, the number of times that the adhesive layer partially peeled off from the adhesive tape was measured. The measurement results are shown in Tables 1 to 3.
아울러, 접합 작업시에 다이싱 프레임이 접착제층에 부착되어 오염되어 있지 않은지 여부도 확인하였다. 확인 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.In addition, it was also confirmed whether or not the dicing frame adhered to the adhesive layer during the bonding operation to be contaminated. The results of the confirmation are shown in Tables 1 to 3.
(3.3) 픽업 시험 (3.3) Pickup test
반도체 웨이퍼를 접합한 실시예 및 비교예의 각 샘플을, 다이싱 장치(Disco제 DFD6340)를 사용하여, 5㎜×5㎜ 크기로 다이싱하였다. 다이싱 후의 샘플 중, 점착제 B를 사용한 실시예 4 및 비교예 3, 6의 샘플에는, 메탈 할라이드 램프를 사용하여, 200mJ/㎠의 자외선을 조사하였다.Each sample of the example in which the semiconductor wafer was bonded and the comparative example was diced into a size of 5 mm x 5 mm using a dicing machine (Disco DFD 6340). Of the samples after dicing, samples of Example 4 and Comparative Examples 3 and 6 using the pressure-sensitive adhesive B were irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ /
그 후, 픽업 장치(캐논 머시너리제 CAP-300II)를 사용하여, 다이싱 후의 각 샘플의 100칩에 대하여 픽업을 시행하고, 그 중, 픽업이 성공한 칩수를 측정하였다. 측정 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.Thereafter, picking up was performed on 100 chips of each sample after dicing by using a pickup device (CAP-300II, manufactured by Canon Machinery Co.), and the number of chips that were successfully picked up was measured. The measurement results are shown in Tables 1 to 3.
(3.4) 접착력의 측정 (3.4) Measurement of adhesive force
실시예 및 비교예의 샘플에 있어서, 다이싱 후에 픽업한 칩을, 별도 준비한 12㎜×12㎜의 실리콘 칩 상에, 150℃-100gf-3초의 조건에서 마운트하고, 그 후 180℃에서 1시간 가열하여 접착제층을 경화시켜, 측정용 샘플을 얻었다. 얻어진 측정용 샘플에 대하여, 전단 접착력 시험기(아크텍제 시리즈 4000)를 사용하여 전단 접착력을 측정하였다. 측정 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.In the samples of Examples and Comparative Examples, chips picked up after dicing were mounted on a separately prepared 12 mm x 12 mm silicon chip under the conditions of 150 deg. C - 100 gf - 3 seconds, and then heated at 180 deg. C for 1 hour And the adhesive layer was cured to obtain a sample for measurement. The shear adhesive strength of the obtained measurement sample was measured using a shear adhesive strength tester (ARKTECH series 4000). The measurement results are shown in Tables 1 to 3.
(4) 정리 (4) Theorem
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 6의 각 샘플에서는, 충분한 전단 접착력을 확보한 후에, 양호한 접합성, 픽업성을 얻을 수 있었다.As shown in Table 1, in each of the samples of Examples 1 to 6, it was possible to obtain good bonding property and pickup property after securing a sufficient shear adhesive force.
이에 대하여, 비교예 1의 샘플에서는, 표 2에 나타내는 바와 같이, 점착 테이프의 박리력이 낮기 때문에, 픽업성은 좋지만, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 모든 회에서 발생하였다.On the other hand, in the sample of Comparative Example 1, as shown in Table 2, since the peeling force of the adhesive tape was low, the pickupability was good, but in the bonding test, the adhesive layer was peeled from the adhesive tape, .
비교예 2의 샘플에서는, 점착 테이프의 박리력이 높기 때문에, 접합 시험의 결과는 양호하였지만, 픽업 불량이 모든 칩에서 발생하였다.In the sample of Comparative Example 2, since the peeling force of the adhesive tape was high, the result of the bonding test was good, but the pickup failure occurred in all the chips.
비교예 3의 샘플에서는, 자외선 경화형의 점착 테이프를 사용하고, 경화 후에 충분히 박리력이 저하되도록 하였으므로, 픽업성은 좋지만, 경화 전의 박리력이 불충분하므로, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 발생하였다.In the sample of Comparative Example 3, the ultraviolet curable adhesive tape was used and the peeling force was sufficiently lowered after curing, so that the pickup property was good. However, since the peeling force before curing was insufficient, the adhesive layer peeled off from the adhesive tape in the bonding test Mount failure occurred.
비교예 4 내지 6의 각 샘플에서는, 접착제층의 접착력을 낮게 함으로써, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되는 마운트 불량은 억제할 수 있었지만, 실장시의 전단 접착력도 낮아지므로 실용에 적합하지 않다.In each of the samples of Comparative Examples 4 to 6, by reducing the adhesive force of the adhesive layer, it was possible to suppress the mount failure in which the adhesive layer was peeled from the adhesive tape in the bonding test, but the shear adhesive force at the time of mounting was also lowered, not.
표 3에 나타내는 바와 같이, 비교예 7의 샘플에서는, 접착제층의 돌출부의 길이(d)가 3㎜로 작았기 때문에, 접착제층과 점착 테이프 사이에서 유지력이 부족하고, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 발생하였다.As shown in Table 3, in the sample of Comparative Example 7, since the length d of the protruding portion of the adhesive layer was as small as 3 mm, the holding force was insufficient between the adhesive layer and the adhesive tape, The adhesive tape was peeled off and a mount failure occurred.
비교예 8의 샘플에서는, 접착제층의 돌출부의 선단 각도(θ)가 120°로 컸기 때문에, 접착제층과 점착 테이프 사이에서 박리의 단초가 발생하기 쉬워, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 발생하였다.In the sample of the comparative example 8, since the tip angle (?) Of the protruding part of the adhesive layer was as large as 120 degrees, the peeling of the adhesive layer was likely to occur between the adhesive layer and the adhesive tape, So that a mount failure occurred.
비교예 9의 샘플에서는, 접착제층의 돌출부의 선단의 곡률 반경(r)이 4㎜로 컸기 때문에, 접착제층과 점착 테이프 사이에서 박리의 단초가 발생하기 쉬워, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 발생하였다.In the sample of the comparative example 9, since the radius of curvature r of the tip of the protrusion of the adhesive layer was as large as 4 mm, the peeling of the adhesive layer was likely to occur between the adhesive layer and the adhesive tape, And a mount failure occurred.
비교예 10의 샘플에서는, 접착제층의 돌출부의 선단 각도(θ)가 70°로 작았기 때문에, 접착제층과 점착 테이프 사이에서 유지력이 부족하여, 접합 시험에 있어서 접착제층이 점착 테이프로부터 박리되어 마운트 불량이 발생하였다.In the sample of Comparative Example 10, since the tip angle (?) Of the protruding portion of the adhesive layer was as small as 70 degrees, the holding force between the adhesive layer and the adhesive tape was insufficient and the adhesive layer peeled off from the adhesive tape in the bonding test, A failure occurred.
비교예 11의 샘플에서는, 접합성, 픽업성은 양호했지만, 접착제층의 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리(l)가 4㎜로 작았기 때문에, 다이싱 프레임에 오염이 있어 실용에 적합하지 않다.In the sample of Comparative Example 11, the bonding property and the pick-up property were good, but since the
이상으로부터, 접착제층의 돌출부의 길이(d)나 선단 각도(θ), 선단의 곡률 반경(r), 돌출부와 점착 테이프의 외측 테두리의 거리를 일정한 범위로 하는 것은, 충분한 전단 접착력을 확보한 후에, 양호한 접합성(다이싱 프레임의 오염 방지를 포함함), 픽업성을 얻는데 유용한 것을 알 수 있다.From the above, it is considered that the distance d between the protruding portion of the adhesive layer and the tip angle?, The radius of curvature r at the tip, and the distance between the protruding portion and the outer rim of the adhesive tape are kept within a predetermined range, , Good bonding property (including prevention of contamination of the dicing frame), and pickup properties.
1: 웨이퍼 가공용 테이프
2: 박리 필름
2a: 표면
3: 접착제층
3a: 주요부
3b(3b1, 3b2): 돌출부
3c: 선단부
3d: 돌출부
3e: 선단부
4: 점착 테이프
4a: 라벨부
4b: 주변부
10: 코어
100: 권취 롤러
101: 박리용 쐐기
102: 흡착 스테이지
103: 접합 롤러
201: 박리 필름
202: 접착제층
203: 점착 테이프
A: 박리 필름의 인출 방향
B: 박리 필름의 박리 방향 1: Wafer processing tape
2: peeling film
2a: surface
3: Adhesive layer
3a: Main part
3b (3b1, 3b2):
3c:
3d: protrusion
3e:
4: Adhesive tape
4a: Label section
4b: peripheral portion
10: Core
100: take-up roller
101: peeling wedge
102: Adsorption stage
103:
201: peeling film
202: adhesive layer
203: Adhesive tape
A: the pull-out direction of the release film
B: peeling direction of the peeling film
Claims (7)
상기 박리 필름 상에 형성된 접착제층과,
상기 접착제층을 상방으로부터 덮고 상기 접착제층의 외측에서 외측 테두리가 상기 박리 필름에 접하도록 설치된 점착 테이프를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며,
상기 박리 필름은 길이 방향을 따라 롤 형상으로 권취되어 있고,
상기 접착제층은, 평면에서 보았을 때에, 주요부와, 상기 주요부에 접속한 하나 이상의 돌출부를 갖고,
상기 돌출부 중 하나 이상의 돌출 길이가 4㎜ 이상이며,
상기 돌출부의 선단 각도가 80° 이상 120° 미만이고,
상기 돌출부의 선단의 곡률 반경이 4㎜ 미만이고,
상기 돌출부의 선단과 상기 점착 테이프의 외측 테두리 사이의 거리가 5㎜ 이상이며,
상기 돌출부가 상기 접착제층에 있어서 상기 박리 필름의 박리 방향의 상류측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.A peeling film,
An adhesive layer formed on the release film,
And an adhesive tape covering the adhesive layer from above and provided on the outer side of the adhesive layer so that an outer edge thereof comes into contact with the release film,
The peeling film is wound in a roll shape along the longitudinal direction,
Wherein the adhesive layer has a main portion and at least one protrusion connected to the main portion when viewed in plan,
Wherein at least one protruding length of the protrusions is 4 mm or more,
Wherein a tip angle of the projection is not less than 80 degrees and less than 120 degrees,
Wherein a radius of curvature of the tip of the protrusion is less than 4 mm,
The distance between the tip of the projecting portion and the outer edge of the adhesive tape is 5 mm or more,
Wherein the projecting portion is formed on an upstream side of a peeling direction of the peeling film in the adhesive layer.
상기 방사선의 조사 전의 상기 접착제층과 상기 점착 테이프의 박리 강도는, 상기 박리 필름과 상기 접착제층의 박리 강도보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.The adhesive tape according to claim 1, wherein the adhesive tape is formed of a material whose adhesive force with the adhesive layer is lowered by irradiation of radiation,
Wherein the peel strength between the adhesive layer and the adhesive tape before irradiation with the radiation is larger than the peel strength between the peel film and the adhesive layer.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2010-180014 | 2010-08-11 | ||
| JP2010180014 | 2010-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120015258A KR20120015258A (en) | 2012-02-21 |
| KR101820964B1 true KR101820964B1 (en) | 2018-01-22 |
Family
ID=45792261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110012199A KR101820964B1 (en) | 2010-08-11 | 2011-02-11 | Wafer processing tape |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101820964B1 (en) |
| CN (1) | CN102373016A (en) |
| TW (1) | TW201206813A (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6053457B2 (en) * | 2012-10-31 | 2016-12-27 | 日東電工株式会社 | Dicing die bond film with separator |
| DE102013219468B4 (en) | 2013-09-26 | 2015-04-23 | Siltronic Ag | A method of simultaneously separating a plurality of slices from a workpiece |
| US9793151B2 (en) * | 2014-12-12 | 2017-10-17 | Intel Corporation | Stiffener tape for electronic assembly |
| CN107219672B (en) * | 2017-07-26 | 2020-07-03 | 厦门天马微电子有限公司 | Backlight module and display device |
| JP7264593B2 (en) * | 2018-01-30 | 2023-04-25 | 日東電工株式会社 | Semiconductor back adhesion film and dicing tape integrated semiconductor back adhesion film |
| WO2021182005A1 (en) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | 住友化学株式会社 | Laminate sheet and method for manufacturing same |
| EP4227982A1 (en) * | 2022-02-15 | 2023-08-16 | Nexperia B.V. | Film frame carrier for a curved wafer stage |
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| JP2008214384A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Lintec Corp | Adhesive sheet |
| JP2010062205A (en) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing dicing die bonding film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4677758B2 (en) * | 2004-10-14 | 2011-04-27 | 日立化成工業株式会社 | Die-bonded dicing sheet, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a semiconductor device |
-
2011
- 2011-01-26 TW TW100102863A patent/TW201206813A/en unknown
- 2011-02-11 CN CN2011100362070A patent/CN102373016A/en active Pending
- 2011-02-11 KR KR1020110012199A patent/KR101820964B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201206813A (en) | 2012-02-16 |
| KR20120015258A (en) | 2012-02-21 |
| CN102373016A (en) | 2012-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant |