JP5534282B2 - インプリント材料 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント材料（インプリント用膜形成組成物）及び当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。より詳しくは、形成された膜がフィルム基材に対して高い密着性を有し、且つ低離型力性を有するインプリント材料、並びに当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関するものである。

１９９５年、現プリンストン大学のチョウ教授らがナノインプリントリソグラフィという新たな技術を提唱した（特許文献１）。ナノインプリントリソグラフィは、任意のパターンを有するモールドを樹脂膜が形成された基材と接触させ、当該樹脂膜を加圧すると共に、熱又は光を外部刺激として用い、目的のパターンを硬化された当該樹脂膜に形成する技術であり、このナノインプリントリソグラフィは、従来の半導体デバイス製造における光リソグラフィ等に比べて簡便・安価にナノスケールの加工が可能であるという利点を有する。
したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術であることから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている（特許文献２、特許文献３）。

また、光ナノインプリントリソグラフィにおいて、パターンが転写された膜を高効率で量産する方法として、ロール・ツー・ロール方式が提唱されている。従来光ナノインプリントリソグラフィにおいて提案されているロール・ツー・ロール方式は、フレキシブルなフィルムを基材として用い、インプリント材料としてパターン寸法が変化しにくいように溶剤を加えない無溶剤タイプの材料を使用する方法が主流となっている。
一方、光ナノインプリントリソグラフィとは異なる技術分野においては、溶剤を加えてフィルム（基材）との十分な密着を獲得する方法が報告されている（特許文献４、特許文献５）。

さて、光ナノインプリントリソグラフィは、インプリント後に金型であるモールドにインプリント材料が付着し、目的のパターン形状が得られない場合がある点が指摘されている。このため、目的のパターン形状を得るために、インプリント材料中に離型性向上剤としてシリコーン化合物を添加し、離型性を良好にする技術が報告されている（特許文献６）。同文献では、良好なインプリント性を発現する要因の一つとして塗膜とモールドとの優れた剥離性を挙げ、実施例において、顕微鏡観察によってモールド形状のパターン転写率を評価することによりインプリント性を評価している。さらに、膜表面の擦傷性を向上させる目的でシリコーン化合物を加える技術に関する報告がある（特許文献７）。

米国特許第５７７２９０５号明細書 特開２００８−１０５４１４号公報 特開２００８−２０２０２２号公報 特開平１１−２０９７１７号公報 特開２００５−２４８１７３号公報 特開２０１１−６６３７０号公報 ＷＯ２００７／０４０１５９号公報

上述したように、これまでにナノインプリントリソグラフィに用いる材料（以下、本明細書では「インプリント材料」と略称する。）として種々の材料が開示されているものの、フィルム基材に十分な密着性を有し、且つ、離型力の小さい材料、即ち硬化された樹脂膜からモールドを容易に剥離出来る特性の材料について具体的な検討や報告はなされていない。また上述の離型性向上剤としてのシリコーン化合物は、一般にインプリント材料に使用される各種成分との相溶性が低いことが障害となっている。このように、離型性向上剤との相溶性を有し、しかも離型性を、得られたパターン形状の顕微鏡観察による定性的な評価ではなく、定量化された離型力（離型時における引き剥がし力）として評価した材料に関する報告はこれまでに一切なされていない。

本発明は、上記の事情に基づいてなされたものであり、その解決しようとする課題は、インプリント材料を構成する各成分が互いに十分に相溶して均一な形態にあり、また該材料を用いて樹脂膜を形成時にフィルム基材に対して十分な密着性を有し、かつ離型時においてモールドから樹脂膜を容易に剥離できるインプリント材料、すなわち低離型力性を有する膜を形成できるインプリント材料を提供することであり、当該材料から作製され、パターンが転写された膜を提供することである。具体的には、透明且つ均一なワニスの形態にあり、塗膜の密着性を評価するクロスカットテスト試験において剥離がなく、かつ離型力が０．５ｇ／ｃｍ以下を達成可能な膜を形成するインプリント材料を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、光重合開始剤、これまで相溶性の悪さが指摘されていたシリコーン化合物、そして従来はパターン寸法の変化が起こりやすいために使用が控えられていた溶剤を含有する材料をインプリント材料として使用することにより、該材料が透明で均一なワニスの形態にあり均質な塗膜を形成でき、該材料をフィルム基材に塗布し光硬化によりモールドのパターン形状が転写された硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から剥離する際に計測される離型力が格段に小さくなるという驚くべき知見を得、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、第１観点として、（Ａ）成分：炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを少なくとも１つ有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、（Ｂ）成分：光重合開始剤、（Ｃ）成分：インプリント材料が適用されるフィルム基材の表面部を膨潤させ又は溶解する溶剤、及び（Ｄ）成分：シリコーン化合物、を含むインプリント材料であって、前記インプリント材料の全成分から前記（Ｃ）成分を除いたものとして定義される固形分の割合が、前記インプリント材料の総質量に対して１０質量％乃至８０質量％であり、前記（Ｃ）成分がアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するインプリント材料に関する。
第２観点として、前記（Ａ）成分の化合物は、前記重合性基として、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を少なくとも２つ有する化合物である、第１観点に記載のインプリント材料に関する。
第３観点として、前記（Ａ）成分の化合物は、アルキレンオキサイドユニットとして、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選ばれる少なくとも１種を少なくとも１つ有する化合物である、第１観点に記載のインプリント材料に関する。
第４観点として、前記（Ｂ）成分が、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル-ケトン又は２−
ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル-プロパン−１−オンを含む、第１観点乃至第３
観点のいずれか一つに記載のインプリント材料に関する。
第５観点として、前記（Ｃ）成分がメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、シクロヘキサノン及びプロピレングリコールモノメチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有することを特徴とする、第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載のインプリント材料に関する。
第６観点として、前記フィルム基材が、トリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル又はシクロオレフィン（コ）ポリマーからなる、第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載のインプリント材料に関する。
第７観点として、前記インプリント材料を前記フィルム基材上に塗布し、光硬化させた場合において得られた硬化膜と前記フィルム基材との密着性が、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う試験の評価において１００／１００であり、かつ、前記インプリント材料を前記フィルム基材上に塗布し、該フィルム基材上の塗膜をモールドのパターン形状を有する面に接着させ、続いて該塗膜を光硬化させ、その後フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から９０°剥離する試験において、計測された離型力、すなわち、該フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から剥離したときの荷重を該フィルム基材の横幅１ｃｍあたりに換算した値が０ｇ／ｃｍより大きく０．５ｇ／ｃｍ以下である、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のインプリント材料に関する。
第８観点として、第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のインプリント材料をフィルム基材に塗布し塗膜を得る工程、前記塗膜を乾燥させる工程、前記乾燥させた塗膜にモールドを押し付け加圧する、又は該加圧と共に加熱する工程、前記塗膜と前記モールドとが接した状態で、該塗膜を硬化させる光を照射し、硬化膜を形成する工程、及び形成された前記硬化膜を前記モールドから剥離する工程、を有するインプリント方法に関する。
第９観点として、前記乾燥工程における乾燥温度が６０℃乃至１５０℃の範囲から選択される、第８観点に記載のインプリント方法に関する。
第１０観点として、第１観点乃至第７観点のうちいずれか一つに記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。
第１１観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材に関する。
第１２観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像装置に関する。
第１３観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたＬＥＤデバイスに関する。
第１４観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を備えた半導体素子に関する。
第１５観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を備えた太陽電池に関する。
第１６観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を備えたディスプレイに関する。
第１７観点として、第１０観点に記載のパターンが転写された膜を備えた電子デバイスに関する。

本発明のインプリント材料は、分子中に炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを含有し且つ重合性基を少なくとも２つ以上有する化合物、光重合開始剤、溶剤、そしてシリコーン化合物を含有するため、当該インプリント材料から作製された硬化膜はフィルム基材への十分な密着性を獲得し、且つ、該硬化膜は低離型力性を有するものとすることができる。
また本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、かつモールドの離型時にパターンの一部に剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
さらに本発明のインプリント材料は、従来のインプリント材料では相溶性の低さが課題とされたシリコーン化合物を含有しているものの、透明且つ均一なワニスの形態にて材料を得ることができ、時間経過による層分離の発生を抑制でき、製品安定性の高い材料とすることができる。そしてそのため、本発明のインプリント材料は均質な塗膜を形成でき、ひいては安定性の高い製品の供給につながる。

そして本発明のインプリント材料より作製された、パターンが転写された膜は、シリコーン化合物を含有しているために、モールドのパターン形状を有する面に対する離型力が低い膜となる。離型力を低く抑制できることは、金型であるモールドへのインプリント材料の付着並びにそれによるモールドの劣化を抑制できるだけでなく、モールドの離型処理に使用される金型離型剤がインプリント材料へ少しずつ移行することによっても生ずるモールド寿命の短期化という問題の解決にもつながる。したがってモールドのパターン形状を有する面に対する離型力が低い本発明のパターンが転写された膜は、モールド寿命の伸長につながり、これは目的とするパターン付き基材を低コスト、且つ高効率で生産することにつながる。
また、本発明のインプリント材料は上述の通り均一なワニスの形態にあるため、得られた硬化膜においても面内での成分のばらつきがなく、ロール・ツー・ロール方式のライン初期と後期とで得られる膜の光学特性が安定し、これは膜作製における歩留まりの向上につながり、生産効率向上を実現可能となる。

また、本発明のインプリント材料は、任意のフィルム基材上に製膜することができ、また形成された膜とフィルム基材とは十分な密着性を有し、且つ当該膜は低い離型力を有する。そのため、インプリント後に形成されるパターンが転写された膜は、固体撮像装置、太陽電池、ＬＥＤデバイス、ディスプレイなどの光学部材の製造に好適に用いることができる。
さらに、本発明のインプリント材料は、上記（Ａ）成分の炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物及び／又はシリコーン化合物及び／又は溶剤の種類及び割合を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚、基材との密着性、離型力をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。

本発明は、（Ａ）炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを含有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）溶剤、及び（Ｄ）シリコーン化合物を含有することを特徴とするインプリント材料であって、所望により更に（Ｅ）成分として、少なくとも２つの重合性基を有し、且つ、分子内に炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを有しない（メタ）アクリレート及び／又はウレタン（メタ）アクリレート、更に所望によりその他成分をも含有し得るインプリント材料である。
本発明のインプリント材料は上述の構成を為すことで、インプリント材料から形成される硬化膜がフィルム基材に対して高い密着性を獲得し、且つ、該硬化膜は低い離型力性を実現することを両立させた点に特徴がある。
以下、各成分について詳細に説明する。

＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分の化合物は、一分子内に炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを単独、又は組み合わせて一つ以上含有し、且つ重合性基を少なくとも２つ以上、要するに重合性基を分子末端に有する化合物を指す。本発明に含まれる（Ａ）成分は、パターン転写後の膜に対して、膜表面の滑り性を高め、これによりモールドのパターン形状を有する面との剥離時に生ずる離型力の低下に貢献する。
上記アルキレンオキサイドユニットは、エチレンオキサイド（−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−）、プロピレンオキサイド（−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ−）、（−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−）又はブチレンオキサイド（−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−）であることが好ましい。
上記重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機基のことを指す。ここで、アクリロイルオキシ基はアクリロキシ基と、メタアクリロイルオキシ基はメタアクリロキシ基と表現されることがある。また、エチレンオキサイドはジメチレンオキサイドと、プロピレンオキサイドはトリメチレンオキサイドと、ブチレンオキサイドはテトラメチレンオキサイドと表現されることがある。

上記（Ａ）成分である化合物としては、例えばエチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチレングリコールジメタクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、ポリテトラメチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレンオキサイドポリプロピレンオキサイドジアクリレート、ポリエチレンオキサイドポリプロピレンオキサイドジメタクリレート、ポリエチレンオキサイドポリプロピレンオキサイドビスフェノールＡジアクリレート、ポリエチレンオキサイドポリプロピレンオキサイドビスフェノールＡジメタクリレート、ポリエチレンオキサイドポリブチレンオキサイドジアクリレート、ポリエチレンオキサイドポリブチレンオキサイドジメタクリレートが挙げられる。

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＮＫエステル Ａ−２００、同Ａ−４００、同Ａ−６００、同Ａ−１０００、同Ａ−１５００、同Ａ−２０００、同１Ｇ、同２Ｇ、同３Ｇ、同４Ｇ、同９Ｇ、同１４Ｇ、同２３Ｇ、同ＡＢＥ−３００、同Ａ−ＢＰＥ−４、同Ａ−ＢＰＥ−６、同Ａ−ＢＰＥ−１０、同Ａ−ＢＰＥ−２０、同Ａ−ＢＰＥ−３０、同ＢＰＥ−８０Ｎ、同ＢＰＥ−１００Ｎ、同ＢＰＥ−２００、同ＢＰＥ−５００、同ＢＰＥ−９００、同ＢＰＥ−１３００Ｎ、同Ａ−ＧＬＹ−３Ｅ、同Ａ−ＧＬＹ−９Ｅ、同Ａ−ＧＬＹ−２０Ｅ、同Ａ−ＴＭＰＴ−３ＥＯ、同Ａ−ＴＭＰＴ−９ＥＯ、同ＡＴＭ−４Ｅ、同ＡＴＭ−３５Ｅ、同ＡＰＧ−１００、同ＡＰＧ−２００、同ＡＰＧ−４００、同ＡＰＧ−７００、同３ＰＧ、同９ＰＧ、同Ａ−ＰＴＭＧ−６５、同Ａ−１０００ＰＥＲ、同１２０６ＰＥ、同Ａ−Ｂ１２０６ＰＥ、（以上、新中村化学工業株式会社製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＴＨＥ−３３０、同ＲＰ−１０４０（以上、日本化薬株式会社製）、Ｍ−２１０、Ｍ−３５０（以上、東亞合成株式会社製）、ファンクリル（登録商標）ＦＡ−Ｐ２４０Ａ、同ＦＡ−Ｐ２７０Ａ、同ＦＡ−０２３Ｍ（以上、日立化成工業株式会社製）を挙げることができる。

上記（Ａ）成分の化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。

本発明における（Ａ）成分において、アルキレンオキサイドユニットの含有量は本発明が達成しようとする効果を損なわない範囲で使用されれば特に限定はされない。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分である光重合開始剤は、光照射によりラジカルを発生し、インプリント材料に含まれる光重合性基同士の重合を開始する役割を果たす。
（Ｂ）成分である光重合開始剤としては、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ−ｉｓｏ−ブタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルジオキシ）ヘキサン、１，４−ビス［α−（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−ｉｓｏ−プロポキシ］ベンゼン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）ヘキセンヒドロペルオキシド、α−（ｉｓｏ−プロピルフェニル）−ｉｓｏ−プロピルヒドロペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ブチル−４，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルジオキシ）バレレート、シクロヘキサノンペルオキシド、２，２’，５，５’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）−４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物；９，１０−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−［４−｛４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）ベンジル｝−フェニル］−２−メチル−プロパン−１−オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチル−ベンジル）−１−（４−モルホリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン等のアルキルフェノン系化合物；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系化合物；１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル系化合物が挙げられる。

本発明のインプリント材料は、フィルム基材を通して光硬化するプロセスを経る場合がある。そのときは、光源から照射された光の波長の一部がフィルムでカットされることになり、カットされた光の波長領域以外に吸収を有する光重合開始剤を選択すれば特に限定されるものではないが、溶剤への溶解性が良好で、且つ膜にしたときの透過率が良好な観点から、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン又は２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オンが好ましく、特に２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイドを好適に使用できる。

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）６５１、同１８４、同５００、同２９５９、同１２７、同７５４、同９０７、同３６９、同３７９、同３７９ＥＧ、同８１９、同８１９ＤＷ、同１８００、同１８７０、同７８４、同ＯＸＥ０１、同ＯＸＥ０２、同２５０、ＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３、同ＭＢＦ、同４２６５、Ｌｕｃｉｒｉｎ（登録商標）ＴＰＯ（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）、ＫＡＹＡＣＵＲＥ（登録商標）ＤＥＴＸ、同ＭＢＰ、同ＤＭＢＩ、同ＥＰＡ、同ＯＡ（以上、日本化薬株式会社製）、ＶＩＣＵＲＥ−１０、同５５（以上、ＳＴＡＵＦＦＥＲ Ｃｏ．ＬＴＤ製）、ＥＳＡＣＵＲＥ（登録商標）ＫＩＰ１５０、同ＴＺＴ、同１００１、同ＫＴＯ４６、同ＫＢ１、同ＫＬ２００、同ＫＳ３００、同ＥＢ３、トリアジン−ＰＭＳ、トリアジンＡ、トリアジンＢ（以上、日本シイベルヘグナー株式会社製）、アデカオプトマ−Ｎ−１７１７、同Ｎ−１４１４、同Ｎ−１６０６（株式会社ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。

上記光重合開始剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。

本発明のインプリント材料における（Ｂ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分の質量に対して、０．１ｐｈｒ乃至３０ｐｈｒであることが好ましく、１ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒであることがより好ましい。この割合が０．１ｐｈｒ未満の場合には、十分な硬化性が得られず、パターニング特性の悪化及び離型力の増大が起こるからである。ここで、ｐｈｒとは、（Ａ）成分の質量１００ｇに対する、光重合開始剤の質量を表す。

＜（Ｃ）成分＞
（Ｃ）成分であるフィルム基材の表面部を膨潤させ又は溶解する溶剤とは、インプリント材料のフィルム基材への塗布工程及び乾燥工程時に、インプリント材料の塗膜と接触するフィルム基材の最表面部を膨潤させるか又は溶解することが可能な溶剤を意味する。該溶剤は、フィルム基材の表面部を膨潤させ又は溶解することにより、本発明のインプリント材料の一部をフィルム基材中へ拡散させ、光硬化させた後のフィルム基材と硬化膜との密着性を向上させる役割を担う。また該溶剤は、溶解性若しくは相溶性に乏しい後述するシリコーン化合物である（Ｄ）成分を含有する本発明のインプリント材料を均一なワニスにするためのワニス均一化助剤としての役割をも果たす。

従って上記溶剤としては、後述するフィルム基材、特に好適例としてトリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル又はシクロオレフィン（コ）ポリマーであるフィルム基材との十分な密着性を得られるもの、すなわちフィルム基材の最表面部を膨潤させることができるか、又はフィルム基材の最表面部を溶解するがフィルム基材全体を溶解させるものではない溶剤であり、また、特にシリコーン化合物の相溶性を向上できる溶剤であれば、特に限定されるものではないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられ、特に好ましいものとしてメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。上記溶剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。
特に好適なフィルム基材と溶剤との組み合わせは、フィルム基材がトリアセチルセルロースの場合、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及び酢酸エチル、ポリエチレンテレフタレートの場合、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及び酢酸エチル、ポリメタクリル酸メチルの場合、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール及びプロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロオレフィンの場合、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及び酢酸エチルが好適に使用できる。

また後述するように、本発明のインプリント材料を用いて光インプリントを実施する際、溶剤が塗膜（インプリント材料）中に多量に残存していると光照射の際に該溶剤が光硬化を阻害するおそれがあることから、例えば４０℃乃至２００℃の温度で焼成する乾燥工程を実施することが好ましい。
このため、大気圧下（７６０ｍｍＨｇ）にて、２００℃以下、特に好ましくは１５０℃以下の温度で蒸発し、十分な密着性を発現する上記溶剤として、メチルエチルケトン（沸点：７９．５℃）、メチルイソブチルケトン（沸点：１１６．２℃）、酢酸エチル（沸点：７７．１℃）、シクロヘキサノン（沸点：１５５．６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１２１．０℃）が好適であり、フィルム基材との密着性が良好であり、ワニスとする際の溶解性及びワニスとした際の他成分との相溶性が良いという観点でメチルエチルケトンを特に好適に使用できる。

また（Ｃ）成分のフィルム基材の表面部を膨潤させ又は溶解する溶剤とは別に、その他の溶剤を組合せて使用することもできる。その他の溶剤としては、例えば、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ−ルジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、２−ヘプタノン、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ｎ−プロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ｎ−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、トリメチレングリコール、１−メトキシ−２−ブタノール、１，４−ジオキサンが挙げられ、上記（Ａ）成分の粘度を調節することができるものであれば、特に限定されるものではない。

その他の溶剤を組み合わせて使用する場合、（Ｃ）成分の溶剤とその他の溶剤との組合せの例としては、メチルエチルケトンとイソプロパノールの組合せ、酢酸エチルとイソプロパノールの組合せ、メチルエチルケトンとメチルイソブチルケトンとイソプロパノール、酢酸エチルとプロピレングリコールモノメチルエーテルの組合せが挙げられる。

本発明のインプリント材料における（Ｃ）成分の含有量は、フィルム基材の厚さ、フィルム基材へ塗布後の乾燥温度、乾燥時間にも依るが、本発明が達成しようとする効果を損なわない範囲、特にフィルム基材に対する密着性を確保するがフィルム基材を溶解させすぎるものではなく、また、各成分の相溶性を高める役割を担う効果を損なわない範囲にて含有されれば特に限定はされない。
好ましくは、本発明のインプリント材料の全成分、すなわち前述の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｄ）成分、並びに後述するその他添加剤を含む全成分から（Ｃ）成分の溶剤を除いたものとして定義される固形分の割合が、前記インプリント材料に対して１０質量％乃至８０質量％となる量にて、より好ましくは４０質量％乃至７０質量％となる量にて、溶剤を含有することが好ましい。前記固形分の割合が１０質量％を下回る場合は目的の膜厚を得ることができず、８０質量％を超えるとフィルム基材との密着性を確保することが困難な場合がある。
また、溶剤として上述のその他の溶剤を併用する場合、全溶剤成分のうちの（Ｃ）成分の溶剤の割合は、１０質量％乃至４０質量％である。

＜（Ｄ）成分＞
（Ｄ）成分であるシリコーン化合物は、分子内にシリコーン骨格（シロキサン骨格）を有する化合物であり、特にジメチルシリコーン骨格を有することが好ましく、そのような化合物の例としてポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンが挙げられる。
（Ｄ）成分のシリコーン化合物は、本発明のインプリント材料のフィルム基材への塗布時、塗布後の乾燥時、及び露光時に、被膜（硬化膜）の最表面へと表層移行し、フィルム基材上の硬化膜をモールドから剥離するときの離型力を低下させる役割を果たす。

上記シリコーン化合物としては、例えば、Ｘ−２２−１６４、Ｘ−２２−１６４ＡＳ、Ｘ−２２−１６４Ａ、Ｘ−２２−１６４Ｂ、Ｘ−２２−１６４Ｃ、Ｘ−２２−１６４Ｅ、Ｘ−２２−１６３、ＫＦ−１０５、Ｘ−２２−１６３Ａ、Ｘ−２２−１６３Ｂ、Ｘ−２２−１６３Ｃ、Ｘ−２２−１６９ＡＳ、Ｘ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−１６０２、Ｘ−２２−２４０４、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−９００２、Ｘ−２２−２４７５、Ｘ−２２−４９５２、ＫＦ−６４３、Ｘ−２２−３４３、Ｘ−２２−２０４６、Ｘ−２４−８２０１、ＦＬ１００−１００ｃｓ、ＦＬ１００−４５０ｃｓ（以上、信越化学工業株式会社製）、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３２２、ＢＹＫ−３２３、ＢＹＫ−３３０、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３７０、ＢＹＫ−３７５、ＢＹＫ−３７８、ＢＹＫ−ＵＶ ３５００、ＢＹＫ−ＵＶ ３５７０（以上、ビックケミー・ジャパン株式会社製）を挙げることができる。

上記シリコーン骨格を有する化合物は単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。

本発明のインプリント材料における（Ｄ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分の質量に対して、０．０１ｐｈｒ乃至５ｐｈｒであることが好ましく、０．１ｐｈｒ乃至３ｐｈｒであることがより好ましい。この割合が０．０１ｐｈｒを下回る場合には、十分に離型力を低下させることができず、また５ｐｈｒを上回る場合には、ワニス形態にあるインプリント材料における相溶性の悪化を引き起こす場合がある。ここで、ｐｈｒとは、（Ａ）成分の質量１００ｇに対する、（Ｄ）成分（シリコーン化合物）の質量を表す。

＜（Ｅ）成分＞
本発明におけるインプリント材料には、（Ｅ）成分として、少なくとも２つの重合性基を有し、且つ、分子内に炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを含有しない（メタ）アクリレート及び／又はウレタン（メタ）アクリレートを添加しても良い。上記（Ｅ）成分は、光インプリントにより得られる硬化膜の硬度を調整する役割を果たす。
当該重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基、アリル基が挙げられる。なお、本明細書では（メタ）アクリレートとは、アクリレートとメタクリレートの両方を指す。例えば（メタ）アクリル酸は、アクリル酸とメタクリル酸を指す。

上記（Ｅ）成分である化合物としては、例えば、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、２−メチル−１，８−オクタンジオールジメタクリレート、トリシクロデカンジメチロールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ビス（アクリロイルオキシエチル）ヒドロキシエチルイソシアヌレート、グリセリンジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートヘキサメチレンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ペンタエリスリトールトリアクリレートトルエンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ペンタエリスリトールトリアクリレートイソホロンジイソシアネートウレタンプレポリマー、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートヘキサメチレンジイソシアネートウレタンプレポリマーが挙げられる。

上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＮＫエステル７０１Ａ、同Ａ−ＤＣＰ、同Ａ−ＤＯＮ−Ｎ、同Ａ−ＨＤ−Ｎ、同Ａ−ＮＯＤ−Ｎ、同ＤＣＰ、同ＤＯＤ−Ｎ、同ＨＤ−Ｎ、同ＮＯＤ−Ｎ、同ＮＰＧ、同Ａ−ＴＭＭ−３、同Ａ−ＴＭＭ−３Ｌ、同Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭＮ、同Ａ−ＴＭＰＴ、同ＴＭＰＴ、同Ａ−ＴＭＭＴ、同ＡＤ−ＴＭＰ、同Ａ−ＤＰＨ、同Ａ−９５５０、同Ａ−９５３０、同ＡＤＰ−５１ＥＨ、同ＡＴＭ−３１ＥＨ、ＵＡ−７１００（以上、新中村化学工業株式会社製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）Ｔ−１４２０、同Ｄ−３３０、同Ｄ−３２０、同Ｄ−３１０、同ＤＰＣＡ−２０、同ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０、同ＴＭＰＴＡ、同ＰＥＴ−３０、同ＤＰＨＡ、同ＤＰＨＡ−２Ｃ（以上、日本化薬株式会社製）、ＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、ＵＡ−５１０Ｈ（以上、共栄社化学株式会社製）が挙げられる。

上記（Ｅ）成分の化合物は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。（Ｅ）成分の化合物が使用される場合、その割合は、上記（Ａ）成分の質量に対して、１ｐｈｒ乃至１００ｐｈｒであることが好ましく、１ｐｈｒ乃至７０ｐｈｒであることがより好ましい。（Ｅ）成分を（Ａ）成分に対して１００ｐｈｒを超えて添加すると膜硬度が上昇しすぎて離型力が増大することがある。

＜その他添加剤＞
本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、エポキシ化合物、光酸発生剤、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、密着補助剤又は離型性向上剤を含有することができる。

上記エポキシ化合物としては、例えば、エポリード（登録商標）ＧＴ−４０１、同ＰＢ３６００、セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、同２０００、同３０００、ＥＨＰＥ３１５０、同ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ、サイクロマー（登録商標）Ｍ１００（以上、株式会社ダイセル製）、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）８４０、同８４０−Ｓ、同Ｎ−６６０、同Ｎ−６７３−８０Ｍ（以上、ＤＩＣ株式会社製）が挙げられる。

上記光酸発生剤としては、例えば、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＰＡＧ１０３、同ＰＡＧ１０８、同ＰＡＧ１２１、同ＰＡＧ２０３、同ＣＧＩ７２５（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）、ＷＰＡＧ−１４５、ＷＰＡＧ−１７０、ＷＰＡＧ−１９９、ＷＰＡＧ−２８１、ＷＰＡＧ−３３６、ＷＰＡＧ−３６７（以上、和光純薬工業株式会社製）、ＴＦＥトリアジン、ＴＭＥ−トリアジン、ＭＰ−トリアジン、ジメトキシトリアジン、ＴＳ−９１、ＴＳ−０１（株式会社三和ケミカル製）が挙げられる。

上記光増感剤としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ケトクマリン系、クマリン系、ボレート系が挙げられる。

上記光増感剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該光増感剤を用いることによって、ＵＶ領域の吸収波長を調整することもできる。

上記紫外線吸収剤としては、例えば、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）ＰＳ、同９９−２、同１０９、同３２８、同３８４−２、同４００、同４０５、同４６０、同４７７、同４７９、同９００、同９２８、同１１３０、同１１１ＦＤＬ、同１２３、同１４４、同１５２、同２９２、同５１００、同４００−ＤＷ、同４７７−ＤＷ、同９９−ＤＷ、同１２３−ＤＷ、同５０５０、同５０６０、同５１５１（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社）が挙げられる。

上記紫外線吸収剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該紫外線吸収剤を用いることによって、光硬化時に膜の最表面の硬化速度を制御することができ、離型力を低下できる場合がある。

上記酸化防止剤としては、例えば、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、同１０３５、同１０７６、同１１３５、同１５２０Ｌ（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社）が挙げられる。

上記酸化防止剤は、単独又は２種以上の組み合わせで使用することができる。当該酸化防止剤を用いることで、酸化によって膜が黄色に変色することを防止することができる。

上記密着補助剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。当該密着補助剤を用いることによって、基材との密着性が向上する。当該密着補助剤の含有量は、上記（Ａ）成分の質量に対して、好ましくは５ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒ、より好ましくは１０ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒである。

＜インプリント材料の調製＞
本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分、並びに任意成分である（Ｅ）成分並びに所望によりその他添加剤を混合し、インプリント材料が均一な状態となっていればよい。
また、（Ａ）成分乃至（Ｅ）成分並びに所望によりその他添加剤を混合する際の順序は、均一なインプリント材料が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、（Ａ）成分に（Ｂ）成分を所定の割合で混合する方法が挙げられる。また、これに更に（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を混合し、均一なインプリント材料とする方法も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。

また、均一な溶液を短時間で得るために必要に応じて加熱してもよい。加熱の温度は、インプリント材料が変質したり、分解したりする温度を避ければ特に限定されないが、インプリント材料の内部温度が３０℃乃至１２０℃の範囲で加熱できる。

＜光インプリント及びパターンが転写された膜＞
上記インプリント材料を用いた光インプリントのプロセスは、以下の工程ａ）〜ｅ）を有する：
ａ）本発明のインプリント材料をフィルム基材に塗布し塗膜を得る工程、
ｂ）前記塗膜を乾燥させる工程、
ｃ）前記乾燥させた塗膜にモールドを押し付け加圧する、その際必要に応じて熱を加える工程。
ｄ）前記塗膜と前記モールドとが接した状態で、該塗膜を硬化させる光を照射し、硬化膜を形成する工程、及び
ｅ）形成された前記硬化膜を前記モールドから剥離する工程。

上述のように、本発明のインプリント材料は、フィルム基材に塗布し光硬化させることで所望の被膜（硬化膜）を得ることができる。塗布方法としては、公知又は周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法を挙げることができる。

本発明のインプリント材料を塗布するための基材はフィルム基材であればよい。フィルム基材とは、柔軟性があり、任意の力で変形できる可塑性を有する高分子を指し、フィルム基板、フレキシブル基材（基板）、フレキシブルプリント基材（基板）とも称される。

フィルム基材としては、例えば、トリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィン（コ）ポリマー、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、並びにこれらポリマーを組み合わせた共重合体が挙げられる。
なかでも、本発明における好適なフィルム基材として、トリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル又はシクロオレフィン（コ）ポリマーが挙げられる。

本発明のインプリント材料を用いる光インプリントにおいては、該材料に含まれるフィルム基材との十分な密着性を発現させるための必須成分である上記（Ｃ）成分の溶剤を除去する乾燥工程を必須として含むものである。溶剤が塗膜（インプリント材料）中に多量に残存していると、光照射したときに残存する溶剤が光硬化を阻害するおそれがあるためである。
乾燥工程は、光照射前の塗膜に対して溶剤を蒸発させる目的で焼成することによって実施され、また光照射後の被膜（硬化膜）に対して更に乾燥工程（焼成）を実施しても良い。
焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス又は真空中で焼成することができるものであればよい。
焼成温度は、溶剤を蒸発させる目的では、特に限定されないものの、フィルム基材は可塑性高分子で構成されており、焼成温度が２００℃以上では溶解又は変形が起こり目的のパターンが得られないおそれがあることから、焼成温度の上限は２００℃以下、特に好ましくは１５０℃以下とすることが望ましい。したがって、焼成温度は、例えば、４０℃乃至２００℃が好ましく、特に好ましくは６０℃乃至１５０℃である。
また焼成時間は製品を得るタクトタイムに直接関わるため、短ければ良いが、１０秒乃至３００秒の範囲で選択されることが好ましく、１０秒乃至１８０秒の範囲がより好ましい。

本発明のインプリント材料を硬化させる光源としては、特に限定されないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、無電極ランプ、メタルハライドランプ、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、Ｆ_２エキシマーレーザー、電子線（ＥＢ）、極端紫外線（ＥＵＶ）を挙げることができる。また、波長は、一般的には、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線、又はＧＨＩ混合線を用いることができる。さらに、露光量は、好ましくは、３０乃至２０００ｍＪ／ｃｍ^２、より好ましくは３０乃至１０００ｍＪ／ｃｍ^２である。

光インプリントを行う装置は、目的のパターンが得られれば特に限定されないが、例えば、東芝機械株式会社製のＳＴ５０、Ｏｂｄｕｃａｔ社製のＳｉｎｄｒｅ（登録商標）６０、明昌機工株式会社製のＮＭ−０８０１ＨＢ等の市販されている装置、基材とモールドをローラー圧着し、光硬化後に離型する方法を用いることができる。

また、本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、アルミナ、カルボニルシラン、グラッシーカーボンを挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行ってもよい。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール（登録商標）ＨＤ、同ＤＳＸが挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。

光インプリントのパターンサイズはナノメートルオーダーであり、具体的には１ミクロン未満のパターンサイズに準ずる。

本発明のインプリント材料を前述のフィルム基材上に塗布し、光硬化させた場合において得られた硬化膜と、前記フィルム基材との密着性は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う試験にて評価したとき、本発明のインプリント材料においては１００／１００であることが好ましい。
上記密着性の試験は基板目試験とも呼ばれ、碁盤目状の直角の格子パターン（例：１００マス）に被膜をカット（傷を入れる）し、素地（基板）まで貫通するときの素地からの剥離に対する被膜の耐性を評価するものであり、１００／１００とは１００マスのうち１００マスとも剥がれなかった結果を示すものである。

なお、本発明において、離型力を評価する９０°剥離試験とは、一般に接着物（本発明ではインプリント材料より形成された硬化被膜に相当する）を被着物（本発明ではフィルム基材に相当する）に貼付し、所定時間後に所定の剥離速度で９０°方向に引き剥がす際に生じる抵抗力（張力）を測定する試験であり、通常、測定はＪＩＳ Ｚ０２３７を参考にした評価法にて実施される。ここで測定された抵抗力を被着物の幅あたりに換算した値を離型力として評価することができる。
そして本発明のインプリント材料を前記フィルム基材上に塗布し、該フィルム基材上の塗膜をモールドのパターン形状を有する面に接着させ、続いて該塗膜を、モールドのパターン形状を有する面を接着させたまま光硬化させ、その後フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から９０°剥離する試験において計測された離型力、すなわち、該フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から完全に剥離したときの荷重を該フィルム基材の横幅１ｃｍあたりに換算した値が０ｇ／ｃｍより大きく０．５ｇ／ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．４ｇ／ｃｍ以下である。
本発明において、上述の如く定義される離型力とは、これまで報告されているようなモールド形状のパターン転写率の顕微鏡観察といった離型性の評価とは異なり、モールドから光硬化後の膜を備えたフィルムを剥がすときに生じる力を定量化した値（ｇ／ｃｍ）である。そして実際にフィルムを剥がすとき生じる力は、モールド幅及びフィルム幅の伸長に伴い増加する。
光ナノインプリントリソグラフィの現場において扱うロール・ツー・ロールプロセスでは、モールド及びフィルム幅が長いことが一般的であることから、モールドとフィルムとを引き剥がす力が増加する傾向にあり、モールドへのフィルム（樹脂）の付着やそれによるモールドの劣化が懸案となっている。このため、単位長さ当りの荷重（本発明でいうところの離型力）を小さくすることはモールドの寿命を伸ばし、フィルムを安定供給できると考えられ、すなわち、離型力が小さいことはインプリント材料における重要な性能の一つである。

こうして本発明のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜、また該膜を備えた半導体素子並びに該膜を基材上に備えた光学部材、固体撮像素子、ＬＥＤデバイス、太陽電池、ディスプレイ及び電子デバイスも本発明の対象である。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものでない。

なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。
［露光機］
装置：株式会社オーク製作所製 無電極均一照射装置 ＱＲＥ−４０１６Ａ
［紫外線可視分光光度計］
装置：株式会社島津製作所製 ＳＨＩＭＡＤＳＵ ＵＶ−３６００
［密着性試験］
規格：ＪＩＳ Ｋ５４００
［全自動フィルムアプリケーター］
装置：コーテック株式会社製 ＫＴ−ＡＢ３１２０

［モールドの離型処理］
ニッケル製のピッチ２５０ｎｍ、高さ２５０ｎｍのモスアイパターンモールド（株式会社イノックス製）及び後述する光硬化性試験で使用するシリコン基板を、オプツール（登録商標）ＤＳＸ（ダイキン工業株式会社製）をノベック（登録商標）ＨＦＥ−７１００（ハイドロフルオロエーテル、住友スリーエム株式会社）（以下、本明細書では「ノベックＨＦＥ−７１００」と略称する。）で０．１質量％に希釈した溶液へ浸漬し、温度が９０℃、湿度が９０ＲＨ％の高温高湿装置を用いて１時間処理し、ノベックＨＦＥ−７１００でリンス後、エアーで乾燥させた。

［インプリント材料の調製］
＜実施例１＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）１０．００ｇを秤量し、次いでＬｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ（登録商標）（ＢＡＳＦジャパン株式会社製（以下、本明細書では「ＴＰＯ」と略称する。）を０．２５ｇ（Ａ−２００の質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０５ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、メチルエチルケトン（以下、本明細書では「ＭＥＫ」と略称する。）を１０．３０ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ａ１（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２＞
実施例１のＡ−２００をＡ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ２（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３＞
実施例１のＡ−２００をＡ−６００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ３（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４＞
実施例１のＡ−２００をＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例５＞
実施例１のＡ−２００をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ５（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例６＞
実施例１のＡ−２００を１Ｇ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ６（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例７＞
実施例１のＡ−２００をＡＰＧ−１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ７（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例８＞
実施例１のＡ−２００をＡＰＧ−２００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ８（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例９＞
実施例１のＡ−２００をＡＰＧ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ９（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１０＞
実施例１のＡ−２００をＡＰＧ−７００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ１０（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１１＞
実施例１のＡ−２００をＡ−ＰＴＭＧ−６５（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ１１（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例１２＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）５．００ｇ、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）５．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．２５ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０５ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１０．３０ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ａ１２（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１３＞
実施例１２のＡ−１０００をＡＰＧ−７００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ１３（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１４＞
実施例１２のＡ−１０００をＡ−ＰＴＭＧ−６５（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ１４（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例１５＞
実施例４のＴＰＯをＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）（以下、本明細書では「１８４」と略称する。）に変更した以外は、実施例４と同様にインプリント材料Ａ１５（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１６＞
実施例５のＴＰＯを１８４に変更した以外は、実施例５と同様にインプリント材料Ａ１６（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例１７＞
実施例１２のＴＰＯを１８４に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ１７（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例１８＞
実施例１２のＴＰＯをＤＡＲＯＣＵＲ１１７３（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）（以下、本明細書では「１１７３」と略称する。）に変更した以外は同様にインプリント材料Ａ１８（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例１９＞
実施例５のＭＥＫをメチルイソブチルケトン（以下、本明細書では「ＭＩＢＫ」と略称する。）に変更した以外は、実施例５と同様にインプリント材料Ａ１９を（固形分：５０％のＭＩＢＫ溶液）調製した。
＜実施例２０＞
実施例５のＭＥＫを酢酸エチル（以下、本明細書では「ＥｔＯＡｃ」と略称する。）に変更した以外は、実施例５と同様にインプリント材料Ａ２０（固形分：５０％のＥｔＯＡｃ溶液）を調製した。
＜実施例２１＞
実施例５のＭＥＫをシクロヘキサノン（以下、本明細書では「ＣＨＮ」と略称する。）に変更した以外は、実施例５と同様にインプリント材料Ａ２１（固形分：５０％のＣＨＮ溶液）を調製した。
＜実施例２２＞
実施例５のＭＥＫをプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、本明細書では「ＰＧＭＥ」と略称する。）に変更した以外は、実施例５と同様にインプリント材料Ａ２２（固形分：５０％のＰＧＭＥ溶液）を調製した。

＜実施例２３＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＢＹＫ−３０７（ビックケミー・ジャパン株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２３（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２４＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４ＡＳ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２４（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２５＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４Ｅ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２５（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２６＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６０２（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２６（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２７＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４２６（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２７（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２８＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４０４（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２８（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例２９＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２４−８２０１（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ２９（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３０＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＦＬ１００−１００ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ３０（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３１＞
実施例１２のＢＹＫ−３３３をＦＬ１００−４５０ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１２と同様にインプリント材料Ａ３１（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例３２＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）５．００ｇ、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）５．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．２５ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０５ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）を１．００ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して１０ｐｈｒ）、ＭＥＫを１１．３０ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ａ３２（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３３＞
実施例３２のＤＰＨＡをＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＰＥＴ−３０（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、実施例３２と同様にインプリント材料Ａ３３（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３４＞
実施例３２のＤＰＨＡをＡ−ＤＣＰ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例３２と同様にインプリント材料Ａ３４（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３５＞
実施例３２のＤＰＨＡをＵＡ−３０６Ｈ（共栄社化学株式会社製）に変更した以外は、実施例３２と同様にインプリント材料Ａ３５（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３６＞
実施例３２のＤＰＨＡをＵＡ−７１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例３２と同様にインプリント材料Ａ３６（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例３７＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）４．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．１０ｇ（Ａ−２００の質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０２ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１６．４８ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ａ３７（固形分：２０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例３８＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）１４．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．３５ｇ（Ａ−２００の質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０７ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを６．１８ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ａ３８（固形分：７０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜実施例３９＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＢＹＫ−３０７（ビックケミー・ジャパン株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ３９（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４０＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４ＡＳ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４０（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４１＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４Ｅ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４１（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４２＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６０２（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４２（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４３＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４２６（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４３（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４４＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４０４（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４４（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４５＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＸ−２４−８２０１（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４５（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４６＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＦＬ１００−１００ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４６（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜実施例４７＞
実施例１のＢＹＫ−３３３をＦＬ１００−４５０ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ａ４７（固形分：５０％のＭＥＫ溶液）を調製した。

＜比較例１＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）１０．００ｇを秤量し、次いでＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０５ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１０．０５ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ｂ１を調製した。
＜比較例２＞
比較例１のＡ−２００をＡ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ２を調製した。
＜比較例３＞
比較例１のＡ−２００をＡ−６００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ３を調製した。
＜比較例４＞
比較例１のＡ−２００をＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ４を調製した。
＜比較例５＞
比較例１のＡ−２００をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ５を調製した。
＜比較例６＞
比較例１のＡ−２００を１Ｇ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ６を調製した。
＜比較例７＞
比較例１のＡ−２００をＡＰＧ−１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ７を調製した。
＜比較例８＞
比較例１のＡ−２００をＡＰＧ−２００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ８を調製した。
＜比較例９＞
比較例１のＡ−２００をＡＰＧ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ９を調製した。
＜比較例１０＞
比較例１のＡ−２００をＡＰＧ−７００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ１０を調製した。
＜比較例１１＞
比較例１のＡ−２００をＡ−ＰＴＭＧ−６５（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１と同様にインプリント材料Ｂ１１を調製した。

＜比較例１２＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）２０．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．０５ｇ（Ａ−２００質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．１０ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ｂ１２を調製した。
＜比較例１３＞
比較例１２のＡ−２００をＡ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１３を調製した。
＜比較例１４＞
比較例１２のＡ−２００をＡ−６００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１４を調製した。
＜比較例１５＞
比較例１２のＡ−２００をＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１５を調製した。しかし、Ｂ１５は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例１６＞
比較例１２のＡ−２００をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１６を調製した。
＜比較例１７＞
比較例１２のＡ−２００を１Ｇ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１７を調製した。
＜比較例１８＞
比較例１２のＡ−２００をＡＰＧ−１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１８を調製した。
＜比較例１９＞
比較例１２のＡ−２００をＡＰＧ−２００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ１９を調製した。
＜比較例２０＞
比較例１２のＡ−２００をＡＰＧ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２０を調製した。
＜比較例２１＞
比較例１２のＡ−２００をＡＰＧ−７００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２１を調製した。
＜比較例２２＞
比較例１２のＡ−２００をＡ−ＰＴＭＧ−６５（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２２を調製した。

＜比較例２３＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＢＹＫ−３０７（ビックケミー・ジャパン株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２３を調製した。しかし、Ｂ２３は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例２４＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４ＡＳ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２４を調製した。しかし、Ｂ２４は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例２５＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６４Ｅ（信越化学工株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２５を調製した。しかし、Ｂ２５は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例２６＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−１６０２（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２６を調製した。
＜比較例２７＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４２６（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２７を調製した。しかし、Ｂ２７は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例２８＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２２−２４０４（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２８を調製した。
＜比較例２９＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＸ−２４−８２０１（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ２９を調製した。しかし、Ｂ２９は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例３０＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３をＦＬ１００−１００ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例１２と同様にインプリント材料Ｂ３０を調製した。
＜比較例３１＞
比較例１２のＢＹＫ−３３３を、比較例１２とＦＬ１００−４５０ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更した以外は同様にインプリント材料Ｂ３１を調製した。しかし、Ｂ３１は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。

＜比較例３２＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）２０．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．５０ｇ（Ａ−２００質量に対して２．５ｐｈｒ）、Ｘ−２２−１６４Ｅ（信越化学工業株式会社製）を０．１０ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）を２．００ｇ（Ａ−２００の質量に対して１０ｐｈｒ）加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、インプリント材料Ｂ３２を調製した。しかし、Ｂ３２は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例３３＞
比較例３２のＸ−２２−１６４ＥをＸ−２２−２４２６（信越化学工業株式会社製）に変更し、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡをＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＰＥＴ−３０（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、比較例３２と同様にインプリント材料Ｂ３３を調製した。しかし、Ｂ３３は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例３４＞
比較例３２のＸ−２２−１６４ＥをＸ−２４−８２０１（信越化学工業株式会社製）に変更し、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡをＡ−ＤＣＰ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３２と同様にインプリント材料Ｂ３４を調製した。しかし、Ｂ３４は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例３５＞
比較例３２のＸ−２２−１６４ＥをＦＬ１００−１００ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更し、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡをＵＡ−３０６Ｈ（共栄社化学株式会社製）に変更した以外は、比較例３２と同様にインプリント材料Ｂ３５を調製した。しかし、Ｂ３５は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。
＜比較例３６＞
比較例３２のＸ−２２−１６４ＥをＦＬ１００−４５０ｃｓ（信越化学工業株式会社製）に変更し、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡをＵＡ−７１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３２と同様にインプリント材料Ｂ３６を調製した。しかし、Ｂ３６は透明で且つ均一なワニスの形態として得られなかった。

＜比較例３７＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）１０．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．２５ｇ（Ａ−２００質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１０．２５ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、インプリント材料Ｂ３７を調製した。
＜比較例３８＞
比較例３７のＡ−２００をＡ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ３８を調製した。
＜比較例３９＞
比較例３７のＡ−２００をＡ−６００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ３９を調製した。
＜比較例４０＞
比較例３７のＡ−２００をＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４０を調製した。
＜比較例４１＞
比較例３７のＡ−２００をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４１を調製した。
＜比較例４２＞
比較例３７のＡ−２００を１Ｇ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４２を調製した。
＜比較例４３＞
比較例３７のＡ−２００をＡＰＧ−１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４３を調製した。
＜比較例４４＞
比較例３７のＡ−２００をＡＰＧ−２００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４４を調製した。
＜比較例４５＞
比較例３７のＡ−２００をＡＰＧ−４００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４５を調製した。
＜比較例４６＞
比較例３７のＡ−２００をＡＰＧ−７００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４６を調製した。
＜比較例４７＞
比較例３７のＡ−２００をＡ−ＰＴＭＧ−６５（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例３７と同様にインプリント材料Ｂ４７を調製した。

＜比較例４８＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−１０００（新中村化学工業株式会社製）５．００ｇ、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ−１２（日本化薬株式会社製）５．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．２５ｇ（Ａ−１０００とＤＰＥＡ−１２の総質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１０．２５ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ｂ４８を調製した。

＜比較例４９＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）１０．００を秤量し、次いでＴＰＯを０．２５ｇ（ＤＰＨＡの質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを１０．２５ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ｂ４９を調製した。
＜比較例５０＞
比較例４９のＤＰＨＡをＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＰＥＴ−３０（日本化薬株式会社製）に変更した以外は、比較例４９と同様にインプリント材料Ｂ５０を調製した。
＜比較例５１＞
比較例４９のＤＰＨＡをＡ−ＤＣＰ（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例４９と同様にインプリント材料Ｂ５１を調製した。
＜比較例５２＞
比較例４９のＤＰＨＡをＵＡ−３０６Ｈ（共栄社化学株式会社製）に変更した以外は、比較例４９と同様にインプリント材料Ｂ５２を調製した。
＜比較例５３＞
比較例４９のＤＰＨＡをＵＡ−７１００（新中村化学工業株式会社製）に変更した以外は、比較例４９と同様にインプリント材料Ｂ５３を調製した。

＜比較例５４＞
５０ｍＬ一つ口ナス型フラスコにＡ−２００（新中村化学工業株式会社製）１８．００ｇを秤量し、次いでＴＰＯを０．４５ｇ（Ａ−２００の質量に対して２．５ｐｈｒ）、ＢＹＫ−３３３（ビックケミー・ジャパン株式会社製）を０．０９ｇ（Ａ−２００の質量に対して０．５ｐｈｒ）、ＭＥＫを２．０６ｇ加え、マグネチックスターラーを用いて撹拌し、透明で且つ均一なワニスの形態としてインプリント材料Ｂ５４（固形分：９０％のＭＥＫ溶液）を調製した。
＜比較例５５＞
比較例５４のＭＥＫをＭＩＢＫに変更した以外は、比較例５４と同様にインプリント材料Ｂ５５（固形分：９０％のＭＩＢＫ溶液）を調製した。
＜比較例５６＞
比較例５４のＭＥＫをＥｔＯＡｃに変更した以外は、比較例５４と同様にインプリント材料Ｂ５６（固形分：９０％のＥｔＯＡｃ溶液）を調製した。
＜比較例５７＞
比較例５４のＭＥＫをＣＨＮに変更した以外は、比較例５４と同様にインプリント材料Ｂ５７（固形分：９０％のＣＨＮ溶液）を調製した。
＜比較例５８＞
比較例５４のＭＥＫをＰＧＭＥに変更した以外は、比較例５４と同様にインプリント材料Ｂ５８（固形分：９０％のＰＧＭＥ溶液）を調製した。

＜比較例５９＞
実施例１のＭＥＫをイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と略す）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料Ｂ５９（固形分：５０％のＩＰＡ溶液）を調製した。
＜比較例６０＞
実施例１のＭＥＫをトルエン（以下、「Ｔｏｌ」と略す）に変更した以外は同様にインプリント材料Ｂ６０（固形分：５０％のＴｏｌ溶液）を調製した。

［溶解（相溶）性試験］
実施例１乃至実施例４７及び比較例１５、比較例２３乃至比較例２５、比較例２７、比較例２９、比較例３１乃至比較例３６において、インプリント材料が透明で且つ均一なワニスの形態として得られたかどうかを目視にて以下のように評価した。
○：透明であり、且つ均一なワニスの形態である
×：不透明である、或いは、不均一な形態である
なお、不透明である、あるいは、不均一な形態である（透明で且つ均一とならない）ワニスの形態とは、具体的にはワニス全体が白濁したり、ワニス中に白色の異物が浮遊している状態を指す。このように透明で且つ均一なワニスの形態とならない材料は、時間が経過すると層分離を引き起こし、塗膜ひいては硬化膜の性能にばらつきが発生することから、製品を安定供給することができないため、インプリント材料として不適格と判定される。
得られた結果並びにインプリント材料の成分（Ａ）〜（Ｅ）について表１（表１−１〜表１−３）に示す。なお、表１（表１−１〜表１−３）において、その対応する成分を加えていない場合は「−（ハイフン）」で示した。

表１（表１−１〜表１−３）に示すように、実施例１乃至実施例４７のインプリント材料においてはいずれにおいても透明であり、且つ均一なワニスの状態で材料を得ることができた。
一方、比較例１乃至比較例６０において、成分（Ｄ）のシリコーン化合物を含有するが、成分（Ｃ）の溶剤を含有しないインプリント材料では、透明で且つ均一なワニスの形態として得られない材料もあった（比較例１５、比較例２３乃至比較例２５、比較例２７、比較例２９、比較例３１乃至比較例３６）。
詳細には、比較例１５、比較例２３乃至比較例２５、比較例２７、比較例２９、比較例３１と、溶剤を含有する点だけが異なる実施例４、実施例３９乃至実施例４１、実施例４３、実施例４５、実施例４７とを比較すると、成分（Ｄ）のシリコーン化合物の種類、添加量が同じにも関わらず、溶剤の添加により且つ均一なワニスが得られるとする結果が得られた。また、比較例３２乃至比較例３６においては、他成分としてアクリレート化合物若しくはウレタンアクリレート化合物を加えても均一のワニスの形態とならず、すなわちこれら化合物の添加だけでは相溶性の改善に至らないことが確認された。
以上の結果は、成分（Ｄ）のシリコーン化合物は、その種類によっては溶剤が存在しないと他の成分との相溶性が悪く、他成分としてアクリレート化合物若しくはウレタンアクリレート化合物を加えても相溶性が改善せず（比較例３２乃至比較例３６）、透明で且つ均一なワニスの形態とならない場合があること、すなわち、成分（Ｄ）のシリコーン化合物を配合した場合に透明で且つ均一なワニスの形態のインプリント材料を確実に得るために成分（Ｃ）の溶剤の存在が重要である点が確認された。

［光硬化性試験］
実施例１乃至実施例４７及び比較例１乃至比較例１１のインプリント材料を用いて光硬化性試験を行った。光硬化性試験は得られた各インプリント材料をトリアセチルセルロースフィルム（富士フイルム株式会社製 フジタック（登録商標）を使用）（以下、本明細書では「ＴＡＣフィルム」と略称する。）上にウェット膜厚が４μｍとなるようにフィルムアプリケーターを用いて塗布し、次いで、１１０℃のクリーンオーブンで３０秒間乾燥させた。その後、ＴＡＣフィルムのインプリント材料の塗布側を、前述の離型処理をしたシリコン基板上へローラー圧着させ、ＴＡＣフィルム側から無電極均一照射装置にて、３５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光を施し、光硬化を行った。その後、ＴＡＣフィルムとシリコン基板とを剥がし、ＴＡＣフィルム上に塗布・光照射したインプリント材料において、露光後の膜表面の粘稠性（タッキネス）の有無により光硬化が進行したかを確認した。なお、光硬化が進行していない場合、膜表面に粘稠性が残り、手で触れた際に膜表面が変形してしまうため、ロール・ツー・ロール方式などでパターン転写膜を製造する際、製品（膜）をロールで巻き取る際に不具合を生じ、インプリント材料として不適格と判定される。

実施例１乃至実施例４７のインプリント材料においては、露光後の膜表面は粘稠性を示さず、手で触れても変形しなかった。一方、成分（Ｂ）の光重合開始剤を含有していない比較例１乃至比較例１１のインプリント材料においては、露光後の膜表面は粘稠性を示していた。
以上のことから、成分（Ｂ）の光重合開始剤が必須成分であることが明らかとなった。

［光インプリント及び離型力試験］
実施例１乃至実施例４７及び比較例１２乃至比較例１４、比較例１６乃至比較例２２、比較例２６、比較例２８、比較例３０、比較例３７乃至比較例６０で得られた各インプリント材料を、ＴＡＣフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績株式会社 コスモシャイン（商標登録）Ａ４１００を使用）（以下、本明細書では「ＰＥＴフィルム」と略称する。）、ポリメタクリル酸メチルフィルム（住友化学株式会社製 テクノロイ（商標登録）Ｓ００１Ｇを使用）（以下、本明細書では「ＰＭＭＡフィルム」と略称する。）上にウェット膜厚が４μｍとなるように全自動フィルムアプリケーターを用いて塗布し、次いで、１１０℃のクリーンオーブンで３０秒間乾燥させた。続いて各フィルムのインプリント材料の塗布面（塗膜）を、前述の離型処理を施したモスアイパターンモールド上へローラー圧着させ、フィルム側から該塗膜を無電極均一照射装置にて、３５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光を施し、光硬化を行った。そしてＪＩＳ Ｚ０２３７を参考にした９０°剥離試験を行い、モールドのパターン形状を有する面と接着している各フィルム基材上に形成された硬化膜が、モールドのパターン形状を有する面から完全に剥がれたときの荷重を測定した。そしてフィルムの幅１ｃｍ当たりの荷重を算出し、離型力（ｇ／ｃｍ）とした。得られた結果を表２（表２−１〜表２−４）に示す。
なお、離型力試験をした後のモールドにおいて、いずれの実施例・比較例においても目視で有機物の付着は確認できず、また、モールドから転写されたパターン形成膜においても目視にて、剥がれ及び欠陥は一切確認できなかった。

［密着性試験］
前述の［光インプリント及び離型力試験］の実施後、各フィルム基材とパターン形成膜との密着性試験を行った。密着性試験はＪＩＳ Ｋ５４００に従い、以下の手順にて行った。
まず、パターン形成膜を、カッターを用いてフィルム基材に達する碁盤目状の切り傷を１ｍｍ間隔にて１００マス付けた。約５０ｍｍの長さのテープを碁盤目の上に粘着し、膜に対して９０°の角度で瞬間的に引き剥がした。
テープ剥離後のマス目を観察し、１００マスに対して剥離しなかったマス目数をｘとし、密着性をｘ／１００として評価した。本密着性試験を３回繰り返し、各評価の平均値を算出した。得られた結果を表２（表２−１〜表２−４）に示す。

実施例１乃至実施例４７のインプリント材料は、前述の表１に示すように透明で且つ均一なワニスの形態として調製でき、また［光硬化性試験］において光硬化後にタッキネスを発現せず、しかも表２に示すように、クロスカット試験で１００／１００と完全な密着性が実現でき、しかも０ｇ／ｃｍより大きく０．５ｇ／ｃｍ以下の離型力を実現した。すなわち、実施例１乃至実施例４７の材料は、インプリント材料として非常に好適であることを示す結果が得られた。

一方、比較例１２乃至比較例１４、比較例１６乃至比較例２２、比較例２６、比較例２８、比較例３０のインプリント材料、すなわち、成分（Ｃ）の溶剤を含有しないインプリント材料は、前述の表１に示すように透明で且つ均一なワニスの形態にて調製できるものの、クロスカット試験によるＴＡＣフィルム、ＰＥＴフィルム、ＰＭＭＡフィルムに対する密着性評価が０／１００となり、密着性が全く発現していないとする結果が得られた。
また、成分（Ｃ）の溶剤の割合を少なくし、固形分濃度を９０質量％とした比較例５４乃至比較例５８のインプリント材料は、各フィルム基材への密着性がかえって低下する結果となった。
そして成分（Ｃ）の溶剤の代わりに、その他の溶剤（ＩＰＡ及びＴｏｌ）を用いた比較例５９及び比較例６０のインプリント材料にあっては、密着性が全く発現しなかった（０／１００）。

また、成分（Ｃ）の溶剤を含有する比較例３７乃至比較例４８のインプリント材料は、各フィルム基材に対しては完全な密着性（１００／１００）を実現したものの、成分（Ｄ）のシリコーン化合物を含有していないインプリント材料であるため、０．５ｇ／ｃｍ以下の離型力を達成できず、離型力が大きいとする結果となった（０．５５ｇ／ｃｍ以上）。
また、成分（Ａ）を含有せず、任意成分である成分（Ｅ）のみを単体で含有させた比較例４９乃至比較例５３のインプリント材料にあっても０．５ｇ／ｃｍ以下の離型力を達成できず、最大で０．８５ｇ／ｃｍにも達する非常に大きな離型力を発現するという結果となった。

以上の結果は、成分（Ｃ）の溶剤の適正な選択と適正量の使用により、フィルム基材とインプリント材料より形成された被膜との高い密着性を実現すること、成分（Ｄ）のシリコーン化合物の存在が、光硬化させた硬化被膜の離型力の低下には必須とみられること、そして、成分（Ａ）の炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物が離型力の低下に非常に効果的であることを示すものであった。

本発明のインプリント材料により得られる膜は、ロール・ツー・ロールなどのフィルム基材上に構造物を作製する際に高密着性と低離型力性を両立した組成物であり、固体撮像装置、太陽電池、ＬＥＤデバイス、ディスプレイなどの製品へ好適に用いることができる。

Claims (17)

1. （Ａ）成分：炭素原子数２、３又は４のアルキレンオキサイドユニットを少なくとも１つ有し、且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、
   （Ｂ）成分：光重合開始剤、
   （Ｃ）成分：インプリント材料が適用されるフィルム基材の表面部を膨潤させ又は溶解する溶剤、及び
   （Ｄ）成分：シリコーン化合物、
   を含むインプリント材料であって、
   前記インプリント材料の全成分から前記（Ｃ）成分を除いたものとして定義される固形分の割合が、前記インプリント材料の総質量に対して１０質量％乃至８０質量％であり、前記（Ｃ）成分がアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するインプリント材料。
2. 前記（Ａ）成分の化合物は、前記重合性基として、アクリロイルオキシ基、メタアクリロイルオキシ基、ビニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を少なくとも２つ有する化合物である、請求項１に記載のインプリント材料。
3. 前記（Ａ）成分の化合物は、アルキレンオキサイドユニットとして、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選ばれる少なくとも１種を少なくとも１つ有する化合物である、請求項１に記載のインプリント材料。
4. 前記（Ｂ）成分が、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン又は２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オンを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のインプリント材料。
5. 前記（Ｃ）成分がメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、シクロヘ
   キサノン及びプロピレングリコールモノメチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有することを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のインプリント材料。
6. 前記フィルム基材が、トリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル又はシクロオレフィン（コ）ポリマーからなる、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のインプリント材料。
7. 前記インプリント材料を前記フィルム基材上に塗布し、光硬化させた場合において得られた硬化膜と前記フィルム基材との密着性が、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う試験の評価において１００／１００であり、かつ、
   前記インプリント材料を前記フィルム基材上に塗布し、該フィルム基材上の塗膜をモールドのパターン形状を有する面に接着させ、続いて該塗膜を光硬化させ、その後フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から９０°剥離する試験において、計測された離型力、すなわち、該フィルム基材上の硬化被膜をモールドのパターン形状を有する面から剥離したときの荷重を該フィルム基材の横幅１ｃｍあたりに換算した値が０ｇ／ｃｍより大きく０．５ｇ／ｃｍ以下である、
   請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のインプリント材料。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のインプリント材料をフィルム基材に塗布し塗膜を得る工程、
   前記塗膜を乾燥させる工程、
   前記乾燥させた塗膜にモールドを押し付け加圧する、又は該加圧と共に加熱する工程、
   前記塗膜と前記モールドとが接した状態で、該塗膜を硬化させる光を照射し、硬化膜を形成する工程、及び
   形成された前記硬化膜を前記モールドから剥離する工程、
   を有するインプリント方法。
9. 前記乾燥工程における乾燥温度が６０℃乃至１５０℃の範囲から選択される、請求項８に記載のインプリント方法。
10. 請求項１乃至請求項７のうちいずれか一項に記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
11. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
12. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像装置。
13. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたＬＥＤデバイス。
14. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を備えた半導体素子。
15. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を備えた太陽電池。
16. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を備えたディスプレイ。
17. 請求項１０に記載のパターンが転写された膜を備えた電子デバイス。