JP5532827B2 - 半導体メモリ - Google Patents
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Description
のドレイン端子に内部信号入力バッファトランジスタN1のドレイン端子を接続し、交差結合トランジスタCP2のドレイン端子に内部信号入力バッファトランジスタN2のドレイン端子を接続する。内部信号入力バッファトランジスタN1とN2のドレイン端子の増幅信号Aと/AをC−MOS回路のラッチ回路2のゲートに接続する。内部信号入力バッファトランジスタN1とN2の共通ソース端子を下方電位の外部電源電圧に接続する。
以下では、先ず、図2の信号波形図により、ビットデータの値0が読み出される場合の、半導体メモリの回路の動作を説明する。まず、内部差動データ線プリチャージ指示信号/PREが、内部低電圧電源INTVDDの電圧レベルから接地電位の電圧レベルに下降し、それが、PMOSで構成したプリチャージ用トランジスタP1およびP2をオフ状態に駆動する。それにより、内部データバス線Bitおよび/Bitが、内部低電圧電源INTVDDの電圧レベルでフローティング状態になる。
ベルが徐々に低下する(センスアンプ回路1の駆動力が比較的小さいため)。
以下では、図3の信号波形図により、ビットデータの値1が読み出される場合の、半導体メモリの回路の動作を説明する。ビットデータの値0が読出される場合と同様に、内部差動データ線プリチャージ指示信号/PREが、内部低電圧電源INTVDDの電圧レベルから接地電位の電圧レベルに下降し、それが、PMOSで構成したプリチャージ用トランジスタP1およびP2をオフ状態に駆動する。それにより、内部データバス線Bitおよび/Bitを内部低電圧電源INTVDDの電圧レベルでフローティング状態にする。
2・・・ラッチ回路
3・・・第1のバッファ回路
4・・・第2のバッファ回路
A・・・増幅信号
/A・・・増幅信号
Bit・・・内部差動データ線
/Bit・・・内部差動データ線
CP1、CP2・・・交差結合トランジスタ
DQPAD・・・外部信号
EXTVDD・・・外部電源
/EN・・・センスアンプ活性化信号線
INTDQ・・・ラッチ回路出力信号
INTVDD・・・内部低電圧電源
LATEN・・・ラッチ活性化信号
N1、N2・・・内部信号入力バッファトランジスタ
P1、P2・・・プリチャージ用トランジスタ
P3・・・センスアンプ活性スイッチ用トランジスタ
/PRE・・・内部差動データ線プリチャージ指示信号
Claims (1)
- メモリ素子のビットデータを差動信号で読み出す内部差動データ線対と、前記内部差動データ線対毎に前記内部差動データ線対に直接接続するセンスアンプ回路と、前記センスアンプ回路の出力端子に接続するラッチ回路とを有する半導体メモリであって、
前記ラッチ回路に外部電源が接続され、かつ、前記外部電源が、ゲート端子にセンスアンプ活性化信号線が接続されたセンスアンプ活性スイッチ用トランジスタを介して、前記センスアンプ回路の第1の交差結合トランジスタ(CP1)と第2の交差結合トランジスタ(CP2)のソース端子に接続され、
前記第1の交差結合トランジスタ(CP1)のドレイン端子に前記第2の交差結合トランジスタ(CP2)のゲート端子が接続され、
前記第2の交差結合トランジスタ(CP2)のドレイン端子に前記第1の交差結合トランジスタ(CP1)のゲート端子が接続され、
前記内部差動データ線対の一方のデータ線(Bit)が、内部低電圧電源の電位をプリチャージする第1のトランジスタ(P1)に接続され、かつ、前記センスアンプ回路の第1の内部信号入力バッファトランジスタ(N1)のゲート端子に接続され、
前記内部差動データ線対の他方のデータ線(/Bit)が、内部低電圧電源の電位をプリチャージする第2のトランジスタ(P2)に接続され、かつ、前記センスアンプ回路の第2の内部信号入力バッファトランジスタ(N2)のゲート端子に接続され、
第1の内部信号入力バッファトランジスタ(N1)のドレイン端子が、第2の交差結合トランジスタ(CP2)のゲート端子に接続され、かつ、該ドレイン端子から、前記内部差動データ線対の微小電位差の信号を増幅した差動の増幅信号の一方である第1の増幅差動信号(A)が前記ラッチ回路の第1のゲート端子に接続され、
第2の内部信号入力バッファトランジスタ(N2)のドレイン端子が、第1の交差結合トランジスタ(CP1)のゲート端子に接続され、かつ、該ドレイン端子から、前記内部差動データ線の微小電位差の信号を増幅した差動の増幅信号の他方である第2の増幅差動信号(/A)が前記ラッチ回路の第2のゲート端子に接続されることで、
前記内部差動データ線の微小電位差の信号を前記センスアンプ回路が増幅した差動の増幅信号(Aと/A)を前記ラッチ回路の2つの入力端子に入力し、
前記ラッチ回路が、前記差動の増幅信号(Aと/A)に応答した、前記外部電源の電圧のレベルの出力信号を出力し、
該出力信号を、第1のバッファ回路が、前記外部電源の電圧レベルのラッチ回路出力信号(INTDQ)に変換して半導体メモリの出力端子の近くに設けた第2のバッファ回路まで伝送し、該第2のバッファ回路が、前記ラッチ回路出力信号(INTDQ)を同じ電圧
レベルの外部信号(DQPAD)にして前記出力端子から外部に出力することを特徴とする半導体メモリ。
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