JP5532698B2 - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 55
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 39
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
上記所定の鮮明度となる位置への撮像装置の焦点の調整は、撮像装置が撮像する画像における実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した値若しくは範囲内となる位置に撮像装置の焦点を調整することで実施することを特徴とする露光装置を提供するものである。
上記撮像装置は、上記撮像装置の受光軸の延びる方向に、上記アライメントマークを挟むように上記撮像装置と対向して配置された照明装置から上記アライメントマーク及び上記撮像装置に向けて照射された光を上記撮像装置の受光部で受光することで、上記アライメントマークを撮像し、
撮像装置が撮像した画像でのマスク側での実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した幅若しくは範囲内となるように撮像装置の焦点を調整した後に、マスク側のアライメントマークの画像を取得してマスク側の基準位置を演算し、
撮像装置が撮像した画像での基板側での実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した幅若しくは範囲内となるように撮像装置の焦点を調整した後に、基板側のアライメントマークの画像を取得して基板側の基準位置を演算し、
上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークの画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返すことを特徴とする露光方法を提供するものである。
(構成)
先ず、装置構成について説明する。
受光部16aを構成する複数の画素から得られた画像データを元に、マスク側のアライメントマークM2を構成するいずれかのラインを選定し、そのラインを構成する画像データの分布を演算により求める。本実施形態では、濃度分布曲線としている。
(露光装置1の操作について)
次に、露光装置1の操作について説明する。
(本実施形態の作用・効果)
(1)マスク側及び基板側の各アライメントマークについて、個別に所定の鮮明度となる位置に撮像装置16の焦点を調整した状態で画像を取得してマスク側の基準位置を演算する。更に、マスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、処理基板側の基準位置を取得することを繰り返す。
(2)アライメントマークに応じて基準閾値を予め設定しておく。そして、上記基準位置演算手段20Aは、撮像装置16が撮像したアライメントマークの実測値の幅が所定の値若しくは所定の範囲内となる位置に撮像装置16の焦点を調整することで、所定の鮮明度となる位置に撮像装置16の焦点を設定する。
(3)上記マスク側及び処理基板側のアライメントマークM1の一方は、十字形状のマークであり、他方のアライメントマークは井桁形状のマークである。
(4)上記マスクと処理基板の間の隙間が、上記マスク側及び処理基板側の両方のアライメントが共に被写界深度に入る焦点位置が存在しない隙間となっている。
2 硝子基板(処理基板)
3 ステージ
4 フォトマスク
5 ステージ駆動装置
18 マスク保持部
16 撮像装置
16a 受光部
17 焦点調整手段
20 アライメントマーク制御部
20A 基準位置演算手段
20Aa 画像取得部
20Ab マスク用ピント設定部
20Ac マスク用マーク基準位置演算部
20Ad 基板用ピント設定部
20Ae 基板用マーク基準位置演算部
20B ステージ位置調整手段
M1 アライメントマーク
M2 アライメントマーク
Claims (5)
- アライメントマークを形成したマスクを保持するマスク保持部と、
アライメントマークを形成した処理基板を、上記マスクに対し所定の隙間を持って対向した状態に保持するステージと、
上記ステージを移動させるステージ移動手段と、
上記アライメントマークを撮像する撮像装置と、
上記撮像装置の受光軸の延びる方向に、上記アライメントマークを挟むように上記撮像装置と対向して配置され、且つ上記アライメントマーク及び上記撮像装置に向けて光を照射する照明装置と、
マスク側のアライメントマークの画像が所定の鮮明度となる位置に撮像装置の焦点を調整した状態で取得した画像を画像処理して、マスク側のアライメントマークで特定される基準位置を演算するマスク側基準位置演算手段と、
基板側のアライメントマークの画像が所定の鮮明度となる位置に撮像装置の焦点を調整した状態で取得した画像を画像処理して、基板側のアライメントマークで特定される基準位置を演算する基板側基準位置演算手段と、
上記演算したマスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるように、上記ステージ移動手段を介してステージの位置を調整するステージ位置調整手段と、を備え、
上記所定の鮮明度となる位置への撮像装置の焦点の調整は、撮像装置が撮像する画像における実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した値若しくは範囲内となる位置に撮像装置の焦点を調整することで実施することを特徴とする露光装置。 - 上記ステージ位置調整手段は、マスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記基板側基準位置演算手段から処理基板側の基準位置を取得することを特徴とする請求項1に記載した露光装置。
- 上記マスク側及び処理基板側のアライメントマークの一方は、十字形状のマークであり、他方のアライメントマークは井桁形状のマークであり、上記実測して得たアライメントマークの幅は、所定の濃度値となった画素の数であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載した露光装置。
- 上記マスクと処理基板の間の隙間が、上記マスク側及び処理基板側の両方のアライメントが共に被写界深度に入る焦点位置が存在しない隙間であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載した露光装置。
- マスクに形成したアライメントマーク及び処理基板に形成したアライメントマークを撮像装置で撮像することで取得した画像を画像処理しつつ、マスクに形成したアライメントマークで特定される基準位置と処理基板に形成したアライメントマークで特定される基準位置とが一致するように、マスクに対して処理基板を移動させることで当該マスクと処理基板との位置合わせをして露光を行う露光方法であって、
上記撮像装置は、上記撮像装置の受光軸の延びる方向に、上記アライメントマークを挟むように上記撮像装置と対向して配置された照明装置から上記アライメントマーク及び上記撮像装置に向けて照射された光を上記撮像装置の受光部で受光することで、上記アライメントマークを撮像し、
撮像装置が撮像した画像でのマスク側での実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した幅若しくは範囲内となるように撮像装置の焦点を調整した後に、マスク側のアライメントマークの画像を取得してマスク側の基準位置を演算し、
撮像装置が撮像した画像での基板側での実測して得たアライメントマークの幅が、予め設定した幅若しくは範囲内となるように撮像装置の焦点を調整した後に、基板側のアライメントマークの画像を取得して基板側の基準位置を演算し、
上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークの画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返すことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009147383A JP5532698B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009147383A JP5532698B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011002737A JP2011002737A (ja) | 2011-01-06 |
JP5532698B2 true JP5532698B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=43560719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009147383A Expired - Fee Related JP5532698B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5532698B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101414830B1 (ko) | 2011-11-30 | 2014-07-03 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 얼라이먼트 방법, 전사 방법 및 전사장치 |
JP5798017B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 転写装置、アライメント方法および転写方法 |
JP7356667B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-10-05 | 国立大学法人秋田大学 | 位置合わせ装置 |
WO2023190400A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4580900A (en) * | 1982-04-02 | 1986-04-08 | Eaton Corporation | Auto focus alignment and measurement system and method |
JP2759898B2 (ja) * | 1991-11-29 | 1998-05-28 | ウシオ電機株式会社 | フィルム露光装置における焦点検出方法 |
JP4377675B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2009-12-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板露光方法、基板露光装置及び表示パネルの製造方法 |
JP4873242B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
JP2007140117A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | 露光方法及び露光装置 |
-
2009
- 2009-06-22 JP JP2009147383A patent/JP5532698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011002737A (ja) | 2011-01-06 |
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