JP5530002B2 - 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 - Google Patents
研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5530002B2 JP5530002B2 JP2013109883A JP2013109883A JP5530002B2 JP 5530002 B2 JP5530002 B2 JP 5530002B2 JP 2013109883 A JP2013109883 A JP 2013109883A JP 2013109883 A JP2013109883 A JP 2013109883A JP 5530002 B2 JP5530002 B2 JP 5530002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dresser
- polishing pad
- polishing
- substrate
- dressing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 382
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 89
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
2 ドレッサーアーム
3 ドレッサー
4 研磨パッド
5 ドレッシング液供給ノズル
6 旋回機構
6−1,6−2 歯車
7 モータ
8 ドレッサーシャフト
9 金属層
10 渦電流センサ
11 ロータリコネクタ
12 コントローラ
13 表示装置
14 モータ
15 動力伝達機構
16 昇降シリンダ
17 検知モニタ
20 ドレッサー慣らし装置
21 台部材
22 ドレッサー慣らし材
23 ドレッサー慣らし部
24 洗浄液噴射孔
25 ドレッサー洗浄ブラシ
26 洗浄液収容槽
27 ドレッサー慣らし部支持シャフト
28 シール機構
29 モータ
30 トップリング
31 トップリング本体
32 リテーナリング
41 メンブレン
41a〜41d メンブレン
42 流体路
43 流体路
44 流体路
45 流体路
46 流体路
48 圧縮空気源
50 制御部
51 メンブレンホルダー
M1〜M5 圧力室
P1〜P4 圧力コントローラ
S1〜S4 センサ
Claims (12)
- 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーを備え、前記研磨パッドに前記ドレッサーを当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、
前記ドレッサーは前記研磨パッド上面を含む所定の範囲で揺動できるようになっており、前記研磨パッド上面外の前記揺動範囲に前記ドレッサーの慣らしを行うドレッサー慣らし装置を設け、
前記ドレッサー慣らし装置は、上面に平板状のドレッサー慣らし部材を設けた台部材を具備し、前記ドレッサー慣らし部材に前記ドレッサーを当接させ、該ドレッサー慣らし部材とドレッサーの相対的運動により該ドレッサーの慣らしを行うようになっていることを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサー慣らし部材は、前記研磨パッドと同質部材からなることを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサー慣らし装置に、前記ドレッサー慣らし部材のカットレートを測定するカットレート測定手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項3記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサーの交換時、前記カットレート測定手段で測定したドレッサー慣らし部材のカットレート測定値と正常運転時のドレッサー慣らし部材のカットレートとを比較し、前記ドレッサー慣らし部材の慣らし運転のエンドポイントを検出するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項3記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記カットレート測定手段で測定したドレッサー慣らし部材のカットレートにより前記ドレッサーの寿命を判断するドレッサー寿命判断手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサー慣らし装置に、前記ドレッサーを駆動するドレッサー駆動モータのトルク電流値を測定するトルク電流測定手段を設け、該測定したトルク電流より前記ドレッサーの慣らし運転のエンドポイントを検知するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサー慣らし装置によるドレッサーの慣らし運転中に該ドレッサーのドレッシング面を洗浄する洗浄手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、
前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンの中心位置における前記カットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段とを備え、
前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする制御手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 請求項8に記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
前記ドレッサー旋回機構はモータにより駆動され、前記ドレッサーアームを揺動するようになっており、
前記ドレッサー位置測定手段は、前記モータに供給されるパルス数により前記ドレッサーの前記研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。 - 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転する前記トップリングで保持される被研磨基板を所定の押圧力で当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、
前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンにおける前記カットレート測定手段で測定した前記研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを測定する研磨パッドプロファイル測定手段と、
前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを前記ドレッサー駆動制御手段にフィードバックする第1制御手段と、
前記被研磨基板の研磨面のプロファイルを測定する被研磨基板プロファイル測定手段と、
前記被研磨基板プロファイル測定手段で測定した被研磨基板プロファイルを前記トップリング駆動制御手段にフィードバックする第2制御手段とを設けたことを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項10に記載の基板研磨装置において、
前記ドレッサー旋回機構は、位置制御モータ又はパルスモータにより駆動され、前記ドレッサーアームを揺動するようになっており、
前記ドレッサー位置測定手段は、前記位置制御モータ又はパルスモータに供給されるパルス数により前記ドレッサーの前記研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする基板研磨装置。 - 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転する前記トップリングで保持される被研磨基板を押圧しながら当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、
前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
前記トップリングは前記被研磨基板を保持する保持面を有しており、該保持面は複数の領域に区分されており、
前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンにおける前記カットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段と、
前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを基に、前記被研磨基板を前記研磨パッドに押圧する際、研磨パッドの厚みに対応して前記トップリングの保持面の各ゾーンにおける押圧力を制御しうる制御手段を設けたことを特徴とする基板研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013109883A JP5530002B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-05-24 | 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307458 | 2007-11-28 | ||
JP2007307458 | 2007-11-28 | ||
JP2013109883A JP5530002B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-05-24 | 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010106770A Division JP5325831B2 (ja) | 2007-11-28 | 2010-05-06 | 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013163262A JP2013163262A (ja) | 2013-08-22 |
JP5530002B2 true JP5530002B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=40918660
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008288107A Active JP4658182B2 (ja) | 2007-11-28 | 2008-11-10 | 研磨パッドのプロファイル測定方法 |
JP2010106770A Active JP5325831B2 (ja) | 2007-11-28 | 2010-05-06 | 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法 |
JP2013109883A Active JP5530002B2 (ja) | 2007-11-28 | 2013-05-24 | 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008288107A Active JP4658182B2 (ja) | 2007-11-28 | 2008-11-10 | 研磨パッドのプロファイル測定方法 |
JP2010106770A Active JP5325831B2 (ja) | 2007-11-28 | 2010-05-06 | 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP4658182B2 (ja) |
KR (2) | KR101005043B1 (ja) |
TW (3) | TWI565561B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5263099B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-08-14 | トヨタ自動車株式会社 | 研磨ブラシの成形方法及び装置 |
TWI492288B (zh) * | 2010-02-11 | 2015-07-11 | 聯華電子股份有限公司 | 控制晶圓研磨製程之方法 |
JP5511600B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US8758085B2 (en) * | 2010-10-21 | 2014-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method for compensation of variability in chemical mechanical polishing consumables |
JP5896625B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2016-03-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置に使用される研磨パッドの研磨面を監視する方法および装置 |
JP6193623B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2017-09-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
US9067295B2 (en) * | 2012-07-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Monitoring retaining ring thickness and pressure control |
JP5927083B2 (ja) | 2012-08-28 | 2016-05-25 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシングプロセスの監視方法および研磨装置 |
JP5964262B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置に使用される研磨部材のプロファイル調整方法、および研磨装置 |
KR101415982B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2014-07-08 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너 및 컨디셔닝 방법 |
KR101498507B1 (ko) * | 2013-06-05 | 2015-03-04 | 주식회사 브러쉬텍 | 반도체 웨이퍼 세척용 브러쉬 에이징 장치 |
KR101527769B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2015-06-11 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 저압 컨디셔너 |
JP6263445B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-01-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
JP6307428B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-04-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置およびその制御方法 |
TWI574778B (zh) * | 2015-02-11 | 2017-03-21 | 國立勤益科技大學 | 硏磨拋光機 |
US9669514B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | System and method for polishing substrate |
US9970754B2 (en) | 2015-08-26 | 2018-05-15 | Industrial Technology Research Institute | Surface measurement device and method thereof |
US9835449B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-12-05 | Industrial Technology Research Institute | Surface measuring device and method thereof |
JP6649073B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2020-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置およびその品質保証方法 |
US10365987B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-07-30 | Google Llc | Synchronous hardware event collection |
US9875167B1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-01-23 | Google Inc. | Distributed hardware tracing |
JP6971664B2 (ja) * | 2017-07-05 | 2021-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び方法 |
JP7169769B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 |
US11504821B2 (en) | 2017-11-16 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | Predictive filter for polishing pad wear rate monitoring |
US10792783B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System, control method and apparatus for chemical mechanical polishing |
KR102561647B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-07-31 | 삼성전자주식회사 | 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치 |
US20200130136A1 (en) * | 2018-10-29 | 2020-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus and method |
JP7209344B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-01-20 | スピードファム株式会社 | 両面研磨機用のドレッシング装置 |
JP7378944B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2023-11-14 | 株式会社東京精密 | 研削装置 |
JP7308074B2 (ja) * | 2019-05-14 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN112476243A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-12 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 化学机械研磨装置及化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置 |
KR102482687B1 (ko) | 2020-12-24 | 2022-12-28 | 동명대학교산학협력단 | 스윙 암과 통합된 패드 프로파일 측정 시스템 |
CN115972061A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-04-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 抛光设备及抛光垫检测方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2896657B2 (ja) * | 1996-06-28 | 1999-05-31 | 旭ダイヤモンド工業株式会社 | ドレッサ及びその製造方法 |
JPH1044024A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-17 | Nippon Steel Corp | 研磨布の目立て装置 |
JPH11170155A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
JPH11254294A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Speedfam Co Ltd | 定盤修正用ドレッサーの洗浄装置 |
JPH11277405A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-12 | Nkk Corp | Cmp装置の研磨パッド調整装置 |
JP4440237B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2010-03-24 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置 |
JP2000343407A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Ebara Corp | ドレッシング装置 |
JP2001079752A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-27 | Hitachi Ltd | 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2001088008A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-04-03 | Toshiba Corp | 研磨方法とその装置 |
JP2001260001A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の平坦化方法及びその装置 |
JP4349752B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2009-10-21 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング方法 |
KR20020044737A (ko) * | 2000-12-06 | 2002-06-19 | 윤종용 | 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비 |
US6896583B2 (en) * | 2001-02-06 | 2005-05-24 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for conditioning a polishing pad |
JP3922887B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2007-05-30 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサ及びポリッシング装置 |
JP4259048B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | コンディショナの寿命判定方法及びこれを用いたコンディショナの判定方法、研磨装置、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2004047876A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2006093296A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP4817687B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
CN101934491B (zh) * | 2004-11-01 | 2012-07-25 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备 |
-
2008
- 2008-11-10 JP JP2008288107A patent/JP4658182B2/ja active Active
- 2008-11-27 TW TW103122476A patent/TWI565561B/zh active
- 2008-11-27 TW TW097145887A patent/TWI458589B/zh active
- 2008-11-27 KR KR1020080118622A patent/KR101005043B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-27 TW TW105130310A patent/TWI572447B/zh active
-
2010
- 2010-05-06 JP JP2010106770A patent/JP5325831B2/ja active Active
- 2010-09-28 KR KR1020100093696A patent/KR101059935B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2013109883A patent/JP5530002B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101059935B1 (ko) | 2011-08-26 |
JP2010162688A (ja) | 2010-07-29 |
TWI458589B (zh) | 2014-11-01 |
JP4658182B2 (ja) | 2011-03-23 |
JP5325831B2 (ja) | 2013-10-23 |
KR20090055494A (ko) | 2009-06-02 |
KR101005043B1 (ko) | 2010-12-30 |
KR20100120625A (ko) | 2010-11-16 |
JP2013163262A (ja) | 2013-08-22 |
TWI572447B (zh) | 2017-03-01 |
TWI565561B (zh) | 2017-01-11 |
TW201700216A (zh) | 2017-01-01 |
TW201438845A (zh) | 2014-10-16 |
JP2009148877A (ja) | 2009-07-09 |
TW200936316A (en) | 2009-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5530002B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 | |
US8870625B2 (en) | Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method | |
US5975994A (en) | Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates | |
US7163439B2 (en) | Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates | |
US7070478B2 (en) | Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces | |
US9687955B2 (en) | Polishing apparatus | |
US6517414B1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
WO2001058644A1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
JP2000061838A (ja) | ドレッシング装置および方法 | |
JPH1177520A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
WO2021262602A1 (en) | Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp | |
US20040144160A1 (en) | Pad conditioning head offline testing kit | |
JP2001239457A (ja) | ポリッシング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140327 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5530002 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |