JP5530002B2 - 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 - Google Patents

研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5530002B2
JP5530002B2 JP2013109883A JP2013109883A JP5530002B2 JP 5530002 B2 JP5530002 B2 JP 5530002B2 JP 2013109883 A JP2013109883 A JP 2013109883A JP 2013109883 A JP2013109883 A JP 2013109883A JP 5530002 B2 JP5530002 B2 JP 5530002B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dresser
polishing pad
polishing
substrate
dressing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013109883A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013163262A (ja
Inventor
計介 並木
暁 山木
哲二 戸川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2013109883A priority Critical patent/JP5530002B2/ja
Publication of JP2013163262A publication Critical patent/JP2013163262A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5530002B2 publication Critical patent/JP5530002B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

本発明は、研磨テーブル上の研磨パッドにドレッサーを当接させドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置に関するものである。
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の高い平坦度を必要とする。このような半導体ウエハの表面を平坦化する1手段として、化学機械的研磨(CMP)を行う研磨装置が知られている。
従来、この種の研磨装置は、図1に示すように、上面研磨パッド(研磨布)100を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル102と、研磨対象物である半導体ウエハ等の基板Wを保持するトップリング104を備えている。回転するトップリング104で保持する基板Wの被研磨面を回転する研磨テーブル102に向けて一定の圧力で押し付け、更にノズル106から砥液を供給しつつ基板Wの被研磨面を平坦且つ鏡面に研磨している。研磨液は、例えばアルカリ溶液にシリカ等の微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用である科学的・機械的研磨によって基板Wを研磨する。
研磨を行って劣化した研磨パッド100の表面を再生するために、研磨テーブル102の側方にドレッサー108を備えたドレッシング装置を付設し、回転するドレッサー108のドレッシング面を回転する研磨テーブル102の研磨面に押付け、研磨面に付着した砥液や切削屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立て(ドレッシング)を行う。この研磨面を削って平坦化するドレッサー108としては、主にダイヤモンドドレッサーが用いられている。ここで、ドレッシング後の研磨面の均一性は、その後の基板Wの研磨精度に大きく影響する。
特開2006−272549号公報
ドレッシング装置のドレッサー108の交換時に、ドレッサーの固体差によって研磨パッドのパッドカットレートが変化し、研磨レート及び研磨プロファイルが変化するという問題がある。また、従来はドレッシング装置のドレッサー108の交換時、該ドレッサー108を研磨パッド100に所定の圧力で押し当て、ドレッサーの慣らし運転を行っている。この方法だと基板Wの研磨初期に研磨性能に悪影響を与えるという問題がある。また、ドレッサーにドレッシング時のスラリーが固着堆積し、研磨性能の安定性に悪影響を及ぼすという問題もある。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、ドレッサーの交換時の研磨パッドのパッドカットレートを一定に保ちドレッサーの固体差による研磨レート及び研磨プロファイルのバラツキを防止することができ、研磨パッドに影響を及ぼすことなくドレッサーの慣らしを行うことができ、且つドレッサーのスラリー等の固着物の堆積を防止できる研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置を提供することを目的とする。また、本発明は、ドレッサーにより測定されたカットレートから研磨パッドプロフィールを得てこれにより研磨することが可能な研磨装置を提供することを目的とする。さらにパッドプロフィールに応じた研磨装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明は、上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーを備え、研磨パッドにドレッサーを当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、ドレッサーは研磨パッド上面を含む所定の範囲で揺動できるようになっており、研磨パッド上面外の揺動範囲にドレッサーの慣らしを行うドレッサー慣らし装置を設け、ドレッサー慣らし装置は、上面に平板状のドレッサー慣らし部材を設けた台部材を具備し、ドレッサー慣らし部材にドレッサーを当接させ、該ドレッサー慣らし部材とドレッサーの相対的運動により該ドレッサーの慣らしを行うようになっていることを特徴とする。
上記のようにドレッサーの揺動範囲にドレッサーの慣らしを行うドレッサー慣らし装置を設けたことにより、研磨パッドに影響を及ぼさないでドレッサーの慣らしを行うことができる。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサー慣らし部材は、研磨パッドと同質部材からなることを特徴とする。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサー慣らし装置に、ドレッサー慣らし部材のカットレートを測定するカットレート測定手段を設けたことを特徴とする。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサーの交換時、前記カットレート測定手段で測定したドレッサー慣らし部材のカットレート測定値と正常運転時のドレッサー慣らし部材のカットレートとを比較し、ドレッサー慣らし部材の慣らし運転のエンドポイントを検出するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする。
上記のようにエンドポイント検出手段を設けたことにより、ドレッサーの交換時にドレッサーの慣らし運転終了点(エンドポイント)を知ることが可能となる。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、カットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートによりドレッサーの寿命を判断するドレッサー寿命判断手段を設けたことを特徴とする。
上記のように研磨パッドのカットレートによりドレッサーの寿命を判断するドレッサー寿命判断手段を設けたことにより、ドレッサーの寿命が到達する時点でドレッサーの交換が可能となり、研磨パッドを研磨に最適な条件に維持することができる。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサー慣らし装置に、ドレッサーを駆動するドレッサー駆動モータのトルク電流値を測定するトルク電流測定手段を設け、該測定したトルク電流よりドレッサーの慣らし運転のエンドポイントを検知するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサー慣らし装置によるドレッサーの慣らし運転中に該ドレッサーのドレッシング面を洗浄する洗浄手段を設けたことを特徴とする。
上記のようにドレッサーの慣らし運転中に該ドレッサーのドレッシング面を洗浄する洗浄手段を設けたので、ドレッサーにドレッシング時に付着するスラリーや固形物を除去することができ、ドレッサーにスラリーや固形物が堆積することを防止できる。
また、本発明は、上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段を備え、研磨パッドに回転するドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、ドレッサーの研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、研磨パッドを複数のゾーンに分け、ドレッサー位置測定手段で測定した各ゾーンにおけるカットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段とを備え、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする制御手段を設けたことを特徴とする。
上記のように、複数のゾーンに分けられた研磨パッドについて、各ゾーンでカットレートを測定して研磨パッドのプロファイルを測定する研磨パッドプロファイル測定手段を備えたので、研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバック制御することができ、研磨パッドのドレッシングを、実際のプロファイルに適合させる形で行うことができる。なお、研磨パッドは、半径方向に複数のゾーンに分けられていてもよい。
また、本発明は、上記研磨パッドのドレッシング装置において、ドレッサー旋回機構はモータにより駆動され、ドレッサーアームを揺動するようになっており、ドレッサー位置測定手段は、モータに供給されるパルス数によりドレッサーの研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする。なお、位置制御モータ又はパルスモータとしては、例えば、ステッピングモータ、サーボモータを用いることができる。
また、本発明は、上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、研磨パッドに回転するドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転するトップリングで保持される被研磨基板を所定の押圧力で当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、ドレッサーの研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、研磨パッドを複数のゾーンに分け、ドレッサー位置測定手段で測定した各ゾーンにおけるカットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから研磨パッドのプロファイルを測定する研磨パッドプロファイル測定手段と、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする第1制御手段と、被研磨基板の研磨面のプロファイルを測定する被研磨基板プロファイル測定手段と、被研磨基板プロファイル測定手段で測定した被研磨基板プロファイルをトップリング駆動制御手段にフィードバックする第2制御手段とを設けたことを特徴とする。
上記のように、複数のゾーンに分けられた研磨パッドについて、各ゾーンでカットレートを測定し、これにより研磨パッドのプロファイルを測定する研磨パッドプロファイル測定手段と、この研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする第1制御手段と、被研磨基板の研磨面のプロファイルを測定する被研磨基板プロファイル測定手段と、被研磨基板プロファイル測定手段で測定した被研磨基板プロファイルをトップリング駆動制御手段にフィードバックかる第2制御手段とを設けたので、研磨パッドプロファイルに基づいて、基板の研磨及び研磨パッドのドレッシングを、実際の研磨パッドファイルに適合させた形で行うことができ、より精度を高めることができる。
また、本発明は、上記基板研磨装置において、ドレッサー旋回機構は位置制御モータ又はパルスモータにより駆動され、ドレッサーアームを揺動するようになっており、ドレッサー位置測定手段は、位置制御モータ又はパルスモータに供給されるパルス数によりドレッサーの研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする。
また、本発明は、上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該トップリングを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、研磨パッドに回転するドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転するトップリングで保持される被研磨基板を押圧しながら当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、トップリングは被研磨基板を保持する保持面を有しており、該保持面は複数の領域に区分されており、ドレッサーの研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、研磨パッドを複数のゾーンに分け、ドレッサー位置測定手段で測定した各ゾーンにおけるカットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段と、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを基に、被研磨基板を研磨パッドに押圧する際、研磨パッドの厚みに対応してトップリングの保持面の各ゾーンにおける押圧力を制御しうる制御手段を設けたことを特徴とする。
本発明によれば、研磨パッド上面外の揺動範囲に上面に平板状のドレッサー慣らし部材を設けた台部材を具備し、ドレッサー慣らし部材にドレッサーを当接させ、該ドレッサー慣らし部材とドレッサーの相対的運動により該ドレッサーの慣らしを行うドレッサー慣らし装置を設けたので、研磨パッドに影響を及ぼさないでドレッサーの慣らしを行うことができる。
また、本発明によれば、ドレッサーのドレッシング面を洗浄する洗浄手段を設けたので、ドレッサーにドレッシング時付着するスラリーや固形物を除去することができ、ドレッサーにスラリーや固形物が堆積することを防止し、ドレッサーをドレッシングに好適な状態に維持することができる。
また、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする制御手段を設けたので、実際の研磨パッドプロファイルを理想の研磨パッドプロファイルにすることができる。
また、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする第1制御手段と、被研磨基板プロファイル測定手段で測定した被研磨基板プロファイルをトップリング駆動制御手段にフィードバックする第2制御手段とを設けたので、理想的な研磨パッドプロファイルにドレッシングされた研磨パッドで、被研磨基板を理想的な被研磨基板プロファイルにすることが可能となる。
また、本発明によれば、研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを基に被研磨基板を研磨パッドに押圧する際、研磨パッドの厚みに対応してトップリングの保持面の各ゾーンにおける押圧力を制御する制御手段を設けたので、研磨パッドプロファイルに応じた適正な被研磨基板の研磨が可能となる。例えば、研磨パッドの厚みが薄い部分に対応するトップリングの保持面の領域について選択的に他の保持面の領域に比べて押圧力を増すようにフィードバック制御する。
また、本発明によれば、測定した研磨パッドプロファイルを基にトップリングの保持面で保持した被研磨基板を研磨パッドに押圧する際、研磨パッドの厚みに対応してトップリングの保持面の各ゾーンにおける押圧力を制御して被研磨基板を研磨するので、研磨パッドプロファイルに応じた適正な被研磨基板の研磨が可能となる。例えば、研磨パッドの厚みが薄い部分に対応するトップリングの保持面の領域について選択的に他の保持面の領域に比べて押圧力を増すようにフィードバック制御する。
従来のドレッシング装置を備えた研磨装置の構成例を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置を備えた研磨装置の概略構成例を示す側断面図である。 本発明に係るドレッシング装置を備えた研磨装置の概略構成例を示す平面図である。 本発明に係るドレッシング装置のドレッサー慣らし装置の概略構成例を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置のドレッサー慣らし装置の通常状態を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置のドレッサー慣らし装置のドレッサー慣らし状態を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置のドレッサー慣らし装置のドレッサー洗浄状態を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置のドレッサー慣らし装置のドレッサー待機状態を示す図である。 本発明に係るドレッシング装置による研磨パッドのプロファイルの測定手順を示す図である。 本発明に係る基板研磨装置の概念図である。 本発明に係る基板研磨装置に用いられるトップリングの概略構成を示す縦断面図である。 本発明に係る基板研磨装置において、測定した研磨パッドのドレッシングプロファイルを被研磨基板の研磨に反映させるための処理フローを示す図である。
以下、本願発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図2及び図3は本発明に係るドレッシング装置を備えた研磨装置の概略構成を示す図であり、図2は側断面、図3は平面図である。本研磨装置は研磨テーブル1と、半導体等の基板を保持し研磨テーブル1の上面に貼設されている研磨パッド4に向けて押圧するトップリング(図示せず)と、研磨パッド4の上面をドレッシングするドレッサー3を備えている。研磨テーブル1は、モータ7に連結されており、その軸心回りに矢印Aに示すように回転する。
ドレッサー3はモータ14に歯車等の動力伝達機構15を介して連結されると共に、昇降シリンダ16に連結されている。これによって、ドレッサー3は矢印Bに示すように昇降して、ドレッサー3を研磨パッド4に対して任意の圧力で押圧し、その軸心回りに矢印Cに示すように回転する。ドレッサー3はドレッサーシャフト8に連結されており、その下面の金属層9にダイヤモンド粒子(図示せず)が金属メッキ等により固着保持されている。研磨テーブル1の上方には、研磨テーブル1の上面に貼設された研磨パッド4上にドレッシング液(主に純水)を供給するドレッシング液供給ノズル5が配置されている。なお、モータ14及び昇降シリンダ16は図示しない駆動制御装置により、任意のドレッシング条件(ドレッサー3の研磨パッド4の押圧力、ドレッサー3の回転数等)でドレッサー3を駆動制御するようになっている。
ドレッサー3は揺動軸(図示せず)の揺動中心Oを中心として旋回機構6により矢印Dに示すように揺動(旋回)するドレッサーアーム2を備えている。旋回機構6は歯車6−1、6−2で構成され、モータ29で駆動されるようになっている。モータ29としては、位置制御モータ又はパルスモータを使用することができ、例えばサーボモータやステッピングモータが使用できる。ドレッサー3の下面の金属層9に保持されたダイヤモンド粒子を研磨パッド4の上面に押圧すると共に、研磨テーブル1及びドレッサー3を回転させることにより、研磨パッド4とドレッサー3との相対運動により研磨パッド4の上面を削り、研磨パッド4の上面の目立てや修復を行う。また、ドレッサー3の研磨パッド4上面の半径方向の位置をモータ29に供給されるパルス数で検出するドレッサー位置測定手段(図示せず)を備えている。なお、上記例では旋回機構6によりドレッサーアーム2を矢印Dに示すように研磨パッド4の半径方向に揺動(旋回)させているが、ドレッサー3を研磨パッド4の半径方向に移動できる移動機構であればよい。
研磨テーブル1の内部には、センサコイルに高周波電流を流しドレッサー3の金属層9に渦電流を誘導させ、該渦電流の大きさから研磨パッド4の厚さを測定する渦電流センサ10が埋め込まれている。研磨パッド4は、例えば発砲ウレタン等の誘電体材であるから、その厚さが厚ければドレッサー3の金属層9に誘導される渦電流が小さく、薄くなれば大きくなる。従って、金属層9に誘導される渦電流の大きさを測定することにより、研磨パッド4の厚さを測定できる。渦電流センサ10の出力端に接続された配線18は、研磨テーブル1及び研磨テーブル支持軸1a内を通り、研磨テーブル支持軸1aの軸端に設けられたロータリコネクタ11を経由してコントローラ12に接続されている。コントローラ12は表示装置13に接続されている。これによって、渦電流式研磨パッド厚さ検知モニタが構成されている。ロータリコネクタ11の代わりにスリップリングを用いることができる。なお、図2ではドレッサー3の金属層9に誘導される渦電量を渦電流センサ10を研磨パッド4の下方の研磨テーブル1の1ヶ所に設けているが、例えば図9に示すように、研磨パッド4の上面を半径方向に複数のゾーンに区分し、各ゾーンの中心位置の研磨パッド4の下方に設け、各ゾーンの中心位置の研磨パッド4の厚さを測定するようにしてもよい。
渦電流式研磨パッド厚さの検知モニタ17によれば、研磨パッド4の厚さの変化をドレッサー3の金属層9に生じる渦電流を渦電流センサ10で検出し、この渦電流センサ10で検出した電流値を表示装置13に表示し、研磨パッド4の厚さを検知できる。コントローラ12は渦電流センサ10からの信号により、研磨パッド4のカットレートを検出し、これを上記モータ14や昇降シリンダ16を駆動制御するドレッサー駆動制御装置にフィードバックし、ドレッシング条件(ドレッサー3の研磨パッド押圧力、ドレッサー3の研磨パッド上面の半径方向移動速度、ドレッサー3の回転速度等)に反映するようになっている。例えばここでは、昇降シリンダ16によるドレッサー3の研磨パッド4を押圧する押圧力やモータ14によるドレッサー3の回転数等に反映する。
上記例では、上記ドレッサー3による研磨パッド4のカットレートの測定を渦電流センサ10で測定しているが、研磨パッド4のカットレートの測定は研磨テーブル1を駆動(回転)するモータ7のトルク電流値の変化、又はドレッサー3を駆動するモータ14のトルク電流、ドレッサー3の研磨パッドの当接面の位置変化(これはドレッサー3の高さ位置の変化を測定することにより検知できる。又はこれらの組み合わせで行うことができる。また、ドレッサー3の研磨パッド上面の半径方向は、上記のようにモータ29(位置制御モータ又はパルスモータ)に供給するパルス数で検知するようにしているが、ドレッサー3の研磨パッド上面の半径方向の位置を検知できるものであれば、どのような測定手段でもよい。
上記構成の研磨装置において、ドレッサー3の交換時に、ドレッサーの固体差により研磨パッド4の削れ度(パッドカットレート)が変化し、基板研磨レート及び研磨プロファイルが変化するという問題がある。また、従来はドレッサー3の交換時に研磨パッド4にてドレッサー3を慣らしているが、この方法だと研磨性能、特に基板の研磨初期に基板研磨に悪い影響を与えるという問題があった。そこでここでは図3に示すように、ドレッサー3の退避位置(研磨パッド4の上面外のドレッサー3の揺動範囲端部)にドレッサー3の交換時、該ドレッサー3の慣らし運転を行うドレッサー慣らし装置20を設けている。
ドレッサー慣らし装置20は、図4に示すように、台部材21の上面にドレッサー慣らし材22を貼り付けた構成のドレッサー慣らし部23を備えている。ドレッサー慣らし部23はドレッサー慣らし部支持シャフト27に支持され、昇降機構(図示せず)により矢印Eに示すように、昇降可能で、且つ矢印Fに示すように回転できるようになっている。ドレッサー慣らし材22には、研磨パッド4と同質の、例えば発砲ポリウレタン材を用いる。ドレッサー慣らし材22には多数の洗浄液噴射孔24が設けられており、台部材21内に設けられた洗浄液供給路(図示せず)から洗浄液が供給され、各洗浄液噴射孔24から噴射されるようになっている。また、ドレッサー慣らし材22の中心部を通る径方向にはナイロンブラシ等のブラシ部材25が配置できるようになっている。なお、図4(a)はドレッサー慣らし装置20の側面図、図4(b)はドレッサー慣らし装置20の平面図である。
ドレッサー慣らし部23は図5に示すように、常時は洗浄液収容槽26の洗浄液Q内に浸漬され、湿潤状態になっている。なお、図5において、28は洗浄液収容槽26内の洗浄液Qの漏出を防止するシール機構である。ドレッサー3の交換時、図6に示すように、ドレッサー慣らし装置20のドレッサー慣らし部23の真上の所定位置に退避しているドレッサー3に向けて、ドレッサー慣らし部23を上昇させ、ドレッサー3の下面に所定の圧力で押し付ける。そしてドレッサー慣らし部23を矢印Fに示すように回転させると共に、ドレッサー3を矢印Cに示すように回転し、ドレッサー3とドレッサー慣らし部23の相対的運動により、ドレッサー慣らし材22の上面を削り取りながら、ドレッサー3の慣らし行う。このときドレッサー慣らし部23の押圧圧力や、回転数はコントローラ(図示せず)によりコントロールされようになっている。なお、ここではドレッサー3とドレッサー慣らし部23の双方を回転させているが、ドレッサー慣らし部23を静止状態にしてもよい。
上記ドレッサー慣らし装置20において、ドレッサー慣らし部23の台部材21内には、図示は省略するが、図2の渦電流センサ10と同じような渦電流センサが設けられており、該渦電流センサによりドレッサー慣らし材22の厚さ変化を測定し、該ドレッサー慣らし材22のカットレートを測定する。この測定したカッレートとドレッサー3の正常時のカットレートを比較し、正常であったらドレッサー慣らし運転の終点として慣らし運転を終了し、正常でなかった場合はドレッサー慣らし部23によるドレッサー3の慣らしを継続して行い、ドレッサー3のパッドカットレートを調整する。ドレッサー3の研磨パッド4のカットレートは、ダイヤモンド粒子の角の磨耗に応じて、基本的に新品使用開始から最後まで減少傾向にあるが、経験上、新品で卸したては研磨パッド4のカットレートの減少速度が速く、あるところでカットレート減少速度の傾きが緩やかになる。その勾配が緩やかになったところでドレッサー慣らし運転の終点とする。
なお、ドレッサー慣らし材22のカットレートを測定する方法としては、ドレッサー3を駆動するモータ(図示せず)のトルク電流、又はドレッサー慣らし部23を駆動するモータのトルク電流、或いはこれらの組み合わせからも測定できる。また、ドレッシング中のドレッサー3の高さ位置を測定するドレッサー高さ位置センサ(図示せず)を設け、このドレッサー高さ位置センサの出力からドレッサー慣らし材22のカットレートを測定するようにしてもよい。
上記ドレッサー3の慣らし運転が終了したら、図7に示すように、ドレッサー3の下面とドレッサー慣らし材22の上面の間に所定の隙間を設け、ドレッサー3のダイヤモンド粒子を固着保持する金属層9の下面にドレッサー洗浄ブラシ25を当接すると共に、ドレッサー慣らし部23のドレッサー慣らし材22の洗浄液噴射孔24から洗浄液(純水、薬液、これら純水や薬液とN2との混合体)qを噴射し、金属層9の下面を洗浄する。これにより、ドレッサー3の金属層9の下面に付着しているスラリー等の付着物を除去できる。
上記慣らしが終了し、洗浄の終了したドレッサー3は、図8に示すように研磨装置が基板を研磨中の間は、ドレッサー3の金属層9の下面を洗浄液収容槽26内の洗浄液Qに浸漬させると共に、ドレッサー洗浄ブラシ25を当接させ、金属層9の下面を湿潤状態にしながら、ドレッサー3を回転させながら洗浄し、待機する。これにより、ドレッサー3の下面は湿潤状態で且つ清浄な状態に維持される。
研磨装置の研磨パッド4のドレッシングに長時間使用したドレッサー3は、パッドカットレートが低下し、該パッドカットレートが所定以下となれば、ドレッサー3が寿命に達したとして、ドレッサー3の交換を行う。ドレッサー慣らし装置はこのドレッサー寿命の判定にも利用できる。ドレッサー慣らし装置20にドレッサー慣らし材22のカットレートからドレッサー寿命を判定するドレッサー寿命判定手段を設け、研磨パッド4のドレッシングに使用したドレッサー3でドレッサー慣らし材22をドレッシングし、そのカットレートを測定し、この測定したカットレートからドレッサー3の寿命を判定する。
ドレッサー慣らし装置20で交換時のドレッサー3の慣らし運転を行う際、慣らし運転が進むと、ドレッサー3を駆動するモータ14のトルク電流値が変化する(例えば、トルク電流値は次第に減少し慣らし運転の終了点が近づくと一定値となる)から、このトルク電流値を監視し、ドレッサー3の慣らし運転の終了点(エンドポイント)を検出するようにしてもよい。
ドレッサー3による研磨テーブル1の研磨パッド4上面のドレッシングは、1枚の基板の研磨終了毎に行うようになっている。このドレッシング動作は、回転するドレッサー3を回転するテーブル1の研磨パッド4の上面に所定圧力で押圧して行うが、その際ドレッサー3は図3に示すように、回転するドレッサー3のドレッシング面を研磨パッド4上面に当接させ、且つ矢印Dに示すように揺動中心Oを中心として半径方向に往復揺動(旋回)させて行う。1回(1工程)のドレッシングは、ドレッサー3の複数回の往復揺動運動によるドレッシングにより行っている。また、ドレッシングによる研磨パッド4のプロファイル(表面形状)の測定は、図9に示すように研磨パッド4の上面を半径方向に複数のゾーンに区分し、各ゾーンの所定点a〜eの研磨パッド4の厚さを測定して行う。
このときドレッサー3の一回の往復揺動運動で、a〜eの5点の研磨パッド4の厚さを連続して測定すると高速のデータ処理が要求され、データ処理の速い高価なデータ処理装置が必要になる。そこでここでは、1回のドレッサー3の往復揺動運動によるドレッシングで、a〜eの1点のみ、即ち、ドレッサー3の1回の往復揺動運動によるドレッシングで複数ゾーン内の1つのゾーン内の所定点のみの研磨パッド4の厚さを測定し(例えば、1回目の往復揺動運動によるドレッシングでa点、2回目の往復揺動運動によるドレッシングでb点、3回目の往復揺動運動によるドレッシングでc点・・・というように研磨パッド4の厚さを測定し)、複数の往復揺動運動によるドレッシングからなる1工程のドレッシング(図ではa〜eの5回の往復揺動運動によるドレッシング)を経てa〜eの全点の研磨パッド4の厚さを測定している。また、ノイズの影響を防ぐため各点の研磨パッド4の厚さ測定を複数回行いその平均値を採って各点の研磨パッド4の厚さとしている。図ではa点の研磨パッド4の厚さを複数回とってその平均値をa点の厚さ、b点の研磨パッド4の厚さを複数回とってその平均値をb点の厚さというように、各点の研磨パッド4の厚さを複数回とってその平均値を各点の研磨パッド4の厚さとしている。
上記のように研磨パッド4の各点の厚さ測定を繰り返すことにより、複数枚の基板の研磨とドレッシングで、複数ゾーンの所定点の研磨パッド4の厚さが測定でき、研磨パッドの1つのプロファイルが得られる。それを、複数セット繰り返し、平均化して研磨パッドのプロファイルとし研磨レシピに反映する。図9の例でいうと、5枚の基板の研磨とドレッシングで、a〜eの各点の研磨パッド4の厚さが測定でき、1つの研磨パッドのプロファイルが得られる。これを、3セット繰り返し(基板15枚分)、平均化して研磨パッドのプロファイルとし研磨レシピに反映する。
図10は本発明に係る基板研磨装置の概念図である。矢印A方向に回転する研磨テーブル1の上面に貼り付けられた研磨パッド4の上面に矢印C方向に回転するドレッサー3が所定の押圧力で当接し、ドレッサーアーム2(図3参照)の揺動により矢印Dに示すように、研磨パッド4の半径方向に往復動しながら、研磨パッド4のドレッシングを行う。この研磨パッド4の上面を半径方向に環帯状にZ1〜Z7のゾーンに区分し、ドレッシング中に各ゾーンZ1〜Z7の中心にドレッサー3が位置するのを、位置制御モータ又はパルスモータから選ばれるモータ29に供給されるパルス数で検出し、その研磨パッド4の厚さを測定する。ドレッサー3の研磨パッド4上面の半径方向の位置は、モータ29に供給されるパルス数で精度よく測定できる。T1〜T7は各ゾーンZ1〜Z7の中心部の研磨パッド4の厚さの測定値を示す。
上記各ゾーンZ1〜Z7の研磨パッド4の厚さの測定値T1〜T7から研磨パッド4のドレッシングのプロファイルを測定し、このプロファイルをドレッサー3を駆動制御する駆動制御装置にフィードバックし、ドレッシング条件(ドレッサー3の研磨パッド押圧力、ドレッサー3の研磨パッド上面の半径方向移動速度、ドレッサー3の回転速度等)に反映する。これにより、研磨パッド4の理想的なドレッシングプロファイルを得ることが可能となる。
30は下面に被研磨基板Wを保持して回転軸(図示せず)を中心に矢印G方向に回転するトップリングである。該トップリング30は下端外周にリテーナリング32が設けられており、該リテーナリング32の内部にメンブレン41で構成された環帯状の圧力室M1〜M4が設けられており、圧力室M1〜M4のメンブレン41の下面は被研磨基板Wを保持する保持面となっている。各圧力室M1〜M4の圧力を調整することにより、その部分に当接する被研磨基板Wの研磨パッド4への押圧力を制御することができる。
上記のように各ゾーンZ1〜Z7の研磨パッド4の厚さの測定値T1〜T7を得て、これにより、各圧力室に連通する流体路ごとに設けられた圧力コントローラを制御して上記メンブレン41で形成された圧力室M1〜M4の圧力が調整できるため、各圧力室の圧力を、研磨パッド4の厚さに追従した分布とすることができる。したがって、研磨パッド4のドレッシングプロファイルに影響されない適正な被研磨基板Wの研磨プロファイルが実現できる。一例としては、研磨パッド4の厚さの測定値が小さいゾーン(領域)に対応する圧力室の圧力を他の研磨パッド4の厚さの測定値が大きいゾーン(領域)より選択的に高くすることにより、被研磨基板Wの研磨量を均等にすることが可能となるが、これに限定されない。要は、研磨パッド4のプロファイルに応じて、研磨プロファイルを実現するべくゾーンごとの押圧力が可変とされたフィードバック制御がなされる。連続して研磨を行う場合、パッドプロファイルが経時的に変化していくため、この変化も考慮変数として加えた上で、押圧力を制御することもできる。
研磨パッド4の厚さの測定値が小さいゾーン(領域)に対応する圧力室の圧力を他の研磨パッド4の厚さの測定値が大きいゾーン(領域)より選択的に高くする。また、上記のように研磨パッド4のドレッシングをドレッサー3を駆動制御する駆動制御装置にフィードバックし、理想的な研磨パッド4のドレッシングプロファイルを得た上で、この理想的な研磨パッド4のドレッシングプロファイルにより、圧力室M1〜M4の圧力を調整することにより、更に適正な被研磨基板Wの研磨プロファイルが実現できる。
図11は、本発明に係る基板研磨装置に用いられるトップリングの概略構成を示す縦断面図である。トップリング30は、円筒容器状のトップリング本体31と、該トップリング本体31の下端に固定された環状のリテーナリング32を備えている。トップリング本体31の内側には環状の加圧シート33が配置され、加圧シート33はトップリング本体31と加圧シート支持部材34に挟持されトップリング本体31の内周下面に支持されている。トップリング本体31の上面中央部にはトップリング駆動軸35が配設されており、トップリング本体31とトップリング駆動軸35とは自在継手部36により連結されている。自在継手部36は、ベアリングボール37を具備し、トップリング本体31及びトップリング駆動軸35を互いに傾動可能とする球面軸受機構と、トップリング駆動軸35の回転力をトップリング本体31に伝達する図示しない回転力伝達機構とを備えている。トップリング本体31はトップリング駆動軸35に対して傾動可能で、且つトップリング駆動軸35の回転力を受けて回転する。
トップリング本体31とリテーナリング32で画成された空間内には、円板状のチャッキングプレート38が配置され、該チャッキングプレート38は加圧シート33の下面にチャッキングプレート保持部材39を介して保持されている。トップリング本体31と加圧シート33とチャッキングプレート38とで、チャッキングプレート38の上部に圧力室M5を形成している。加圧シート33はゴム等の弾性体からなり、圧力室M5内を加圧・減圧することにより、チャッキングプレート38は上下動可能となっている。チャッキングプレート38の下面は被研磨基板Wを保持する基板保持面となっている。
基板保持面となっているチャッキングプレート38の下面には環状のメンブレン41a、41b、41c、41dが配置されている。メンブレン41aはその上端部をチャッキングプレート38と環状のメンブレンホルダー51で挟持してチャッキングプレート38の下面中央部に取り付けられている。メンブレン41bはその上端部をチャッキングプレート38と環状のメンブレンホルダー51で挟持してチャッキングプレート38の下面のメンブレン41aの外周側に取り付けられている。メンブレン41cはその上端部をチャッキングプレート38の外周縁部下面と環状のメンブレンホルダー52で挟持してチャッキングプレート38の下面のメンブレン41bの外周側に取り付けられている。メンブレン41a、41b、41c、41dのそれぞれと被研磨基板Wとチャッキングプレート38とで、圧力室M1、M2、M3、M4が形成されている。
圧力室M1、M2、M3、M4のそれぞれには、流体路42、43、44、45が接続されており、該流体路42、43、44、45はそれぞれ圧力コントローラP1、P2、P3、P4を介して圧縮空気源48に接続されている。また、圧力室M5にも流体路46が接続されており、該流体路46も圧力コントローラP5を介して圧縮空気源48に接続されている。また、S1、S2、S3、S4はそれぞれ流体路42、43、44、45に流れる流体(圧縮空気)の流速、圧力、流量を検知するためのセンサである。
上記構成のトップリング30において、圧力コントローラP5により圧縮空気源48から流体路46を通って圧力室M5に供給される圧力空気量を制御することにより、トップリング30に保持された被研磨基板W全体の研磨パッド4上面を押し付ける押圧力を制御できる。また、圧力コントローラP1、P2、P3、P4により圧縮空気源48から流体路42、43、44、45を通って圧力室M1、M2、M3、M4に供給される圧力空気量を制御することにより、各圧力室M1、M2、M3、M4の下面に位置する被研磨基板Wのゾーンの押圧力を制御できる。
流体路42、43、44、45を流れる流体(圧縮空気)流速、圧力、流量はセンサS1、S2、S3、S4に検知され、該検知データD1は制御部50に送られる。制御部50には被研磨基板Wの研磨に必要とする研磨プロファイルや測定された研磨パッドプロファイル等の各種データD2が入力されており、制御部50はこの各種データD2とセンサS1、S2、S3、S4で検知された検知データD1とから、被研磨基板Wを目標研磨プロファイルに研磨するために必要な各圧力室M1、M2、M3、M4、M5の圧力を算出すると共に、各圧力室に供給する圧縮空気の流速、圧力、流量を算出し、各圧力コントローラP1、P2、P3、P4、P5に制御信号CS1、CS2、CS3、CS4、CS5を送り、各圧力コントローラP1、P2、P3、P4、P5により各圧力室M1、M2、M3、M4、M5に送る圧縮空気の流速、圧力、流量を制御する。
図12は、本発明に係る基板研磨装置において、上記測定した研磨パッドのドレッシングプロファイルを被研磨基板の研磨に反映させるための処理フローを示す図である。先ず、必要とする被研磨基板の研磨プロファイルを入力する(ステップST1)。次に研磨パッド4のドレッシングを行い(ステップST2)、研磨パッド4の各ゾーンの厚さを測定し、研磨パッド4の厚さプロファイルを取得(測定)する(ステップST3)。一方、被研磨基板Wの研磨を行い(ステップST4)、研磨面の研磨レートを測定し、研磨プロファイルデータを取得する(ステップST5)。
前記ステップST3で取得された研磨パッド厚さプロファイルと理想研磨パッド厚さプロファイルを比較すると共に、前記ステップST5で取得された研磨プロファイルと理想研磨プロファイルを比較する(ステップST6)。次に前記ステップST6で比較した結果、理想プロファイルとの差が目標値内か否かを判断し、目標内(Yes)であったら処理を終了し、目標値外(No)であったら、ドレッシング条件を変更するためと、研磨条件を変更するための演算を実行する(ステップST8)。
上記演算結果に基づいてドレッシング条件(研磨パッド4の上面での各ゾーンZ1〜Z7におけるドレッサー3の押圧圧力、ドレッサー3の回転数、ドレッサー3の矢印D方向の速度等)を変更し(ステップST9)、研磨パッドのドレッシング研磨を行う。つまり、該ドレッシング条件の変更をドレッサーの駆動制御装置にフィードバックする。また、前記演算結果に基づいて研磨条件(メンブレン32の各圧力室M1〜M4の圧力P1〜P4等)を変更し(ステップST10)、被研磨基板の研磨を行う。つまり、該研磨条件の変更をトップリングの駆動制御装置にフィードバックする。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
1 研磨テーブル
2 ドレッサーアーム
3 ドレッサー
4 研磨パッド
5 ドレッシング液供給ノズル
6 旋回機構
6−1,6−2 歯車
7 モータ
8 ドレッサーシャフト
9 金属層
10 渦電流センサ
11 ロータリコネクタ
12 コントローラ
13 表示装置
14 モータ
15 動力伝達機構
16 昇降シリンダ
17 検知モニタ
20 ドレッサー慣らし装置
21 台部材
22 ドレッサー慣らし材
23 ドレッサー慣らし部
24 洗浄液噴射孔
25 ドレッサー洗浄ブラシ
26 洗浄液収容槽
27 ドレッサー慣らし部支持シャフト
28 シール機構
29 モータ
30 トップリング
31 トップリング本体
32 リテーナリング
41 メンブレン
41a〜41d メンブレン
42 流体路
43 流体路
44 流体路
45 流体路
46 流体路
48 圧縮空気源
50 制御部
51 メンブレンホルダー
M1〜M5 圧力室
P1〜P4 圧力コントローラ
S1〜S4 センサ

Claims (12)

  1. 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーを備え、前記研磨パッドに前記ドレッサーを当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、
    前記ドレッサーは前記研磨パッド上面を含む所定の範囲で揺動できるようになっており、前記研磨パッド上面外の前記揺動範囲に前記ドレッサーの慣らしを行うドレッサー慣らし装置を設け、
    前記ドレッサー慣らし装置は、上面に平板状のドレッサー慣らし部材を設けた台部材を具備し、前記ドレッサー慣らし部材に前記ドレッサーを当接させ、該ドレッサー慣らし部材とドレッサーの相対的運動により該ドレッサーの慣らしを行うようになっていることを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  2. 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサー慣らし部材は、前記研磨パッドと同質部材からなることを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  3. 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサー慣らし装置に、前記ドレッサー慣らし部材のカットレートを測定するカットレート測定手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  4. 請求項3記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサーの交換時、前記カットレート測定手段で測定したドレッサー慣らし部材のカットレート測定値と正常運転時のドレッサー慣らし部材のカットレートとを比較し、前記ドレッサー慣らし部材の慣らし運転のエンドポイントを検出するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  5. 請求項3記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記カットレート測定手段で測定したドレッサー慣らし部材のカットレートにより前記ドレッサーの寿命を判断するドレッサー寿命判断手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  6. 請求項1記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサー慣らし装置に、前記ドレッサーを駆動するドレッサー駆動モータのトルク電流値を測定するトルク電流測定手段を設け、該測定したトルク電流より前記ドレッサーの慣らし運転のエンドポイントを検知するエンドポイント検出手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサー慣らし装置によるドレッサーの慣らし運転中に該ドレッサーのドレッシング面を洗浄する洗浄手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  8. 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングする研磨パッドのドレッシング装置であって、
    前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
    前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
    前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
    前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンの中心位置における前記カットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段とを備え、
    前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルをドレッサー駆動制御手段にフィードバックする制御手段を設けたことを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  9. 請求項8に記載の研磨パッドのドレッシング装置において、
    前記ドレッサー旋回機構はモータにより駆動され、前記ドレッサーアームを揺動するようになっており、
    前記ドレッサー位置測定手段は、前記モータに供給されるパルス数により前記ドレッサーの前記研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする研磨パッドのドレッシング装置。
  10. 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転する前記トップリングで保持される被研磨基板を所定の押圧力で当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、
    前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
    前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
    前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
    前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンにおける前記カットレート測定手段で測定した前記研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを測定する研磨パッドプロファイル測定手段と、
    前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを前記ドレッサー駆動制御手段にフィードバックする第1制御手段と、
    前記被研磨基板の研磨面のプロファイルを測定する被研磨基板プロファイル測定手段と、
    前記被研磨基板プロファイル測定手段で測定した被研磨基板プロファイルを前記トップリング駆動制御手段にフィードバックする第2制御手段とを設けたことを特徴とする基板研磨装置。
  11. 請求項10に記載の基板研磨装置において、
    前記ドレッサー旋回機構は、位置制御モータ又はパルスモータにより駆動され、前記ドレッサーアームを揺動するようになっており、
    前記ドレッサー位置測定手段は、前記位置制御モータ又はパルスモータに供給されるパルス数により前記ドレッサーの前記研磨パッド上面の半径方向の位置を測定することを特徴とする基板研磨装置。
  12. 上面に研磨パッドを設けた研磨テーブルと、ドレッサーと、該ドレッサーを駆動制御するドレッサー駆動制御手段と、被研磨基板を保持するトップリングと、該トップリングを駆動制御するトップリング駆動制御手段を備え、前記研磨パッドに回転する前記ドレッサーを所定の押圧力で当接させ該研磨パッドをドレッシングすると共に、該ドレッシングした研磨パッドに回転する前記トップリングで保持される被研磨基板を押圧しながら当接させ該被研磨基板を研磨する基板研磨装置であって、
    前記ドレッサーはドレッサーアームに搭載されドレッサー旋回機構により前記研磨パッド上面を半径方向に揺動するようになっており、
    前記トップリングは前記被研磨基板を保持する保持面を有しており、該保持面は複数の領域に区分されており、
    前記ドレッサーの前記研磨パッド上面での半径方向の位置を測定するドレッサー位置測定手段と、
    前記ドレッサーによる研磨パッドのカットレートを測定するカットレート測定手段と、
    前記研磨パッドを複数のゾーンに分け、前記ドレッサー位置測定手段で測定した前記各ゾーンにおける前記カットレート測定手段で測定した研磨パッドのカットレートから前記研磨パッドのプロファイルを得る研磨パッドプロファイル測定手段と、
    前記研磨パッドプロファイル測定手段で測定した研磨パッドプロファイルを基に、前記被研磨基板を前記研磨パッドに押圧する際、研磨パッドの厚みに対応して前記トップリングの保持面の各ゾーンにおける押圧力を制御しうる制御手段を設けたことを特徴とする基板研磨装置。
JP2013109883A 2007-11-28 2013-05-24 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置 Active JP5530002B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013109883A JP5530002B2 (ja) 2007-11-28 2013-05-24 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007307458 2007-11-28
JP2007307458 2007-11-28
JP2013109883A JP5530002B2 (ja) 2007-11-28 2013-05-24 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010106770A Division JP5325831B2 (ja) 2007-11-28 2010-05-06 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013163262A JP2013163262A (ja) 2013-08-22
JP5530002B2 true JP5530002B2 (ja) 2014-06-25

Family

ID=40918660

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008288107A Active JP4658182B2 (ja) 2007-11-28 2008-11-10 研磨パッドのプロファイル測定方法
JP2010106770A Active JP5325831B2 (ja) 2007-11-28 2010-05-06 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法
JP2013109883A Active JP5530002B2 (ja) 2007-11-28 2013-05-24 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008288107A Active JP4658182B2 (ja) 2007-11-28 2008-11-10 研磨パッドのプロファイル測定方法
JP2010106770A Active JP5325831B2 (ja) 2007-11-28 2010-05-06 研磨パッドのドレッシング方法、基板研磨方法

Country Status (3)

Country Link
JP (3) JP4658182B2 (ja)
KR (2) KR101005043B1 (ja)
TW (3) TWI565561B (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5263099B2 (ja) * 2009-09-14 2013-08-14 トヨタ自動車株式会社 研磨ブラシの成形方法及び装置
TWI492288B (zh) * 2010-02-11 2015-07-11 聯華電子股份有限公司 控制晶圓研磨製程之方法
JP5511600B2 (ja) 2010-09-09 2014-06-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
US8758085B2 (en) * 2010-10-21 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Method for compensation of variability in chemical mechanical polishing consumables
JP5896625B2 (ja) * 2011-06-02 2016-03-30 株式会社荏原製作所 研磨装置に使用される研磨パッドの研磨面を監視する方法および装置
JP6193623B2 (ja) * 2012-06-13 2017-09-06 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置
US9067295B2 (en) * 2012-07-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Monitoring retaining ring thickness and pressure control
JP5927083B2 (ja) 2012-08-28 2016-05-25 株式会社荏原製作所 ドレッシングプロセスの監視方法および研磨装置
JP5964262B2 (ja) * 2013-02-25 2016-08-03 株式会社荏原製作所 研磨装置に使用される研磨部材のプロファイル調整方法、および研磨装置
KR101415982B1 (ko) * 2013-03-29 2014-07-08 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너 및 컨디셔닝 방법
KR101498507B1 (ko) * 2013-06-05 2015-03-04 주식회사 브러쉬텍 반도체 웨이퍼 세척용 브러쉬 에이징 장치
KR101527769B1 (ko) * 2013-10-24 2015-06-11 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 시스템의 저압 컨디셔너
JP6263445B2 (ja) * 2014-06-06 2018-01-17 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6307428B2 (ja) * 2014-12-26 2018-04-04 株式会社荏原製作所 研磨装置およびその制御方法
TWI574778B (zh) * 2015-02-11 2017-03-21 國立勤益科技大學 硏磨拋光機
US9669514B2 (en) 2015-05-29 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd System and method for polishing substrate
US9970754B2 (en) 2015-08-26 2018-05-15 Industrial Technology Research Institute Surface measurement device and method thereof
US9835449B2 (en) 2015-08-26 2017-12-05 Industrial Technology Research Institute Surface measuring device and method thereof
JP6649073B2 (ja) * 2015-12-16 2020-02-19 株式会社荏原製作所 基板処理装置およびその品質保証方法
US10365987B2 (en) 2017-03-29 2019-07-30 Google Llc Synchronous hardware event collection
US9875167B1 (en) * 2017-03-29 2018-01-23 Google Inc. Distributed hardware tracing
JP6971664B2 (ja) * 2017-07-05 2021-11-24 株式会社荏原製作所 基板研磨装置及び方法
JP7169769B2 (ja) * 2017-08-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
US11504821B2 (en) 2017-11-16 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Predictive filter for polishing pad wear rate monitoring
US10792783B2 (en) 2017-11-27 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System, control method and apparatus for chemical mechanical polishing
KR102561647B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-31 삼성전자주식회사 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치
US20200130136A1 (en) * 2018-10-29 2020-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and method
JP7209344B2 (ja) * 2019-02-01 2023-01-20 スピードファム株式会社 両面研磨機用のドレッシング装置
JP7378944B2 (ja) * 2019-03-12 2023-11-14 株式会社東京精密 研削装置
JP7308074B2 (ja) * 2019-05-14 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN112476243A (zh) * 2020-11-26 2021-03-12 华虹半导体(无锡)有限公司 化学机械研磨装置及化学机械研磨工艺研磨垫清洗装置
KR102482687B1 (ko) 2020-12-24 2022-12-28 동명대학교산학협력단 스윙 암과 통합된 패드 프로파일 측정 시스템
CN115972061A (zh) * 2022-12-15 2023-04-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光设备及抛光垫检测方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2896657B2 (ja) * 1996-06-28 1999-05-31 旭ダイヤモンド工業株式会社 ドレッサ及びその製造方法
JPH1044024A (ja) * 1996-07-26 1998-02-17 Nippon Steel Corp 研磨布の目立て装置
JPH11170155A (ja) * 1997-12-09 1999-06-29 Hitachi Ltd 研磨装置
JPH11254294A (ja) * 1998-03-13 1999-09-21 Speedfam Co Ltd 定盤修正用ドレッサーの洗浄装置
JPH11277405A (ja) * 1998-03-31 1999-10-12 Nkk Corp Cmp装置の研磨パッド調整装置
JP4440237B2 (ja) * 1999-05-17 2010-03-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置
JP2000343407A (ja) * 1999-06-08 2000-12-12 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2001079752A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Hitachi Ltd 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP2001088008A (ja) * 1999-09-16 2001-04-03 Toshiba Corp 研磨方法とその装置
JP2001260001A (ja) * 2000-03-13 2001-09-25 Hitachi Ltd 半導体装置の平坦化方法及びその装置
JP4349752B2 (ja) * 2000-10-24 2009-10-21 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法
KR20020044737A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 윤종용 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비
US6896583B2 (en) * 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
JP3922887B2 (ja) * 2001-03-16 2007-05-30 株式会社荏原製作所 ドレッサ及びポリッシング装置
JP4259048B2 (ja) * 2002-06-28 2009-04-30 株式会社ニコン コンディショナの寿命判定方法及びこれを用いたコンディショナの判定方法、研磨装置、並びに半導体デバイス製造方法
JP2004047876A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置及び研磨方法
JP2006093296A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4817687B2 (ja) * 2005-03-18 2011-11-16 株式会社荏原製作所 研磨装置
CN101934491B (zh) * 2004-11-01 2012-07-25 株式会社荏原制作所 抛光设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR101059935B1 (ko) 2011-08-26
JP2010162688A (ja) 2010-07-29
TWI458589B (zh) 2014-11-01
JP4658182B2 (ja) 2011-03-23
JP5325831B2 (ja) 2013-10-23
KR20090055494A (ko) 2009-06-02
KR101005043B1 (ko) 2010-12-30
KR20100120625A (ko) 2010-11-16
JP2013163262A (ja) 2013-08-22
TWI572447B (zh) 2017-03-01
TWI565561B (zh) 2017-01-11
TW201700216A (zh) 2017-01-01
TW201438845A (zh) 2014-10-16
JP2009148877A (ja) 2009-07-09
TW200936316A (en) 2009-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5530002B2 (ja) 研磨パッドのドレッシング装置、及び基板研磨装置
US8870625B2 (en) Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
US5975994A (en) Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates
US7163439B2 (en) Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US7070478B2 (en) Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces
US9687955B2 (en) Polishing apparatus
US6517414B1 (en) Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
WO2001058644A1 (en) Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
JP2000061838A (ja) ドレッシング装置および方法
JPH1177520A (ja) 研磨方法及び研磨装置
WO2021262602A1 (en) Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp
US20040144160A1 (en) Pad conditioning head offline testing kit
JP2001239457A (ja) ポリッシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130524

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140327

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5530002

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250