JP5521955B2 - 電子回路モジュール部品 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品を覆った封止樹脂の表面に導電材料のシールド層が形成された電子回路モジュール部品に関する。

電子回路モジュール部品は、複数の電子部品、例えば、受動素子や能動素子、あるいはＩＣ（Integrated Circuit）等を基板に実装して、１つ又は複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。例えば、特許文献１には、グランドパターンを有する回路基板と、この回路基板の上面に実装された電子部品からなる実装部品と、この実装部品を封止する無機質フィラーを含有するエポキシ樹脂からなる封止体と、この封止体の表面に形成した第１層としての無電解銅めっき層と、第２層としての電解銅めっき層と、第３層としての銅の酸化を防止する皮膜層からなるシールド層とからなり、このシールド層を前記グランドパターンに接地したものが記載されている。

特開２００５−１０９３０６号公報、［００１２］

電子回路モジュール部品は、封止樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、封止樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分が浸入することがある。この水分は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフローで加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献１に記載された技術は、封止樹脂の全面に第１層、第２層及びシールド層が設けられている。このため、電子回路モジュール部品が電子機器の基板に実装されるとき、リフロー時に加熱されることによって発生する水蒸気等の気体は、封止樹脂から抜けにくくなる。その結果、封止樹脂にクラックが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したりするおそれがある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、封止樹脂の表面が導電性を有する層で被覆された電子回路モジュール部品において、電子回路モジュール部品を加熱することにより電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくすることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電子部品と、前記電子部品がはんだによって実装された基板と、前記電子部品及び前記基板を覆う封止樹脂と、複数の空隙を有する導電材料であり、前記封止樹脂の少なくとも一部を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された多孔質導電層と、を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品である。

この電子回路モジュール部品は、封止樹脂の表面の少なくとも一部に多孔質導電層を設け、これを電磁波のシールド層として用いる。このような構造により、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフローにおいて、電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、多孔質導電層の空隙を通って電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフローにおいて、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体は外部へ抜けやすくなる。その結果、電子回路モジュール部品が電磁波のシールド層を封止樹脂の表面に有している場合でも、電子回路モジュール部品を実装する際の加熱による内部の圧力の上昇が抑制されるので、封止樹脂の割れ及び電子回路モジュール部品の変形、あるいは電子回路モジュール部品が備える電子部品を基板に接合しているはんだの移動が発生するおそれを低減できる。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。多孔質導電層の厚みがこのような範囲であれば、多孔質導電層が有する電磁波のシールド効果と多孔質導電層の信頼性とを両立させることができる。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層の空隙率は、１０％以上８０％以下であることが好ましい。多孔質導電層の空隙率がこのような範囲であれば、電子回路モジュール部品をリフローした際における封止樹脂のクラックを効果的に抑制でき、かつ多孔質導電層の比抵抗を小さくして電磁波のシールド効果を向上させることができる。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層は、Ｃｕであることが好ましい。Ｃｕは非磁性であるため、電界シールドに加え、磁気シールドも可能になる。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層は、複数の導電材料の層を有し、最外部に多孔質のＮｉの層を有することが好ましい。このように、最外部に耐食性の高いＮｉの層を設けることにより、最外層よりも内側（絶縁樹脂側）の多孔質導電層の酸化を抑制できるので、多孔質導電層の耐久性が向上する。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層は、前記封止樹脂と接する層がＣｕであることが好ましい。基板の側面にはグランドが現れるので、複数層の多孔質導電層のうち、基板の側面と接する層がグランドと電気的に接続される。また、基板の側面と接する層は、封止樹脂の表面と接する。グランドは一般にＣｕが用いられるので、封止樹脂の表面と接する層をグランドと同じ材料であるＣｕとすることで、両者を確実に電気的に接続できる。

本発明の望ましい態様としては、前記多孔質導電層とは異なる金属層が前記封止樹脂の一部を被覆することが好ましい。このような金属層を有することにより、リフロー時における電気回路モジュール部品の反りを抑制できる。また、この金属層により、低周波数でのシールド性能を向上させることができる。

本発明の望ましい態様としては、前記金属層は、前記封止樹脂の表面であって、前記基板と対向する位置に設けられることが好ましい。リフロー時における電気回路モジュール部品の反りは、電気回路モジュール部品が有する基板が反ることにより発生するが、基板と対向する位置に金属層を設ければ、リフロー時における電気回路モジュール部品の反りを効果的に抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記封止樹脂よりも空隙率が高く、かつ前記電子部品の少なくとも一部及び前記封止樹脂の少なくとも一部及び前記多孔質導電層の少なくとも一部と接する多孔質樹脂を有することが好ましい。このようにすれば、多孔質樹脂が気体の通り道となるとともに、多孔質導電層につながっているので、封止樹脂から発生した水蒸気及びフラックスの残渣から発生したガス等の気体は、多孔質樹脂の空隙を通って多孔質導電層へ導かれ、ここから電子回路モジュール部品の外部へ放出される。このため、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフローにおいて、内部に発生した気体を速やかに外部へ放出できるので、封止樹脂のクラックやはんだの移動を効果的に抑制できる。

本発明は、封止樹脂の表面が導電性を有する層で被覆された電子回路モジュール部品において、電子回路モジュール部品を加熱することにより電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくすることができる。

図１は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品の断面図である。 図２は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質導電層の模式図である。 図３は、実施形態１の変形例に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質導電層の模式図である。 図４は、多孔質導電層の厚みと電磁波のシールド効果の関係を示す図である。 図５は、多孔質導電層の空隙率と樹脂クラック及び比抵抗の関係を示す図である。 図６は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。 図７−１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図７−２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図７−３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図７−４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図７−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図８は、多孔質導電層を形成する手順を示すフローチャートである。 図９は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の断面図である。 図１０は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質樹脂の模式図である。 図１１は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。 図１２−１は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１２−２は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１２−３は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１２−４は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１２−５は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１２−６は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１３は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の断面図である。 図１４は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。 図１５−１は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−２は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−３は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−４は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−５は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−６は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。 図１５−７は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。

以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、複数の電子部品２を基板３に実装して、１つ又は複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。電子部品２は、基板３の表面に実装されたり、基板３の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品１が有する電子部品２としては、例えば、コイル、コンデンサ及び抵抗等の受動素子、並びにダイオード及びトランジスタ等の能動素子がある。電子部品２は、これらに限定されるものではない。

図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、封止樹脂４と、多孔質導電層５とを含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。電子部品２は、はんだ６によって基板３、より具体的には基板３の実装面（電子部品２が実装される面）又は基板３の内部に実装される。樹脂基板を基板３に用いると、内部にＩＣ等を実装しやすくなるので、好ましい。なお、本実施形態において、基板３は、樹脂基板であるが、本実施形態ではこれに限定されるものではない。例えば、基板３は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミック）基板であってもよい。

基板３は、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間にグランド８を有している。グランド８は、例えば、Ｃｕ等で作製された電気の良導体である。グランド８は、電子部品２の端子電極と電気的に接続される、基板３の実装面に設けられた端子電極と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、前記実装面にグランド端子を有する場合、グランド８は、そのグランド端子とビアホール等によって電気的に接続される。

基板３は、前記実装面の反対側に、端子電極（モジュール端子電極）７を有する。モジュール端子電極７は、電子回路モジュール部品１が備える電子部品２の端子電極と電気的に接続される。また、前記実装面の反対側にグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド８とはビアホール等によって電気的に接続される。基板３は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板３の内部（例えば、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間）にも回路パターンを有している。

封止樹脂４は、電子部品２及び基板３を覆う。より具体的には、基板３の実装面に実装された電子部品及び電子部品２が実装されていない部分における基板３の実装面を覆う。封止樹脂４は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品２を基板３上に封止する機能を有する。封止樹脂４は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）である。封止樹脂４は、強度を向上させるため、にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加して硬化させてもよい。

多孔質導電層５は、複数の空隙を有する導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）であり、封止樹脂４の少なくとも一部を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続している。グランド８は、基板３の側面３Ｓに現れるので、多孔質導電層５が基板３の側面３Ｓと接する側で多孔質導電層５と電気的に接続される。多孔質導電層５は、複数の空隙を気体が通過する。本実施形態において、多孔質導電層５は、無電解めっき及び電解めっきにより封止樹脂４の表面に形成されて、封止樹脂４の表面をすべて被覆する。しかし、多孔質導電層５は、封止樹脂４を被覆していない部分があってもよい。例えば、多孔質導電層５に開口部を設け、封止樹脂４の一部を露出させてもよい。このように、多孔質導電層５は、封止樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆していればよい。この場合、多孔質導電層５は、電磁波シールドとしての効果を発揮できる程度には、封止樹脂４の表面を被覆している必要がある。多孔質導電層５を形成する方法については後述する。

電子回路モジュール部品１は、電子部品２が封止樹脂４で被覆されて封止されるので、電子部品２を基板３へ接合するはんだ６も封止樹脂４で被覆され、封止される。電子回路モジュール部品１の製造工程において、封止樹脂４又は基板３に水分が含まれることがある。また、電子回路モジュール部品１の保管環境によっても、同様の事態が起こり得る。この水分は、電子回路モジュール部品１が電子機器の基板に実装（二次実装）される際のリフローによって蒸発し、水蒸気となって膨張する。また、前記二次実装時のリフローによって、再溶融したはんだ６又はフラックスの残渣からガスが発生することもある。そして、前記水蒸気あるいは前記ガス等の気体に起因した力により、封止樹脂４にクラックが発生したり、封止樹脂４で封止されているはんだ６が基板３の部品実装面と封止樹脂４との隙間を移動したり、飛散したりしてしまうことがある。

本実施形態においては、封止樹脂４の表面を多孔質導電層５で被覆している。このため、二次実装時において電子回路モジュール部品１をリフローすると、封止樹脂４中の水分が蒸発することにより発生した水蒸気、あるいははんだ６又はフラックスの残渣から発生したガス等の気体は、多孔質導電層５の空隙を通過して封止樹脂４の外部へ逃げやすくなる。その結果、前記気体に起因した力が抑制されるので、封止樹脂４のクラック及びはんだ６の移動あるいは飛散が抑制される。

多孔質導電層５は、封止樹脂４の表面を被覆することにより、封止樹脂４に封入された電子部品２を、電子回路モジュール部品１の外部からの電磁波ノイズ等から遮蔽したり、電子部品２から放射される電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、多孔質導電層５は、電磁波シールドとして機能する。多孔質導電層５を電磁波シールドとして用いると、板金部材を電磁波シールドとした場合と比較して厚みを小さくできるので、電子回路モジュール部品１の外形をより小さくできる。

図２は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質導電層の模式図である。図３は、実施形態１の変形例に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質導電層の模式図である。図２に示すように、多孔質導電層５は、第１多孔質導電層５Ａと第２多孔質導電層５Ｂとを有している。また、図３に示す多孔質導電層５ａは、第１多孔質導電層５Ａと第２多孔質導電層５Ｂと第３多孔質導電層５Ｃとを有している。このように、本実施形態において、多孔質導電層５、５ａは、複数の導電材料（本実施形態では金属）の層を有している。多孔質導電層５、５ａが複数の導電材料の層を有する場合、それぞれの材料は同じ種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。なお、多孔質導電層５は、単一の層であってもよい。多孔質導電層５としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びこれらの元素を１種類以上含んだ合金を用いることができる。

図４は、多孔質導電層の厚みと電磁波のシールド効果の関係を示す図である。図４のＡは、導電層自体を有さない場合、Ｂは、厚みが２μｍの銅箔（空隙を有さない）を導電層として単独で有する場合、Ｃは、厚みが５μｍの銅箔を導電層として単独で有する場合である。Ｄは、厚みが２μｍの多孔質導電層５を単独で有する場合、Ｅは、厚みが５μｍの多孔質導電層５を単独で有する場合、Ｆは、厚みが２０μｍの多孔質導電層５を単独で有する場合である。Ｇは、厚みが１０μｍの銅箔の表面に、厚みが１０μｍの多孔質導電層５を設けた場合である。図４の結果は、電子回路モジュール部品１から放射された電磁波を周波数毎に測定し、その結果を出力（電磁波出力）として表したものである。電磁波出力が小さくなるほど、導電層又は多孔質導電層５が電磁波をシールドする効果は高くなる。なお、前記電磁波は、次のようにして評価した。まず、伝送線路を有する任意形状（１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ）の電子回路モジュール部品１に、シグナル・ジェネレータ（アジレント・テクノロジー製Ｅ８６６３Ｄ ＰＳＧ ＲＦ アナログ信号発生器）から出力＋２０ｄＢｍの信号を周波数別に入力した。そして、評価対象の電子回路モジュール部品１から高さ３ｍｍ離れたところにスペクトラムアナライザ（アジレント・テクノロジー製Ｅ４４４０ＡＰＳＡ スペクトラムアナライザ）に接続された磁界プローブを設置し、この磁界プローブを用いて電子回路モジュール部品１の近傍における磁界を測定し、得られた磁界強度からシールド効果を評価した。

電子回路モジュール部品１の封止樹脂４に導電層を設けない場合（図４のＡ）と比較して、厚みが２μｍの多孔質導電層５を単独で設けた場合（図４のＤ）は、電磁波のシールド効果が得られている。そして、多孔質導電層５の厚みが５μｍ以上の場合（図４のＥ、Ｆ）及び銅箔と多孔質導電層５とを組み合わせた場合（図４のＧ）は、厚みが２μｍ以上の銅箔（図４のＢ、Ｃ）を封止樹脂４の表面に設けた場合と同等の電磁波のシールド効果が得られる。

多孔質導電層５の厚みが２０μｍを超えると、多孔質導電層５の内部応力により、二次実装時におけるリフローでの熱衝撃によって、多孔質導電層５の剥離が発生する場合があった。多孔質導電層５の厚みが２０μｍ以下であると多孔質導電層５の応力が緩和されやすくなり、多孔質導電層５の厚みが１３μｍ以下であると多孔質導電層５の応力緩和効果はより顕著になる。その結果、リフロー時における多孔質導電層５の剥離が抑制された。

多孔質導電層５のピール強度は、多孔質導電層５の厚みが増加するにしたがって増加する。そして、前記厚みがさらに増加すると、ピール強度は極大値をとり、その後、前記厚みの増加にしたがってピール強度は低下する。ここで、ピール強度とは、単位幅あたりにおける多孔質導電層５が剥離するときの強度であり、単位はｋｇ／ｍｍである。本実施形態においては、多孔質導電層５の厚みが５μｍのときにピール強度は０．２５ｋｇ／ｍｍ、１０μｍのときに０．３ｋｇ／ｍｍ、１３μｍのときに０．２５ｋｇ／ｍｍであった。

これらの結果から、多孔質導電層５の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以上１３μｍ以下であり、さらには１０μｍが好ましい。多孔質導電層５の厚みがこのような範囲であれば、電磁波のシールド効果と多孔質導電層５の信頼性とを両立させることができる。

図５は、多孔質導電層の空隙率と樹脂クラック及び比抵抗の関係を示す図である。多孔質導電層５の空隙率Ｐ（％）は、式（１）から求めた。式（１）中のＡは、多孔質導電層５の任意の断面中の所定領域に存在する空隙の面積である。Ｂは、多孔質導電層５の連続した部分の面積である。空隙率Ｐを求めるにあたって、完成した電子回路モジュール部品１を適切な位置で切断し、多孔質導電層５の切断面をイオンミリングすることで試料を作製した。そして、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、倍率は３０００倍）で写真撮影して得られた画像の所定領域を規定し、当該所定領域に存在する空隙の面積Ａ及び連続した部分の面積Ｂを求めた。
Ｐ＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）×１００・・・（１）

完成した電子回路モジュール部品１を２６０℃でリフローした後、電子回路モジュール部品１の封止樹脂４のクラックを評価した。この評価においては、実体顕微鏡を使用し、リフロー後における封止樹脂４の外観に存在するクラックを観察した。また、リフロー後における封止樹脂４から得たサンプルをエポキシ樹脂に埋め込み、断面を研磨した後に金属顕微鏡でクラックの有無を観察した。これらの観察結果から、封止樹脂４のクラックを評価した。そして、評価に供した電子回路モジュール部品１中にクラックが発生したものの割合（％）を樹脂クラック率とした。

多孔質導電層５の比抵抗は、直流四探針法で計測した。計測器は、共和理研製Ｋ−７０５ＲＳを用いた。本実施形態において、樹脂クラック率は３０％以下を許容とし、比抵抗は６×１０^−７Ω・ｍ以下を許容とした。評価に供した電子回路モジュール部品１は、空隙を有する多孔質樹脂を、封止樹脂４と電子部品２及び基板３の実装面との間に配置するとともに、前記多孔質樹脂を多孔質導電層５に接するようにしたものである。この構造については、実施形態２で詳述する。

図５中のＡが樹脂クラックの結果を示し、Ｂが比抵抗の結果を示す。これらの結果から、多孔質導電層５の空隙率Ｐは、１０％以上８０％以下が好ましく、より好ましくは２０％以上６０％以下である。多孔質導電層５の空隙率Ｐがこのような範囲であれば、電子回路モジュール部品１をリフローした際の樹脂クラックを効果的に抑制でき、かつ多孔質導電層５の比抵抗を小さくして電磁波のシールド効果を向上させることができる。次に、電子回路モジュール部品１を製造する方法について説明する。

図６は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図７−１〜図７−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。ステップＳ１１において、図７−１に示す基板３に電子部品２を実装する。基板３の内部には、グランド８が設けられる。電子部品２を実装した状態の基板３を、モジュール素体１Ａという。

モジュール素体１Ａは、例えば、次のような手順で作製される。
（１）基板３の実装面に設けられた端子にはんだ６を含むはんだペーストを印刷する。
（２）実装装置（マウンタ）を用いて電子部品２を基板３に搭載する。
（３）電子部品２が搭載された基板３をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱する。すると、前記はんだペーストのはんだ６が溶融し、その後硬化するので、電子部品２の端子電極と基板３の端子電極とが接合される。
（４）電子部品２及び基板３の表面に付着したフラックスを洗浄する。

モジュール素体１Ａが完成したら、ステップＳ１２へ進む。ステップＳ１２においては、図７−２に示すように、封止樹脂４で電子部品２及び基板３を覆う。封止樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂である。本実施形態では、エポキシ樹脂のシートを電子部品２及び基板３の表面に載置して、これを熱プレスすることにより、封止樹脂４を硬化させる。このような方法で、封止樹脂４で電子部品２及び基板３の表面を覆う。その結果、電子部品２は、封止樹脂４によって封止される。この状態の基板３を、封止体１Ｂという。

次に、ステップＳ１３に進み、図７−３に示すように、電子回路モジュール部品１の単位（以下、モジュール部品単位という）で、封止体１Ｂの基板３が途中まで切断される（ハーフダイシング）。図７−３のＣ１は、切断ラインを示す。隣接する切断ラインＣ１、Ｃ１で区画される部分がモジュール部品単位である。ハーフダイシングにおいては、封止樹脂４及び基板３内のグランド８が切断される。このため、基板３の切断面からは、グランド８が現れる。ステップＳ１３が終了したら、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４において、図７−４に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に多孔質導電層５が形成される。多孔質導電層５が形成された状態を、モジュール集合体１Ｃという。次に、多孔質導電層５を形成する手順を説明する。

図８は、多孔質導電層を形成する手順を示すフローチャートである。多孔質導電層５は、図２に示すように、第１多孔質導電層５Ａと第２多孔質導電層５Ｂとを有しており、両者は同種の材料である。本実施形態において、第１多孔質導電層５Ａ及び第２多孔質導電層５Ｂは、いずれも銅（Ｃｕ）である。多孔質導電層５を形成するにあたって、まず、ステップＳ１４１において、無電解めっきによって封止樹脂４の表面に第１多孔質導電層５Ａが形成される。第１多孔質導電層５Ａの厚みは、０．０５μｍから０．５μｍである。この範囲であれば、無電解めっきによって形成された第１多孔質導電層５Ａは、多孔質の構造となる。無電解めっきによって形成された第１多孔質導電層５Ａは、空隙を有する多孔質の金属膜（銅の膜）である。第１多孔質導電層５Ａを形成する方法は、無電解めっきに限定されるものではない。例えば、スパッタリング等によって第１多孔質導電層５Ａを形成してもよい。

第１多孔質導電層５Ａが形成されたら、ステップＳ１４２へ進む。ステップＳ１４２において、電解めっきにより第１多孔質導電層５Ａの表面に第２多孔質導電層５Ｂが形成される。電解めっきによって多孔質の金属膜を形成する方法は、めっきの成長段階から金属膜を多孔質状に形成する方法、及び予めめっき材料に添加物を加えておき、めっき後に酸又はアルカリ処理によって添加物を除去して空隙を形成する方法がある。本実施形態では前者の方法を用いた。

本実施形態においては、めっき液として、ピロリン酸銅９０ｇ／Ｌ（リットル）、ピロリン酸カリウム３５０ｇ／Ｌ（リットル）、２８％アンモニア水３ｇ／Ｌ（リットル）、ドデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド０．０３ｍｏｌ／Ｌ（リットル）を用いた。このようなめっき液を用いて電解めっきを施すことにより、第１多孔質導電層５Ａの表面には空隙を有する第２多孔質導電層５Ｂが形成される。このようにして、第１多孔質導電層５Ａ及び第２多孔質導電層５Ｂを有する多孔質導電層５が封止樹脂４の表面に形成される。多孔質導電層５は、図７−４に示すように、基板３の側面３Ｓに現れているグランド８と電気的に接続される。第１多孔質導電層５Ａの厚みと第２多孔質導電層５Ｂの厚みとの和が多孔質導電層５の厚みである。

多孔質導電層５の厚みは、電子回路モジュール部品１の仕様（周波数帯）によって決定する。例えば、電子回路モジュール部品１が２ＧＨｚの周波数帯を使用する場合、多孔質導電層５の厚みは１０μｍとする。この場合、第１多孔質導電層５Ａの厚みと第２多孔質導電層５Ｂの厚みとの和が１０μｍになるように、電解めっきの条件（主として時間）が設定される。

第２多孔質導電層５Ｂの表面に、防錆層として、例えばニッケル（Ｎｉ）を設けてもよい。この場合、防錆層も空隙を有する多孔質の膜である。また、防錆層は、図３に示す多孔質導電層５ａの第３多孔質導電層５Ｃに相当する。防錆層を設けることにより、第１多孔質導電層５Ａ及び第２多孔質導電層５Ｂの酸化を抑制できるので、多孔質導電層５の耐久性が向上する。また、本実施形態では、第１多孔質導電層５Ａと第２多孔質導電層５Ｂとを同種の材料としたが、両者は異なる材料でもよい。例えば、第１多孔質導電層５Ａを銅とし、第２多孔質導電層５Ｂをニッケルとしてもよい。第２多孔質導電層５Ｂをニッケルとすることで、銅の第１多孔質導電層５Ａの酸化を抑制できるので、多孔質導電層５の耐久性が向上する。また、ニッケルは銅よりも剛性が高いため、多孔質導電層５を強固なものとして多孔質導電層５の耐久性を向上させることができる。

封止樹脂４の表面に多孔質導電層５が形成されたら、図６に示すステップＳ１５へ進む。ステップＳ１５において、モジュール集合体１Ｃは、切断ラインＣ１で基板３まで完全に切断される。その結果、図７−５に示す電子回路モジュール部品１が得られる。電子回路モジュール部品１は、ステップＳ１６で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。このような手順によって、図７−５に示すような、多孔質導電層５が封止樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆した電子回路モジュール部品１を製造できる。

以上、電子回路モジュール部品１は、封止樹脂４の表面の少なくとも一部が多孔質導電層５で被覆されている。このような構造により、封止樹脂４の表面と多孔質導電層５の外部とは、気体が通過できる。このため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１の内部で発生した水蒸気等の気体は、多孔質導電層５の空隙を通って電子回路モジュール部品１の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品１は、二次実装でのリフロー工程において、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体が外部へ抜けやすくなる。このため、電子回路モジュール部品１が封止樹脂４の表面に電磁波シールドを有している場合でも、二次実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制される。その結果、電子回路モジュール部品１は、封止樹脂４のクラック発生及びリフロー時におけるはんだ６の移動を抑制できるとともに、自身が変形するおそれを低減できる。

特に、電子部品２の寸法が大きくなると（２０１２Ｍ以上）、基板３と電子部品２との熱膨張が大きくなる結果、封止樹脂４に無理な力が作用する。この状態で、電子回路モジュール部品１の内部の気体に起因した力が封止樹脂４に作用すると、封止樹脂４のクラック等が発生しやすくなる。電子回路モジュール部品１は、このような電子部品２を用いた場合でも、リフロー時に発生した気体を電子回路モジュール部品１の外部へ速やかに放出して前記気体に起因する力を緩和できるので、封止樹脂４のクラックを抑制できる。その結果、電子回路モジュール部品１は、電子部品２の寸法によらず、不良率を低下させることができる。本実施形態で開示した構成は、以下においても適宜組み合わせることが可能である。

（実施形態２）
実施形態２に係る電子回路モジュール部品は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品に対して、さらに、封止樹脂よりも空隙率が高く、かつ電子部品の少なくとも一部及び多孔質導電層の少なくとも一部と接する多孔質樹脂を加えた点に特徴がある。

図９は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図１０は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品が有する多孔質樹脂の模式図である。電子回路モジュール部品１ａは、基板３に実装された電子部品２及び基板３の部品実装面が多孔質樹脂９で覆われる。多孔質樹脂９は、多孔質導電層５と接している。そして、多孔質樹脂９は、封止樹脂４で覆われる。このように、電子回路モジュール部品１ａは、多孔質樹脂９を介して封止樹脂４が複数の電子部品２及び部品実装面を覆うことで、基板３及び複数の電子部品２が一体化されるとともに、強度が確保される。

多孔質樹脂９は、樹脂９Ｐに複数の空隙９Ｈが含まれた構造である。多孔質樹脂９は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂である。多孔質樹脂９は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて図１０に示す空隙９Ｈが形成される。

封止樹脂４は、多孔質樹脂９の表面を覆い、かつ多孔質樹脂９よりも空隙率（樹脂空隙率）が低い。前記樹脂空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙の体積の割合（体積％）である。封止樹脂４の空隙率を多孔質樹脂９よりも低くすることにより、封止樹脂４は多孔質樹脂９よりも強固になる。このような封止樹脂４によって電子部品２を多孔質樹脂９とともに基板３へ封止することにより、電子回路モジュール部品１ａの強度を確保する。なお、封止樹脂４の空隙率は０体積％であってもよい。

電子回路モジュール部品１ａは、多孔質樹脂９が複数の電子部品２及び部品実装面を覆うとともに、多孔質樹脂９は、多孔質導電層５と接している。このような構造により、二次実装時において電子回路モジュール部品１ａをリフローすると、封止樹脂４中の水分が蒸発することにより発生した水蒸気、あるいははんだ６又はフラックスの残渣から発生したガス等の気体は、多孔質樹脂９の空隙を通過して、多孔質導電層５まで到達する。そして、前記気体は、多孔質導電層５の空隙を通過して封止樹脂４の外部へ放出される。前記水蒸気は主として封止樹脂４から、前記ガスは主として電子部品２の近傍から発生する。電子回路モジュール部品１ａが有する多孔質樹脂９は、封止樹脂４及び電子部品２の少なくとも一部と接し、かつ多孔質導電層５と接しているので、前記気体は、多孔質樹脂９の空隙及び多孔質導電層５の空隙を通って、速やかに電子回路モジュール部品１ａの外部へ放出される。その結果、前記気体に起因した力が抑制されるので、封止樹脂４のクラック及びはんだ６の移動あるいは飛散が抑制され、また電子回路モジュール部品１ａの膨張も抑制される。次に、多孔質樹脂９の評価例を説明する。

次の評価においては、完成した電子回路モジュール部品１ａを評価体とし、この評価体を適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製した。そして、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、倍率は３０００倍）で写真撮影して得られた画像から、空隙９Ｈの平均直径が求められた。このとき、前記写真撮影によって得られた画像は、空隙のみが黒くなるように二値化処理された。空隙９Ｈの分布は、前記画像から求めたＤ５０と累積度数直径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。また、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡で写真撮影して得られた画像から、空隙率が算出された。空隙率は、上述した式（１）を用いて算出した。

（第１評価例）
平均直径が３μｍの球状フィラーを用いて、空隙率の異なる多孔質樹脂９を有する評価体（電子回路モジュール部品１ａ）をそれぞれ作製した。評価結果を表１に示す。空隙率は、表１に示すように変化させた。なお、空隙の平均直径は０．７μｍである。空隙の平均直径はＤ５０の値である。平均直径（Ｄ５０）は複数の空隙９Ｈの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径でありＤ１０は積算値１０％の直径である。

第１評価例では、はんだ６の移動及び多孔質樹脂９のクラックを評価した。多孔質樹脂９のクラックは、透過Ｘ線により観察した。表１から分かるように、空隙率が０．１％以上であれば、はんだ６の移動を十分に抑制できる。また、空隙率が４０％未満であれば、多孔質樹脂９のクラックの発生を十分に抑制できる。このことから、多孔質樹脂９の空隙率は、０．１％以上４０未満％が好ましく、より好ましくは、０．１％以上３０％以下である。

（第２評価例）
平均直径が１μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍ、３０μｍのフィラーから１つ、又は少なくとも二つの配合比率を変更することにより、空隙９Ｈの平均直径が異なる多孔質樹脂９を有する評価体（電子回路モジュール部品１ａ）をそれぞれ作製した。空隙の平均直径は、表２に示すように変化させた。空隙９Ｈの平均直径はＤ５０の値である。評価結果を表２に示す。表２から分かるように、空隙の平均直径が０．１μｍ以上２０μｍ未満、好ましくは０．１μｍ以上１０μｍであれば、はんだ６の移動を十分に抑制できる。

（第３評価例）
平均直径が１μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍ、３０μｍのフィラーから１つ、又は少なくとも二つの配合比率を変更することにより、フィラーの平均直径が異なる多孔質樹脂９を有する評価体（電子回路モジュール部品１ａ）をそれぞれ作製した。フィラーの平均直径は、表３に示すように変化させた。フィラーの平均直径はＤ５０の値である。評価結果を表３に示す。表３から分かるように、フィラーの平均直径（Ｄ５０）が１μｍ以上であれば、はんだ６の移動を十分に抑制できる。また、フィラーの平均直径（Ｄ５０）が１５μｍ未満であれば、多孔質樹脂９のクラックの発生を十分に抑制できる。このことから、フィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１μｍ以上１５μｍ未満が好ましく、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。このような範囲であれば、多孔質樹脂９の厚みを過度に増加させることはないので、電子回路モジュール部品１ａの高さを抑制することができる。空隙９Ｈの分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．１以上０．８以下とすることが好ましい。このようにすれば、多孔質樹脂９内でのフィラーの分散や空隙９Ｈの分散が改善される。次に、電子回路モジュール部品１ａを製造する方法について説明する。

図１１は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図１２−１〜図１２−６は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。ステップＳ２１において、図１２−１に示す基板３に電子部品２を実装し、モジュール素体１Ａａを作製する。モジュール素体１Ａａを作製する手順は実施形態１に係る電子回路モジュール部品の製造方法と同様である。

モジュール素体１Ａａが完成したら、ステップＳ２２へ進む。ステップＳ２２においては、図１２−２に示すように、モジュール素体１Ａａの電子部品２の少なくとも一部と接するように、基板３の実装面に多孔質樹脂９が設けられる。この例では、多孔質樹脂９で電子部品２及び基板３を覆う。多孔質樹脂９は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加し、これを硬化させたものである。多孔質樹脂９は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した多孔質樹脂９の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法又はスピンコート法等によってモジュール素体１Ａａの表面に塗布し、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙９Ｈが形成された多孔質樹脂９で電子部品２及び基板３が被覆される。

多孔質樹脂９に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、多孔質樹脂９に含まれる空隙９Ｈの寸法及び形状及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。フィラーの種類は、電子回路モジュール部品１ａが有する電子部品２及び回路の電気的特性に影響を及ばさないものであれば特に限定されるものではないが、多孔質樹脂９となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。フィラーは、小さい平均直径（Ｄ５０）と大きい平均直径（Ｄ５０）とを組み合わせてもよい。また、フィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類（組成）のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。

モジュール素体１Ａａの表面に多孔質樹脂９の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂を硬化させる。このようにすることで、モジュール素体１Ａａの表面に多孔質樹脂９が設けられ、電子部品２の少なくとも一部と多孔質樹脂９とが接する。次に、ステップＳ２３に進み、図１２−３に示すように、多孔質樹脂９を封止樹脂４で覆うことにより、封止体１Ｂａを得る。この手順は、実施形態１に係る電子回路モジュール部品の製造方法におけるステップＳ１２と同様である。

次に、ステップＳ２４に進み、図１２−４に示すように、モジュール部品単位で、封止体１Ｂａの基板３が途中まで切断される（ハーフダイシング）。ハーフダイシングにおいては、封止樹脂４及び多孔質樹脂９及び基板３内のグランド８が切断される。ステップＳ２４が終了したら、ステップＳ２５に進み、図１２−５に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に多孔質導電層５が形成される。多孔質導電層５が形成された状態を、モジュール集合体１Ｃａという。多孔質導電層５を形成する手順は実施形態１に係る電子回路モジュール部品の製造方法と同様である。

封止樹脂４の表面に多孔質導電層５が形成されたら、図１１に示すステップＳ２６へ進む。ステップＳ２６において、モジュール集合体１Ｃａは、切断ラインＣ１で基板３まで完全に切断される。その結果、図１２−６に示す電子回路モジュール部品１ａが得られる。電子回路モジュール部品１ａは、ステップＳ２７で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。このような手順によって、図１２−６に示すような、多孔質導電層５が封止樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆し、かつ電子部品２及び封止樹脂４及び多孔質導電層５の少なくとも一部と接する多孔質樹脂９を有する電子回路モジュール部品１ａを製造できる。

以上、電子回路モジュール部品１ａは、上述した電子回路モジュール部品１（図１、図７−５）が奏する作用、効果に加え、多孔質樹脂９により、電子回路モジュール部品１ａが二次実装時にリフローされたときには、封止樹脂４の内部の気体を速やかに多孔質導電層５まで導くことができる。このため、電子回路モジュール部品１ａは、二次実装のリフローでの加熱により、内部で発生した気体が外部へより早く抜ける。その結果、電子回路モジュール部品１ａは、二次実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇がより確実に抑制されるので、封止樹脂４のクラック発生及びリフロー時におけるはんだ６の移動をより効果的に抑制できるとともに、自身が変形するおそれをさらに低減できる。本実施形態で開示した構成は、以下においても適宜組み合わせることが可能である。

（実施形態３）
実施形態に係る電子回路モジュール部品は、多孔質導電層とは異なる金属層が封止樹脂の一部を被覆する点に特徴がある。すなわち、多孔質導電層の一部と封止樹脂の一部との間に、金属層が設けられる点に特徴がある。以下においては、電子回路モジュール部品が実施形態２で説明した多孔質樹脂を有する例を説明するが、電子回路モジュール部品は、多孔質樹脂を有していなくてもよい。

図１３は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の断面図である。電子回路モジュール部品１ｂは、多孔質導電層５が封止樹脂４の一部を被覆する。本実施形態では、封止樹脂４の側部４Ｓ、すなわち、基板３と対向する部分（頂部４Ｔ）を除いた部分を多孔質導電層５が被覆する。多孔質導電層５は、封止樹脂４の側部４Ｓの表面に設けられ、これと接する。そして、多孔質導電層５が被覆しない封止樹脂４の部分、すなわち封止樹脂４の頂部４Ｔを金属層１０が被覆する。すなわち、封止樹脂４の表面のうち、金属層１０が直接被覆した部分以外を、多孔質導電層５が直接被覆する。

本実施形態では、基板３と対向する部分、すなわち頂部４Ｔを金属層１０が被覆する。金属層１０は、封止樹脂４の頂部４Ｔの表面に設けられ、これと接する。多孔質導電層５は、金属層１０の表面にも設けられる。このような構造により、電子回路モジュール部品１ｂは、多孔質導電層５の一部と封止樹脂４の一部との間に、金属層１０が設けられる。金属層１０は、リフロー時において電子回路モジュール部品１ｂの反りを抑制する効果及び低周波数（５００ｋＨｚ以下）でのシールド性能を向上させる効果がある。金属層１０の厚みは、例えば、電子回路モジュール部品１ｂの仕様（周波数帯）によって決定する。

本実施形態では、金属層１０の表面を多孔質金属層５が被覆しているが、両者の関係は、これに限定されるものではない。例えば、多孔質金属層５の表面を金属層１０が被覆してもよい。上述した例では、封止部材４の頂部４Ｔの表面を多孔質導電層５が被覆し、さらにその表面を金属層１０が被覆するとともに、封止樹脂４の側部４Ｓの表面を多孔質導電層５が直接被覆する。このような形態であっても、金属層１０による上述した効果を得ることができる。次に、電子回路モジュール部品１ｂを製造する方法について説明する。

図１４は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図１５−１〜図１５−７は、実施形態３に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法のステップＳ３１からステップＳ３３は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法のステップＳ２１からステップＳ２３（図１１参照）と同様なので説明を省略する。

ステップＳ３３において、図１５−３に示すように、多孔質樹脂９を封止樹脂４で覆うことにより、封止体１Ｂｂが得られたら、ステップＳ３４に進む。ステップＳ３４において、図１５−４に示すように、封止樹脂４の表面に金属層１０を設ける。本実施形態において、金属層１０は厚みが１０μｍの銅箔である。金属層１０は、封止樹脂４の表面に接着される。金属層１０により、図１３に示す電子回路モジュール部品１ｂをリフローした際における反りを抑制できる。このようにして、封止体１Ｂｂ’が得られる。次に、ステップＳ３５に進み、モジュール部品単位で、封止体１Ｂｂ’の基板３が途中まで切断される（ハーフダイシング）。ハーフダイシングにおいては、金属層１０及び封止樹脂４及び多孔質樹脂９及び基板３内のグランド８が切断される。

ステップＳ３５が終了したら、ステップＳ３６に進む。本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法のステップＳ３６からステップＳ３８は、実施形態２に係る電子回路モジュール部品の製造方法のステップＳ２５からステップＳ２７（図１１参照）と同様なので説明を省略する。このような手順によって、図１５−７に示すような、多孔質導電層５が封止樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆し、かつ電子部品２及び封止樹脂４及び多孔質導電層５の少なくとも一部と接する多孔質樹脂９を有する電子回路モジュール部品１ｂを製造できる。

なお、多孔質導電層５の表面に金属層１０を設ける場合、図１５−３に示す封止体１Ｂｂが有する封止樹脂４の表面に多孔質導電層５を設ける。次に、多孔質導電層５の表面のうち、金属層１０を設ける部分以外をレジスト等の保護膜でマスキングして、マスキングされた部分以外の多孔質導電層５の表面に金属層１０を設ける。その後、保護膜を除去することにより、多孔質導電層５の表面に金属層１０を有した電子回路モジュール部品１ｂを製造することができる。以上、電子回路モジュール部品１ｂは、上述した電子回路モジュール部品１ａ（図９、図１２−６）が奏する作用、効果に加え、金属層１０により、低周波数でのシールド効果に優れるという効果を奏する。

以上のように、本発明に係る電子回路モジュール部品は、電子部品を覆った封止樹脂の表面に金属層が形成される電子回路モジュール部品において、リフロー時に電子回路モジュール部品の内部で発生した気体を外部へ抜けやすくすることに有用である。

１、１ａ、１ｂ 電子回路モジュール部品
１Ｂ、１Ｂａ 封止体
１Ａ、１Ａａ モジュール素体
１Ｃ モジュール集合体
２ 電子部品
３ 基板
３Ａ 第１基板
３Ｂ 第２基板
４Ｓ 側部
４Ｔ 頂部
４ 封止樹脂
５、５ａ 多孔質導電層
５Ａ 第１多孔質導電層
５Ｂ 第２多孔質導電層
８ グランド
９ 多孔質樹脂
９Ｈ 空隙
９Ｐ 樹脂
１０ 金属層

Claims (8)

1. 電子部品と、
   前記電子部品がはんだによって実装された基板と、
   前記電子部品及び前記基板を覆う封止樹脂と、
   複数の空隙を有する導電材料であり、前記封止樹脂の少なくとも一部を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された多孔質導電層と、を含み、
   前記多孔質導電層とは異なる金属層が前記封止樹脂の一部を被覆する
   ことを特徴とする電子回路モジュール部品。
2. 前記多孔質導電層の厚みは、２μｍ以上２０μｍ以下である請求項１に記載の電子回路モジュール部品。
3. 前記多孔質導電層の空隙率は、１０％以上８０％以下である請求項１又は２に記載の電子回路モジュール部品。
4. 前記多孔質導電層は、Ｃｕである請求項１から３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
5. 前記多孔質導電層は、複数の導電材料の層を有し、最外部に多孔質のＮｉの層を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
6. 前記多孔質導電層は、前記封止樹脂と接する層がＣｕである請求項１から３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
7. 前記金属層は、前記封止樹脂の表面であって、前記基板と対向する位置に設けられる請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子回路モジュール部品。
8. 前記封止樹脂よりも空隙率が高く、かつ前記電子部品の少なくとも一部及び前記封止樹脂の少なくとも一部及び前記多孔質導電層の少なくとも一部と接する多孔質樹脂を有する請求項１から７のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。

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