JP5521367B2 - 不揮発性半導体メモリ素子、および不揮発性半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、斯かる実情に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、標準ロジックのCMOSプロセスで不揮発性メモリが実現できると共に、面積の大きくなるキャパシタ(フローティングゲートと半導体基板表面で形成されるキャパシタ)をコンパクトに配置して面積を最小限にすることができる、不揮発性半導体メモリ素子、および不揮発性半導体メモリ装置を提供することにある。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ素子の構成図であり、EEPROMセルの例を示す図である。なお、以下の説明では、「不揮発性半導体メモリ素子」のことを、単に「メモリセル」と呼ぶことがある。
フローティングゲートの状態が初期状態(中性状態)とすると、この系のトータルチャージはゼロということから、
(VCG−VFG)*C(FC)+(VSub−VFG)*C(FB)+(VD−VFG)*C(FD)+(VS−VFG)*C(FS)=0C、(FC)+C(FB)+C(FD)+C(FS)=CT(トータル)
とすると、
VFG=VCG*C(FC)/CT+VSub*C(FB)/CT+VD*C(FD)/CT+VS*C(FS)/CT
ここで、C(FD)=C(FS)≒0、VSub=VS=0 とすると、
VFG=VCG*C(FC)/{C(FC)+C(FB)}
ここで、C(FC)/{C(FC)+C(FB)}=α(カップリング比)
とすると、
VFG=αVCG となる。
通常、α≒0.6 に設定する。
このメタル配線12は、トランジスタ形成部30と平行に半導体基板表面から所定の距離を隔て配置され、また、メタル配線12は第1トランジスタのドレイン(第1のn型拡散層5)とコンタクトにより接続される。また、第1トランジスタT1の第1のゲート領域部に対向するようにしてポリシリコン層8が左右方向に形成される。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図である。図6に示す例は、本発明による不揮発性半導体メモリ素子(メモリセル)をマトリックスアレイ(メモリセルアレイ)に組み込んだEEPROMの例である。
例えば、メモリセルM11−0〜M11−7の8ビットのメモリセルブロックが選択されるとする。書き込み動作を説明する。行アドレスにより行デコーダ200−1が選択される。行アドレスにより行デコーダ回路201が選択され“1”を出力する。インバータ202の出力は“0”となり、レベルシフト回路203はVP1(例えば8V)を出力する。一方、書き込み時は書き込み信号Wは“1”となるので、NAND回路204は“0”となり、レベルシフト回路205はVP2(例えば5V)を出力する。
図7に示す電源電圧制御回路700において、701は電源昇圧回路であり、発信器(オシレータ)、チャージポンプ、電圧検知回路等(いずれも図示せず)で構成されている。外部電源VCC(例えば3V)を電源として、内部昇圧を行い、出力VPP(例えば10V)を出力する。
図9は、本発明の第3の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、本発明の不揮発性半導体メモリ素子(メモリセル)を用いてメモリセルアレイを構成したEEPROMの例である。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルアレイの構成を示す図である。
「VP1>VP2(信号COL1aの電圧)+Vth(トランジスタ303の閾値)」の場合には、
「VCG11=VP2−Vth」となる。例えば、VP1=8V,VP2=4V、Vth(303)1Vとすれば、VCG=3Vとなる。このとき、VP2=5Vとすれば、VCG=4V、VP2=6VとすればVCG=5Vとなり、書き込み時、コントロールゲートCG11にステップアップ電圧が印加できる。
図11は、本発明の第5の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルアレイの構成を示す図である。
第2のレベルシフト回路405は、列デコーダ400−1〜400−nから出力される列選択信号を第2の電圧VP2の信号に変換する。第3のレベルシフト回路403は、列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の信号に変換する。
図12は、本発明の第6の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルのレイアウト配置を示している。
図13は、本発明の第7の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ素子の構成を示す図であり、メモリセルの構成を示している。
図に示すメモリセルでは、n−wellを省略し、NMOSキャパシタを設けるようにしたもので、p型拡散層15をn型拡散層15´(第4のn型拡散層)に変更したものである。キャパシタ14はNMOSキャパシタとなるため、キャパシタ14のゲート下にはD−タイプ(Depletion−type)のチャネルインプラ21を行い、常時反転層が存在するようにして、効率よくカップリングを行えるようにしている。標準CMOSプロセスに対して、Dタイプのチャネルインプラが必要であるが、インプラ工程の追加なので、総工程に対して微増ですむため、プロセスの煩雑さの負荷にはならない。
また、トランジスタ形成部の左側にD−タイプのチャネルインプラ21を形成する。そして、チャネルインプラ21の表面と第2のゲート領域部(第2のn型拡散層6と第3のn型拡散層7の中間のチャネル形成領域)とに対向するようフローティングゲート9を左右方向に配置し、このフローティングゲート9に電位を付与するコントロールゲート端子に接続されるコントロールゲート配線19も左右方向に配置する。
図14は、本発明の第8の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルのレイアウト配置を示している。
このメタル配線12は、トランジスタ形成部30と平行に半導体基板表面から所定の距離を隔て配置され、また、第1のメタル配線12は第1トランジスタのドレイン(第1のn型拡散層5)とコンタクトにより接続される。また、第1トランジスタのゲート領域部に対向するようにしてポリシリコン層8が左右方向に形成される。第1のメタル配線12は、ビット線BIT2に接続される。ポリシリコン層8は、共通のセレクトゲート配線SG11に接続される。
図15は、本発明の第9の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルのレイアウト配置を示している。
図13に示すメモリセルは、フローティングゲートとコントロールゲートとのキャパシタがトランジスタT1とT2の左側に配置されているのに対して、図15に示すメモリセルは、トランジスタT1とT2の左右に分けて配置している。
図16は、本発明の第10の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ素子の構成を示す図であり、サブコンタクトを追加した例である。
図17は、本発明の第11の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、図15に示すメモリセルのレイアウトに、サブコンタクトを追加した例である。
図17に示すように、面積増加も無く、効率よくサブコンタクトが配置される。
図18は、本発明の第12の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図である。図18に示す例は、メモリセルの構造を、簡略化したEEPROMの例を示している。
また、行デコーダから出力される行選択信号を第2の電圧VP2に変換して、各メモリセルのコントロールゲートCGに出力する。すなわち、セレクトゲートSGおよびコントロールゲートCGをともに共通化する。そして、列方向のメモリセルの選択は、列選択トランジスタにより行う。
ところで、図18に示す例では、便宜上、メモリセルアレイの単位はバイト毎にまとめて配置したが、この例では、セレクトゲートSGも、コントロールゲートCGも、各メモリセルアレイに共通に設定されており、特にバイト単位でまとめる必要は無い。
図20は、本発明の第14の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリ素子の構成を示す図であり、EEPROMセルの例を示す図である。
このメタル配線12は、トランジスタ形成部30と平行に半導体基板表面から所定の距離を隔て配置され、また、メタル配線12は第1トランジスタのドレイン(第1のn型拡散層5)とコンタクト10により接続される。また、第1トランジスタT1の第1のゲート領域部に対向するようにしてポリシリコン層8が左右方向に形成される。
図22は、本発明の第15の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図である。図22に示す例は、図20に示すメモリセルをマトリックスアレイ(メモリセルアレイ)に組み込んだEEPROMの回路例である。
例えば、M11−0〜M11−7の8ビットのメモリセルが選択されるとした場合の書き込み動作を説明する。行アドレスにより行デコーダ200−1が選択される。行アドレスにより行デコーダ回路201が選択され“1”を出力する。インバータ202の出力は“0”となり、レベルシフト回路203は電圧VP1(例えば8V)の信号を出力する。
図23は、本発明の第16の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリ装置の構成を示す図であり、メモリセルアレイのレイアウト配置を示している。
Claims (15)
- 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
前記各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるセレクトゲート配線であって、メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続されるセレクトゲート配線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるコントロールゲート配線であって、メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続されるコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
前記行デコーダから出力される信号を前記コントロールゲートCGに印加する第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の信号に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックごとに配置されると共に選択されたメモリセルブロック内のトランジスタにゲート電圧を印加するためのセレクト回路であって、前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし、第1のレベルシフト回路の出力信号VP1をセレクトゲートSGに転送する第1の転送ゲートトランジスタと、前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし、前記第2のレベルシフト回路の出力信号VP2をコントロールゲートCGに転送する第2の転送ゲートトランジスタとを有するセレクト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし前記列単位のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された前記列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される前記列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよび データ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
前記各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
前記各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続されるセレクトゲート配線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるコントロールゲート配線であって、メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続されるコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
前記行デコーダから出力される信号を前記コントロールゲートCGに印加する第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の信号に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックごとに配置されると共に選択されたメモリセルブロック内のトランジスタにゲート電圧を印加するためのセレクト回路であって、前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし、前記第2のレベルシフト回路の出力信号VP2をコントロールゲートCGに転送する転送ゲートトランジスタを有するセレクト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし前記列単位のビット数のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された前記列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
前記各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
前記各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続されるセレクトゲート配線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるコントロールゲート配線であって、メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続されるコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックごとに配置されると共に選択されたメモリセルブロック内のトランジスタにゲート電圧を印加するためのセレクト回路であって、前記第2のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP2をゲート入力とし、第1のレベルシフト回路の出力信号VP1をコントロールゲートCGに転送する転送ゲートトランジスタを有するセレクト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし前記列単位のビット数のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される前記列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
前記各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
前記各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続されるセレクトゲート配線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるコントロールゲート配線であって、メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続されるコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の信号に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックごとに配置されると共に選択されたメモリセルブロック内のトランジスタにゲート電圧を印加するためのセレクト回路であって、前記第2のレベルシフト回路から出力される前記第2の電圧VP2の信号を電源電圧とし、前記第1のレベルシフト回路の出力する第1の電圧VP1の信号を入力信号とし、出力信号をコントロールゲートCGに出力するインバータを有するセレクト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし前記列単位のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された前記列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される前記列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルをマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルはその構成部分のレイアウトとして、
前記半導体基板上の第1の方向を上下方向で表し、前記第1の方向と直交する第2の方向を左右方向で表した場合に、
前記上下方向に、前記第1トランジスタのドレインとなる第1のn型拡散層と、第1トランジスタのチャネルを形成する第1のゲート領域部と、第1トランジスタのソースであり第2トランジスタのドレインともなる第2のn型拡散層と、第2トランジスタのチャネルを形成する第2のゲート領域部と、ソースとなる第3のn型拡散層とが順次に配置される方形状のトランジスタ形成部と、
前記トランジスタ形成部の左側あるいは右側に、該トランジスタ形成部と平行にかつ半導体基板表面から所定の距離を隔てて配置されると共に、前記第1トランジスタのドレインにコンタクトにより接続される第1のメタル配線と、
前記第1トランジスタのゲート領域部に一部が対向するようにして左右方向に形成され、前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層と、
前記半導体基板上において、前記トランジスタ形成部の左側および右側に、所定の幅と深さを持って左右方向に形成される方形状の第1および第2のD−タイプ(Depletion−type)のチャネルインプラと、
前記半導体基板表面に対向して左右方向に配置されると共に、その左端部側の領域が前記第1のチャネルインプラの表面に対向し、かつその中央部の領域が前記第2トランジスタの第2ゲート領域部に対向し、右端部側の領域が前記第2のチャネルインプラの表面に対向するように配置される方形状のフローティングゲートと、
前記第1のチャネルインプラの左側に隣接し、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されコントロールゲートCGとなる第5のn型拡散層と、
前記第2のチャネルインプラ21Bの右側に隣接し、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されコントロールゲートCGとなる第6のn型拡散層と、
前記フローティングゲートに対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、フローティングゲートに電位を付与するためのコントロールゲートが接続されるコントロールゲート配線であって、一部が前記フローティングゲートと対向すると共に、前記第5および第6のn型拡散層とコンタクトにより接続されるコントロールゲート配線と、
前記第2トランジスタのソースとなる第3のn型拡散層に対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、前記第3のn型拡散層とコンタクトにより接続される第2のメタル配線と、
を備えると共に、
前記各メモリセルの配置において、
前記コントロールゲートCGとなる第5および第6のn型拡散層を互い共有するように左右方向にメモリセルを配列すると共に、
前記左右方向に配列されたメモリセルに対し、前記第2のメタル配線を共通にして、下方向に対称にメモリセルを配列すること、
を特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲー
トタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であって、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
また、前記不揮発性半導体メモリ素子はその構成部分のレイアウトとして、
前記半導体基板上の第1の方向を上下方向で表し、前記第1の方向と直交する第2の方向を左右方向で表した場合に、
前記上下方向に、前記第1トランジスタのドレインとなる第1のn型拡散層と、第1トランジスタのチャネルを形成する第1のゲート領域部と、第1トランジスタのソースであり第2トランジスタのドレインともなる第2のn型拡散層と、第2トランジスタのチャネルを形成する第2のゲート領域部と、ソースとなる第3のn型拡散層とが順次に配置される方形状のトランジスタ形成部と、
前記トランジスタ形成部の左側あるいは右側に、該トランジスタ形成部と平行にかつ半導体基板表面から所定の距離を隔てて配置されると共に、前記第1トランジスタのドレインにコンタクトにより接続される第1のメタル配線と、
前記第1トランジスタのゲート領域部に一部が対向するようにして左右方向に形成され、前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層と、
前記半導体基板上において、前記トランジスタ形成部の左側に、所定の幅と深さを持って左右方向に形成される方形状のD−タイプ(Depletion−type)のチャネルインプラと、
前記半導体基板表面に対向して左右方向に配置されると共に、左端部側の領域が前記チャネルインプラの表面に対向し、かつ右端部側の領域が前記第2トランジスタの前記第2のゲート領域に対向するように配置される方形状のフローティングゲートと、
前記チャネルインプラの左側に隣接し、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されると共に、前記コントロールゲート配線への接続端子となる第4のn型拡散層と、
前記フローティングゲートに対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、前記第4のn型拡散層とコンタクトにより接続されるコントロールゲート配線と、
前記第2トランジスタのソースとなる第3のn型拡散層に対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、前記第3のn型拡散層とコンタクトにより接続される第2のメタル配線と、
前記半導体基板上の前記第1のメタル配線の側方であって、かつ前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層の上側の位置に、前記メモリセルを形成する半導体基板の領域の電圧の上昇を抑制するためのサブコンタクトと、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルをマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルはその構成部分のレイアウトとして、
前記半導体基板上の第1の方向を上下方向で表し、前記第1の方向と直交する第2の方向を左右方向で表した場合に、
前記上下方向に、前記第1トランジスタのドレインとなる第1のn型拡散層と、第1トランジスタのチャネルを形成する第1のゲート領域部と、第1トランジスタのソースであり第2トランジスタのドレインともなる第2のn型拡散層と、第2トランジスタのチャネルを形成する第2のゲート領域部と、ソースとなる第3のn型拡散層とが順次に配置される方形状のトランジスタ形成部と、
前記トランジスタ形成部の左側あるいは右側に、該トランジスタ形成部と平行にかつ半導体基板表面から所定の距離を隔てて配置されると共に、前記第1トランジスタのドレインにコンタクトにより接続される第1のメタル配線と、
前記第1トランジスタのゲート領域部に一部が対向するようにして左右方向に形成され前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層と、
前記半導体基板上において、前記トランジスタ形成部の左側および右側に、所定の幅と深さを持って左右方向に形成される方形状の第1および第2のD−タイプ(Depletion−type)のチャネルインプラと、
前記半導体基板表面に対向して左右方向に配置されると共に、その左端部側の領域が前記第1のチャネルインプラの表面に対向し、かつその中央部分の領域が前記第2トランジスタの前記第2のゲート領域に対向し、右端部側の領域が前記第2のチャネルインプラの表面に対向するように配置される方形状のフローティングゲートと、
前記第1のチャネルインプラの左側に隣接し、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されコントロールゲートCGとなる第5のn型拡散層と、
前記第2のチャネルインプラの右側に隣接し、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されコントロールゲートCGとなる第6のn型拡散層と、
前記フローティングゲートに対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、フローティングゲートに電位を付与するためのコントロールゲートが接続されるコントロールゲート配線であって、一部が前記フローティングゲートと対向すると共に、前記第1および第2のn型拡散層とコンタクトにより接続されるコントロールゲート配線と、
前記第2トランジスタのソースとなる第3のn型拡散層に対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、前記第3のn型拡散層とコンタクトにより接続される第2のメタル配線と、
前記半導体基板上の前記第1のメタル配線の側方であって、かつ前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層の上側の位置に、前記メモリセルを形成する半導体基板の領域の電圧の上昇を抑制するためのサブコンタクトと、
を備えると共に、
前記各メモリセルの配置において、
前記コントロールゲートCGとなる第5および第6のn型拡散層を互い共有するように左右方向にメモリセルを配列すると共に、
前記左右方向に配列された2つのメモリセルに対し、前記第2のメタル配線を共通にして、下方向に対称にメモリセルを配列すること、
を特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローテ
ィングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し
、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲート
に電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続される複数のセレクトゲート配線と、
各メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続される複数のコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号から前記セレクトゲートSGに印加する信号を第1の電圧VP1に変換する第1のレベルシフト回路と、
前記行デコーダから出力される信号から前記コントロールゲートCGに印加する信号を第2の電圧VP2に変換する第2のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の列選択信号に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号をゲート入力とし前記列単位のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された前記列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される前記列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記メモリセルは、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが列方向に所定のビット数k(k≧1)個に分割され、列方向にnビット(n≧1)の幅を有する前記k個のメモリセルブロックで構成されるように配置され、各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続される複数のセレクトゲート配線と、
各メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続される複数のコントロールゲート配線と、
各行ごとに設けられる行デコーダであって、アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を生成する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
前記行デコーダから出力される信号を前記コントロールゲートCGに印加する第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックにおける列方向のビット数nに対応して設けられる列デコーダであって、前記各メモリセルブロックから1つのメモリセルを選択する列選択信号を出力するn個の列デコーダと、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第3の電圧VP3の列選択信号に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックのそれぞれに対応して設けられるnビット単位の列選択トランジスタであって、前記第3のレベルシフト回路から出力される第3の電圧Vp3の信号をゲート入力とし、各メモリセルブロックから1つのメモリセルのビット線を選択し、合計kビットのメモリセルを選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択されたkビットのビット線に当該列選択トランジスタを介して接続されるkビットのデータ入出力線と、
kビット単位の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号Vp4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であって、
前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時には、
前記第2トランジスタのドレイン近傍でホットエレクトロンを発生させて前記フローティングゲートに電荷を注入するか、または、前記フローティングゲートに高電圧を印加し、FN電流(ファウラーノルトハイムのトンネル電流)により前記フローティングゲートに電荷を注入し、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時には、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電圧を印加し、FN電流により前記フローティングゲートに蓄積された電荷を放出するように構成され、
また、前記不揮発性半導体メモリ素子はその構成部分のレイアウトとして、
前記半導体基板上の第1の方向を上下方向で表し、前記第1の方向と直交する第2の方向を左右方向で表した場合に、
前記上下方向に、前記第1トランジスタのドレインとなる第1のn型拡散層と、第1トランジスタのチャネルを形成する第1のゲート領域部と、第1トランジスタのソースであり第2トランジスタのドレインともなる第2のn型拡散層と、第2トランジスタのチャネルを形成する第2のゲート領域部と、ソースとなる第3のn型拡散層とが順次に配置される方形状のトランジスタ形成部と、
前記トランジスタ形成部の左側あるいは右側に、該トランジスタ形成部と平行にかつ半導体基板表面から所定の距離を隔てて配置されると共に、前記第1トランジスタのドレインにコンタクトにより接続される第1のメタル配線と、
前記第1トランジスタのゲート領域部に一部が対向するようにして左右方向に形成され前記第1トランジスタのゲートとなる方形状のポリシリコン層と、
前記半導体基板上において、前記トランジスタ形成部の左側に、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されるn型ウェルと、
前記半導体基板表面に対向して左右方向に配置されると共に、その左端部側の領域が前記n型ウェルの表面に対向し、かつ右端部側の領域が前記第2トランジスタの前記第2のゲート領域部に対向するように配置される方形状のフローティングゲートと、
前記n型ウェルの前記フローティングゲートと対向する領域の左側に隣接して、所定の幅と深さを持って左右方向に形成されると共にコントロールゲート配線への接続端子となるp型拡散層と、
前記フローティングゲートに対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、コンタクトにより前記p型拡散層と接続されるコントロールゲート配線と、
前記第2トランジスタのソースとなる第3のn型拡散層に対向するようにして前記半導体基板表面から所定の距離を隔てて左右方向に配置されると共に、前記第3のn型拡散層にコンタクトにより接続される第2のメタル配線と、
前記n型ウェルに所望の電位を与えるためのn型拡散層であって、前記n型ウェルの表面上において、前記p型拡散層の上側、かつ前記第1のn型拡散層の左側の領域の所定の位置に、所定の幅と深さを持って形成される第7のn型拡散層と、
前記トランジスタ形成部と平行にかつ半導体基板表面から所定の距離を隔てて配置されると共に、前記第7のn型拡散層にコンタクトにより接続される第3のメタル配線と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時に、
前記第1トランジスタのゲートに第1の高電圧を印加しドレインに第2の電圧を印加し、
前記第2トランジスタのコントロールゲートに第3の電圧を印加し、ソースに“0”Vの電圧を印加し、
前記第2トランジスタのドレイン近傍にホットエレクトロンを発生させ、前記フローティングゲートに注入すると共に、
前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時に、
前記第1トランジスタのゲートに第4の電圧を印加し、前記ドレインに第5の電圧を印加し、
前記第2トランジスタのコントロールゲートに“0”Vを印加し、ソースをオープンにするか、または、第6の電圧を印加し(第4の電圧、第5の電圧>第6の電圧)、
前記第2トランジスタのドレインとフローティングゲート間に高電界を印加することにより、フローティングゲートからドレインに電荷を放出させること、
を特徴とする請求項10に記載の不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記フローティングゲートへの電荷の蓄積時に、
前記第2トランジスタのコントロールゲートに印加する第3の電圧を、段階的に上昇させて印加すること、
を特徴とする請求項10に記載の不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記第3のメタル配線の印加する電圧を、前記コントロールゲートの電圧と等しいか、または、それ以上に設定するように構成されたこと
を特徴とする請求項10から請求項12いずれかに記載の不揮発性半導体メモリ素子。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルのそれぞれを、ワード線とデータ線の交点にマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記各メモリセルは、請求項10に記載の不揮発性半導体メモリ素子であり、n型ウェルに所望の電圧を印加するための第7のn型拡散層と第3のメタル配線を有する不揮発性半導体メモリ素子で構成されると共に、
前記不揮発性半導体メモリ装置は、
前記メモリセルが各行ごとに列方向に1バイトあるいはワード単位等の所定のビット数の列単位で列選択されるメモリセルブロックで構成されるように配置されると共に、
前記各メモリセルの第1トランジスタのドレインが行方向に沿って共通接続される複数のビット線と、
前記各メモリセルの第1トランジスタのゲートであるセレクトゲートSGが列方向に沿って共通接続されるセレクトゲート配線と、
前記メモリセルブロックごとに設けられるコントロールゲート配線であって、メモリセルの第2トランジスタのゲートであるコントロールゲートCGが列方向に沿って共通接続されるコントロールゲート配線と、
列方向に前記列単位で選択される列選択範囲内ごとに設けられるソース線であって、該列選択範囲内の全部の行の各メモリセルの第2トランジスタのソースが共通接続されるソース線と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを選択する行選択信号を出力する行デコーダと、
前記行デコーダから出力される信号を前記セレクトゲートSGに印加する第1の電圧VP1の信号に変換する第1のレベルシフト回路と、
アドレス信号を受けて前記メモリセルを前記列単位で選択する列選択信号を出力する列デコーダと、
前記列デコーダから出力される選択信号を第3の電圧VP3に変換する第3のレベルシフト回路と、
前記列デコーダから出力される列選択信号を第2の電圧VP2の信号に変換する第2のレベルシフト回路と、
前記メモリセルブロックごとに配置されると共に選択されたメモリセルブロック内のトランジスタにゲート電圧を印加するためのセレクト回路であって、第1のレベルシフト回路の出力信号VP1をドレイン入力とし、前記第2のレベルシフト回路から出力される列選択信号の電圧VP2をゲート入力とし、前記第1のレベルシフト回路の出力信号VP1または前記電列選択信号の電圧VP2に応じた電圧を前記コントロールゲートCGに転送する転送ゲートトランジスタを有するセレクト回路と、
前記第3のレベルシフト回路から出力される列選択信号VP3をゲート入力とし前記列単位のビット数のメモリセルのビット線を選択する列選択トランジスタと、
前記列選択トランジスタにより選択された列単位のビット線に当該列選択トランジスタを介して接続される前記列単位のビット数のデータ入出力線と、
前記列単位のビット数の書き込み込みデータの入力信号を受けてデータの書き込みおよびデータ消去を行う際に、前記データ入出力線を通して前記第1トランジスタのドレインに印加する第4の電圧信号VP4を出力するデータ入力変換回路と、
前記データ入出力線に読み出されたメモリセルのデータを増幅して外部に出力するセンスアンプ回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 半導体基板上に形成されるMOS構造の第1トランジスタと、フローティングゲート型の第2トランジスタとからなり、標準CMOSプロセスで構成されるフローティングゲートタイプの1層ポリシリコン不揮発性半導体メモリ素子であるメモリセルをマトリックス状に配列して構成される不揮発性半導体メモリ装置であって、
前記各メモリセルは、請求項10に記載の不揮発性半導体メモリ素子であり、n型ウェルに所望の電圧を印加するための第7のn型拡散層と第3のメタル配線を有する不揮発性半導体メモリ素子で構成されると共に、
前記各メモリセルの配置において、
前記n型ウェルを互いに共通にして、左右に対称に配置される2つのメモリセルと、該左右に対称に配置された2つのメモリセルに対して、前記第2のメタル配線を互いに共通にして下方向に対称に配置される2つの不揮発性半導体メモリ素子と、の計4つのメモリセルを配置の基本単位として、
前記配置の基本単位となる4つのメモリセルを、左右方向に平行に並べて配置すると共に、上下方向にも平行に並べて配置すること、
を特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
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