JP5511999B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5511999B2 JP5511999B2 JP2013016405A JP2013016405A JP5511999B2 JP 5511999 B2 JP5511999 B2 JP 5511999B2 JP 2013016405 A JP2013016405 A JP 2013016405A JP 2013016405 A JP2013016405 A JP 2013016405A JP 5511999 B2 JP5511999 B2 JP 5511999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical grating
- pure metal
- layer
- dielectric
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 70
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 63
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものであって、特に、裏面照射ＣＩＳ装置およびその製造方法に関するものである。
携帯装置上の静止カメラとビデオカメラを含むデジタルカメラの使用は、イメージセンサーに対する需要を作り出した。携帯式および電池式装置、たとえば、タブレット型コンピューター、スマートフォン、ラップトップとビデオベースのプレーヤー上のカメラの使用も増加中である。
早期のデジタルカメラは、そもそも、イメージセンサーとして、電荷結合素子(“ＣＣＤ”)に頼っていた。近年、ＣＭＯＳイメージセンサー (“ＣＩＳ”) が次第に普及するようになった。ＣＣＩＳ技術は、アナログ装置とは異なるデジタル装置を提供し、ＣＩＳは、ＣＭＯＳトランジスタまたはダイオード技術を用いるので、追加のデジタル処理回路と論理回路は、撮像集積回路に組み込みやすい。集光効果(量子効率または“ＱＥ”)は、ＣＣＤ装置より大きくてもよい。
ＣＩＳ装置は感光性フォトダイオードに基づき、ダイオードまたはトランジスタの一部、“フォトトランジスタ”として形成される。フォトダイオードが光線に露出される時、光線に比例して、電子流を生成し、与えられた期間で受信される光量を示す電圧信号を形成する。この信号は、その後、デジタル信号に変換され、装置上の電気回路が信号を出力する。画素素子 (“画素”)のアレイが半導体装置上に形成される。追加回路がアレイの外側に形成されて、たとえば、フィルタリング、イメージ処理等のデジタル信号処理を提供し、システムにインターフェース回路を提供する。
最初、前面照射 (“ＦＳＩ”) アレイは、ＣＩＳ装置と用いられていた。しかし、ＦＳＩ ＣＩＳ中のフォトセンサー上で衝突する光線は、衝突した光線を吸収または散乱させる金属層と誘電体を通過しなければならず、よって、量子効率が減少する。低光線条件を使用する装置は、高ＱＥを必要とし、よって、裏面照射(“ＢＳＩ”) ＣＩＳ装置が発展している。半導体基板の背面から、入射光を受信することにより、光線経路は短くなり、金属層と誘電体を干渉することがない。ウェハ薄層化の使用とエピタキシャル半導体層の使用により、基板がさらに薄くされるかまたはほぼ除去され、その後、フォトセンサーは装置の背面表面に接近し、ＱＥを大幅に増加させる。ＢＳＩ ＣＩＳ装置が現在の製品中にますます広まっている。
本発明は、光学格子の反射性を増加することにより、信号対ノイズ比が改善され、吸収が減少し、画素干渉が減少し、もって、集光効果を向上させた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明の半導体装置は、画素アレイ領域を有すると共に複数の光検出器を有し、かつ、光検出器の一つが画素アレイ領域中の各画素に対応する半導体基板と、半導体基板の背面に光学格子を形成し、画素アレイ中の各画素を包囲し、光学格子が、純度が少なくとも９９％の純金属の基材上の純金属コーティング、および屈折率が２．０より大きい純金属コーティング上の高誘電材料を含む光学格子材料とを具備する。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の背面の画素アレイ領域上に材料層を形成する工程と、フォトリソグラフィー工程を用いて材料層をパターン化して、画素アレイ領域上方に位置し、且つ、画素アレイ領域の各セクション中の画素センサーを包囲する光学格子を形成する工程と、純度が少なくとも９９％の純金属を光学格子に蒸着して純金属コーティングを形成する工程と、２．０より大きい屈折率の誘電体層を純金属コーティングに形成する工程と、純金属コーティングおよび誘電体層をパターン化して、反射コーティングを、光学格子の各部分の頂部と側壁上に形成する工程と、光学格子上に屈折率が２．０より小さいパッシベーション層を形成する工程とを含む。
本発明により、光学格子の反射性を増加することにより、信号対ノイズ比が改善され、吸収が減少し、画素干渉が減少し、もって、集光効果を向上させた半導体装置とその製造方法を提供することができるものである。
具体例は、例示だけを目的としており、特許請求されている本発明の範囲の限定を意図するものではない。本発明の態様は、光学格子をＢＳＩ ＣＩＳ装置上に形成する方法と装置を含む。光学格子の反射性を増加することにより、信号対ノイズ比が改善され、吸収が減少し、画素干渉が減少し、よって、装置の集光効果ＱＥ（以下、ＱＥと記す。）が増加する。
一態様において、光学格子は、センサーアレイ上の金属または誘電体から形成される。純金属のコーティングは、格子ライン上に形成される。誘電体の第二コーティング、たとえば、高誘電率材料が形成される。誘電体の最終コーティングは、光学格子上のパッシベーション層として形成される。よって、従来の金属を光学格子とするのと比較すると、形成される光学格子は、高反射性と低減衰係数を有し、光線を吸収しない。この態様の光学格子材料の使用は、画素領域間の光学クロストークを防止し、信号対ノイズパフォーマンスを増加することができる。
これらの態様は、ＢＳＩ ＣＩＳ装置の高反射光学格子を形成する特定の関係にあるが、これらの態様は、その他の用途の金属上の反射コーティングを提供するのにも用いられる。たとえば、この態様による方法と構造は、前面照射ＣＩＳセンサー、ＣＣＤアレイ、または高反射性金属が必要なその他のアプリケーションに用いることができる。本態様による方法と装置は、この例のプロセスに制限されず、且つ、説明用の範例は、本発明を限定するものではない。
イメージセンサーを被覆する光学格子は、画素対画素の光学クロストークを防止し、信号対ノイズ比を改善することにより、追加性能を提供することができる。光学システムにおいて、それらの高い反射性能のために、アルミニウム (Ａｌ)および銀(Ａｇ)等の金属は従来の選択肢である。たとえば、波長が５５０ナノメートルの可視光の下、Ａｇは最高反射率（〜９８％）を示し、Ａｌはよい性能（〜９２％）を示す。このほか、Ａｌは、紫外領域で、よい反射率を示す(〜９３％)だけでなく、赤外領域でよい性能を有する。得られたＡｌは、幅広く、光学薄膜アプリケーションに用いられる。しかし、Ａｌは、低耐化学性（chemical resistance）で (たとえば、後続の化学プロセスにより損傷される) 、且つ、容易に酸化して、ＡｌＯｘ膜を形成する。別の材料により被覆される時、Ａｌの接着性は時に、要求を達成できない。同様に、Ａｇは空気中で容易に酸化して、ＡｇＯｘ膜（即ち、変色)を形成する。
さらに、これらの金属は、特定の波長の光を反射することができるが、特定の波長の光が吸収されるかもしれない（材料選択と厚さに基づく）。特定の波長に対する光吸収率は、３０〜１００％である。ＣＩＳ装置において、この特徴は、実質上、画素アレイの光の質／量を減少させることができる (ＱＥを低下させる)。
本発明の態様は、ＢＳＩ ＣＭＯＳ画像センサー装置の光学格子システム上の“ミラー（mirror）” コーティング概念を提供する。金属と高誘電率材料を含むコーティングが提供されて、光学格子の反射性を少なくとも９５％またはそれより大きく増加する。これは、大幅に、基板中の光検出器に供給されるＱＥ、光質と光量を大幅に増加することができる。格子は、画素対画素の光学クロストークを減少させ、信号対ノイズ性能を向上させる。
図１は、本発明の実施例のＢＳＩ ＣＩＳを形成する第一中間処理過程の装置１００の説明図である。すなわち、図１には、背面が上を向いた半導体基板１１が示されている。これは、説明のための任意配向である。装置は回転することもできる。注意すべきことは、基板１１はシリコン基板または別の半導体材料である。ガリウムヒ素、ゲルマニウム、炭化ケイ素、ヒ化インジウムまたはリン化インジウムまたは合金半導体、たとえば、シリコンゲルマニウムカーバイド、ガリウムインジウムフォスファイド、インジウムガリウムヒ化物等が用いられる。基板は、通常、半導体材料のウェハである。ウェハレベルプロセス(“ＷＬＰ”) も、本具体例中に用いることができ、且つ、全具体例にとって必要ではないけれども、追加の実施例を提供することができる。その他の具体例中、基板１１は、絶縁層上のエピタキシャル層、たとえば、“ＳＯＩ”層である。半導体材料のウェハは、接合またはスタックされ、半導体基板は、これらの層のひとつである。基板１１は、通常、研削方法、たとえば、化学機会研磨 (“ＣＭＰ”)、機械ウェハ研削または半導体エッチングにより薄層化される。ある例において、薄層化の後、基板１１は、厚さが２．０ミクロン以上になるまで薄くなる。
図１において、画素アレイ領域３１、金属遮蔽領域３３および周辺領域３５が示される。基板１１のアレイ領域３１にセンサー１３を有する。この例において、３個の画素センサー１３が示される。これらは、たとえば、フォトダイオードまたはフォトトランジスタのソース／ドレイン領域である。注意すべきことは、この説明図中、簡潔にするために、３個のセンサー１３だけが示されていることである。しかし、実用的装置中、数百、数千またはそれ以上の画素センサーのアレイが提供され、通常、列と行で配列される。センサー１３は、基板１１の“前側”に延伸する拡散またはドープ領域として示される。基板はエピタキシャル層を含み、センサー１３はエピタキシャル層中に形成される。基板１１は、ドープされるｐまたはｎ型ウェルを含み、センサー１３は、ウェル中に逆にドープされた拡散領域から形成される。センサー１３はフォトダイオードで、フォトダイオードはＰ−Ｎ接合を含み、センサー１３は“ピン（pinned）”フォトダイオードを含む。各種別の素子は、トランジスタ、たとえば、転換トランジスタ（transfer transistor）を含む各センサー１３に含まれ、サンプル期間で、フォトダイオードに集合する光子に対応する電圧を出力する。
金属遮蔽領域３３は、金属層により遮蔽されると共に、センサー１３の“ＢＬＣ（black level correlation）”を提供する。この領域は、いかなる光子も受信せず、よって、 感知操作に比較値を提供し、回路に、感知レベルから “ブラックノイズ（black noise）” を取り除き、画素の性能を向上させることができる。基板１１中の周辺領域３５は、画素アレイ領域３１の外の領域で、接続、および、アレイ領域外の追加ロジック回路機能に用いられる。図１において、隔離領域１５は、たとえば、基板１１中に形成されるシャロートレンチアイソレーション (“ＳＴＩ”)領域である。このほか、ロコス (“ＬＯＣＯＳ”) 隔離を含む。層間誘電体層１７、たとえば、酸化層が基板上に設けられる。第一金属層に、金属間誘電体１９および金属１領域２５を有する。これにより、アレイを、たとえば、外部パッドまたははんだコネクタに結合する導体を提供する。ビア２３は、金属１パッド２５を別の層（図示しない）に結合する。基板１１は、複数の層間誘電体および金属間誘電体層および金属層を含み、マッピング（mapping）を提供し、センサー１３、および、装置上の回路、外部コネクタに接続する。装置１００の照射は、背面または図１の頂部表面からなので、センサーは、図１の底部表面に位置し、基板１１前面のセンサー１３上で、各種の層を用いるのは問題ない。
図２は、装置１００の後続工程を示す説明図である。図２中、抗反射コーティング (“ＡＲＣ”) ４１などのコーティングが、基板１１の裏面（図２の上表面）に設けられ、このコーティングは、たとえば、有機材料である。誘電コーティング４３、たとえば、酸化物がＡＲＣ層４１上方を被覆する。
図３は、装置１００の後続工程を示す説明図である。図３中、光学格子４５を形成する材料層が基板１１上に設置される。層４５は、たとえば、電気化学めっき (“ＥＣＰ”)により形成される導体、たとえば、Ａｌまたは銅 (Ｃｕ)から選択される。シード層は、たとえば、基板上にスパッタされ、残りの層は、ＥＣＰにより形成される。金属材料に加え、別の材料、たとえば、吸光値 ｋ＞０の誘電材料が用いられる。一例において、アルミニウム (Ａｌ)が用いられる。
図４は、装置１００の後続工程を示す説明図である。図４中、フォトレジスト (“ＰＲ”) 層４７が格子層４５上方に形成される。ＰＲ４７が用いられて、光学格子層４５の基材をパターン化して、グリッドパターンを形成し、隣接する画素領域から各画素領域を分離する。
図５は、装置１００の後続工程を説明する説明図である。図５において、フォトリソグラフィーパターン化後のフォトレジスト層４７を示し、フォトリソグラフィーパターン化は、光学パターンマスクを用いて、層４７を光線またはエキシマーレーザーエネルギーに露出する工程、硬化工程およびフォトレジスト４７を露光して、パターンを形成する工程を含む。
図６は、装置１００の光学格子材料層４５のエッチング工程を説明する説明図である。図６において、層４５がパターン化され、セクション４５１、４５３、４５５および金属遮蔽セクション４８を有する光学格子を形成する。残りの材料が除去される。従来の金属エッチプロセスが用いられ、その後、残りのフォトレジストは、たとえば、ＰＲストリップまたは灰化工程（ashing step）により除去される。光学格子４５1、４５３、４５５の各部分がその他に接続され、画素領域を包囲する。
図７は、一態様における、装置１００が反射コーティングを製作する後続工程を説明する説明図である。図７中、光学格子セクション４５１、４５３、４５５のそれぞれは、第一金属コーティング５１、高誘電率材料コーティング５３、および、パッシベーション誘電体層５５が基板全体に提供されて、この装置の光学最適化と保護作用を提供する。
図８は、図７の光学格子４５３の部分構造を説明する断面と拡大図である。純金属コーティング５１、たとえば、ＡｌまたはＣｕが、光学格子セクション４５３の頂部と側壁上に提供される。この純金属コーティングは、純度が９９％より大きく、一例中では、９９．９％より多い純アルミニウムである。ＡｌまたはＣｕ金属厚さは、たとえば、２０ナノメートルから１００ナノメートルである。この層は、たとえば、プラズマ気相蒸着(“ＰＶＤ”)により形成される。 コーティングが形成された後、高誘電材料５３は、たとえば、２より大きい屈折率 nの純金属５１上に形成される。この高誘電率材料は、２より大きい屈折率のあらゆる高誘電材料、たとえば、これに限定されないが、タンタルベースの酸化物ＴａＯｘ、ＴｉＯｘを含むチタンベースの酸化物、酸化アルミニウム、たとえば、Ａｌ２０３および同類の別の誘電材料である。高誘電率材料は、二酸化ケイ素または３．８より大きい誘電率 k を有する。一態様中、高誘電率材料の誘電率 k はさらに高く、９．０より大きい。高誘電率材料は、１０ナノメートル〜１００ナノメートルの厚さで、ＣＶＤまたはＰＶＤプロセスにより蒸着される。純金属５１と誘電体層５３を形成する処理工程は、これらの層を別々または一緒にパターン化して、図８に示されるような構造を形成する。最後に、パッシベーション層５５が、光学格子部分、たとえば、４５３上に提供される。パッシベーション層は、たとえば、低屈折率、ｎ＜の酸化物、たとえば、シリコンリッチＳｉＯ２ である。層４５の光学格子部分４５１、４５３および４５５上のコーティングと異なり、この層は屈折または反射してはいけない。
純金属、高屈折率誘電体およびパッシベーション層のコーティングが用いられる時、光学格子材料４５の反射性が大幅に増加する。たとえば、純アルミニウムコーティングを有するアルミニウム金属格子の場合、反射率は、９５％より大きく、且つ、９８％より大きい可能性がある。よって、この態様では、ミラーコーティングの使用は反射性を増加し、ＢＳＩ ＣＩＳ装置のＱＥを増加させる。
図９は、本発明の好ましい態様の操作を説明する説明図である。図中に、画素領域を包囲する光学格子材料４５の二箇所が示される。これらは、たとえば、図７の４５３と４５５である。それぞれ、光学格子部分の側壁と頂部上に、純金属コーティングと高屈折誘電酸化物コーティングを有して、反射性を増加する。図示される態様中、光学格子部分４５３、４５５に衝突する赤色の波長光子Ｌ１、緑色の波長光子Ｌ２、青色の波長光子Ｌ３は、基板に反射進入して、吸収されず、効率を向上させる。光学格子材料４５が、画素センサーセクション中に配置されて、光線を最近のセンサー１３中に反射させ、隣接する画素領域に進入しないことにより、信号対ノイズ比を改善し、画素対画素の光学クロストークを減少させる。
図１０は、基板１１上の光学格子４５の平面図である。格子により定義される各部分は、画素領域１０２を包囲する。何千または何百万の画素が実用的装置に提供される。光学格子４５、金属コーティング５１、高誘電率材料５３およびパッシベーション層５５は全て、ウェハレベル工程で形成され、イメージ装置は、パッシベーション層完成後、単一化される。または、上述のように、ウェハ薄層化工程で、裏面照射の基板を薄層化した後、個別の装置として処理される。
上述の態様中、ミラーコーティングを有する光学格子は、前側照射装置、ＣＣＤ撮像装置およびその他の撮像装置に応用され、これらの態様と請求範囲も、開示される内容外にも応用することができる。
図１１は、本発明の態様のフローチャートである。図１１中、工程６１で、画素領域を定義する材料の光学格子が、基板の背面上に提供される。
工程６３で、純金属コーティングを光学格子材料上に蒸着する。工程 ６５で、屈折率が２より大きい高誘電率材料コーティングが、純金属コーティング上に蒸着される。工程６７で、コーティングがパターン化されて、各光学格子部分の頂部と側壁上に、高反射コーティングを有する光学格子を残す。
工程６３で、純金属コーティングを光学格子材料上に蒸着する。工程 ６５で、屈折率が２より大きい高誘電率材料コーティングが、純金属コーティング上に蒸着される。工程６７で、コーティングがパターン化されて、各光学格子部分の頂部と側壁上に、高反射コーティングを有する光学格子を残す。
工程６９で、シリコンリッチ誘電材料のパッシベーション層が、光学格子材料と反射コーティング上に形成される。
上述の例の構造に加え、上述の基板はその他の装置も含み、その他の装置は、基板の別の部分に形成されるアクティブトランジスタ、ダイオード、キャパシタ、インダクタ、レジスタ、双極およびＭＯＳＦＥＴ装置、メモリセル、アナログ装置、フィルター、トランシーバ等を含む。また、ここで記述される本態様の基板のエッチング工程後、層間絶縁膜、導体、上層中に形成された追加装置およびパッケージング材料が基板上に設置されて、完全なマイクロ電子部品、たとえば、集積回路、太陽電池、プロセッサ等を形成する。
本発明の態様は、高反射光学格子材料を提供する。これらの態様は、現有の半導体プロセスと互換性がある。本態様の方法は、現有の金属蒸着、パターン化、エッチングおよび除去プロセスを用いることができ、設備や使用する化学物質に変化を加える必要がない。
一例としての半導体装置の製造方法は、半導体基板の背面上の画素アレイ領域に、材料層を形成する工程と、フォトリソグラフィープロセスを用いて、材料層をパターン化して、光学格子を形成し、光学格子は画素アレイ領域上に位置して、画素アレイ領域の各セクション中の画素センサーを包囲する工程と、純度が少なくとも９９％の金属を含む純金属コーティングを光学格子上に蒸着する工程と、２．０より大きい屈折率の誘電体層を、純金属コーティングに蒸着する工程と、純金属コーティングと誘電体層をパターン化して、反射コーティングを、光学格子の各部分の頂部と側壁上に形成する工程と、屈折率が２．０より小さいパッシベーション層を、光学格子上に蒸着する工程と、を含む。
さらに別の具体例において、上述の方法は、さらに、銅とアルミニウムのどちらかの純金属を含む。さらに別の具体例において、材料層の形成工程は、導体の蒸着工程を含む。更なる具体例において、導体は、アルミニウムと銅のひとつである。さらに別の例において、本方法は、誘電率が３．８より大きい誘電体を蒸着することにより、２．０より大きい屈折率の誘電体層を、純金属コーティング上に蒸着する工程を含む。さらに別の具体例において、本製造方法は、タンタル酸化物、酸化チタンおよび酸化アルミニウムから選択される一つを蒸着することにより、２より大きい屈折率の誘電体層を、純金属コーティング上に蒸着する工程を含む。さらに別の例において、 上述の製造方法は、半導体基板の画素アレイ領域の背面上に材料層を形成する工程を含み、さらに、導体材料層を形成する工程を含む。
さらにまた別の態様において、本製造方法は、シリコンリッチ誘電体を蒸着することにより、屈折率が２．０より小さいパッシベーション層を、光学格子上に蒸着する工程を含む。さらに別の例において、パッシベーション層を光学格子上に蒸着し、屈折率が２．０より小さいパッシベーション層は、さらに、シリコンリッチ酸化ケイ素を蒸着する工程を含む。さらに別の態様において、形成された光学格子の反射性は９５％より大きい。さらに別の態様において、純金属コーティングを光学格子上に蒸着し、純度が少なくとも９９％の金属である純金属コーティングは、純度が少なくとも９９％のＡｌまたはＣｕを蒸着する工程を含む。
別の態様において、半導体装置は、基板中に設置された複数の光検出器を含む画素アレイ領域を有し、光検出器のひとつが、画素アレイ領域中の各画素に対応する半導体基板と、光学格子を半導体基板の背面上に形成し、画素アレイ中の各画素を包囲し、光学格子が、さらに、少なくとも９９％の純金属である基材上の純金属コーティングを含む光学格子材料、および、屈折率が２．０より大きい純金属コーティング上の高誘電材料を含む。さらに別の具体例において、純金属コーティングは、銅とアルミニウムのどちらかである。更なる具体例において、本装置において高誘電材料は、さらに、３．８より大きい誘電率 kの誘電材料を含む。さらに別の例において、半導体装置は、さらに、光学格子上のパッシベーション層を含み、パッシベーション層は、屈折率が２．０より小さい誘電層を含む。
さらに別の具体例において、裏面照射ＣＩＳ装置は、画素アレイ領域を有し、半導体基板の前側表面上に形成された複数の光検出器を含み、各光検出器が、画素アレイ領域中に画素を形成する半導体基板と、半導体基板の裏側表面上に設置され、パターン化されて、画素アレイ領域中の各画素を包囲し、半導体基板に延伸し、光学格子が側壁と頂部を有する光学格子材料、および、光学格子上に形成され、純度が少なくとも９９％の金属の純金属コーティングおよび２．０より大きい屈折率を有する純金属コーティング上の高誘電率材料コーティングを含む高反射コーティング、を含む。
さらに別の態様において、裏面照射ＣＩＳ装置は、光学格子と基板の背面を被覆し、屈折率が２．０より小さい誘電材料を含むパッシベーション層を含む。更なる具体例において、裏面照射ＣＩＳ装置は、純度が少なくとも９９％で、さらに、銅とアルミニウムのどちらかを含む金属コーティングを含む。ＣＩＳ装置のさらに別の態様において、純金属コーティング上の高誘電率材料コーティングは、さらに、タンタル酸化物、酸化チタンまたは酸化アルミニウムを含む。さらに別の例において、ＣＩＳ装置中、光学格子材料は、銅とアルミニウムから選択される導体を含む。
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、本発明は決して上記の実施例に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動を加えることができる。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に明記した内容を基準とする。
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、本発明は決して上記の実施例に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動を加えることができる。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に明記した内容を基準とする。
１１ 基板
１３ センサー
１５ 隔離領域
１７ 層間誘電体層
１９ 金属間誘電体
２３ ビア
２５ 金属１パッド
３１ 画素アレイ領域
３３ 金属遮蔽領域
３５ 周辺領域
４１ 抗反射コーティング (“ＡＲＣ”)
４３ 誘電コーティング
４５ 光学格子材料層
４５１、４５３、４５５ 光学格子セクション
４７ フォトレジスト層
４８、５８ 金属遮蔽セクション
５１ 純金属コーティング
５３ 高誘電材料層
５５ パッシベーション誘電体層
６１、６３、６５、６７、６９ 工程
１００ 裝置
１０２ 画素領域
Ｌ１ 赤色の光波長光子
Ｌ２ 緑色の光波長光子
Ｌ３ 青色の波長光子
１３ センサー
１５ 隔離領域
１７ 層間誘電体層
１９ 金属間誘電体
２３ ビア
２５ 金属１パッド
３１ 画素アレイ領域
３３ 金属遮蔽領域
３５ 周辺領域
４１ 抗反射コーティング (“ＡＲＣ”)
４３ 誘電コーティング
４５ 光学格子材料層
４５１、４５３、４５５ 光学格子セクション
４７ フォトレジスト層
４８、５８ 金属遮蔽セクション
５１ 純金属コーティング
５３ 高誘電材料層
５５ パッシベーション誘電体層
６１、６３、６５、６７、６９ 工程
１００ 裝置
１０２ 画素領域
Ｌ１ 赤色の光波長光子
Ｌ２ 緑色の光波長光子
Ｌ３ 青色の波長光子
Claims (10)
- 半導体基板の背面の画素アレイ領域上に材料層を形成する工程と、
フォトリソグラフィー工程を用いて前記材料層をパターン化して、前記画素アレイ領域上方に位置し、且つ、前記画素アレイ領域の各セクション中の画素センサーを包囲する光学格子を形成する工程と、
純度が少なくとも９９％の純金属を前記光学格子に蒸着して純金属コーティングを形成する工程と、
２．０より大きい屈折率の誘電体層を前記純金属コーティングに形成する工程と、
前記純金属コーティングおよび前記誘電体層をパターン化して、反射コーティングを、前記光学格子の各部分の頂部と側壁上に形成する工程と、
前記光学格子上に前記屈折率が２．０より小さいパッシベーション層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 純金属は、銅とアルミニウムからなる群から選択される一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 材料層を形成する工程は導体を蒸着する工程を含み、 前記導体はアルミニウムと銅から構成される前記群から選択される一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- ２．０より大きい屈折率の誘電体層を、前記純金属コーティングに形成する工程は、３．８より大きい誘電率を有する誘電体を蒸着する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の前記画素アレイ領域の背面上に前記材料層を形成する工程は、導体材料層の形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 屈折率が２．０より小さいパッシベーション層を前記光学格子に形成する工程は、シリコンリッチ誘電体の蒸着工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 画素アレイ領域を有すると共に複数の光検出器を有し、かつ、該光検出器の一つが前記画素アレイ領域中の各画素に対応する半導体基板と、
前記半導体基板の背面に光学格子を形成し、前記画素アレイ中の前記各画素を包囲し、前記光学格子が、純度が少なくとも９９％の純金属の基材上の純金属コーティング、および、屈折率が２．０より大きい純金属コーティング上の高誘電材料を含む光学格子材料とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 純金属コーティングは、銅とアルミニウムから構成される群から選択される一つであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置,
- 高誘電材料は、３．８より大きい誘電率 k の誘電材料を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
- 前記光学格子上のパッシベーション層を含み、前記パッシベーション層は、屈折率が２．０より小さい誘電層を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/363,280 US8890273B2 (en) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | Methods and apparatus for an improved reflectivity optical grid for image sensors |
| US13/363,280 | 2012-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013157605A JP2013157605A (ja) | 2013-08-15 |
| JP5511999B2 true JP5511999B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=48837556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013016405A Active JP5511999B2 (ja) | 2012-01-31 | 2013-01-31 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8890273B2 (ja) |
| JP (1) | JP5511999B2 (ja) |
| KR (1) | KR101489038B1 (ja) |
| CN (1) | CN103227178B (ja) |
| TW (1) | TWI476910B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9219092B2 (en) * | 2012-02-14 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
| US10177185B2 (en) | 2015-05-07 | 2019-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof |
| US9673239B1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor device and method |
| US11264329B2 (en) * | 2016-04-01 | 2022-03-01 | Intel Corporation | Semiconductor device having metal interconnects with different thicknesses |
| US10192917B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-01-29 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Backside illuminated photosensor element with light pipe and light mirror structures |
| CN106783901B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-01-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 背照式传感器的制造方法及版图结构 |
| US10224357B1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-05 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor packages |
| CN107731860A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 德淮半导体有限公司 | 一种背照式cmos图像传感器及其形成方法 |
| CN108198830A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-06-22 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
| CN108198833A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-06-22 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
| CN108281447A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 德淮半导体有限公司 | 半导体装置及其制作方法 |
| CN108364968B (zh) * | 2018-03-01 | 2020-07-14 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN108428711A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-08-21 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| KR102651605B1 (ko) | 2019-01-11 | 2024-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| WO2020229563A2 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | Nil Technology Aps | Seed structures for structured coatings for optical and other devices |
| KR20210112034A (ko) * | 2020-03-04 | 2021-09-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| CN115132771B (zh) * | 2022-09-01 | 2022-12-02 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制作方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2871831B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2671885B2 (ja) * | 1995-12-14 | 1997-11-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3467434B2 (ja) | 1999-07-28 | 2003-11-17 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4244549B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-03-25 | トヨタ自動車株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
| KR101102261B1 (ko) * | 2004-09-15 | 2012-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP2006140413A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2007281240A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Fujifilm Corp | 撮像素子及びその製造方法 |
| JP2011501415A (ja) * | 2007-10-11 | 2011-01-06 | ヤオ ジエ | フォトディテクタアレイおよび半導体イメージインテンシファイア |
| US9041841B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor having enhanced backside illumination quantum efficiency |
| KR20100079399A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP4798232B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP5436963B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
| WO2011142065A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-01-31 US US13/363,280 patent/US8890273B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-09 TW TW101116460A patent/TWI476910B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-05 KR KR20120060301A patent/KR101489038B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-12 CN CN201210193759.7A patent/CN103227178B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-31 JP JP2013016405A patent/JP5511999B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013157605A (ja) | 2013-08-15 |
| CN103227178A (zh) | 2013-07-31 |
| KR20130088705A (ko) | 2013-08-08 |
| US8890273B2 (en) | 2014-11-18 |
| US20130193538A1 (en) | 2013-08-01 |
| CN103227178B (zh) | 2015-12-09 |
| KR101489038B1 (ko) | 2015-02-02 |
| TWI476910B (zh) | 2015-03-11 |
| TW201332089A (zh) | 2013-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5511999B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| US9006018B2 (en) | Method of manufacturing a solid-state imaging device | |
| US10269845B2 (en) | Mechanisms for forming image sensor device | |
| US9978784B2 (en) | Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same | |
| US9245915B2 (en) | Monolithic multispectral visible and infrared imager | |
| TWI756301B (zh) | 光感測元件及其形成方法 | |
| KR101431309B1 (ko) | 본딩 패드 및 실드 구조를 갖는 반도체 디바이스 및 이의 제조 방법 | |
| US10868063B2 (en) | Surface treatment for BSI image sensors | |
| US11532658B2 (en) | Image sensor grid and method of fabrication of same | |
| US9247116B2 (en) | Image sensor device with light guiding structure | |
| JP2014003333A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100894390B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP2012099743A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR20220071876A (ko) | 이미지 센서 | |
| CN118412359A (zh) | 图像传感器及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140325 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5511999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |