JP2007281240A - 撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】入射光を効率よく光電変換部の受光領域へ到達させることが可能となる撮像素子及びその製造方法を得、撮像素子の感度を向上させる。
【解決手段】基板２１上に形成された光電変換部５３と、光電変換部５３の受光領域に開口６１を有する遮光膜５１とを有する撮像素子１００であって、少なくとも遮光膜５１の光電変換部５３側の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに、遮光膜５１よりも反射率が高い反射膜６５を形成し、この反射膜６５を、遮光膜５１の開口部内に形成される入射光の透光路５９に対して露出させた。
【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換部の受光領域に、開口の形成された遮光膜を有する撮像素子及びその製造方法に関し、特に、開口側壁の反射率を上げ、入射光を効率よく受光領域へ到達させる改良技術に関する。

ＣＣＤ固体撮像素子は、半導体基板内に、画素となる複数の受光部をマトリックス状に配列してなる。各受光部列同士の間にはＣＣＤ構造の垂直転送レジスタが受光部列に沿って設けられ、垂直転送レジスタは光電変換を行う受光部から読み出した信号電荷を列終端へ転送する。それぞれの垂直転送レジスタの転送終端は水平転送レジスタへと接続され、水平転送レジスタは出力側に接続された出力部から変換した１画素ずつの信号電圧を出力する。

半導体基板上には、ゲート絶縁膜を介して垂直転送電極が形成され、垂直転送電極を覆って例えばＳｉＯ₂ 膜からなる層間絶縁膜が形成される。この層間絶縁膜上には、図７に示すタングステン等の遮光性の高い金属等からなる遮光膜１が形成されている。この遮光膜１は、有効画素部では受光部３上に開口Ｗが形成されて、受光部３に光が入射するようになされている。

遮光膜１の開口Ｗには図示しない透明な導光路が形成され、導光路の表面は透明平坦化膜によって平坦化される。透明平坦化膜の上面にはＣＣＤ固体撮像素子のカラー化を行うために、赤、緑、青の図示しないカラーフィルタが形成される。カラーフィルタは、それぞれの受光部３に対応して形成される。したがって、それぞれの受光領域には単色光が入射する。このように、ＣＣＤ固体撮像素子では、受光領域へ選択的に入射光を到達させるため、受光部３のみ開口させた遮光膜１を設けることで、垂直転送レジスタ中で不要な光電変換を生じさせる入射光を制限していた（例えば、特許文献１参照）。

特開平６−３４２８９６号公報

上述のように、従来のＣＣＤ固体撮像素子は、垂直転送レジスタ中での不要な光電変換を生じさせる入射光を制限するため、タングステン等の遮光性の高い金属等からなる遮光膜１で、開口Ｗ以外の領域を覆っていた。このため、受光部３以外での光電変換は抑制されるが、入射光量を制限するので、感度低下の生じる問題があった。また、遮光膜にＡｌやタングステン等が用いられた場合、カラーフィルタを形成する際の露光光が遮光膜に反射してハレーションを生じさせることがあり、後段の露光処理の精度を悪化させる一つの要因となっていた。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、入射光を効率よく光電変換部の受光領域へ到達させることが可能となる撮像素子及びその製造方法を提供し、もって、撮像素子の感度と品質の向上を図ることを目的とする。

本発明に係る上記目的は、下記構成により達成される。
（１） 基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜とを有する撮像素子であって、少なくとも前記遮光膜の前記光電変換部側の開口側壁に、前記遮光膜よりも反射率が高い反射膜が形成され、該反射膜が、前記遮光膜の前記開口内に形成される入射光の透光路に対して露出している撮像素子。

この撮像素子によれば、遮光膜の開口側壁に反射膜が形成され、開口側壁の反射率が、反射膜を設けない構造に比べ高まる。これにより、従来、開口側壁に吸収、或いは拡散反射されて遮光膜開口部へ到達しなかった入射光が、開口側壁の反射膜に反射され、乱反射も含む反射光として遮光膜開口部へ入射することとなる。

（２） （１）項記載の撮像素子であって、前記反射膜が、アルミ、金、銀、プラチナのうちいずれか１つを含むものである撮像素子。

この撮像素子によれば、反射率の高い薄膜の反射膜が適宜な温度で容易に形成可能になるとともに、特に、金、プラチナが用いられれば耐食性が高まり、長時間に渡り高反射率を維持することが可能となる。

（３） （１）項又は（２）項記載の撮像素子であって、前記遮光膜の前記基板と平行な水平面に反射防止膜が形成された撮像素子。

この撮像素子によれば、基板と平行な部分のＡｌやタングステンによって形成された反射膜や遮光膜が反射防止膜によって覆われ、カラーフィルタを形成する際の露光光が反射膜や遮光膜に反射してハレーションを生じさせることがなくなる。カラーフィルタの材料はネガ型であるため、カラーフィルタの形状は反射膜や遮光膜からの反射によってテーパをもつこととなるが、反射防止膜によってこの反射が防止されることで、カラーフィルタ開口面積の狭くなることが防止される。

（４） （３）項記載の撮像素子であって、前記反射防止膜が窒化チタンである撮像素子。

この撮像素子によれば、高強度、耐熱性、耐食性を有するチタン本来の性質に加え、窒化により酸化による膜質劣化が防止され、長時間に渡り薄厚で高い反射防止効果が維持可能となる。

（５） 基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜上に該遮光膜より反射率の高い反射膜を形成する工程と、
前記反射膜を異方性エッチングにより前記遮光膜の開口側壁を残して平坦部を除去し、前記遮光膜の開口内に形成される入射光の透光路に対して前記反射膜を露出させる工程とを含む撮像素子の製造方法。

この撮像素子の製造方法によれば、遮光膜上に反射率の高い反射膜が形成され、反射膜は、異方性エッチングにより開口側壁を残して平坦部が除去される。したがって、略垂直に形成される入射光透光路の開口側壁のみに反射膜が形成される。これにより、入射光の透光路に対して反射膜が露出されることとなる。また、一旦、上面に形成された反射膜が異方性エッチングによって除去されることで、これと同時に、開口内に形成される段部における上面の反射膜も除去される。

（６） 基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜の表面および前記光電変換部側の開口側壁に該遮光膜より反射率の高い反射膜を形成する工程と、
前記反射膜の平坦面上にのみスパッタ法により反射防止膜を形成することで、前記遮光膜の上面を前記反射防止膜で覆うとともに、前記遮光膜の開口内に形成される入射光の透光路に対して前記反射膜を露出させる工程と、を含む撮像素子の製造方法。

この撮像素子の製造方法によれば、遮光膜上に反射率の高い反射膜が形成され、平坦面上にのみスパッタ法により反射防止膜が形成される。つまり、平坦面上の反射膜が反射防止膜によって覆われることで、異方性エッチングにより平坦部の反射膜を除去する必要がなくなる。したがって、略垂直に形成される入射光透光路の開口側壁のみに反射膜が表出する。これにより、入射光の透光路に対して反射膜が露出されることとなる。また、一旦、上面にも形成された反射膜が反射防止膜によって覆われることで、これと同時に、開口内に形成される段部上面の反射膜も反射防止膜によって覆われることとなる。これにより、後段の露光プロセスにおける不要な反射を防止でき、成膜品質を高められる。

（７） （６）項記載の撮像素子の製造方法であって、前記反射防止膜を、コリメート・スパッタリング法、又はロングスロー・スパッタリング法により形成する撮像素子の製造方法。

この撮像素子の製造方法によれば、金属ターゲットからスパッタされる金属の高い直進性が得られる。これにより、平坦面（上面）や、開口側壁に形成される上面と平行な段差面のみへの反射防止膜の形成が可能となり、スパッタ金属の直進方向と平行な開口側壁へのスパッタを防止して、所望の部位、すなわち、開口側壁のみに反射膜を表出させる構造が高精度で形成可能となる。

本発明に係る撮像素子によれば、少なくとも遮光膜の光電変換部側の開口側壁に、遮光膜よりも反射率が高い反射膜を形成し、この反射膜を、遮光膜の開口内に形成される入射光の透光路に対して露出させたので、開口側壁の反射率が、反射膜を設けない構造に比べ高まり、従来、開口側壁に吸収、或いは拡散反射されて遮光膜開口部へ到達しなかった入射光が、開口側壁の反射膜に反射されて乱反射も含む反射光として遮光膜開口部へ入射することとなり、入射光を効率よく受光領域へ到達させることができる。この結果、撮像素子の感度を向上させることができる。

本発明に係る撮像素子の製造方法によれば、光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜を形成し、遮光膜上にこの遮光膜より反射率の高い反射膜を形成し、反射膜は、異方性エッチングにより開口側壁を残して平坦部を除去することで、開口内に形成される入射光の透光路に対して反射膜を露出させるので、略垂直に形成される入射光透光路の開口側壁のみに反射膜を形成できる。また、一旦、上面に形成された反射膜が異方性エッチングによって除去されるので、これと同時に、開口内に形成される段部上面の反射膜も除去でき、入射光を効率よく受光領域へ到達させるのに必要な反射膜のみを形成できる。この結果、感度の高い撮像素子を高精度で製造できる。

以下、本発明に係る撮像素子及びその製造方法の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の撮像素子の一構成例を示すデバイスの断面図である。
図示されるように、この固体撮像素子１００は、Ｎ型半導体基板（Ｎ−Ｓｕｂ）２１と、Ｎ型エピタキシャル層２３と、Ｐ型のオーバーフローバリア層２５と、Ｐ⁻型の低濃度層２７と、を有する。この低濃度層２７は、フォトダイオードのバイアスに応じて空乏層を伸長させ、縦型オーバーフロードレイン構造のポテンシャルカーブを滑らかに変化させる働きをする。

また、赤（Ｒ）の光を光電変換する光電変換部（フォトダイオード）は、低濃度層２７内に形成された、下層のＮ型層２９ならびに上層のＰ^＋型層３１により構成される。

なお、Ｐ型層３３は反転防止のための拡散層である。また、Ｐ^＋型層３５は素子分離用の拡散層である。また、Ｎ型の拡散層３７ならびにＰ型の拡散層３９は、転送路を構成する拡散層である。同様に、緑（Ｇ）の光を光電変換するフォトダイオードは、低濃度層２７内に形成された、下層のＮ型層４１ならびに上層のＰ^＋型層３１により構成される。同様に、図示は省略するが、青（Ｂ）の光を光電変換するフォトダイオードは、低濃度層２７内に形成された、下層のＮ型層ならびに上層のＰ^＋型層により構成される。

また、半導体基板の表面には、ゲート絶縁膜（例えばＯＮＯ膜：SiO₂/SiN/SiO₂）４５が形成されている。
ＰＹ１，ＰＹ２は各々、１層目ならびに２層目のポリシリコンで形成される転送電極である。また、参照符号４７は転送電極間絶縁膜であり、参照符号４９はオーバーコート絶縁膜である。また、転送電極ＰＹ１，ＰＹ２は、バリアメタルとしての窒化チタン（ＴｉＮ）膜５０と、タングステン（Ｗ）からなる遮光膜５１により覆われている。

光電変換部５３は、下層のＮ型層２９ならびに上層のＰ^＋型層３１を備える。光電変換部５３は、異なる平面である上面側に形成された遮光膜段部５５と、下面に開口された遮光膜開口部５７とを介して、遮光膜開口部５７を通過する入射光を受光する。遮光膜段部５５から遮光膜開口部５７にかけて、略垂直に形成される入射光透光路５９が形成され、これによって双方が接続される。このように、遮光膜５１は、光電変換部５３の受光領域に、遮光膜段部５５、遮光膜開口部５７からなる開口６１を有している。

固体撮像素子１００は、少なくとも遮光膜５１の光電変換部５３の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに、遮光膜５１よりも反射率が高い反射膜６５が形成されている。この反射膜６５は、遮光膜５１の開口６１内に形成される入射光透光路５９に対して露出している。つまり、遮光膜５１の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに反射膜６５が形成され、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃの反射率が、反射膜６５を設けない構造に比べ高められている。これにより、従来、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに吸収、或いは拡散反射されて開口部５７へ完全には到達しなかった入射光が、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃの反射膜６５に反射され、乱反射も含む反射光として遮光膜５１の開口部５７へ入射することとなる。

反射膜６５は、アルミ、金、銀、プラチナのうちいずれか１つを含むものであることが好ましい。これにより、反射率の高い薄膜の反射膜６５が適宜な温度で容易に形成可能になるとともに、特に、金、プラチナが用いられれば耐食性が高まり、長時間に渡り高反射率を維持することが可能となる。

なお、固体撮像素子１００の基板２１には、図３を用いて後述するように、ＢＰＳＧ膜６７が形成され、その上には、平坦化層としての窒化シリコン（ＳｉＮ）膜６９が形成されている。この平坦化層６９の上には、色付の透明レジストからなる、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色のカラーフィルタ層７１，７３，７５が形成される。そのカラーフィルタ層７１，７３，７５の上に、有機膜からなる平坦化層７７を介して、オンチップレンズ７９が形成される。

次に、図２，図３を参照して、図１に示した固体撮像素子の製造方法について説明する。
図２は固体撮像素子の主要な製造工程毎の断面図、図３はカラーフィルタが一体形成された固体撮像素子の断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、Ｎ型の半導体基板（Ｎ−ｓｕｂ）２１上にＮ型のエピタキシャル層（Ｎ−ｅｐｉ）２３を形成し、そのＮ型のエピタキシャル層（Ｎ−ｅｐｉ）２３内にイオン注入を行い、Ｐ型のオーバーフローバリア層２５を形成する。

次に、Ｎ型のエピタキシャル層２３の、オーバーフローバリア層２５よりも上側の部分における転送路形成領域Ｚ１において、転送路となる拡散層３９，３７を形成し、続いて、素子分離用拡散層３５を形成し、さらに、フォトダイオード形成領域Ｚ２において、低不純物濃度層（Ｐ⁻層）２７を形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板の表面にゲート絶縁膜４５を形成し、続いて、転送路形成領域Ｚ１における、転送路となる拡散層３９，３７上に電荷転送を制御するための、第１層目／第２層目のポリシリコンからなる転送電極ＰＹ１，ＰＹ２を形成する。参照符号４７は、転送電極間絶縁膜であり、４９はオーバーコート絶縁膜である。

次に、フォトダイオード形成工程を実施する。すなわち、まずフォトダイオード形成領域Ｚ２における、低不純物濃度層（Ｐ⁻層）２７内に、第１、第２および第３のフォトダイオード（各々、赤、緑、青用のフォトダイオードである）を構成するＮ型層２９を、イオン注入によって形成する。

そして、さらに、そのＮ型層２９とＰＮ接合を形成する、上層の第２導電型層３１，３３を形成する。

次に、図４（ｃ）に示すように、転送電極ＰＹ１，ＰＹ２上にバリアメタルとしての窒化チタン（ＴｉＮ）膜５０を形成し、続いて、遮光膜としてのタングステン（Ｗ）膜５１を形成する。

次に、タングステン膜５１上に、遮光膜より反射率の高い反射膜としてのアルミ膜６５を形成する。図４（ｄ）に示すように、アルミ膜６５は、異方性エッチングにより、遮光膜５１の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃを残して平坦部６５ａを除去し、入射光透光路５９に対してのみ反射膜６５を露出させる。したがって、略垂直に形成される入射光透光路５９の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃのみに反射膜６５が形成される。また、一旦、上面にも形成された反射膜６５ａが異方性エッチングによって除去されることで、これと同時に、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに形成される上面と平行な段差面の反射膜６５ｂ（図２（ｃ）参照）も除去されることとなる。

次に、図３に示すように、遮光膜５１を覆うようにＢＰＳＧ膜６７及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜６９を形成した後、ＣＭＰまたはエッチバックにより、その窒化シリコン膜６９を平坦化する。

次に、平坦化された窒化シリコン膜６９上の、第１、第２および第３のフォトダイオードが形成されている領域の各々に対応した位置に、色材を含むレジストを順次塗布して、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のカラーフィルタ層７１，７３，７５を形成する。

続いて、平坦化層７７を形成し、この平坦化層７７上に透明レジストを塗布し、各カラーフィルタ層７１，７３，７５及び各フォトダイオードに対応してリフロー処理により表面を球状に加工し、オンチップレンズ７９をそれぞれ形成する。

この固体撮像素子１００によれば、少なくとも遮光膜５１の光電変換部５３側の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに、遮光膜５１よりも反射率が高い反射膜６５を形成し、この反射膜６５を、遮光膜５１の開口６１内に形成される入射光透光路５９に対して露出させたので、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃの反射率が、反射膜６５を設けない構造に比べ高まり、従来、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに吸収、或いは拡散反射されて遮光膜開口部５７へ完全に到達しなかった入射光が、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃの反射膜６５に反射されて乱反射も含む反射光として遮光膜開口部５７へ入射することとなり、入射光を効率よく受光領域へ到達させることができる。この結果、固体撮像素子１００の感度を向上させることができる。

また、上記した固体撮像素子１００の製造方法によれば、光電変換部５３の受光領域に開口６１を有する遮光膜５１を形成し、遮光膜５１上にこの遮光膜５１より反射率の高い反射膜６５を形成し、反射膜６５は、異方性エッチングにより開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃを残して平坦部６５ａ，６５ｂを除去することで、入射光透光路５９に対して反射膜６５を露出させるので、略垂直に形成される入射光透光路５９の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃのみに反射膜６５を形成できる。また、一旦、上面にも形成された反射膜６５ａが異方性エッチングによって除去されるので、これと同時に、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに形成される段部上面の反射膜６５ｂも除去でき、入射光を効率よく受光領域へ到達させるのに必要な反射膜６５のみを形成できる。この結果、感度の高い固体撮像素子１００を製造できる。

次に、本発明に係る撮像素子及びその製造方法の好適な他の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図４は本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像素子の平坦面が反射防止膜で覆われた構成の断面図、図５は図４に示した固体撮像素子の主要な製造工程毎の断面図、図６はスパッタリング法の相異を説明する模式図である。なお、図１〜図３に示した部材と同一の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。
本実施の形態による固体撮像素子２００は、上記の実施の形態による固体撮像素子１００と同様に、反射膜６５が形成されるが、異方性エッチングによる平坦面上の反射膜６５ａ，６５ｂが除去されない。すなわち、遮光膜５１の基板２１と平行な水平面に反射防止膜８１が形成されることで、これら平坦面上における反射膜６５ａ，６５ｂが覆われるようになっている。

このように、平坦面上に反射防止膜８１を形成することで、異方性エッチングによる反射膜６５の除去を行わずに、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃにのみ反射膜６５を露出させている。基板２１と平行な部分のＡｌやタングステンによって形成された反射膜６５や遮光膜５１が反射防止膜８１によって覆われ、カラーフィルタ層７１，７３，７５を形成する際の露光光が反射膜６５や遮光膜５１に反射してハレーションを生じさせることがなくなる。カラーフィルタ層７１，７３，７５の材料はネガ型であるため、カラーフィルタ層７１，７３，７５の形状は反射膜６５や遮光膜５１からの反射によってテーパをもつこととなるが、反射防止膜８１によってこの反射が防止されることで、カラーフィルタ開口面積の狭くなることが防止される。

この反射防止膜８１は、窒化チタンであることが好ましい。これにより、高強度、耐熱性、耐食性を有するチタン本来の性質に加え、窒化により酸化による膜質劣化が防止され、長時間に渡り薄厚で高い反射防止効果が維持可能となる。

固体撮像素子２００は、図５（ａ）に示すように、遮光膜５１の表面に、この遮光膜５１より反射率の高い反射膜６５を形成した後、図５（ｂ）に示すように、反射膜６５の平坦面６５ａ，６５ｂ上にのみスパッタ法により反射防止膜８１を形成する。つまり、平坦面上の反射膜６５が反射防止膜８１によって覆われることで、異方性エッチングにより平坦部の反射膜６５を除去する必要がなくなる。したがって、異なる平面（上面と下面）とに亘って略垂直に形成される入射光透光路５９の開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃのみに反射膜６５が表出する。これにより、入射光透光路５９に対して反射膜６５が露出されることとなる。また、一旦、上面にも形成された反射膜６５が反射防止膜８１によって覆われることで、これと同時に、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに形成される上面と平行な段部における反射膜６５ａ，６５ｂも反射防止膜８１によって覆われることとなる。

反射防止膜８１は、コリメート・スパッタリング法、又はロングスロー・スパッタリング法により形成することができる。これらのスパッタリング法によれば、金属ターゲットからスパッタされた金属において高い直進性が得られる。

すなわち、コリメート・スパッタリング法は，図６（ａ）に示す金属ターゲット９１とウェハ９３とを対面させる一般的なスパッタリング法に対し、図６（ｂ）に示すように、金属ターゲット９１とウェハ９３との間にコリメート板９５が配置されることを特徴としている。このコリメート板９５によって，スパッタされた金属粒子のうちウェハ表面への入射角が小さな金属粒子のみがウェハ表面に到達することになる。

一方のロングスロー・スパッタリング法は、一般的なスパッタリング法に比べて、図６（ｃ）に示すように、金属ターゲット９１とウェハ９３との間隔が広い点に特徴がある。例えば、一般的なスパッタリング法では、金属ターゲット９１とウェハ９３との距離が６０ｍｍに調整されているのに対して、ロングスロー・スパッタリング法の場合、３４０ｍｍに調整される。さらに、スパッタされた金属粒子の直進性をより高めるため、一般的なスパッタリングの場合に比べてチャンバ内の真空度が高く調整される。このロングスロー・スパッタリング法によれば、スパッタされた金属粒子のうち、大きな斜め方向成分を有する金属粒子（ウェハに対する入射角がθよりも大きい金属粒子）は，ウェハ９３に付着しなくなる。また、高い真空度によって、スパッタされた金属粒子の平均自由行路が長くなり、金属粒子の散乱が抑制される。

これにより、金属ターゲットからスパッタされる金属の高い直進性が得られ、平坦面（上面）や、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃに形成される上面と平行な段差面のみへの反射防止膜８１の形成が可能となり、スパッタ金属の直進方向と平行な開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃへのスパッタを防止して、所望部位、すなわち、開口側壁６３ａ，６３ｂ，６３ｃのみに反射膜６５を表出させる構造が形成可能となる。

本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の開口側壁に反射膜が形成された構成の断面図である。 図１に示した固体撮像素子の主要な製造工程毎の断面図である。 カラーフィルタが一体形成された固体撮像素子の断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像素子の平坦面が反射防止膜で覆われた構成の断面図である。 図４に示した固体撮像素子の主要な製造工程毎の断面図である。 スパッタリング法の相異を説明する模式図である。 従来の固体撮像素子の断面図である。

符号の説明

２１…基板
５１…遮光膜
５３…光電変換部
５９…入射光の透光路
６１…開口
６３ａ，６３ｂ，６３ｃ…開口側壁
６５…反射膜
８１…反射防止膜
１００，２００…固体撮像素子（撮像素子）

Claims (7)

1. 基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜とを有する撮像素子であって、
   少なくとも前記遮光膜の前記光電変換部側の開口側壁に、前記遮光膜よりも反射率が高い反射膜が形成され、該反射膜が、前記遮光膜の前記開口内に形成される入射光の透光路に対して露出している撮像素子。
2. 請求項１記載の撮像素子であって、
   前記反射膜が、アルミ、金、銀、プラチナのうちいずれか１つを含むものである撮像素子。
3. 請求項１又は請求項２記載の撮像素子であって、
   前記遮光膜の前記基板と平行な水平面に反射防止膜が形成された撮像素子。
4. 請求項３記載の撮像素子であって、
   前記反射防止膜が窒化チタンである撮像素子。
5. 基板上に光電変換部を形成する工程と、
   前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜を形成する工程と、
   前記遮光膜上に該遮光膜より反射率の高い反射膜を形成する工程と、
   前記反射膜を異方性エッチングにより前記遮光膜の開口側壁を残して平坦部を除去し、前記遮光膜の開口内に形成される入射光の透光路に対して前記反射膜を露出させる工程とを含む撮像素子の製造方法。
6. 基板上に光電変換部を形成する工程と、
   前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜を形成する工程と、
   前記遮光膜の表面および前記光電変換部側の開口側壁に該遮光膜より反射率の高い反射膜を形成する工程と、
   前記反射膜の平坦面上にのみスパッタ法により反射防止膜を形成することで、前記遮光膜の上面を前記反射防止膜で覆うとともに、前記遮光膜の開口内に形成される入射光の透光路に対して前記反射膜を露出させる工程と、
   を含む撮像素子の製造方法。
7. 請求項６記載の撮像素子の製造方法であって、
   前記反射防止膜を、コリメート・スパッタリング法、又はロングスロー・スパッタリング法により形成する撮像素子の製造方法。

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