JP5511200B2

JP5511200B2 - 回路基板検査装置におけるプローブピンのオフセット量取得方法

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Publication number: JP5511200B2
Application number: JP2009045363A
Authority: JP
Inventors: 義典佐藤
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2009-02-27
Filing date: 2009-02-27
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2029-02-27
Also published as: JP2010197331A

Description

本発明は、回路基板検査装置に装着されているプローブピンの原点位置に対するオフセット量（偏差量）を正確に取得する技術に関するものである。

回路基板検査装置は、プローブピンの駆動方法別で言えば、複数本のプローブピンをピンボードに植設して各プローブピンを一度に被検査回路基板の測定ポイントに接触させるピンボード方式（フィクスチュア方式）と、例えば２本もしくは３本等のプローブピンをＸ−ＹおよびＺ軸方向に個別的に移動させて被検査回路基板の測定ポイントに接触させるＸ−Ｙ方式（フライング方式）とに大別される。

このうち、Ｘ−Ｙ方式では、制御部より各プローブピンの駆動手段にｘ，ｙの座標データを与えて、各プローブピンを被検査回路基板の測定ポイント上にまで移動させるようにしているが、この場合に指定する座標データ（ｘ，ｙ）は、回路基板検査装置の原点の位置（０，０）を基準として設定される。

プローブピンは消耗品であるため交換されるが、プローブピンを可動ヘッドに取り付ける際の取付誤差や、プローブピン自体の個体差等により、プローブピンの先端が一定の位置におかれるとは限らない。むしろ、往々にして位置的にばらつきが生ずる。

そこで、交換のつど、プローブピンの先端位置を確かめる必要がある。これが、プローブピンのオフセット量取得と呼ばれるものであり、その典型的な従来例を図６，図７を参照して説明する。

まず、図６に示すように、オフセット用基板１に感圧紙等の紙２を張り、オフセット用基板１を回路基板検査装置の原点Ｏの位置付近にセットする。

そして、制御部よりプローブピン駆動手段（ともに図示しない）に原点Ｏの座標データ（０，０）を与えてプローブピン１０を原点Ｏに向けて移動させたのち、Ｚ軸方向に下降させて紙２に打痕１０ａを付ける。

次に、Ｘ−Ｙ方向に移動可能な例えばＣＣＤカメラ２０を原点Ｏの位置（０，０）に移動させ、図７に示すように、そのファインダ内にある例えば十文字マーク２０ａの中心に打痕１０ａがあるかどうかを見る。

十文字マーク２０ａの中心に打痕１０ａがあればオフセット量は「０」であり、制御部からプローブピン駆動手段に与える座標データを補正する必要はない。

これに対して、図７（ａ）に示すように、打痕１０ａが十文字マーク２０ａの中心から外れている場合には、ＣＣＤカメラ２０を手動操作で移動させて、図７（ｂ）に示すように、十文字マーク２０ａの中心を打痕１０ａに合わせ込む。

このとき、ＣＣＤカメラ２０のＸ軸方向の移動量がｘａ，Ｙ軸方向の移動量がｙａであるとすれば、原点Ｏの位置（０，０）に対する打痕１０ａのＸ，Ｙ座標上での位置は（ｘａ，ｙａ）となる。

すなわち、交換されたプローブピン１０は、原点Ｏの位置（０，０）に対して（ｘａ，ｙａ）のオフセット量をもつことになるため、実際の回路基板検査時には、制御部からプローブピン駆動手段に与える座標データが上記オフセット量分だけ加算もしくは減算されることになる。

しかしながら、ＣＣＤカメラ２０を手動操作で移動させ、目で見て十文字マーク２０ａの中心を打痕１０ａに合わせる場合、どうしても作業者の操作誤差や目視誤差が入り込むため、正確とは言えない。

そこで、特許文献１に記載された発明では、ＣＣＤカメラ２０で撮像された打痕１０ａの画像を画像処理手段にて処理して、その重心を求めるようにしている。

特開平６−３３１６５３号公報

上記特許文献１に記載された発明によれば、打痕１０ａの重心が自動的に求められることから、原点位置に対するオフセット量を正確に取得することができる。

しかしながら、ＣＣＤカメラおよび画像処理手段と言った高価な設備を必要とすることから、これらの設備を導入するうえでコスト負担が大きい。

また、オフセット量を取得するにあたって、前もってオフセット用基板に貼られた打痕紙に打痕を付ける作業を必要とするため、その分、作業時間もかかる、という問題がある。

したがって、本発明の課題は、より低コストの設備で、プローブピンのオフセット量を自動的かつ正確に取得できるようにすることにある。

上記課題を解決するため、第１の発明は、請求項１に記載されているように、回路基板検査装置が備えるプローブピン駆動手段によりＸ，Ｙ方向に任意に移動するプローブピンを、上記回路基板検査装置の原点位置に移動させた際の、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量を取得するにあたって、上記回路基板検査装置に上記原点位置を通るＸ軸とＹ軸とによる４象限を含むＸ−Ｙ座標を仮想的に設定し、上記プローブピンと静電的に結合可能で、上記プローブピンの直径とほぼ等しい幅を有するセンサ電極を４つ用意して、上記原点位置からそれぞれ等距離として、そのうちの２つのセンサ電極を上記Ｘ軸上に配置するとともに、残された２つのセンサ電極を上記Ｙ軸上に配置し、上記プローブピン駆動手段に上記原点位置の座標データを与えて上記プローブピンを上記原点位置に向けて移動させたのち、静電容量測定手段により、上記プローブピンと上記各センサ電極との間に生ずる静電容量値をそれぞれ測定し、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値と第２番目に大きい第２静電容量値とから上記プローブピンが存在する特定の象限を絞り込み、上記特定の象限のＸ軸とＹ軸とに配置されている２つのセンサ電極を第１センサ電極，第２センサ電極とし、上記第１センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ１を求めて上記第１センサ電極を中心とし上記距離ｒ１を半径とする第１の円の方程式（１）を立てるとともに、上記第２センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ２を求めて上記第２センサ電極を中心とし上記距離ｒ２を半径とする第２の円の方程式（２）を立てて、上記各方程式（１），（２）から上記第１の円と上記第２の円の交点座標を求め、上記交点座標が１つの場合には、その交点座標を上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とし、上記特定の象限内に交点座標が２つ存在する場合には、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極を第３センサ電極とし、上記交点座標の各々に上記プローブピンが存在すると仮定して、その一方の交点座標と上記第３センサ電極との間の静電容量値と、他方の交点座標と上記第３センサ電極との間の静電容量値とをそれぞれ算出し、上記第３静電容量値に近い方の静電容量値が算出される側の交点座標を、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とすることを特徴としている。

また、第２の発明は、請求項２に記載されているように、回路基板検査装置が備えるプローブピン駆動手段によりＸ，Ｙ方向に任意に移動するプローブピンを、上記回路基板検査装置の原点位置に移動させた際の、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量を取得するにあたって、上記回路基板検査装置に上記原点位置を通るＸ軸とＹ軸とによる４象限を含むＸ−Ｙ座標を仮想的に設定し、上記プローブピンと静電的に結合可能で、上記プローブピンの直径とほぼ等しい幅を有するセンサ電極を４つ用意して、上記原点位置からそれぞれ等距離として、そのうちの２つのセンサ電極を上記Ｘ軸上に配置するとともに、残された２つのセンサ電極を上記Ｙ軸上に配置し、上記プローブピン駆動手段に上記原点の座標データを与えて上記プローブピンを上記原点位置に向けて移動させたのち、静電容量測定手段により、上記プローブピンと上記各センサ電極との間に生ずる静電容量値をそれぞれ測定し、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値と第２番目に大きい第２静電容量値とから上記プローブピンが存在する特定の象限を絞り込み、上記特定の象限のＸ軸とＹ軸とに配置されている２つのセンサ電極を第１センサ電極，第２センサ電極とし、上記第１センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ１を求めて上記第１センサ電極を中心とし上記距離ｒ１を半径とする第１の円の方程式（１）を立てるとともに、上記第２センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ２を求めて上記第２センサ電極を中心とし上記距離ｒ２を半径とする第２の円の方程式（２）を立てて、上記各方程式（１），（２）から上記第１の円と上記第２の円の交点座標を求め、上記交点座標が１つの場合には、その交点座標を上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とし、上記特定の象限内に交点座標が２つ存在する場合には、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極を第３センサ電極とし、上記第３センサ電極と上記プローブピンとの間の第３静電容量値から、その間の距離ｒ３を求めて上記第３センサ電極を中心とし上記距離ｒ３を半径とする第３の円の方程式（３）さらにを立てて、上記方程式（１），（２）のいずれか一方の方程式と上記方程式（３）とから、上記第１の円もしくは上記第２の円と上記第３の円との交点座標を別に求め、この別に求められた交点座標と上記第１の円と上記第２の円の上記交点座標とを対比し、重なる交点座標をもって上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とすることを特徴としている。

上記第１および第２の発明において、請求項３に記載されているように、上記第３センサ電極として、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極に代えて、静電容量値が第４番目に大きい第４静電容量値を示すセンサ電極を用いてもよい。

本発明によれば、設備的には、プローブピンと静電的に結合可能な４つのセンサ電極と、プローブピンと各センサ電極との間の静電容量値を測定するＣメータもしくはＬＣＲメータ等の静電容量測定手段があればよく、静電容量の測定後は、プローブピンの座標値（オフセット量）がもっぱら演算によって求められるため、ＣＣＤカメラおよび画像処理手段と言った高価な設備を必要とすることなく、より低コストの設備で、プローブピンのオフセット量を自動的かつ正確に取得することができる。

本発明によるプローブピンのオフセット量取得方法を説明するための模式図。本発明に適用される装置例を示す模式図。本発明においてプローブピンの位置座標を特定する第１の例を示す模式図。本発明においてプローブピンの位置座標を特定する第２の例を示す模式図。本発明においてプローブピンの位置座標を特定する第３の例を示す模式図。従来例を説明するための模式的な斜視図。上記従来例でカメラの十文字マークを打痕に合わせ込む状態を示す模式図。

次に、図１ないし図５により、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

本発明の回路基板検査装置は、その全体の構成は図示を省略しているが、例えば２本もしくは３本等のプローブピンをＸ−ＹおよびＺ軸方向に個別的に移動させて被検査回路基板の測定ポイントに接触させるＸ−Ｙ方式（フライング方式）の回路基板検査装置である。

本発明によると、図１に示すように、回路基板検査装置の原点Ｏ（０，０）を通るＸ軸とＹ軸とにより４象限を含むＸ−Ｙ座標が仮想的に設定され、Ｘ軸上に２つのセンサ電極ＳＸ１，ＳＸ２が配置され、Ｙ軸上に２つのセンサ電極ＳＹ１，ＳＹ２が配置される。

回路基板検査装置の原点Ｏは、例えば被検査回路基板が載置される装置基台の所定の位置に設定されてよい。センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２は、原点Ｏから等距離に配置される。

すなわち、ｘａ＝ｙａとして、センサ電極ＳＸ１の座標は（ｘａ，０），センサ電極ＳＸ２の座標は（−ｘａ，０），センサ電極ＳＹ１の座標は（０，ｙａ），センサ電極ＳＹ１の座標は（０，−ｙａ）である。

各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２は、プローブピン１０と静電的に結合可能であり、図２に示すように、例えばＣメータ（静電容量測定手段）３０にて、プローブピン１０と各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２との間の静電容量値がそれぞれ測定される。

すなわち、Ｃメータ３０の一端側にプローブピン１０が接続され、その他端側に各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２がスイッチＳＷ１〜ＳＷ４を含むスキャナを介して並列的に接続され、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を択一的にオンにすることにより、プローブピン１０と各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２との間の静電容量値が測定される。

各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２は寸法，形状を含めて同一構成で、センサ電極の幅は、プローブピン１０の直径とほぼ等しいことが好ましい。なお、測定に際しては、プローブピン１０がＬｏｗ電位に保持され、各センサ電極ＳＸ１，ＳＸ２，ＳＹ１，ＳＹ２がＨｉ電位に保たれる。Ｃメータに代えて、ＬＣＲメータが用いられてもよい。

プローブピン１０は、プローブピン駆動手段により被検査回路基板がセットされる装置基台と平行なＸ−Ｙ平面内で移動自在であり、かつ、被検査回路基板の被測定ポイントに移動した後にはＺ軸（垂直方向）に昇降するように駆動される。

上記プローブピン駆動手段は、例えばＸ軸アームと、Ｘ軸アームと直交しＸ軸アームの送りねじ軸によってＸ軸方向に往復動するＹ軸アームと、Ｙ軸アームに保持されＹ軸アームの送りねじ軸によってＹ軸方向に往復動する可動ヘッドとを含む公知の駆動手段あってよく、プローブピン１０は、可動ヘッドに設けられている昇降手段に交換可能に取り付けられる。なお、Ｘ軸アームおよびＸ軸アームの各送りねじ軸は、好ましくはステッピングモータにより駆動される。

プローブピン１０を上記可動ヘッドに取り付けたのち、そのオフセット量を取得するため、図示しない制御部より、プローブピン駆動手段に原点Ｏの座標データ（０，０）を与えて、プローブピン１０を原点Ｏが存在するＸ−Ｙ座標内に移動させる。

そして、上記スイッチＳＷ１〜ＳＷ４を順次切り替えて、プローブピン１０とセンサ電極ＳＸ１との間の静電容量値Ｃ１，プローブピン１０とセンサ電極ＳＹ１との間の静電容量値Ｃ２，プローブピン１０とセンサ電極ＳＸ２との間の静電容量値Ｃ４，プローブピン１０とセンサ電極ＳＹ２との間の静電容量値Ｃ３を測定する。

その結果、各静電容量値Ｃ１〜Ｃ４がすべて同じ値であれば、プローブピン１０が原点Ｏ上に位置していることを意味するから、オフセット量は「０」であり、制御部からプローブピン駆動手段に与える座標データを補正する必要はない。

各静電容量値Ｃ１〜Ｃ４が同じ値でない場合には、静電容量値Ｃ１〜Ｃ４の大小関係を判定し、静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値と第２番目に大きい第２静電容量値とから、Ｘ−Ｙ座標内でプローブピン１０が存在する象限を絞り込む。

例えば、Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ４であるとすると、静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値Ｃ１にはセンサ電極ＳＸ１が関与し、静電容量値が第２番目に大きい第２静電容量値Ｃ２にはセンサ電極ＳＹ１が関与しているから、プローブピン１０が第Ｉ象限に存在していると判定できる。

次に、第１静電容量値Ｃ１と第２静電容量値Ｃ２とから、逆算により、プローブピン１０とセンサ電極ＳＸ１との間の距離ｒ１と、プローブピン１０とセンサ電極ＳＹ１との間の距離ｒ２をそれぞれ算出する。

次に、図３を参照して、センサ電極ＳＸ１を中心とし半径ｒ１とする第１の円Ａ１の方程式（次式（１））と、センサ電極ＳＹ１を中心とし半径ｒ２とする第２の円Ａ２の方程式（次式（２））を立てて、第１の円Ａ１と第２の円Ａ２との交点座標を求める。

（ｘ−ｘａ）^２＋（ｙａ）^２＝ｒ１^２…（１）
（ｘ）^２＋（ｙ−ｙａ）^２＝ｒ２^２…（２）

解が１つ、すなわち交点座標Ｐが１つであれば、図３に示すように、プローブピン１０がセンサ電極ＳＸ１とセンサ電極ＳＹ１とを結ぶ直線上に位置していると判定できるため、その交点座標Ｐを原点Ｏに対するプローブピン１０のオフセット量とすることができる。

これに対して、解が２つで、図４に示すように、第Ｉ象限内に２つの交点座標Ｐａ，Ｐｂが２つ存在する場合には、プローブピン１０の位置が特定できない。

この場合には、上記した大小関係で、静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値Ｃ３を示すセンサ電極ＳＹ２を判定項目に加える。

すなわち、上記交点座標Ｐａ，Ｐｂの各々にプローブピン１０が存在すると仮定して、その一方の交点座標Ｐａとセンサ電極ＳＹ２との間の距離ｒ３ａを算出したえで、その間の静電容量値Ｃａを求める。

同様に、他方の交点座標Ｐｂとセンサ電極ＳＹ２との間の距離ｒ３ｂを算出したえで、その間の静電容量値Ｃｂを求め、これら静電容量値Ｃａ，Ｃｂのうち、第３静電容量値Ｃ３に近い方の静電容量値が算出される側の交点座標（図４の例では、交点座標Ｐａ側）を原点Ｏに対するプローブピン１０のオフセット量とする。

次に、図５により、２つの交点座標Ｐａ，Ｐｂが２つ存在する場合において、プローブピン１０の位置を特定する別の方法について説明する。

この別の方法においても、静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値Ｃ３を示すセンサ電極ＳＹ２を判定項目に加えるが、この場合には、まず、センサ電極ＳＹ２とプローブピン１０との間の第３静電容量値Ｃ３から、逆算により、その間の距離ｒ３を求める。

そして、その距離ｒ３を半径とする第３の円Ａ３の方程式（次式（３））さらにを立てる。
（ｘ）^２＋（ｙ−（−ｙａ））^２＝ｒ３^２…（３）

しかるのち、上記方程式（１），（２）のいずれか一方の方程式と第３の円Ａ３の方程式（３）、この例では、第１の円Ａ１の方程式（１）と第３の円Ａ３の方程式（３）とから、第１の円Ａ１と第３の円Ａ３との交点座標Ｐａ，Ｐｃを別に求める。

この交点座標Ｐａ，Ｐｃのうち、交点座標Ｐａは、上記方程式（１），（２）により求められた解（交点座標）と重複しているため、交点座標Ｐａをもって原点Ｏに対するプローブピン１０のオフセット量とする。

第１の円Ａ１の方程式（１）に代えて、第２の円Ａ２の方程式（２）と第３の円Ａ３の方程式（３）とから、交点座標を求めても同様に、交点座標Ｐａをもって原点Ｏに対するプローブピン１０のオフセット量とすることができる。

なお、同一象限に２つの交点座標Ｐａ，Ｐｂが２つ存在する場合、上記実施形態では、静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値Ｃ３を示すセンサ電極ＳＹ２を判定項目に加えるようにしているが、これに代えて、静電容量値が第４番目に大きい第４静電容量値Ｃ４を示すセンサ電極ＳＸ２を用いてもよい。

１０プローブピン
３０Ｃメータ（静電容量測定手段）
ＳＸ１，ＳＸ２Ｘ軸上に配置されるセンサ電極
ＳＹ１，ＳＹ２Ｙ軸上に配置されるセンサ電極
Ｏ原点
Ａ１第１の円
Ａ２第２の円
Ａ３第３の円
Ｐ，Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ交点座標

Claims

回路基板検査装置が備えるプローブピン駆動手段によりＸ，Ｙ方向に任意に移動するプローブピンを、上記回路基板検査装置の原点位置に移動させた際の、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量を取得するにあたって、
上記回路基板検査装置に上記原点位置を通るＸ軸とＹ軸とによる４象限を含むＸ−Ｙ座標を仮想的に設定し、上記プローブピンと静電的に結合可能で、上記プローブピンの直径とほぼ等しい幅を有するセンサ電極を４つ用意して、上記原点位置からそれぞれ等距離として、そのうちの２つのセンサ電極を上記Ｘ軸上に配置するとともに、残された２つのセンサ電極を上記Ｙ軸上に配置し、
上記プローブピン駆動手段に上記原点位置の座標データを与えて上記プローブピンを上記原点位置に向けて移動させたのち、静電容量測定手段により、上記プローブピンと上記各センサ電極との間に生ずる静電容量値をそれぞれ測定し、
上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値と第２番目に大きい第２静電容量値とから上記プローブピンが存在する特定の象限を絞り込み、上記特定の象限のＸ軸とＹ軸とに配置されている２つのセンサ電極を第１センサ電極，第２センサ電極とし、
上記第１センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ１を求めて上記第１センサ電極を中心とし上記距離ｒ１を半径とする第１の円の方程式（１）を立てるとともに、上記第２センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ２を求めて上記第２センサ電極を中心とし上記距離ｒ２を半径とする第２の円の方程式（２）を立てて、上記各方程式（１），（２）から上記第１の円と上記第２の円の交点座標を求め、
上記交点座標が１つの場合には、その交点座標を上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とし、
上記特定の象限内に交点座標が２つ存在する場合には、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極を第３センサ電極とし、
上記交点座標の各々に上記プローブピンが存在すると仮定して、その一方の交点座標と上記第３センサ電極との間の静電容量値と、他方の交点座標と上記第３センサ電極との間の静電容量値とをそれぞれ算出し、
上記第３静電容量値に近い方の静電容量値が算出される側の交点座標を、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とすることを特徴とする回路基板検査装置におけるプローブピンのオフセット量取得方法。
回路基板検査装置が備えるプローブピン駆動手段によりＸ，Ｙ方向に任意に移動するプローブピンを、上記回路基板検査装置の原点位置に移動させた際の、上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量を取得するにあたって、
上記回路基板検査装置に上記原点位置を通るＸ軸とＹ軸とによる４象限を含むＸ−Ｙ座標を仮想的に設定し、上記プローブピンと静電的に結合可能で、上記プローブピンの直径とほぼ等しい幅を有するセンサ電極を４つ用意して、上記原点位置からそれぞれ等距離として、そのうちの２つのセンサ電極を上記Ｘ軸上に配置するとともに、残された２つのセンサ電極を上記Ｙ軸上に配置し、
上記プローブピン駆動手段に上記原点位置の座標データを与えて上記プローブピンを上記原点位置に向けて移動させたのち、静電容量測定手段により、上記プローブピンと上記各センサ電極との間に生ずる静電容量値をそれぞれ測定し、
上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第１番目に大きい第１静電容量値と第２番目に大きい第２静電容量値とから上記プローブピンが存在する特定の象限を絞り込み、上記特定の象限のＸ軸とＹ軸とに配置されている２つのセンサ電極を第１センサ電極，第２センサ電極とし、
上記第１センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ１を求めて上記第１センサ電極を中心とし上記距離ｒ１を半径とする第１の円の方程式（１）を立てるとともに、上記第２センサ電極と上記プローブピンとの間の静電容量値から、その間の距離ｒ２を求めて上記第２センサ電極を中心とし上記距離ｒ２を半径とする第２の円の方程式（２）を立てて、上記各方程式（１），（２）から上記第１の円と上記第２の円の交点座標を求め、
上記交点座標が１つの場合には、その交点座標を上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とし、
上記特定の象限内に交点座標が２つ存在する場合には、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極を第３センサ電極とし、
上記第３センサ電極と上記プローブピンとの間の第３静電容量値から、その間の距離ｒ３を求めて上記第３センサ電極を中心とし上記距離ｒ３を半径とする第３の円の方程式（３）さらにを立てて、
上記方程式（１），（２）のいずれか一方の方程式と上記方程式（３）とから、上記第１の円もしくは上記第２の円と上記第３の円との交点座標を別に求め、この別に求められた交点座標と上記第１の円と上記第２の円の上記交点座標とを対比し、重なる交点座標をもって上記原点位置に対する上記プローブピンのオフセット量とすることを特徴とする回路基板検査装置におけるプローブピンのオフセット量取得方法。
上記第３センサ電極として、上記測定された４つの静電容量値内で静電容量値が第３番目に大きい第３静電容量値を示すセンサ電極に代えて、静電容量値が第４番目に大きい第４静電容量値を示すセンサ電極を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板検査装置におけるプローブピンのオフセット量取得方法。