JP5500107B2 - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents

Description

本発明は、複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路に関する。

近年、車載インバータ等の電力変換回路にあっては、大電流を扱う関係上、複数のスイッチング素子を並列に設ける（パラ接続する）ことで、扱うことのできる電流量を倍増させることも提案され、実用化されている（特許文献１）。

特開平１０−２４３６６０号公報

上記のように、複数のスイッチング素子をパラ接続して駆動する場合、駆動が正常なら、パラ接続された各スイッチング素子に同一の電流が流れ温度も略同一となると考えられる一方、駆動に異常が生じる場合には、電流や温度に相違が生じると考えられる。ただし、複数のスイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段は、従来、対象とする１の駆動対象スイッチング素子に信頼性の低下を招くような異常が生じるか否かを検出するために用いられているため、上記のようなパラ接続特有の異常を迅速に検出することができない。

本発明は、上記課題を解決する過程でなされたものであり、その目的は、複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するに際し、該複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備える新たなスイッチング素子の駆動回路を提供することにある。

以下、上記課題を解決するための手段、およびその作用効果について記載する。

第１の発明は、複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備えることを特徴とする。

単一の駆動信号に基づき駆動対象スイッチング素子が駆動される場合、駆動が正常なら、複数の駆動対象スイッチング素子の状態も互いに近似すると考えられる。上記発明では、この点に鑑み、状態の検出結果同士の乖離度合いが大きい場合に異常があると判断する。

第２の発明は、第１の発明において、前記検出結果は、前記駆動対象スイッチング素子の温度の検出結果を含み、前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する温度の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき前記異常が生じたと判断するものであることを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が同一に駆動されない場合、これらに温度差が生じうる。このため、温度の検出結果同士の乖離度合いが大きい場合には、駆動対象スイッチング素子同士で駆動状態がそろわない異常が生じていると判断できる。

第３の発明は、第２の発明において、前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて可変設定する可変手段を備えることを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子の個体差や配置環境の相違等に起因して、駆動が正常であっても温度にずれが生じうる。そしてこの温度のずれは、駆動対象スイッチング素子を流れる電流が大きいほど大きくなると考えられる。これは、電流が大きいほど駆動対象スイッチング素子の温度が高くなるためである。上記発明では、この点に鑑み、閾値を可変設定する。

第４の発明は、第２または第３の発明において、前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のいずれか一方および開閉制御端子間の容量と前記開閉制御端子に印加する電圧値との少なくとも一方に応じて可変操作可能な操作手段を備えることを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が同一に駆動されない場合、これらに温度差が生じうる。このため、温度の検出結果同士の乖離度合いが大きい場合には、駆動対象スイッチング素子同士で駆動状態がそろわない異常が生じていると判断できる。ただし、駆動対象スイッチング素子の個体差や配置環境の相違等に起因して、駆動が正常であっても温度にずれが生じうる。そしてこの温度のずれは、駆動対象スイッチング素子の上記容量や開閉制御端子に対する印加電圧に応じて相違する。上記発明では、この点に鑑み、閾値を可変操作可能とした。

第５の発明は、第２〜第４のいずれかの発明において、前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子付近の温度を検出する感温ダイオードを備え、前記異常判断手段は、前記検出結果としての前記感温ダイオードについての前記少なくとも２つに対応する出力電圧同士の乖離度合いに基づき前記異常の有無を判断することを特徴とする。

第６の発明は、第２〜第４のいずれかの発明において、前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のいずれか一方および開閉制御端子間の電圧を検出する電圧検出手段と、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段とを備え、前記異常判断手段は、前記電流検出手段の検出値に基づき前記駆動対象スイッチング素子に電流が流れ始めたと判断されるときに前記電圧検出手段によって検出される電圧についての前記少なくとも２つに対応する値同士の差に基づき、前記異常の有無を判断することを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子に電流が流れ始める際の上記いずれか一方および開閉制御端子間の電圧である閾値電圧は、駆動対象スイッチング素子の温度に応じて変化する。このため、閾値電圧を検出することで、温度を検出することができる。

第７の発明は、第２〜第４のいずれかの発明において、前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段を備え、前記異常判断手段は、前記駆動対象スイッチング素子に流れる電流についての前記電流検出手段によって検出される波形に基づき、前記異常の有無を判断することを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子の閾値電圧は、温度に依存して変化する。このため、駆動対象スイッチング素子同士で温度が相違すると、同一の駆動信号によってオン状態に切り替えたとしても電流の流れ始めるタイミングが相違しうる。上記発明では、この点に鑑み、電流の波形に基づき温度を検出する。

第８の発明は、第１の発明において、前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段を備え、前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する前記電流検出手段によって検出される値同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断することを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が同一に駆動されない場合、これらに流れる電流が相違するおそれがある。上記発明では、この点に鑑み異常の有無を判断する。

第９の発明は、第１の発明において、前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のうちのいずれか一方および開閉制御端子間の電圧を検出する電圧検出手段を備え、前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する電圧検出手段によって検出される電圧同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断することを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が同一に駆動されない場合、これら開閉制御端子の電圧が相違するおそれがある。上記発明では、この点に鑑み異常の有無を判断する。

第１０の発明は、第８または第９の発明において、前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて可変設定する可変手段を備えることを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が正常に駆動されている場合であっても、これらの個体差等に起因して、これらを流れる電流量や、開閉制御端子の電圧にはずれが生じうる。そして電流量のずれ量は、電流量が大きいほど大きくなると考えられる。また、ミラー期間を過ぎる以前の開閉制御端子の電圧は、駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて変化する。上記発明では、この点に鑑み、電流量に応じた可変設定を行なう。

第１１の発明は、第８〜第１０のいずれかの発明において、前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のいずれか一方および開閉制御端子間の容量と前記開閉制御端子に印加する電圧値との少なくとも一方に応じて可変操作可能な操作手段を備えることを特徴とする。

駆動対象スイッチング素子が正常に駆動されている場合であっても、これらの個体差等に起因して、これらを流れる電流量や、開閉制御端子の電圧にはずれが生じうる。そしてこれらのずれ量は、印加する電圧値の大きさや上記容量に応じて変化すると考えられる。上記発明では、この点に鑑み、可変操作を可能とした。

第１２の発明は、第１〜第１１のいずれかの発明において、前記異常判断手段によって異常がある旨判断される場合、前記駆動対象スイッチング素子の駆動を制限する制限手段をさらに備えることを特徴とする。

上記発明では、異常時に駆動制限をすることで、異常事態が悪化することを好適に抑制することができる。

第１３の発明は、第１〜第１２のいずれかの発明において、前記異常判断手段によって異常がある旨判断される場合、その旨を外部に通知する通知手段をさらに備えることを特徴とする。

上記発明では、通知手段を備えることで、異常事態を把握させることができる。

第１の実施形態にかかるシステム構成図。 同実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 第２の実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 第３の実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 同実施形態にかかる異常診断処理の手順を示す流れ図。 第４の実施形態にかかる異常診断処理の手順を示す流れ図。 第５の実施形態にかかる異常診断処理の手順を示す流れ図。 第６の実施形態にかかる異常診断処理の手順を示す流れ図。

＜第１の実施形態＞
以下、本発明にかかるスイッチング素子の駆動回路を車載主機としての回転機に接続される電力変換回路の駆動回路に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１に、本実施形態にかかる制御システムの全体構成を示す。モータジェネレータ１０は、車載主機であり、図示しない駆動輪に機械的に連結されている。モータジェネレータ１０は、インバータＩＮＶを介してたとえば百Ｖ以上の端子電圧を有する高電圧バッテリ１２およびコンデンサＣに接続されている。インバータＩＮＶは、スイッチング素子Ｓ＊ｐａ，Ｓ＊ｎａ（＊＝ｕ，ｖ，ｗ）の直列接続体と、スイッチング素子Ｓ＊ｐｂ，Ｓ＊ｂの直列接続体との一対の直列接続体を３組ずつ備えており、これら各一対の直列接続体の接続点がモータジェネレータ１０のＵ，Ｖ，Ｗ相にそれぞれ接続されている。これらスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｐ，ｎ）として、本実施形態では、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が用いられている。そして、これらにはそれぞれ、ダイオードＤ＊＃ａ，Ｄ＊＃ｂが逆並列に接続されている。

制御装置１８は、低電圧バッテリ１６を電源とする制御装置である。制御装置１８は、モータジェネレータ１０を制御対象とし、その制御量を所望に制御すべく、インバータＩＮＶを操作する。詳しくは、インバータＩＮＶのスイッチング素子Ｓ＊ｐａ，Ｓ＊Ｐｂ，Ｓ＊ｎａ，Ｓ＊ｎｂを操作すべく、操作信号ｇ＊ｐ，ｇ＊ｎをドライブユニットＤＵに出力する。ここで、高電位側の操作信号ｇ＊ｐと、対応する低電位側の操作信号ｇ＊ｎとは、互いに相補的な信号となっている。換言すれば、高電位側のスイッチング素子Ｓ＊ｐａ，Ｓ＊ｐｂと、対応する低電位側のスイッチング素子Ｓ＊ｎａ，Ｓ＊ｎｂとは、交互にオン状態とされる。

上記高電圧バッテリ１２を備える高電圧システムと低電圧バッテリ１６を備える低電圧システムとは、互いに絶縁されており、これらの間の信号の授受は、例えばフォトカプラ等の絶縁素子を備えるインターフェース１４を介して行われる。

図２に、上記ドライブユニットＤＵの構成を示す。

図示されるように、ドライブユニットＤＵは、１チップ化された半導体集積回路であるドライブＩＣ２０を備えている。ドライブＩＣ２０は、端子電圧ＶＨの直流電圧源２２を備え、これが、端子Ｔ１、定電流用抵抗体２４、端子Ｔ２、ＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ（定電流用スイッチング素子２６）を介して端子Ｔ３に接続されている。そして端子Ｔ３には、ゲート抵抗体２８を介してスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲートが接続されている。

一方、上記端子Ｔ３は、放電用スイッチング素子３０を介して端子Ｔ４に接続されている。そして、端子Ｔ４は、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの電流の流通経路の一対の端部のうちの一方（エミッタ）に接続されている。

上記定電流用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ドライブＩＣ２０内の駆動制御部３２によって操作される。すなわち、駆動制御部３２では、端子Ｔ５を介して入力される上記操作信号ｇ＊＃に基づき、定電流用スイッチング素子２６と放電用スイッチング素子３０とを交互にオン・オフすることでスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを駆動する。詳しくは、操作信号ｇ＊＃がオン操作指令となることで、放電用スイッチング素子３０をオフして且つ定電流用スイッチング素子２６をオンする。一方、操作信号ｇ＊＃がオフ操作指令となることで、定電流用スイッチング素子２６をオフして且つ放電用スイッチング素子３０をオンする。

ここで、定電流用スイッチング素子２６をオン操作する期間においては、その開閉制御端子（ゲート）への印加電圧を、定電流用抵抗体２４の電圧降下量（端子Ｔ１，Ｔ２間の電圧Ｖｍ）を規定値に制御するために操作する。これにより、定電流用抵抗体２４を流れる電流量を目標値とすることができ、ひいてはスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲート充電処理を定電流制御にて行うことができる。なお、定電流用スイッチング素子２６を用いた定電流制御によれば、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲート電圧は、端子電圧ＶＨに収束する。ゲート電圧が収束値へと近づくと、定電流制御の制御性が低下する。これは、ゲート電圧Ｖｇｅが、目標値の電流が流れる場合の定電流用抵抗体２４およびゲート抵抗体２８の電圧降下量と定電流用スイッチング素子２６の電圧降下量の最小値とを端子電圧ＶＨから減算した値以上となると、定電流用スイッチング素子２６のゲート電圧の操作によっては、定電流用抵抗体２４の電圧降下量を規定値に制御することができなくなるためである。このため、端子電圧ＶＨは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの正常駆動時においてスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流の最大値を飽和電流とするゲート電圧までは、定電流制御の制御性が低下しない値に設定されている。

スイッチング素子Ｓ＊＃ａ付近には、スイッチング素子Ｓ＊＃ａの温度を検出するための感温ダイオードＳＤａが配置されている。感温ダイオードＳＤａのアノードには、端子Ｔ６ａを介して直流電圧源４０ａを電源とする定電流源４２ａが接続されている。一方、スイッチング素子Ｓ＊＃ｂ付近には、スイッチング素子Ｓ＊＃ｂの温度を検出するための感温ダイオードＳＤｂが配置されている。感温ダイオードＳＤｂのアノードには、端子Ｔ６ｂを介して直流電圧源４０ｂを電源とする定電流源４２ｂが接続されている。

端子Ｔ６ａの電圧は、コンパレータ４４ａの反転入力端子に接続され、コンパレータ４４ａの非反転入力端子には、基準電源４６の基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。これにより、コンパレータ４４ａの出力は、感温ダイオードＳＤａによって検出される温度が閾値温度以上となる場合に論理「Ｈ」に反転する。ちなみに、コンパレータ４４ａの反転入力端子に感温ダイオードＳＤａのアノードを接続したのは、感温ダイオードＳＤａのアノード電圧と温度との間に負の相関があるためである。

同様に、端子Ｔ６ｂの電圧は、コンパレータ４４ｂの反転入力端子に接続され、コンパレータ４４ｂの非反転入力端子には、基準電源４６の基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。これにより、コンパレータ４４ｂの出力は、感温ダイオードＳＤｂによって検出される温度が閾値温度以上となる場合に論理「Ｈ」に反転する。

上記コンパレータ４４ａ，４４ｂの少なくとも一方が論理「Ｈ」に反転すると、ＯＲ回路５８を介してフェール信号ＦＬ（論理「Ｈ」の信号）が駆動制御部３２に出力される。これにより、駆動制御部３２では、定電流用スイッチング素子２６や放電用スイッチング素子３０の駆動を停止させる。フェール信号ＦＬは、また、端子Ｔ７を介して低電圧システム（制御装置１８）に出力される。さらに、このフェール信号ＦＬによって、先の図１に示すフェール処理部１４ａでは、インバータＩＮＶをシャットダウンする。ちなみに、フェール処理部１４ａの構成は、例えば特開２００９−６０３５８号公報の図３に記載のものとすればよい。

本実施形態では、上記スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度が閾値温度以上となることでスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動に異常が生じたと判断する処理に加えて、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の状態が乖離する異常の有無を判断する処理をも行なう。すなわち、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂは、互いに同一の操作信号ｇ＊＃によって駆動されるものである。より詳しくは、共通の端子Ｔ３を介して出力される電荷によって充電されるものであり、また、共通の端子Ｔ３を介してゲートの電荷が引き抜かれるものである。このため、これら一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の状態は、これらの駆動状態が正常であるなら互いに等しいと考えられる。このため、状態の乖離に基づき駆動異常の有無を判断することができる。

詳しくは、乖離度合いの判断対象となる状態として、本実施形態では温度を採用する。これは、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流が相違する等、一対のスイッチング素子の駆動状態が同一とならない場合には、これらの温度が相違することとなると考えられることに鑑みたものである。

具体的には、端子Ｔ６ａ，Ｔ６ｂの電位差は、差動増幅回路５０によって所定に変換された後、変換されたアナログ電圧信号が、ウィンドウコンパレータ５２に取り込まれる。ウィンドウコンパレータ５２には、判定用電源５４の判定電圧ＶｔｈＬ（＜０）と、判定用電源５６の判定電圧ＶｔｈＨ（＞０）とが入力される。これにより、ウィンドウコンパレータ５２では、差動増幅回路５０の出力電圧が判定電圧ＶｔｈＬと判定電圧ＶｔｈＨとの間にない場合に、論理「Ｈ」の信号をＯＲ回路５８に出力する。なお、ウィンドウコンパレータ５２は、たとえば一対のコンパレータを備えて構成することができる。

こうした構成によれば、感温ダイオードＳＤａによって検出されるスイッチング素子Ｓ＊＃ａの温度と、感温ダイオードＳＤｂによって検出されるスイッチング素子Ｓ＊＃ｂの温度との乖離度合いが大きい場合に、ウィンドウコンパレータ５２から異常である旨の信号（論理「Ｈ」の信号）が出力される。ここで、一対の判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを用いているのは、感温ダイオードＳＤａ，ＳＤｂのいずれの出力電圧が高いかにかかわらずこれら一対の出力電圧同士の乖離が大きい場合に異常であると判断するためである。

さらに、本実施形態では、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨをスイッチング素子Ｓ＊＃ａ、Ｓ＊＃ｂに流れる電流に応じて可変設定する。これは、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂに流れる電流が大きいほどそれらの温度が高くなる傾向にあるため、電流が大きいほど正常時におけるこれらの温度のばらつきも大きくなると考えられるためである。具体的には、本実施形態では、スイッチング素子Ｓ＊＃ａを流れる電流に応じて判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを可変設定する。すなわち、スイッチング素子Ｓ＊＃ａは、これを流れる電流と相関を有する微小電流を出力するセンス端子Ｓｔを備えており、センス端子Ｓｔは、抵抗体６０ａ，６２ａを介してエミッタに接続されている。そして、抵抗体６２ａの電圧降下量（抵抗体６０ａ，６２ａ間の電圧）が端子Ｔ８を介して判定用電源５４，５６に取り込まれる。判定用電源５４，５６では、端子Ｔ８の電圧に応じて判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを可変設定する。詳しくは、端子Ｔ８の電圧が高いほど、一対の判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨ間の間隔を拡大する。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

（１）一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度の検出結果同士の乖離度合いが大きい場合に、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動に異常が生じたと判断した。これにより、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士で駆動状態がそろわない異常が生じているか否かを判断できる。

（２）一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の温度の乖離度合いの閾値（判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨ）を、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流量に応じて可変設定した。これにより、異常の有無をより高精度に判断することができる。すなわち、電流量が大きいほど温度が高くなる傾向にあるため、正常時であっても温度ばらつきが大きくなる。ここで、電流量が大きいときに基づいて閾値を設定する場合には、電流量が小さい場合に異常を検知することが困難となる。また、電流量が小さいときに基づいて閾値を設定する場合には、電流量が大きい場合に正常であるにもかかわらず異常である旨誤判断するおそれがある。

（３）一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の温度の乖離度合いが大きい異常がある場合、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動を停止させた。これにより、異常事態が悪化することを好適に抑制することができる。

（４）一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の温度の乖離度合いが大きい異常がある場合、その旨を制御装置１８に通知した。これにより、異常事態を把握させることができる。
＜第２の実施形態＞
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やドライブユニットＤＵの仕様に応じて可変設定する。詳しくは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲートおよびエミッタ間容量や、ゲート印加電圧（直流電圧源２２の電圧ＶＨ）に応じて可変設定する。ここで、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲートおよびエミッタ間容量は、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのオン抵抗（コレクタおよびエミッタ間電圧）を定めるパラメータである。また、ゲート印加電圧も、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのオン抵抗（コレクタおよびエミッタ間電圧）を定めるパラメータである。このため、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流が同一であったとしても、上記パラメータに応じてこれらの温度が変化する。

図３に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵの回路構成を示す。なお、図３において、先の図２に示した部材に対応するものついては、便宜上同一の符号を付している。

図示されるように、判定電圧ＶｔｈＬは、電源７３の電圧が、抵抗体７０，７２によって分圧されることで生成される。そして、抵抗体７２は、端子Ｔ９，Ｔ１０を介してドライブＩＣ２０に対して外付けされている。一方、判定電圧ＶｔｈＨは、電源７７の電圧が、抵抗体７４，７６によって分圧されることで生成される。そして、抵抗体７４は、端子Ｔ１１，Ｔ１２を介してドライブＩＣ２０に対して外付けされている。

こうした構成によれば、ドライブＩＣ２０に接続されるスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様に応じて、抵抗体７２，７６の抵抗値を調節することで、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを可変設定することができる。同様に、ゲート印加電圧（ドライブＩＣ２０に対して外付けされた直流電圧源２２の電圧ＶＨ）に応じて、抵抗体７２，７６の抵抗値を調節することで、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを可変設定することができる。

以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１），（３），（４）の各効果に加えて、さらに以下の効果が得られるようになる。

（５）ドライブＩＣ２０に対して外付けされた抵抗体７２，７６の抵抗値を調節することで、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを操作可能とした。これにより、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やゲート印加電圧に応じて、判定電圧ＶｔｈＬ，ＶｔｈＨを可変設定することができる。
＜第３の実施形態＞
以下、第３の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図４に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵの回路構成を示す。なお、図４において、先の図２に示した部材に対応するものついては、便宜上同一の符号を付している。

本実施形態では、ドライブＩＣ２０の上述した端子Ｔ３に、ツェナーダイオード８０およびクランプ用スイッチング素子８２の直列接続体を介して端子Ｔ４が接続されている。ここで、ツェナーダイオード８０のブレークダウン電圧は、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂに過度の電流が流れない程度にスイッチング素子Ｓ＊＃，Ｓ＊＃ｂのゲート電圧を制限するものである。

上記端子Ｔ３には、さらに、ソフト遮断用抵抗体８４およびソフト遮断用スイッチング素子８６を介して端子Ｔ４が接続されている。

一方、上記スイッチング素子Ｓ＊＃ａのセンス端子Ｓｔは、抵抗体６０ａ，６２ａの直列接続体を介してエミッタに電気的に接続されており、抵抗体６０ａ，６２ａによる電圧降下量（抵抗体６０ａ，６２ａの接続点の電圧Ｖｓｄａ）は、端子Ｔ８ａを介して、コンパレータ８８ａの非反転入力端子に取り込まれる。一方、コンパレータ８８ａの反転入力端子には、基準電源９０の基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。これにより、コレクタ電流が過電流閾値Ｉｔｈ以上となることで、コンパレータ８８ａの出力信号が論理「Ｌ」から論理「Ｈ」に反転する。

同様に、スイッチング素子Ｓ＊＃ｂのセンス端子Ｓｔは、抵抗体６０ｂ，６２ｂの直列接続体を介してエミッタに電気的に接続されており、抵抗体６０ｂ，６２ｂによる電圧降下量（抵抗体６０ｂ，６２ｂの接続点の電圧Ｖｓｄｂ）は、端子Ｔ８ｂを介して、コンパレータ８８ｂの非反転入力端子に取り込まれる。一方、コンパレータ８８ｂの反転入力端子には、基準電源９０の基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。これにより、コレクタ電流が過電流閾値Ｉｔｈ以上となることで、コンパレータ８８ｂの出力信号が論理「Ｌ」から論理「Ｈ」に反転する。

コンパレータ８８ａ，８８ｂの出力する論理「Ｈ」の信号は、ＯＲ回路９２を介してクランプ用スイッチング素子８２に印加されるとともに、ディレイ９４に取り込まれる。ディレイ９４は、入力信号が所定時間に渡って論理「Ｈ」となることで、フェール信号ＦＬをＯＲ回路５８に出力する。

こうした構成によれば、スイッチング素子Ｓ＊＃，Ｓ＊＃ｂに過電流が流れる場合には、まずクランプ用スイッチング素子８２のオン操作に伴ってツェナーダイオード８０がオン状態とされることで、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲート電圧が低下する。これにより、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流を制限することができる。そしてその後、過電流が所定時間継続する場合には、ソフト遮断用スイッチング素子８６がオン状態とされることから、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂが強制的にオフとされる。

これにより、コレクタ電流が過電流閾値Ｉｔｈ以上となる状態が所定時間以上継続することで、ソフト遮断用スイッチング素子８６がオンとされ、ソフト遮断用抵抗体８４およびゲート抵抗体２８を介して、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃のゲートの電荷が放電される。ここで、ソフト遮断用抵抗体８４は、放電経路の抵抗値を高抵抗とするためのものである。これは、コレクタ電流が過大である状況下にあっては、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂをオン状態からオフ状態へと切り替える速度、換言すればコレクタおよびエミッタ間の遮断速度を大きくすると、サージが過大となるおそれがあることに鑑みたものである。このため、コレクタ電流が過電流閾値Ｉｔｈ以上となると判断される状況下にあっては、ゲート抵抗体２８および放電用スイッチング素子３０を備える放電経路よりも抵抗値の大きい経路によってスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲートを放電させる。

なお、上記クランプ用スイッチング素子８２およびツェナーダイオード８０を備えるクランプ回路によるクランプ電圧を、本実施形態では、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂを流れる電流を規定値（≧過電流閾値Ｉｔｈ）以下に制限する値に設定する。

ここで、本実施形態では、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂに過度に大きい電流が流れるか否かの判断に加えて、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂ同士の温度の乖離度合いが大きいか否かの判断をも行なう。そして一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度は、これらのゲート電圧Ｖｇｅ、Ｖｇｅｂと、これらを流れる電流（電圧Ｖｓｄａ，Ｖｓｄｂ）とに基づき間接的に検出される。

詳しくは、異常判断部９５では、端子Ｔ８ａ，Ｔ８ｂの電圧Ｖｓｄａ，Ｖｓｄｂに加えて、端子Ｔ１３ａ，Ｔ１３ｂを介してスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのゲート電圧Ｖｇｅａ，Ｖｇｅｂを取り込む。

図５に、本実施形態にかかる異常の有無の判断処理の手順を示す。この処理は、異常判断部９５において、たとえば所定周期で繰り返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ１０において、操作信号ｇ＊＃のオフ操作指令からオン操作指令への切り替え時であるか否かを判断する。そしてステップＳ１０において肯定判断される場合、ステップＳ１２において、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂのそれぞれがオン状態に切り替わる電圧（閾値電圧Ｖｔｈａ，Ｖｔｈｂ）を取得する処理を行なう。ここで、閾値電圧Ｖｔｈａは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａに電流が流れ始めた際（電圧Ｖｓｄａが所定値ΔＶ以上となる時点）でのゲート電圧Ｖｇｅａであり、閾値電圧Ｖｔｈｂは、スイッチング素子Ｓ＊＃ｂに電流が流れ始めた際（電圧Ｖｓｄｂが所定値ΔＶ以上となる時点）でのゲート電圧Ｖｇｅｂである。

続くステップＳ１４においては、閾値電圧Ｖｔｈａ，Ｖｔｈｂ同士の差の絶対値が判定電圧Δｔｈ以上であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子の温度と閾値電圧との間に相関関係があることに鑑み、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度同士の乖離度合いが大きいか否かを判断するものである。ここで、判定電圧ΔＶｔｈは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａを流れる電流（電圧Ｖｓｄａ）に応じて可変設定される。なお、実際には、この判定電圧ΔＶｔｈは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やゲート印加電圧等によっても可変設定される。これは、先の図４に示すように、異常判断部９５に印加される電圧信号を抵抗体１００の抵抗値によって可変操作することで行なわれる。すなわち、異常判断部９５には、直流電圧源９８の電圧が、抵抗体９９，１００によって分圧されたものが印加されている。そして、抵抗体１００は、端子Ｔ１４，Ｔ１５を介してドライブＩＣ２０に対して外付けされているため、これによって異常判断部９５に印加される分圧値を可変操作することができる。

先の図５の上記ステップＳ１４において肯定判断される場合、ステップＳ１６において、フェール信号ＦＬを出力する。

なお、上記ステップＳ１６の処理が完了する場合や、ステップＳ１０，Ｓ１４において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によっても、先の第１の実施形態に準じた効果を得ることができる。
＜第４の実施形態＞
以下、第４の実施形態について、先の第３の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図６に、本実施形態にかかる異常の有無の判断処理の手順を示す。この処理は、異常判断部９５において、たとえば所定周期で繰り返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ２０において、操作信号ｇ＊＃のオフ操作指令からオン操作指令への切り替え時であるか否かを判断する。そしてステップＳ２０において肯定判断される場合、ステップＳ２２において、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂに電流が流れ始めるまでに要する時間を計時するタイマＴの計時動作を開始する。続くステップＳ２４においては、スイッチング素子Ｓ＊＃ａに電流が流れ始めるまでに要した時間Ｔａ（電圧Ｖｓｄａが所定値ΔＶ以上となるまでに要した時間）と、スイッチング素子Ｓ＊＃ｂに電流が流れ始めるまでに要した時間Ｔｂ（電圧Ｖｓｄｂが所定値ΔＶ以上となるまでに要した時間）とを取得する。

続くステップＳ２６では、時間Ｔａと時間Ｔｂとの差の絶対値が規定時間ΔＴ以上であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子の温度と閾値電圧との間に相関関係があることに鑑み、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの温度同士の乖離度合いが大きいか否かを判断するためのものである。ここで、規定時間ΔＴは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａを流れる電流（電圧Ｖｓｄａ）に応じて可変設定される。なお、実際には、この規定時間ΔＴは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やゲート印加電圧等によっても可変設定される。

上記ステップＳ２６において肯定判断される場合、ステップＳ２８においてフェール信号ＦＬを出力する。なお、上記ステップＳ２８の処理が完了する場合や、ステップＳ２０，Ｓ２６において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によっても、先の第１の実施形態に準じた効果を得ることができる。
＜第５の実施形態＞
以下、第５の実施形態について、先の第３の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図７に、本実施形態にかかる異常の有無の判断処理の手順を示す。この処理は、異常判断部９５において、たとえば所定周期で繰り返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ３０において、操作信号ｇ＊＃のオフ操作指令からオン操作指令への切り替え時であるか否かを判断する。そしてステップＳ３０において肯定判断される場合、ステップＳ３２において、オン操作指令への切り替えタイミングからの時間を計時するタイマＴの計時動作を開始する。続くステップＳ３４においては、タイマＴの値が規定時間Ｔｔｈ以上となったか否かを判断する。ここで、規定時間Ｔｔｈは、ゲート電圧が直流電圧源２２の電圧ＶＨとなると想定されるよりも短い時間に設定される。より詳しくは、ミラー期間にあると想定される時間に設定される。

ステップＳ３４において肯定判断される場合、ステップＳ３６において、スイッチング素子Ｓ＊＃ａのゲート電圧Ｖｇｅａとスイッチング素子Ｓ＊＃ｂのゲート電圧Ｖｇｅｂとの差の絶対値が判定電圧ΔＶｇｅ以上であるか否かを判断する。この処理は、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動状態が相違する異常の有無を判断するためのものである。ここで、ミラー期間と想定される期間におけるゲート電圧が相違する要因としては、ゲートおよびエミッタ間容量のばらつきが大きくなっていることや、ゲート充電速度に相違が生じていること等が考えられる。なお、ゲートおよびエミッタ間容量のばらつきは、温度ばらつきによって生じると考えられる。また、上記判定電圧ΔＶｇｅは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やゲート印加電圧等によって可変設定される。

上記ステップＳ３６において肯定判断される場合、ステップＳ３８においてフェール信号ＦＬを出力する。なお、上記ステップＳ３８の処理が完了する場合や、ステップＳ３０，Ｓ３６において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によっても、先の第１の実施形態に準じた効果を得ることができる。
＜第６の実施形態＞
以下、第６の実施形態について、先の第３の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図８に、本実施形態にかかる異常の有無の判断処理の手順を示す。この処理は、異常判断部９５において、たとえば所定周期で繰り返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ４０において、操作信号ｇ＊＃のオフ操作指令からオン操作指令への切り替え時であるか否かを判断する。ステップＳ４０において肯定判断される場合、ステップＳ４２において、先の図４の端子Ｔ８ａに印加される電圧Ｖｓｄａと端子Ｔ８ｂに印加される電圧Ｖｓｄｂとの差の絶対値が判定電圧ΔＶｓｄ以上であるか否かを判断する。この処理は、一対のスイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動状態が相違する異常の有無を判断するためのものである。なお、上記判定電圧ΔＶｓｄは、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの仕様やゲート印加電圧等によって可変設定される。

上記ステップＳ４２において肯定判断される場合、ステップＳ４４においてフェール信号ＦＬを出力する。なお、上記ステップＳ４４の処理が完了する場合や、ステップＳ４０，Ｓ４２において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によっても、先の第１の実施形態に準じた効果を得ることができる。
＜その他の実施形態＞
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

「可変手段の入力パラメータとしての電流について」
電圧Ｖｓｄａに限らず、電圧Ｖｓｄｂであってもよい。また、スイッチング素子Ｓ＊＃の電流の流通経路の一対の端部間の電圧（コレクタエミッタ間電圧）であってもよい。さらに、モータジェネレータ１０に対する指令電流に応じた信号を制御装置１８から取り込んで利用してもよい。

「操作手段について」
操作手段としては、外付けの抵抗体の抵抗値によって閾値を可変操作するものに限らず、たとえば、一対の入力端子のうちの一方をプルダウンして且つ他方をプルアップすることとし、いずれをプルダウンするかに応じて閾値を内部で可変操作するものとしてもよい。

「異常判断処理におけるゲート電圧の利用手法について」
ミラー期間となると想定されるタイミングでの電圧同士の乖離度合いに基づく異常の有無の判断に限らない。たとえばゲート電圧の検出値が閾値電圧Ｖｔｈとなるまでの時間同士の乖離度合いが大きいことに基づき、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ、Ｓ＊＃ｂの温度差が大きくなる異常が生じていると判断してもよい。

「状態検出手段について」
電流の検出手段としては、電圧Ｖｓｄａ，Ｖｓｄｂを検出するものに限らず、たとえばスイッチング素子Ｓ＊＃の電流の流通経路の一対の端部間の電圧（コレクタエミッタ間電圧）を検出するものであってもよい。

「制限手段について」
スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動状態が相違する異常時において充電用スイッチング素子（定電流用スイッチング素子２６）を強制的にオフして且つ放電用スイッチング素子３０を強制的にオンする手段や、フェール信号ＦＬを用いてインバータＩＮＶをシャットダウンさせる手段に限らない。たとえば、スイッチング素子Ｓ＊＃ａ，Ｓ＊＃ｂの駆動状態が相違する異常時においても、ソフト遮断用スイッチング素子８６を用いてスイッチング素子Ｓ＊＃を強制的にオフ操作するものであってもよい。

「通知手段について」
駆動状態の対称性の崩れに関する異常を通知する通知手段としては、フェール信号ＦＬを制御装置１８に出力するものに限らない。たとえば、感温ダイオードＳＤによって検出される温度が過度に大きい異常や、スイッチング素子Ｓ＊＃を流れる電流が過度に大きい異常を示す信号とは別の信号を制御装置１８に出力するものであってもよい。この場合、制御装置１８は、スイッチング素子Ｓ＊＃を流れる温度が過度に大きい異常が生じた場合とは相違する対処をすることも可能となる。これはたとえば、駆動状態の対称性の崩れに関する異常が生じた場合には、モータジェネレータ１０のトルク（電流）の絶対値をゼロよりも大きい値に制御しつつこれを制限した状態で運転することで実現することができる。

「１の集積回路によって駆動対象とされる駆動対象スイッチング素子の数について」
１つまたは２つに限らず、３つ以上の場合にも対処可能なものであってもよい。この場合、各２つずつの状態を直接対比させることなく、状態の平均値と各状態との差に基づき、乖離度合いの大小を判断することもできる。

「駆動対象スイッチング素子について」
駆動対象スイッチング素子としては、ＩＧＢＴに限らず、たとえばパワーＭＯＳ電界効果トランジスタ等であってもよい。この際、Ｎチャネルにも限らず、Ｐチャネルであってもよい。ただしこの場合、電流の流通経路の一対の端部のうちのいずれか一方の電位（ソース電位）に対して開閉制御端子の電位（ゲート電位）を低下させることでオン状態となるため、ゲートに「負」の電荷を充電することで駆動対象スイッチング素子がオン状態となる。

「そのほか」
・駆動対象スイッチング素子Ｓ＊＃のオン状態への切り替え処理としては、定電流処理に限らず、たとえばゲート抵抗を介して直流電圧源２２の電圧を常時印加するものであってもよい。

・駆動対象スイッチング素子Ｓ＊＃のオフ状態への切り替え処理を定電流制御によって行なってもよい。

・モータジェネレータ１０としては、車載主機に限らず、たとえばシリーズハイブリッド車に搭載される発電機であってもよい。

５０…差動増幅回路、５２…ウィンドウコンパレータ、ＳＤａ，ＳＤｂ…感温ダイオード、５４，５６…判定用電源。

Claims (12)

1. 複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
   前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備え、
   前記検出結果は、前記駆動対象スイッチング素子の温度の検出結果を含み、
   前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する温度の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき前記異常が生じたと判断するものであり、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて可変設定する可変手段を備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
2. 前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
   前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に印加する電圧値に応じて可変操作可能な操作手段を備えることを特徴とする請求項１記載のスイッチング素子の駆動回路。
3. 前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子付近の温度を検出する感温ダイオードを備え、
   前記異常判断手段は、前記検出結果としての前記感温ダイオードについての前記少なくとも２つに対応する出力電圧同士の乖離度合いに基づき前記異常の有無を判断することを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング素子の駆動回路。
4. 前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
   前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のいずれか一方および開閉制御端子間の電圧を検出する電圧検出手段と、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段とを備え、
   前記異常判断手段は、前記電流検出手段の検出値に基づき前記駆動対象スイッチング素子に電流が流れ始めたと判断されるときに前記電圧検出手段によって検出される電圧についての前記少なくとも２つに対応する値同士の差に基づき、前記異常の有無を判断することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
5. 複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
   前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備え、
   前記検出結果は、前記駆動対象スイッチング素子の温度の検出結果を含み、
   前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する温度の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき前記異常が生じたと判断するものであり、
   前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
   前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のいずれか一方および開閉制御端子間の電圧を検出する電圧検出手段と、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段とを備え、
   前記異常判断手段は、前記電流検出手段の検出値に基づき前記駆動対象スイッチング素子に電流が流れ始めたと判断されるときに前記電圧検出手段によって検出される電圧についての前記少なくとも２つに対応する値同士の差に基づき、前記異常の有無を判断することを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
6. 複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
   前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備え、
   前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
   前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子の電流の流通経路の一対の端部のうちのいずれか一方および開閉制御端子間の電圧を検出する電圧検出手段を備え、
   前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する電圧検出手段によって検出される電圧同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断することを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
7. 前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて可変設定する可変手段を備えることを特徴とする請求項６記載のスイッチング素子の駆動回路。
8. 複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
   前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備え、
   前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段を備え、
   前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する前記電流検出手段によって検出される値同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断するものであり、
   前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流量に応じて可変設定する可変手段を備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
9. 前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
   前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に印加する電圧値に応じて可変操作可能な操作手段を備えることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
10. 複数の駆動対象スイッチング素子のそれぞれの状態を検出する状態検出手段を備えて且つ、該複数の駆動対象スイッチング素子を単一の駆動信号によって駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
    前記複数の駆動対象スイッチング素子のうちの少なくとも２つに対応する状態検出手段による状態の検出結果同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断する異常判断手段を備え、
    前記状態検出手段は、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出手段を備え、
    前記異常判断手段は、前記少なくとも２つに対応する前記電流検出手段によって検出される値同士の乖離度合いが大きいことに基づき、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に際して異常が生じたと判断するものであり、
    前記駆動対象スイッチング素子は、電圧制御形のスイッチング素子であり、
    前記異常判断手段は、前記異常が生じたと判断するための前記乖離度合いの閾値を、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に印加する電圧値に応じて可変操作可能な操作手段を備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
11. 前記異常判断手段によって異常がある旨判断される場合、前記駆動対象スイッチング素子の駆動を制限する制限手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
12. 前記異常判断手段によって異常がある旨判断される場合、その旨を外部に通知する通知手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスイッチング素子の駆動回路。

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